mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：AGM30P14MBP 编号：C5367089

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM30P14MBP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

5+
￥1.3547 ￥1.426
50+
￥1.06742 ￥1.1236
150+
￥0.9443 ￥0.994
500+
￥0.790685 ￥0.8323
2500+
￥0.705185 ￥0.7423
5000+
￥0.66405 ￥0.699

有货

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型号：BMQ100N38 编号：C42432421

封装：DFN3333-8L

品牌：BORN(伯恩半导体)

VDS=100V,ID=38A，DFN3333封装

5+
￥1.3971
50+
￥1.2081
150+
￥1.1271
500+
￥1.026
2500+
￥0.981
5000+
￥0.954

有货

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型号：AO4421-GK 编号：C42402296

封装：SOP-8

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个P沟道耐压:30V 电流:7A

5+
￥1.40011 ￥1.4738
50+
￥1.11283 ￥1.1714
150+
￥0.98971 ￥1.0418
500+
￥0.836095 ￥0.8801
3000+
￥0.767695 ￥0.8081
6000+
￥0.726655 ￥0.7649

有货

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型号：MSK7804 编号：C2902916

封装：DFN-8-EP(3.2x3.1)

品牌：MSKSEMI(美森科)

MSK7804采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

数据手册

5+
￥1.40562 ￥1.5618
50+
￥1.23552 ￥1.3728
150+
￥1.16262 ￥1.2918
500+
￥1.07163 ￥1.1907
2500+
￥1.03113 ￥1.1457
5000+
￥1.00683 ￥1.1187

有货

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型号：SI4134DY-T1-GE3 编号：C142600

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：DC/DC转换。笔记本系统电源

数据手册

5+
￥1.4284
50+
￥1.1515
150+
￥1.0328
500+
￥0.8847
2500+
￥0.7594
5000+
￥0.7199

有货

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型号：AGM628MAP 编号：C22364308

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM628MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

5+
￥1.4362
50+
￥1.1338
150+
￥1.0042
500+
￥0.8425
2500+
￥0.7315

有货

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型号：ESN21307 编号：C5224307

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-45A，8.5mΩ@-10V,-20A，-1.5V@-250uA；应用领域：锂电池保护板、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

1+
￥1.4726
10+
￥1.1324
30+
￥0.9866
100+
￥0.8047
500+
￥0.7237
1000+
￥0.675

有货

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型号：AOD407 编号：C75092

封装：TO-252

品牌：AOS

AOD407采用先进的沟槽技术，可实现出色的 $\mathsf{R}_{\mathsf{DS}(\mathsf{ON})}$、低栅极电荷和低栅极电阻。凭借DPAK封装出色的热阻特性，该器件非常适合大电流负载应用。

数据手册

5+
￥1.4968
50+
￥1.3386
150+
￥1.2708
500+
￥1.1861
2500+
￥1.0324
5000+
￥1.0098

有货

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型号：FQD13N10LTM 编号：C5350889

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：RDS(ON)≤100mΩ@VGS = 10V。超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。出色的导通电阻和最大直流电流。应用：笔记本电脑的电源管理。 DC/DC转换器

数据手册

5+
￥1.5896
50+
￥1.2368
150+
￥1.0856
500+
￥0.897
2500+
￥0.813
5000+
￥0.7626

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型号：HD304P140S 编号：C50327547

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：漏源电压（VDS）：40V。漏极电流（ID）：50A。栅源电压为10V时的导通电阻（RDS(on)@VGS = 10V）：< 14mΩ。栅源电压为4.5V时的导通电阻（RDS(on)@VGS = 4.5V）：< 18mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：DC-DC转换器。负载开关

5+
￥1.6064
50+
￥1.2725
150+
￥1.1294

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型号：DMC6040SSD-13 编号：C155365

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这款新一代 MOSFET 的设计旨在尽量降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

数据手册

3+
￥1.6494
30+
￥1.3511
90+
￥1.2232
300+
￥1.0637
1500+
￥0.9927
3000+
￥0.95

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型号：FDS8447-TP 编号：C41348174

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥1.6704
50+
￥1.3176
150+
￥1.1664
500+
￥0.9777
3000+
￥0.8937

有货

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型号：WSF70P03 编号：C148439

封装：TO-252

品牌：WINSOK(微硕)

WSF70P03是一款具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF70P03符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥1.7064
10+
￥1.6
30+
￥1.5069
100+
￥1.4214
500+
￥1.3147
1000+
￥1.3

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型号：AGM14N10AP 编号：C7466535

封装：PDFN3.3x3.3-8

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM14N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

5+
￥1.768995 ￥1.8621
50+
￥1.405145 ￥1.4791
150+
￥1.249155 ￥1.3149
500+
￥1.054595 ￥1.1101
2500+
￥0.982395 ￥1.0341
5000+
￥0.93043 ￥0.9794

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型号：AO4441 编号：C4355026

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥1.7722
50+
￥1.3841
150+
￥1.2178
500+
￥1.0103
3000+
￥0.8717
6000+
￥0.8162

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型号：MSK30N03DF 编号：C2902918

封装：DFN-8(3.3x3.3)

品牌：MSKSEMI(美森科)

MSK30N03DF采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

数据手册

1+
￥1.7765 ￥1.87
10+
￥1.558 ￥1.64
30+
￥1.463 ￥1.54
100+
￥1.349 ￥1.42
500+
￥1.1495 ￥1.21
1000+
￥1.121 ￥1.18

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型号：AON6508-HXY 编号：C22366646

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AON6508 N沟道MOS管选用先进的DFN5X6-8L封装，兼顾小巧体积与高效性能。其额定电压VDSS为30V，最大连续漏极电流高达150A，轻松应对高电压大电流应用场景。尤为突出的是，器件导通电阻仅为2mΩ，确保在高负载条件下仍能维持低功耗和高效能运作。适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您优化电路设计、提升系统效能的理想半导体组件。

1+
￥1.824 ￥1.92
10+
￥1.596 ￥1.68
30+
￥1.501 ￥1.58
100+
￥1.3775 ￥1.45
500+
￥1.3205 ￥1.39
1000+
￥1.2825 ￥1.35

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型号：CJAC40N04 编号：C504090

封装：PDFNWB-8(5x6)

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJAC40N04采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

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5+
￥1.8436
50+
￥1.4656
150+
￥1.3036
500+
￥1.1014
2500+
￥1.0114
5000+
￥0.9574

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型号：XR120P02F 编号：C42456927

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：XNRUSEMI(新锐)

高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色生产要求，并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥1.85778 ￥2.0642
50+
￥1.47159 ￥1.6351
150+
￥1.30608 ￥1.4512
500+
￥1.09962 ￥1.2218
2500+
￥1.00764 ￥1.1196
5000+
￥0.95247 ￥1.0583

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型号：BSP315P 编号：C5246415

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

BSP315P标准参数Vth:3.0

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5+
￥1.8688
50+
￥1.4807
150+
￥1.3144
500+
￥1.1069
2500+
￥0.9683
5000+
￥0.9128

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型号：WSD30L60DN56 编号：C148397

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：WINSOK(微硕)

Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -30 VGS(V) 25 ID(A)Max. -45 VGS(th)(v) -2 RDS(ON)(m?)@4.233V 15 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 4.3 Qgd(nC) 10 Ciss(pF) 1550 Coss(pF) 315 Crss(pF) 245

数据手册