mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：HSOF-8

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥11.32
10+
￥9.66
30+
￥8.63
100+
￥7.56
500+
￥7.08
1000+
￥6.88

有货

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型号：SI7145DP-T1-GE3 编号：C144873

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-30V,-60A,0.0026Ω@-10V

数据手册

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￥12.44
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￥10.57
30+
￥9.4
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￥8.0262 ￥8.19
500+
￥7.497 ￥7.65
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￥7.2618 ￥7.41

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型号：IRFBG30PBF 编号：C2637

封装：TO-220

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,1000V,3.1A,5Ω@10V

数据手册

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￥13.08
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￥11.23
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￥9.66
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￥8.47
500+
￥7.93

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型号：IRFP450LCPBF 编号：C2922670

封装：TO-247

品牌：VISHAY(威世)

这款新型低电荷功率MOSFET系列相较于传统MOSFET，显著降低了栅极电荷。该器件采用先进的功率MOSFET技术，减少了栅极驱动要求，提高了开关速度，并提升了整个系统的经济性。这些改进与功率MOSFET久经考验的耐用性和可靠性相结合，为设计人员提供了适用于开关应用的新型功率晶体管标准

数据手册

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￥13.56
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￥11.6
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￥10.37
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￥8.6545 ￥9.11
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￥8.113 ￥8.54
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￥7.8755 ￥8.29

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型号：SIRA99DP-T1-GE3 编号：C3289459

封装：PowerPAK-SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。极低的RDS(on)，可将电压降降至最低并降低传导损耗。无需电荷泵。 100%进行Rg和UIS测试。应用：适配器和充电器开关。电池和电路保护

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￥15.13
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￥9.4374 ￥9.63
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￥8.7514 ￥8.93
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￥8.4574 ￥8.63

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型号：SQJ431EP-T1_GE3 编号：C3279499

封装：PowerPAK-SO-8

品牌：VISHAY(威世)

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￥15.16
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￥12.29
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￥10.59
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￥8.07
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￥7.71

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型号：SP10HF25TO 编号：C42404762

封装：TOLL

品牌：Siliup(矽普)

超结 MOSFET产品，N沟道，耐压：250V，电流：180A, Rdson：10mR，带快恢复

1+
￥17.7555 ￥18.69
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￥15.105 ￥15.9
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￥13.528 ￥14.24
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￥12.6255 ￥13.29
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￥11.894 ￥12.52
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￥11.5615 ￥12.17

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型号：CSD19535KTT 编号：C2869105

封装：TO-263-3

品牌：TI(德州仪器)

CSD19535KTT 采用 D2PAK 封装的单路、3.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥18
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￥15.3
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￥13.61
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￥11.88
500+
￥11.09

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型号：IPT017N12NM6ATMA1 编号：C20191620

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低反向恢复电荷(Qrr)。高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。针对高频开关进行优化。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。根据J-STD-020标准进行MSL 1分类

1+
￥18.67
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￥15.96
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￥14.25
100+
￥12.51
500+
￥11.72

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型号：BUK9Y14-80E,115 编号：C86732

封装：LFPAK56(PowerSO-8)

品牌：Nexperia(安世)

逻辑电平N沟道MOSFET，采用TrenchMOS技术，采用LFPAK56（Power SO8）封装。该产品已根据AEC G101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。

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1+
￥40.09
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￥34.79
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￥31.55
100+
￥28.2632 ￥28.84

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型号：2N7002 编号：C3008370

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：V(BR)DSS = 60V，I = 115mA，RDS(ON) < 5Ω (VGS = 10V)，RDS(ON) < 7Ω (VGS = 5V)。高密度单元设计，实现低RDS(ON)。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

50+
￥0.0651
500+
￥0.0508
3000+
￥0.0414
6000+
￥0.0367
24000+
￥0.0325
51000+
￥0.0303

有货

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型号：BSS138NH6327-ES 编号：C5224270

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.0655
200+
￥0.0525
600+
￥0.0453
3000+
￥0.041
9000+
￥0.0373
21000+
￥0.0352

有货

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型号：BSS138L 编号：C5224264

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

10+
￥0.0687
100+
￥0.0557
300+
￥0.0485
3000+
￥0.0438
6000+
￥0.0401
9000+
￥0.0381

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型号：SI2301A 编号：C49010227

封装：SOT-23

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：领先的沟槽技术实现低导通电阻。低栅极电荷。应用：视频监视器。电源管理

50+
￥0.0701
500+
￥0.055
3000+
￥0.0466
6000+
￥0.0416
24000+
￥0.0372
51000+
￥0.0349

