mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：HT04N200S 编号：C49066901

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 40V。ID = 9A。RDS(on)@VGS = 10V < 20mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥2.2863
50+
￥1.8111
150+
￥1.6074
500+
￥1.3532
2500+
￥1.2401
5000+
￥1.1722

有货

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型号：HB04N090S 编号：C49423996

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥0.8174
50+
￥0.6511
150+
￥0.568
500+
￥0.5056
2500+
￥0.4557
5000+
￥0.4307

有货

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型号：HT10N2H8S 编号：C49066911

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 100V。 ID = 3A。 RDS(on)@VGS = 10V < 200mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 220mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电源开关应用。硬开关和高频电路

5+
￥1.9348
50+
￥1.5326
150+
￥1.3602
500+
￥1.1452
2500+
￥1.0494
5000+
￥0.9919

有货

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型号：HT02P260S 编号：C49066897

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -20V。 I0 = -10A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 20mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 25mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥2.0833
50+
￥1.6448
150+
￥1.4569
500+
￥1.2224
2500+
￥1.0702
5000+
￥1.0076

有货

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型号：HT10N550S 编号：C49424006

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 100 V。ID = 10 A。RDS(on)@VGS = 10 V < 30 mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。快速开关速度。应用：电信/服务器。DC/DC初级侧开关

5+
￥2.3639
50+
￥1.8725
150+
￥1.6619
500+
￥1.3992
2500+
￥1.2822
5000+
￥1.212

有货

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型号：HB04N150S 编号：C49256776

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥0.7007
50+
￥0.5581
150+
￥0.4868
500+
￥0.4334
2500+
￥0.3906
5000+
￥0.3692

有货

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型号：HT03N270S 编号：C49066898

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 30V。 ID = 8A。 RDS(on)@VGS = 10V < 15mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥1.9348
50+
￥1.5326
150+
￥1.3602
500+
￥1.1452
2500+
￥1.0494
5000+
￥0.9919

有货

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型号：HT06P1H3S 编号：C49066908

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -60V。 I0 = -4.3A。 RDS(on) @ VGS = -10V < 130mΩ。 RDS(on) @ VGS = -4.5V < 190mΩ。高功率和电流处理能力。高密度单元设计，超低Rdson。应用：电池保护。负载开关

5+
￥2.2863
50+
￥1.8111
150+
￥1.6074
500+
￥1.3532
2500+
￥1.2401
5000+
￥1.1722

有货

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型号：HT06P460S 编号：C49066909

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -60V。 I₀ = -8A。 RDS(on)@VGS = -10V < 46mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 52mΩ。高功率和电流处理能力。用于超低Rdson的高密度单元设计。应用：电池保护。负载开关

1+
￥2.75
10+
￥2.18
30+
￥1.93
100+
￥1.63
500+
￥1.49
1000+
￥1.41

有货

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型号：BSS123 编号：C427379

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

数据手册

50+
￥0.0912 ￥0.096
500+
￥0.072675 ￥0.0765
3000+
￥0.059375 ￥0.0625
6000+
￥0.0532 ￥0.056
24000+
￥0.04788 ￥0.0504
51000+
￥0.04503 ￥0.0474

有货

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型号：HL2319 编号：C51953131

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

10+
￥0.3775
100+
￥0.3007
300+
￥0.2623
3000+
￥0.2335
6000+
￥0.2104
9000+
￥0.1989

有货

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型号：HT06P900S 编号：C49066905

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -60V。 ID = -5A。 RDS(on)@VGS = -10V < 90mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 110mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

1+
￥2.37
10+
￥1.86
30+
￥1.64
100+
￥1.36
500+
￥1.2
1000+
￥1.12

有货

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型号：HL3416 编号：C28646273

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 20V。 ID = 6.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 22mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 26mΩ。沟槽功率MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。固态继电器

10+
￥0.3012
100+
￥0.2381
300+
￥0.2065
3000+
￥0.1829
6000+
￥0.1639
9000+
￥0.1545

有货

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型号：HB04P130S 编号：C49256778

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥1.8002
50+
￥1.426
150+
￥1.2656
500+
￥1.0655
2500+
￥0.9764
5000+
￥0.923

有货

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型号：HT06N780S 编号：C49066903

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 60V。ID = 4A。RDS(on)@VGS = 10V < 78mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 100mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥1.9348
50+
￥1.5326
150+
￥1.3602
500+
￥1.1452
2500+
￥1.0494
5000+
￥0.9919

