mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：HL3415W 编号：C52204681

封装：SOT-23-3L

品牌：R+O(宏嘉诚)

10+
￥0.3539
100+
￥0.2819
300+
￥0.2459
3000+
￥0.2189
6000+
￥0.1973

有货

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型号：TPNTS4101PT1G 编号：C970018

封装：SOT-323

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

10+
￥0.3592
100+
￥0.2872
300+
￥0.2512
3000+
￥0.2037
6000+
￥0.1821
9000+
￥0.1712

有货

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型号：HL5N10 编号：C53238098

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

10+
￥0.361
100+
￥0.2875
300+
￥0.2508

有货

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型号：HT304N220S 编号：C53055314

封装：SOT-23-6L

品牌：R+O(宏嘉诚)

10+
￥0.4034
100+
￥0.3214
300+
￥0.2803
3000+
￥0.2495

有货

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型号：APM2300CAC 编号：C5123958

封装：SOT-23-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：便携式设备的负载开关。DC/DC转换器

数据手册

5+
￥0.4272
50+
￥0.3766
150+
￥0.3513
500+
￥0.3323
3000+
￥0.2759
6000+
￥0.2683

有货

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型号：NX7002AKVL 编号：C551606

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

10+
￥0.4382
100+
￥0.3474
300+
￥0.302
1000+
￥0.2679
5000+
￥0.2407
10000+
￥0.2271

有货

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型号：SI2301DS 编号：C2841444

封装：SOT-23-3

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：电池保护。负载开关。电源管理

数据手册

10+
￥0.4428
100+
￥0.3517
300+
￥0.3062
3000+
￥0.2638
6000+
￥0.2365
9000+
￥0.2228

有货

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型号：TM05P04I 编号：C7422782

封装：SOT-23

品牌：TMC(台懋)

P沟道,-40V,-4.8A,47mΩ@-10v

10+
￥0.4493
100+
￥0.3593
300+
￥0.3143
3000+
￥0.2806
6000+
￥0.2536
9000+
￥0.2401

有货

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型号：AP30H50Q 编号：C2849568

封装：PDFN3X3-8L

品牌：ALLPOWER(铨力)

特性：30V，40A，RDS(ON) < 9mΩ @ VGS = 10V，TP = 6.5mΩ；RDS(ON) < 14mΩ @ VGS = 4.5V，TP = 9.0mΩ。先进的沟槽技术。获得无铅产品认证。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。负载开关

数据手册

5+
￥0.4529
50+
￥0.3829
150+
￥0.3479
500+
￥0.3216
2500+
￥0.3006
5000+
￥0.2901

有货

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型号：AO3415M-6AF 编号：C48587102

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

P沟道,-20V,-5A,30mΩ@-4.5V

5+
￥0.4648
50+
￥0.3642
150+
￥0.3138
500+
￥0.2761
3000+
￥0.2459
6000+
￥0.2307

有货

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型号：HT304N200S 编号：C53055313

封装：SOT-23-3L

品牌：R+O(宏嘉诚)

10+
￥0.4671
100+
￥0.3721
300+
￥0.3246
3000+
￥0.2889

有货

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型号：DMN10H220L 编号：C5122013

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 100V, ID = 3.5A。 RDS(ON) < 130mΩ @ VGS = 10V (96mΩ Typ)。 RDS(ON) < 180mΩ @ VGS = 4.5V (140mΩ Typ)。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

5+
￥0.4814
50+
￥0.4243
150+
￥0.3958
500+
￥0.3744
3000+
￥0.3109
6000+
￥0.3023

有货

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型号：NTD25P03LG(UMW) 编号：C5354980

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V) = -30V。 RDS(ON) < 43mΩ(VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 52mΩ(VGS = -2.5V)。 Halogen-free。应用：Load Switch。 Notebook Adaptor Switch

5+
￥0.4946
50+
￥0.4327
150+
￥0.4017
500+
￥0.3785
2500+
￥0.3599
5000+
￥0.3506

有货

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型号：HL2309W 编号：C53238104

封装：SOT-23-3L

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥0.5096
50+
￥0.4059
150+
￥0.3541
500+
￥0.3152

