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1个N沟道 耐压:100V 电流:300A
型号：IPT015N10N5 编号：C108964
封装：HSOF-8
品牌：Infineon(英飞凌)
N沟道,100V,300A,1.3mΩ@10V
数据手册

  • 1+

    ￥8.72

  • 10+

    ￥7.73

  • 30+

    ￥6.03

  • 100+

    ￥5.33

  • 500+

    ￥5.05

  • 1000+

    ￥4.9
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：CJ3400 编号：C19019
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,30V,5.8A,35mΩ@10V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.193

    • 200+

      ￥0.1509

    • 600+

      ￥0.1321

    • 3000+

      ￥0.1109

    • 9000+

      ￥0.1052

    • 21000+

      ￥0.1015
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:12V 电流:4.1A
    型号：CJ2305 编号：C8549
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    P沟道,-12V,-4.1A,45mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2232

    • 100+

      ￥0.1807

    • 300+

      ￥0.1589

    • 3000+

      ￥0.1359

    • 6000+

      ￥0.1296

    • 9000+

      ￥0.1253
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
    型号：HL2310A 编号：C7420347
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDSS = 60 V。 ID = 3.0 A。 RDS(on)@VGS = 10V < 105mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5 V < 125 mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池保护。 负载开关

    • 10+

      ￥0.2369

    • 100+

      ￥0.1952

    • 300+

      ￥0.1744

    • 3000+

      ￥0.1553

    • 6000+

      ￥0.1428

    • 9000+

      ￥0.1366
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
    型号：HL6042 编号：C28646264
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -20V。 IO = -5.0A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 43mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 55mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

    • 20+

      ￥0.2407

    • 200+

      ￥0.1927

    • 600+

      ￥0.1687

    • 3000+

      ￥0.1507

    • 9000+

      ￥0.1363

    • 21000+

      ￥0.129
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：HL3401A 编号：C7420349
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -30V。 ID = -4.2A。 RDS(on)@VGS = -10V < 65mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 75mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 90mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。应用：电池保护。 负载开关

    • 10+

      ￥0.2544

    • 100+

      ￥0.2126

    • 300+

      ￥0.1916

    • 3000+

      ￥0.1759

    • 6000+

      ￥0.1634

    • 9000+

      ￥0.1571
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:200mA
    型号：BSS138LT1G 编号：C82045
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：低阈值电压 (VGS(th): 0.5V-1.5V)，适合低压应用。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动和无绳电话
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2565

    • 100+

      ￥0.2138

    • 300+

      ￥0.1919

    • 3000+

      ￥0.1656

    • 6000+

      ￥0.1593

    • 9000+

      ￥0.155
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:30V
    型号：AO3400A 编号：C20917
    封装：SOT-23
    品牌：AOS
    N沟道,30V,5.7A,26.5mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4994

    • 50+

      ￥0.4026

    • 150+

      ￥0.3528

    • 500+

      ￥0.3117

    • 3000+

      ￥0.2974

    • 6000+

      ￥0.2877
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:14A
    型号：AO4407A 编号：C2841482
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和超低的栅极电荷，栅极额定电压为25V。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。产品为无铅产品（符合ROHS和索尼259规格）。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6681

    • 50+

      ￥0.5218

    • 150+

      ￥0.4466

    • 500+

      ￥0.3846

    • 3000+

      ￥0.3539

    • 6000+

      ￥0.3393
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
    型号：IRF640NPBF 编号：C2568
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,200V,18A,150mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6724

    • 50+

      ￥1.3309

    • 150+

      ￥1.1642

    • 500+

      ￥1.0154

    • 2300+

      ￥0.9746

    • 4600+

      ￥0.95
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:33A
    型号：IRF540NPBF 编号：C2566
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,33A,44mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥2.2396

    • 50+

      ￥1.786

    • 150+

      ￥1.5733

    • 500+

      ￥1.3835

    • 2000+

      ￥1.3313

    • 5000+

      ￥1.3
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:55V 电流:110A
    型号：IRF3205PBF 编号：C2561
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。结合快速开关速度和坚固耐用的器件设计（这是HEXFET功率MOSFET闻名之处），为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。对于所有商业 - 工业应用，在功耗水平约达50瓦时，TO - 220封装是普遍首选
    数据手册

    • 1+

      ￥2.66

    • 10+

      ￥2.12

    • 50+

      ￥1.84

    • 100+

      ￥1.61

    • 500+

      ￥1.54

    • 1000+

      ￥1.5
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
    型号：BSS138 编号：C78284
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,50V,0.22A,3.5Ω@10V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1159

    • 500+

      ￥0.0892

    • 3000+

      ￥0.0763

    • 6000+

      ￥0.0674

    • 24000+

      ￥0.0638

    • 51000+

      ￥0.0615
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道MOSFET,电流:3A,耐压:20V
    型号：HL2302 编号：C28646268
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 20V。 I0 = 3A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 45mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 58mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

    • 20+

      ￥0.1396

    • 200+

      ￥0.1088

    • 600+

      ￥0.0916

    • 3000+

      ￥0.0814

    • 9000+

      ￥0.0724

    • 21000+

      ￥0.0676
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道,电流:4.5A,耐压:20V
    型号：HL2300 编号：C7420343
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDSS = 20V。 I₀ = 4.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 32mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥0.1835

