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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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低压MOSFET（P沟道）
型号：HKTQ30P03 编号：C49238169
封装：PDFN3333
品牌：Hottech(合科泰)
P-ch -30V -60A

  • 5+

    ￥0.701005 ￥0.7379

  • 50+

    ￥0.55841 ￥0.5878

  • 150+

    ￥0.487065 ￥0.5127

  • 500+

    ￥0.43358 ￥0.4564

  • 2500+

    ￥0.39083 ￥0.4114

  • 5000+

    ￥0.369455 ￥0.3889
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:100V 电流:2A
    型号：HSS2P10 编号：C845592
    封装：SOT-23L
    品牌：HUASHUO(华朔)
    HSS2P10是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSS2P10符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7355

    • 50+

      ￥0.58

    • 150+

      ￥0.5022

    • 500+

      ￥0.4439

    • 3000+

      ￥0.3732

    • 6000+

      ￥0.3499
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
    型号：CJA03N10S 编号：C504059
    封装：SOT-89-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    CJA03N10S采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于多种应用场景。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.825

    • 50+

      ￥0.6786

    • 150+

      ￥0.6054

    • 1000+

      ￥0.5082

    • 2000+

      ￥0.4643

    • 5000+

      ￥0.4423
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：AO4407A 编号：C5155211
    封装：SOP-8
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.826795 ￥0.9727

    • 50+

      ￥0.663595 ￥0.7807

    • 150+

      ￥0.581995 ￥0.6847

    • 500+

      ￥0.520795 ￥0.6127

    • 3000+

      ￥0.42228 ￥0.4968

    • 6000+

      ￥0.3978 ￥0.468
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道20V快速开关MOSFET
    型号：XR65P02D 编号：C42456904
    封装：PDFN-8L(3.3x3.3)
    品牌：XNRUSEMI(新锐)
    高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

    • 5+

      ￥0.87291 ￥0.9699

    • 50+

      ￥0.69147 ￥0.7683

    • 150+

      ￥0.61371 ￥0.6819

    • 500+

      ￥0.51669 ￥0.5741

    • 2500+

      ￥0.47349 ￥0.5261

    • 5000+

      ￥0.44757 ￥0.4973
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:0.021A
    型号：BSS126H6327 编号：C534596
    封装：SOT-23-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N通道。耗尽模式。dv/dt额定。卷盘上带有VGS(th)指示器。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9448

    • 50+

      ￥0.7571

    • 150+

      ￥0.6632

    • 500+

      ￥0.5929

    • 3000+

      ￥0.5365

    • 6000+

      ￥0.5084
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:50V 电流:500mA
    型号：NDC7002N 编号：C5125996
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：笔记本电脑。负载开关。网络设备。手持仪器
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9487

    • 50+

      ￥0.7631

    • 150+

      ￥0.6703

    • 500+

      ￥0.6008

    • 3000+

      ￥0.4821

    • 6000+

      ￥0.4543
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:25A
    型号：AOD413A 编号：C5261059
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型TO-252-2L封装，具有40V工作电压及高效能的25A电流承载力。专为低压、高效率开关应用设计，应用于各类消费电子产品中，以实现卓越的电源转换效能与系统稳定性，是优化电路的理想选择。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.971375 ￥1.0225

    • 50+

      ￥0.78603 ￥0.8274

    • 150+

      ￥0.706705 ￥0.7439

    • 500+

      ￥0.60762 ￥0.6396

    • 2500+

      ￥0.52668 ￥0.5544

    • 5000+

      ￥0.50027 ￥0.5266
  • 有货
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    P沟道 耐压:55V 电流:19A
    型号：IRF9Z34N(UMW) 编号：C18207547
    封装：TO-220
    品牌：UMW(友台半导体)
    MOS管

    • 5+

      ￥1.0048

    • 50+

      ￥0.8756

    • 150+

      ￥0.8203

    • 500+

      ￥0.7512

    • 2500+

      ￥0.7205

    • 5000+

      ￥0.702
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:100V 电流:12A
    型号：AGM150P10S 编号：C22364309
    封装：SOP-8
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM150P10S将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 5+

      ￥1.01

    • 50+

      ￥0.7983

    • 150+

      ￥0.7076

    • 500+

      ￥0.5944

    • 3000+

      ￥0.4999
  • 有货
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    耐压:40V 电流:110A
    型号：SP40N03AGNK 编号：C22385419
    封装：PDFNWB-8L(5x6)
    品牌：Siliup(矽普)
    大电流SGT MOSFET产品

