mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：FS3400MLT1 A09T 编号：C5119712

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

数据手册

20+
￥0.1347
200+
￥0.105
600+
￥0.0885
3000+
￥0.0765
9000+
￥0.0679
21000+
￥0.0633

有货

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型号：SI2301A 编号：C49010227

封装：SOT-23

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：领先的沟槽技术实现低导通电阻。低栅极电荷。应用：视频监视器。电源管理

50+
￥0.0701
500+
￥0.055
3000+
￥0.0466
6000+
￥0.0416
24000+
￥0.0372
51000+
￥0.0349

有货

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型号：2N7002 编号：C5331134

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002

50+
￥0.09975 ￥0.105
500+
￥0.07923 ￥0.0834
3000+
￥0.06555 ￥0.069
6000+
￥0.05871 ￥0.0618
24000+
￥0.052725 ￥0.0555
51000+
￥0.049495 ￥0.0521

有货

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型号：2N7002LT1G 编号：C28646313

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

20+
￥0.1277
200+
￥0.098
600+
￥0.0815
3000+
￥0.0716
9000+
￥0.063

有货

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型号：SI2305-L 编号：C41376472

封装：SOT-23

品牌：PIELENST(派量)

这款是P沟道增强型MOSFET,VDS电压12V，ID电流4.1A。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

20+
￥0.1476
200+
￥0.1152
600+
￥0.0972
2000+
￥0.0864
10000+
￥0.077
20000+
￥0.072

有货

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型号：KM3134K 编号：C5438456

封装：SOT-723

品牌：KUU

特性：先进的沟槽工艺技术。低阈值电压。快速开关速度。无卤无铅。低导通电阻（RDS(on)）的N沟道开关。应用：便携式设备的负载开关。电压控制小信号开关

数据手册

20+
￥0.1496
200+
￥0.1172
600+
￥0.0992
2000+
￥0.0884
8000+
￥0.0761
16000+
￥0.071

有货

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型号：AO3401 编号：C53261043

封装：SOT-23

品牌：GMIC(绿微)

20+
￥0.1497
200+
￥0.1174
600+
￥0.0995
3000+
￥0.0887
9000+
￥0.0794
21000+
￥0.0744

有货

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型号：BSS138KDW 编号：C52037195

封装：SOT-363

品牌：Siliup(矽普)

小电流MOSFET产品，N沟道，ESD防护，耐压：60V，电流：0.22A, Rdson：2000mR

20+
￥0.1602
200+
￥0.124
600+
￥0.1039
3000+
￥0.0945
9000+
￥0.0841
21000+
￥0.0784

有货

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型号：SI2301SS-6AF 编号：C48587093

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

P沟道,-20V,-2.3A,90mΩ@-4.5V

20+
￥0.1715
200+
￥0.1323
600+
￥0.1105
3000+
￥0.0974
9000+
￥0.0861
21000+
￥0.0799

有货

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型号：SI2302SS-6AF 编号：C48587099

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

N沟道,20V,3A,45mΩ@4.5V

20+
￥0.1717
200+
￥0.1324
600+
￥0.1106
3000+
￥0.0975
9000+
￥0.0862
21000+
￥0.08

有货

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型号：HSS3400A 编号：C518774

封装：SOT-23

品牌：HUASHUO(华朔)

HSS3400A 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSS3400A 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。

数据手册

20+
￥0.1728
200+
￥0.1347
600+
￥0.1135
3000+
￥0.1008
9000+
￥0.0897
21000+
￥0.0838

有货

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型号：AO3401M-6AF 编号：C48587197

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

P沟道,-30V,-4.2A,52mΩ@-4.5V

20+
￥0.1757
200+
￥0.1355
600+
￥0.1132
3000+
￥0.0998
9000+
￥0.0882
21000+
￥0.0819

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型号：AO3400M-6AF 编号：C48587194

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

N沟道,30V,5.8A,25mΩ@4.5V

20+
￥0.1769
200+
￥0.1364
600+
￥0.1139
3000+
￥0.1004
9000+
￥0.0887
21000+
￥0.0824

有货

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型号：AP1002 编号：C2995324

封装：SOT-23

品牌：ALLPOWER(铨力)

AP1002采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（Rds(on)）。它可应用于多种领域。

数据手册

10+
￥0.1851
100+
￥0.1624
300+
￥0.1498
3000+
￥0.1076
6000+
￥0.101
9000+
￥0.0975

有货

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型号：8205A 编号：C5370944

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

适用于快速开关应用，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点。

数据手册

10+
￥0.222224 ￥0.3268
100+
￥0.17918 ￥0.2635
300+
￥0.157692 ￥0.2319
3000+
￥0.141576 ￥0.2082
6000+
￥0.128656 ￥0.1892
9000+
￥0.122196 ￥0.1797

有货

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型号：AO3415 编号：C5380662

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -20V，ID = -4A。 RDS(ON) < 36mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 49mΩ @ VGS = -2.5V。 ESD 额定值：2500V HBM。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.2224
100+
￥0.1938
300+
￥0.1795
3000+
￥0.1688
6000+
￥0.1602
9000+
￥0.1559

有货

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型号：SSM3K324R,LF 编号：C395455

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8-V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 56 mΩ（最大值）(@VGS = 4.5 V)。 RDS(ON) = 72 mΩ（最大值）(@VGS = 2.5 V)。 RDS(ON) = 109 mΩ（最大值）(@VGS = 1.8 V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

数据手册