    • 50+

      ￥0.1482

    • 150+

      ￥0.1287

    • 500+

      ￥0.1169

    • 3000+

      ￥0.1039

    • 6000+

      ￥0.0984
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道,电流:-4.4A,耐压:-30V
    型号：HL3401 编号：C22469449
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -30V。I0 = -4.4A。RDS(on)@VGS = -10V < 55mΩ。RDS(on)@VGS = -4.5V < 68mΩ。RDS(on)@VGS = -2.5V < 96mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。应用：电池保护。负载开关

    • 20+

      ￥0.18603 ￥0.2067

    • 200+

      ￥0.1449 ￥0.161

    • 600+

      ￥0.12213 ￥0.1357

    • 3000+

      ￥0.10836 ￥0.1204

    • 9000+

      ￥0.09648 ￥0.1072

    • 21000+

      ￥0.09009 ￥0.1001
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：HL3400A 编号：C7420348
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30V。 ID = 5.8A。 RDS(on)@VGS = 10V < 35mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 40mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥0.1989

    • 50+

      ￥0.1619

    • 150+

      ￥0.1414

    • 500+

      ￥0.1291

    • 3000+

      ￥0.1184

    • 6000+

      ￥0.1126
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
    型号：BSS169H6327 编号：C83053
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,0.09A,6Ω@10V。该型号中，“XTSA1”那是原厂的内部型号。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.665

    • 50+

      ￥0.5438

    • 150+

      ￥0.4814

    • 500+

      ￥0.4301

    • 3000+

      ￥0.4122

    • 6000+

      ￥0.4
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
    型号：15N10 编号：C359106
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于多种应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9776

    • 50+

      ￥0.7362

    • 150+

      ￥0.6184

    • 500+

      ￥0.5133

    • 2500+

      ￥0.4862

    • 5000+

      ￥0.4689
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
    型号：HB10N200S 编号：C48971732
    封装：TO-252
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 100V。 ID = 45A。 RDS(on)@VGS = 10V < 20mΩ。 SGT技术。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥1.2583

    • 50+

      ￥1.0202

    • 150+

      ￥0.9181

    • 500+

      ￥0.7908

    • 2500+

      ￥0.7341

    • 5000+

      ￥0.7
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:55V 电流:11A
    型号：IRFR9024NTRPBF 编号：C2585
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,55V ,11A,175mΩ
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6103

    • 50+

      ￥1.2584

    • 150+

      ￥1.0866

    • 500+

      ￥0.9334

    • 2000+

      ￥0.8253

    • 4000+

      ￥0.8
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:100V 电流:23A
    型号：IRF9540NPBF 编号：C2575
    封装：TO-220
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V
    数据手册

    • 5+

      ￥2.2379

    • 50+

      ￥1.6511

    • 150+

      ￥1.4099

    • 500+

      ￥1.1947

    • 2500+

      ￥1.1355

    • 5000+

      ￥1.1
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:55V 电流:31A
    型号：IRFR5305TRPBF 编号：C2624
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-55V,-31A,65mΩ@-10V
    数据手册

    • 1+

      ￥2.31

    • 10+

      ￥1.8

    • 30+

      ￥1.55

    • 100+

      ￥1.33

    • 500+

      ￥1.24

    • 1000+

      ￥1.2
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:84A
    型号：BSC0702LS 编号：C501503
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于高频开关。 针对充电器进行了优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤。 适用于标准等级应用
    数据手册

    • 1+

      ￥4.48

    • 10+

      ￥3.73

    • 30+

      ￥3.2

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      ￥2.65
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
    型号：BSC030N08NS5 编号：C501507
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册

    • 1+

      ￥6

    • 10+

      ￥5.11

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    • 1000+

      ￥3.7
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    1个P沟道 耐压:55V 电流:70A
    型号：IRF4905STRLPBF 编号：C2620
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-55V,-42A,20mΩ@-10V
    数据手册

    • 1+

      ￥6.68

    • 10+

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    • 100+

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    • 800+

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    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
    型号：HL2301A 编号：C7420344
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDSS = -20V。 I₀ = -2.3A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 112mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 142mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池供电系统。 固态继电器

    • 20+

      ￥0.1511

    • 200+

      ￥0.1354

    • 600+

      ￥0.1267

    • 3000+

      ￥0.1168

    • 9000+

      ￥0.1123

    • 21000+

      ￥0.1098
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:0.1A
    型号：2SK3018 编号：C194460
    封装：SOT-323
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,30V,100mA
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1575

    • 200+

      ￥0.1246

    • 600+

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    • 3000+

      ￥0.0859

    • 9000+

      ￥0.0815

    • 21000+

      ￥0.0785
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    P沟道,电流:5.6A,耐压:20V
    型号：HL3415A 编号：C28646270
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -20V。 I0 = -5.6A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 42mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 55mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

    • 10+

      ￥0.2447

    • 100+

      ￥0.1939

    • 300+

      ￥0.1685

    • 3000+

      ￥0.1494

    • 6000+

      ￥0.1342

    • 9000+

      ￥0.1266
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:25V 电流:0.22A
    型号：FDV301N 编号：C15310
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻，所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2667

    • 100+

      ￥0.2127

    • 300+

      ￥0.1887

    • 1500+

      ￥0.1421

    • 4500+

      ￥0.1349

    • 10500+

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