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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
型号：8205A-JSM 编号：C18191787
封装：TSSOP-8
品牌：JSMSEMI(杰盛微)
本款消费级MOSFET采用TSSOP-8封装，集成双N沟道设计，额定电压20V，可承载6A连续电流。专为紧凑型、高能效电源开关及转换应用打造，适用于各类消费电子产品，提供出色的系统性能与稳定性表现。

  • 10+

    ￥0.2418

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    ￥0.1283
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:9A
    型号：DO3012AA 编号：C42374608
    封装：SOT-23-3
    品牌：DOINGTER(杜因特)
    N管/30V/9A/10mΩ/(典型9mΩ)

    • 20+

      ￥0.2419

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
    型号：TPNTA4153NT1G 编号：C2875154
    封装：SOT-523
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.258

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      ￥0.1277
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:4.2A
    型号：IRLML2502 编号：C5364308
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：快速开关。超低导通电阻。表面贴装器件
    数据手册

    • 20+

      ￥0.260585 ￥0.2743

    • 200+

      ￥0.209855 ￥0.2209

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      ￥0.18164 ￥0.1912

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      ￥0.145825 ￥0.1535

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      ￥0.131195 ￥0.1381

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      ￥0.12331 ￥0.1298
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:4.8A
    型号：AO3415E 编号：C2997267
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    负载开关、开关电路、高速线路驱动器、HMB静电放电保护（2KV）、适用于表面贴装封装的SOT - 23。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2709

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      ￥0.2429

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      ￥0.168
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:6A
    型号：SSM3J332R,LF 编号：C146367
    封装：SOT-23F
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：1.8V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 144mΩ(最大值)(VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 72.0mΩ(最大值)(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 50.0mΩ(最大值)(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 42.0mΩ(最大值)(VGS = 10V)。应用：电源管理开关
    数据手册

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      ￥0.283

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      ￥0.1296
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：CJ3415 编号：C2910186
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：优秀的RDS(ON)。 低栅极电荷。 低栅极电压。应用：负载开关。 PWM应用
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      ￥0.3276

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    1个P沟道 耐压:40V 电流:5A
    型号：PJM05P40SA 编号：C20417178
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：先进的沟槽技术。 符合RoHS和Reach标准。 无卤素和锑。 湿度敏感度等级1。应用：负载开关。 PWM应用

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    P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
    型号：WPM3407 编号：C2987047
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

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      ￥0.3751

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    耐压:60V 电流:3A
    型号：AP2310GN 编号：C5122010
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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      ￥0.3843

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      ￥0.1848
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    60V 3A
    型号：SI2308BDS 编号：C5122031
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

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      ￥0.4353

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
    型号：15N10 编号：C5451633
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压100V，最大连续电流15A，专为高效电源转换、电机驱动等应用设计，提供卓越的开关性能和低损耗功率管理方案。

    • 5+

      ￥0.4439 ￥0.4825

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      ￥0.400016 ￥0.4348

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      ￥0.307832 ￥0.3346
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    1个P沟道 耐压:20V
    型号：DMG2305UXQ-7 编号：C508197
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：背光照明、电源管理功能、DC - DC转换器、电机控制。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4466

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      ￥0.3544

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      ￥0.2323
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    耐压:60V 电流:3A
    型号：SI2308A 编号：C5122030
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：负载/电源开关。接口开关。超小型便携式设备的电池管理。逻辑电平转换
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4658

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      ￥0.375

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    • 6000+

      ￥0.2238
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    2个N沟道 耐压:30V 电流:250mA
    型号：NTJD4001NT1G 编号：C190019
    封装：SOT-363
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：低栅极电荷，实现快速开关。小尺寸封装，比TSOP-6小30%。栅极具备ESD保护。NVTJD4001N符合AEC Q101标准。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：低端负载开关。锂离子电池供电设备，如手机、个人数字助理、数码相机
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4809

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    • 150+

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    • 6000+

      ￥0.2303
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:3.4A
    型号：DMP4065S-7 编号：C182476
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4813

    • 50+

      ￥0.3849

    • 150+

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    • 500+

      ￥0.3006

    • 3000+

      ￥0.2634

    • 6000+

      ￥0.2489
  • 有货
    • 立即购买
    100V 3.5A
    型号：ZVN3310FTA 编号：C5122065
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5046

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    • 3000+

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    • 6000+

      ￥0.3658
  • 有货
    • 立即购买
    双N沟道20V快速开关MOSFET
    型号：XR8814A 编号：C42456727
    封装：TSSOP-8
    品牌：XNRUSEMI(新锐)
    是低RDSON trenched NCH MOSFETs，具有强大的ESD保护功能。该产品适用于锂离子电池组应用，符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

    • 5+

      ￥0.53091 ￥0.5899

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      ￥0.42291 ￥0.4699

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      ￥0.32832 ￥0.3648

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      ￥0.29592 ￥0.3288

    • 5000+

      ￥0.27972 ￥0.3108
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
    型号：BSS138K 编号：C255592
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V，0.22A，1.6Ω
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5379

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      ￥0.4393

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      ￥0.353

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      ￥0.2834

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      ￥0.2686
  • 有货
    • 立即购买
    20V 4.1A
    型号：DMP2120U 编号：C5122017
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5399

    • 50+

      ￥0.4343

    • 150+

      ￥0.3815

    • 500+

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    • 3000+

      ￥0.2744

    • 6000+

      ￥0.2585
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
    型号：AP15P03Q 编号：C471910
    封装：PDFN3x3-8
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    特性：-30V, -12A。RDS(ON) < 20mΩ @VGS = -10V。RDS(ON) < 35mΩ @VGS = -4.5V。Trench DMOS功率MOSFET。快速开关。出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：DC/DC转换器。便携式设备的负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5415

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      ￥0.4803

    • 150+

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    • 500+

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    • 2500+

      ￥0.3079

    • 5000+

      ￥0.2987
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:2.6A
    型号：DMN3067LW-7 编号：C212325
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    N沟道,30V,2.6A,98mΩ@2.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5536

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      ￥0.3031
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:13A
    型号：IRFR9024N 编号：C41430593
    封装：TO-252
    品牌：DOINGTER(杜因特)
    P管/-60V/-13A/90mΩ/(典型80mΩ)

    • 5+

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      ￥0.4134

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      ￥0.4041
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.89A
    型号：WNM2021-3/TR 编号：C239556
    封装：SOT-323
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM2021 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    数据手册

    • 10+

      ￥0.5595

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      ￥0.4596

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      ￥0.3872

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      ￥0.3275

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
    型号：15N10 编号：C5807889
    封装：TO-252
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个N沟道 耐压:100V 电流:15A适用于电源开关和信号控制

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      ￥0.5612 ￥0.7015

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:1.2A
    型号：IRLML2060TRPBF 编号：C67275
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,60V,1.2A,480mΩ@10V
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
    型号：JSM4435 编号：C917091
    封装：SOP-8
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
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      ￥0.67064 ￥0.8383

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:2.7A
    型号：IRLML2030TRPBF 编号：C82054
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,30V,2.7A,100mΩ@2.7A,10V
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:100V 电流:2A
    型号：HSS2P10 编号：C845592
    封装：SOT-23L
    品牌：HUASHUO(华朔)
    HSS2P10是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSS2P10符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

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    2个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
    型号：FDY3000NZ 编号：C2959848
    封装：SOT-563-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：快速开关。 有绿色环保型号。 适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。 负载开关
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