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型号：2N7002K 编号：C784615

封装：SOT-23

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：ESD保护。先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。关断状态下漏电流极低。符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令。无卤。应用：专为电池供电系统、固态继电器驱动器、继电器、显示器、灯具、螺线管、存储器等设计

数据手册

50+
￥0.07479 ￥0.0831
500+
￥0.05931 ￥0.0659
3000+
￥0.04905 ￥0.0545
6000+
￥0.04383 ￥0.0487
24000+
￥0.03933 ￥0.0437
51000+
￥0.0369 ￥0.041

有货

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型号：SI2301DS-ES 编号：C5224173

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-20V，-2A，82mΩ@-4.5V,-2.0A；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

数据手册

10+
￥0.0748
100+
￥0.0675
300+
￥0.0635
3000+
￥0.0611
6000+
￥0.059
9000+
￥0.0579

有货

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型号：SI2301S 编号：C20628870

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

小体积

50+
￥0.0776
500+
￥0.0609
3000+
￥0.0516
6000+
￥0.046
24000+
￥0.0412
51000+
￥0.0386

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型号：BSS138 编号：C2938375

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:50V 电流:0.22A适用于电源开关和信号控制

数据手册

20+
￥0.10336 ￥0.1292
200+
￥0.08176 ￥0.1022
600+
￥0.06976 ￥0.0872
3000+
￥0.05328 ￥0.0666
9000+
￥0.04704 ￥0.0588
30000+
￥0.04368 ￥0.0546

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型号：AP1606 编号：C2849580

封装：DFN-3L(0.6x1)

品牌：ALLPOWER(铨力)

1606采用沟槽加工技术设计，可实现极低的导通电阻，具备快速的开关速度和更高的传输效率。

数据手册

50+
￥0.1096
500+
￥0.1018
1500+
￥0.0975
10000+
￥0.0573
20000+
￥0.0551
50000+
￥0.0539

有货

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型号：SI2300 编号：C21713994

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:20V 电流:6A适用于电源开关和信号控制

50+
￥0.12122 ￥0.1276
500+
￥0.09557 ￥0.1006
3000+
￥0.08132 ￥0.0856
6000+
￥0.07277 ￥0.0766
30000+
￥0.06536 ￥0.0688
45000+
￥0.06137 ￥0.0646

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型号：2N7002T 编号：C22466871

封装：SOT-523

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:60V 电流:300mA适用于电源开关和信号控制

20+
￥0.141525 ￥0.1665
200+
￥0.11169 ￥0.1314
600+
￥0.095115 ￥0.1119
3000+
￥0.08517 ￥0.1002
9000+
￥0.0765 ￥0.09
30000+
￥0.07191 ￥0.0846

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型号：SI2305-L 编号：C41376472

封装：SOT-23

品牌：PIELENST(派量)

这款是P沟道增强型MOSFET,VDS电压12V，ID电流4.1A。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

20+
￥0.1487
200+
￥0.1163
600+
￥0.0983
2000+
￥0.0875
10000+
￥0.0781
20000+
￥0.0731

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型号：BSS138W 编号：C5224280

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.1556
200+
￥0.1232
600+
￥0.1052
3000+
￥0.0908
9000+
￥0.0814
21000+
￥0.0764

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型号：AO3407-JSM 编号：C18190306

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于电池保护、负载开关及电源管理等领域。其优越的导通电阻和快速切换性能确保了在低压电路中的出色能效与稳定性。

20+
￥0.16983 ￥0.1998
200+
￥0.130815 ￥0.1539
600+
￥0.10914 ￥0.1284
3000+
￥0.101915 ￥0.1199
9000+
￥0.09061 ￥0.1066
21000+
￥0.084575 ￥0.0995

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型号：IRLML6344TRPBF-HXY 编号：C6285738

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于30V电压系统，提供高达5.8A的大电流承载能力。具备出色的低导通电阻与快速开关特性，特别适合充电器、电源模块及高效能电子设备中，实现精准、稳定的功率控制和转换需求。

20+
￥0.170765 ￥0.2009
200+
￥0.13124 ￥0.1544
600+
￥0.10931 ￥0.1286
3000+
￥0.095115 ￥0.1119
9000+
￥0.08364 ￥0.0984
21000+
￥0.07752 ￥0.0912

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型号：AO3402A 编号：C347477

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。漏源击穿电压V(BR)DS < 90V。漏极电流ID = 4A。导通电阻RDS(ON) < 52mΩ（VGS = 10V）。导通电阻RDS(ON) < 65mΩ（VGS = 4.5V）。导通电阻RDS(ON) < 85mΩ（VGS = 2.5V）。应用：负载开关。 PWM应用

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