    • 5+

      ￥1.019255 ￥1.0729

    • 50+

      ￥0.886445 ￥0.9331

    • 150+

      ￥0.82954 ￥0.8732

    • 500+

      ￥0.758575 ￥0.7985

    • 2500+

      ￥0.74594 ￥0.7852

    • 5000+

      ￥0.727035 ￥0.7653
  • 有货
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    P沟道增强型MOSFET 耐压:30V 电流:60A
    型号：AP90P03Q 编号：C2849567
    封装：PDFN3x3-8L
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    特性：-30V, -60A。 RDS(ON) < 7.5mΩ @VGS = -10V。 RDS(ON) < 12mΩ @VGS = -4.5V。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0333

    • 50+

      ￥0.8499

    • 150+

      ￥0.7712

    • 500+

      ￥0.6731

    • 2500+

      ￥0.6295

    • 5000+

      ￥0.6033
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道，30V快速开关MOSFET
    型号：XR70P03D 编号：C42456940
    封装：PDFN3333-8L
    品牌：XNRUSEMI(新锐)
    高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量，具备完整的功能可靠性。

    • 5+

      ￥1.04931 ￥1.1659

    • 50+

      ￥0.83124 ￥0.9236

    • 150+

      ￥0.73773 ￥0.8197

    • 500+

      ￥0.62109 ￥0.6901

    • 2500+

      ￥0.56916 ￥0.6324

    • 5000+

      ￥0.53802 ￥0.5978
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
    型号：Si7850DP-HXY 编号：C5148670
    封装：DFN5x6-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款N型场效应管具有30A的电流承载能力，60V的电压耐受性，内阻典型值为20mΩ，适用于高电流、低内阻需求的场景。其VGS为20V，确保了良好的开关控制性能。适用于多种应用，包括但不限于电源管理、负载开关等。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.06343 ￥1.1194

    • 50+

      ￥0.86089 ￥0.9062

    • 150+

      ￥0.774155 ￥0.8149

    • 500+

      ￥0.665855 ￥0.7009

    • 2500+

      ￥0.549195 ￥0.5781

    • 5000+

      ￥0.52022 ￥0.5476
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:3A
    型号：TPM30NP4S6 编号：C5182069
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1091

    • 50+

      ￥0.8823

    • 150+

      ￥0.7851

    • 500+

      ￥0.6638

    • 3000+

      ￥0.5365

    • 6000+

      ￥0.504
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:16A
    型号：WSD3043DN33 编号：C7427493
    封装：DFN3X3-8
    品牌：WINSOK(微硕)
    WsD3043DN33是高性能沟槽N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。WsD3043DN33符合Rohs和绿色产品要求，100%的产品经过全功能可靠性认证。

    • 5+

      ￥1.11204 ￥1.2356

    • 50+

      ￥0.86256 ￥0.9584

    • 150+

      ￥0.75564 ￥0.8396

    • 500+

      ￥0.62226 ￥0.6914

    • 2500+

      ￥0.56286 ￥0.6254

    • 5000+

      ￥0.52722 ￥0.5858
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:320mA
    型号：BSS138BKW,115 编号：C2908822
    封装：SC-70
    品牌：Nexperia(安世)
    采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT323（SC - 70）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1227

    • 50+

      ￥0.9015

    • 150+

      ￥0.8068

    • 500+

      ￥0.667845 ￥0.6885

    • 3000+

      ￥0.616823 ￥0.6359

    • 6000+

      ￥0.586171 ￥0.6043
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET
    型号：WPM3028-TP 编号：C49452334
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    适合在 VGS = -10V 时，承受 30V 的漏源电压，40A 的电流，且导通电阻 ≤13mΩ。

    • 5+

      ￥1.1363

    • 50+

      ￥0.8868

    • 150+

      ￥0.7799

    • 500+

      ￥0.6465

    • 2500+

      ￥0.5871
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
    型号：STD30NF06L(UMW) 编号：C3020377
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 VDS(V) = 60V。 ID = 30A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 23mΩ(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 29mΩ(VGS = 4.5V)。 是无铅产品
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1708

    • 50+

      ￥0.9208

    • 150+

      ￥0.8137

    • 500+

      ￥0.68

    • 2500+

      ￥0.5908

    • 5000+

      ￥0.555
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:30A
    型号：SI7850DP 编号：C18197826
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：负载/电源开关。接口、逻辑开关。超便携式电子产品的电池管理