有货

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型号：HT02P130S 编号：C49066907

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -20V。 ID = -16A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 13mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 16mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥2.2863
50+
￥1.8111
150+
￥1.6074
500+
￥1.3532
2500+
￥1.2401
5000+
￥1.1722

有货

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型号：HT06N420S 编号：C49066902

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 60V。ID = 5A。RDS(on)@VGS = 10V < 42mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 50mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥2.2863
50+
￥1.8111
150+
￥1.6074
500+
￥1.3532
2500+
￥1.2401
5000+
￥1.1722

有货

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型号：HL3134K 编号：C52204683

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

20+
￥0.1667
200+
￥0.1308
600+
￥0.1108
3000+
￥0.0988
9000+
￥0.0884

有货

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型号：HL3139K 编号：C52204687

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

20+
￥0.1667
200+
￥0.1308
600+
￥0.1108
3000+
￥0.0988
9000+
￥0.0884

有货

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型号：HL3134KT 编号：C52204685

封装：SOT-523

品牌：R+O(宏嘉诚)

20+
￥0.1893
200+
￥0.1485
600+
￥0.1258
3000+
￥0.1122
9000+
￥0.1004

有货

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型号：HD504N060SG 编号：C50132382

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥1.4547
50+
￥1.1523
150+
￥1.0227
500+
￥0.861
2500+
￥0.789
5000+
￥0.7458

有货

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型号：HP803N100S 编号：C49256771

封装：SOP-8

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 30V。 I₀ = 15A。 RDS(on) @ VGS = 10V < 8mΩ。 RDS(on) @ VGS = 4.5V < 12mΩ。低栅极电荷和导通电阻。快速开关速度。应用：DC/DC转换器。硬开关和高频电路

5+
￥1.4547
50+
￥1.1523
150+
￥1.0227
500+
￥0.861
2500+
￥0.789
4000+
￥0.7458

有货

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型号：HT10N1H2S 编号：C49066906

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 100V。 ID = 4A。 RDS(on)@VGS = 10V < 105mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 125mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥2.1094
50+
￥1.6709
150+
￥1.483
500+
￥1.2485
2500+
￥1.1441
5000+
￥1.0814

有货

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型号：HD503N020SG 编号：C50132381

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥2.43
50+
￥1.93
150+
￥1.71
500+
￥1.44
2500+
￥1.32
5000+
￥1.25

有货

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型号：HD503N220D 编号：C51883847

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 30V。 ID = 35A。 RDS(on)@VGS = 10V < 13mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 20mΩ。沟槽技术功率MOSFET。低栅极电阻。应用：功率开关应用。硬开关和高频电路

1+
￥2.62
10+
￥2.08
30+
￥1.85
100+
￥1.55
500+
￥1.43
1000+
￥1.35

有货

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型号：HT10P3H1S 编号：C49066910

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -100V。 I0 = -3.0A。 RDS(on)@VGS = -10V < 210mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 280mΩ。高功率和电流处理能力。高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：DC/DC转换器。电源开关

1+
￥2.64
10+
￥2.09
30+
￥1.86
100+
￥1.57
500+
￥1.44
1000+
￥1.36

有货

立即购买

型号：HP803N045S 编号：C49256770

封装：SOP-8

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 30V。I0 = 25A。RDS(on)@VGS = 10V < 4.5mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 6mΩ。低栅极电荷和导通电阻。快速开关速度。应用：电源开关应用。硬开关和高频电路

1+
￥2.67
10+
￥2.12
30+
￥1.88
100+
￥1.58
500+
￥1.45
1000+
￥1.37

有货

立即购买

型号：HD306P450S 编号：C49423978

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -60 V。 ID = -20 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 29 mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。电压控制小信号开关。快速开关速度。应用：电源开关应用。负载开关

1+
￥2.92
10+
￥2.31
30+
￥2.05
100+
￥1.73
500+
￥1.58
1000+
￥1.5

有货

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型号：HL2302 编号：C28646268

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 20V。 I0 = 3A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 45mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 58mΩ。沟槽功率MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。固态继电器

20+
￥0.1396
200+
￥0.1088
600+
￥0.0916
3000+
￥0.0814
9000+
￥0.0724
21000+
￥0.0676

有货

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型号：HL2304 编号：C7420346

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDSS = 30V。 I0 = 3.6A。 RDS(on)@VGS = 10V < 60mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 75mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池保护。负载开关

20+
￥0.1872
200+
￥0.1524
600+
￥0.1331
3000+
￥0.1099
9000+
￥0.0998
21000+
￥0.0944

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