    • 5+

      ￥1.1733

    • 50+

      ￥0.9213

    • 150+

      ￥0.8133

    • 500+

      ￥0.6786

    • 2500+

      ￥0.6186
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:31A
    型号：ESN7403 编号：C5140350
    封装：PDFN3x3-8L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-8A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.1932

    • 10+

      ￥0.9176

    • 30+

      ￥0.7994

    • 100+

      ￥0.652

    • 500+

      ￥0.5864

    • 1000+

      ￥0.547
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:12V 电流:6A
    型号：SI2333DDS-T1-GE3 编号：C183004
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    P沟道,Vds=-12V,Id=-6A
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2369

    • 50+

      ￥0.9766

    • 150+

      ￥0.865

    • 500+

      ￥0.7258

    • 3000+

      ￥0.6638
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET
    型号：SI7129DN-TP 编号：C49452324
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：- VDS：30V。IDS（VGS = -10V时）：50A。RDS(ON)（VGS = -10V时） ≤ 9mΩ（典型值）。应用：反向电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥1.2604

    • 50+

      ￥0.9832

    • 150+

      ￥0.8644

    • 500+

      ￥0.7162

    • 2500+

      ￥0.6502

    • 5000+

      ￥0.6105
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:450V 电流:11A
    型号：WGD11N45SE 编号：C17702320
    封装：TO-252
    品牌：Wild Goose(威谷)
    特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 28nC（典型值）。 BVDSS = 450V，D = 11A。 RDS(on)：0.55Ω（最大值）@VG = 10V。 100%雪崩测试

    • 5+

      ￥1.2806 ￥1.348

    • 50+

      ￥0.99332 ￥1.0456

    • 150+

      ￥0.8702 ￥0.916

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      ￥0.716585 ￥0.7543

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      ￥0.648185 ￥0.6823

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      ￥0.60705 ￥0.639
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    中低压P型MOSFET
    型号：SP16P03NJ 编号：C41354996
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：Siliup(矽普)
    中低压MOSFET产品，P沟道，耐压：-16V,电流：-74A,RDSON:3.4mR

    • 5+

      ￥1.284685 ￥1.3523

    • 50+

      ￥1.00453 ￥1.0574

    • 150+

      ￥0.884545 ￥0.9311

    • 500+

      ￥0.73473 ￥0.7734

    • 2500+

      ￥0.69027 ￥0.7266

    • 5000+

      ￥0.650275 ￥0.6845
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    N沟道和P沟道快速开关MOSFET
    型号：XR50G30F 编号：C42457193
    封装：PDFN5060-8L
    品牌：XNRUSEMI(新锐)
    高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量，具备完整功能可靠性认证。

    • 5+

      ￥1.30959 ￥1.4551

    • 50+

      ￥1.03734 ￥1.1526

    • 150+

      ￥0.9207 ￥1.023

    • 500+

      ￥0.77508 ￥0.8612

    • 2500+

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      ￥0.6714 ￥0.746
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    1个P沟道 耐压:150V 电流:2A
    型号：HSS2P15 编号：C2987710
    封装：SOT-23L
    品牌：HUASHUO(华朔)
    特性：100% EAS保证。 提供绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：负载开关。 电源管理
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    • 5+

      ￥1.3268

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      ￥1.0546

    • 150+

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      ￥0.669

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    40V P沟道MOSFET
    型号：SI4401BDY(UMW) 编号：C5346814
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=-40V。 RDS(ON) < 18mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 29mΩ(VGS =-4.5V)。应用：负载开关。 负载点电源
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      ￥1.3345

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      ￥1.0422

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      ￥0.6493
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:27A
    型号：NTTFS4C25NTWG 编号：C893914
    封装：WDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：低 RDS(on) 以最小化传导损耗。 低电容以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷以最小化开关损耗。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换器。 功率负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3407

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      ￥1.1725

    • 150+

      ￥1.1005

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    • 2500+

      ￥0.9048

    • 5000+

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:20A
    型号：HSBB0012 编号：C701031
    封装：PRPAK3x3-8L
    品牌：HUASHUO(华朔)
    HSBB0012是新一代MOSFET，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于高效电源管理应用。HSBB0012符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3802

    • 50+

      ￥1.079

    • 150+

      ￥0.9499

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