有货

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型号：1N65L 编号：C2904736

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=650V。 I=1A。 RDS(ON)=11Ω

数据手册

5+
￥0.5411
50+
￥0.4781
150+
￥0.4466
500+
￥0.423
2500+
￥0.3662
5000+
￥0.3568

有货

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型号：IRFR9024N 编号：C41430593

封装：TO-252

品牌：DOINGTER(杜因特)

P管/-60V/-13A/90mΩ/(典型80mΩ)

5+
￥0.5581
50+
￥0.4959
150+
￥0.4648
500+
￥0.4414
2500+
￥0.4134
5000+
￥0.4041

有货

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型号：WNM2021-3/TR 编号：C239556

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2021 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.5595
100+
￥0.4596
300+
￥0.3872
1000+
￥0.3275
5000+
￥0.3173
10000+
￥0.3123

有货

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型号：AO3481C 编号：C541721

封装：SOT-23-3

品牌：AOS

沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS标准且无卤

数据手册

5+
￥0.5612
50+
￥0.458
150+
￥0.4064
500+
￥0.3677
3000+
￥0.2993
6000+
￥0.2838

有货

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型号：XR50N06F 编号：C53069575

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：XNRUSEMI(新锐)

5+
￥0.5733 ￥0.637
50+
￥0.45666 ￥0.5074
150+
￥0.39834 ￥0.4426
500+
￥0.3546 ￥0.394
2500+
￥0.31959 ￥0.3551
5000+
￥0.30213 ￥0.3357

有货

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型号：HW2305 编号：C53664479

封装：DFN-6(2x2)

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥0.603
50+
￥0.4803
150+
￥0.419
500+
￥0.373
3000+
￥0.3362

有货

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型号：HB02N080S 编号：C49256774

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥0.6051
50+
￥0.482
150+
￥0.4205
500+
￥0.3743
2500+
￥0.3373
5000+
￥0.3189

有货

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型号：AO3403 编号：C47741

封装：SOT-23

品牌：AOS

P沟道,-30V,-2.6A,115mΩ@-10V

数据手册

5+
￥0.6132
50+
￥0.4859
150+
￥0.4223
500+
￥0.3745
3000+
￥0.3229
6000+
￥0.3038

有货

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型号：DMN6140L-13 编号：C211403

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.6156
50+
￥0.4798
150+
￥0.4119
500+
￥0.361
2500+
￥0.3203
5000+
￥0.2999

有货

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型号：NCE0103Y 编号：C153001

封装：SOT-23-3L

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道，100V，3A，136毫欧@10V。

数据手册

5+
￥0.6183
50+
￥0.478
150+
￥0.4079
500+
￥0.3553
3000+
￥0.3132
6000+
￥0.2922

有货

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型号：JSM4435 编号：C917091

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗

数据手册

5+
￥0.66152 ￥0.8269
50+
￥0.5156 ￥0.6445
150+
￥0.44264 ￥0.5533
500+
￥0.38792 ￥0.4849
3000+
￥0.34416 ￥0.4302
6000+
￥0.32224 ￥0.4028

有货

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型号：XR4886D 编号：C42456814

封装：PDFN3333-8L

品牌：XNRUSEMI(新锐)

高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS标准，属于绿色产品。

5+
￥0.67941 ￥0.7549
50+
￥0.54117 ￥0.6013
150+
￥0.47205 ￥0.5245
500+
￥0.42021 ￥0.4669
2500+
￥0.37872 ￥0.4208
5000+
￥0.35802 ￥0.3978

有货

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型号：HB03N070S 编号：C49256775

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥0.7007
50+
￥0.5581
150+
￥0.4868
500+
￥0.4334
2500+
￥0.3906
5000+
￥0.3692

有货

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型号：HW2EP190S 编号：C53664482

封装：DFN-6(2x2)

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥0.7007
50+
￥0.5581
150+
￥0.4868
500+
￥0.4334
3000+
￥0.3906

有货

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型号：STP4925A(UMW) 编号：C5338310

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

双P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。

5+
￥0.7028
50+
￥0.6129
150+
￥0.5744
500+
￥0.5264
3000+
￥0.505
6000+
￥0.4921

有货

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型号：40N06D 编号：C7543836

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：HL(富海微)

40N06D是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40N06D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备完整功能且可靠性经过验证。

5+
￥0.7109
50+
￥0.5675
150+
￥0.4959
500+
￥0.4421
2500+
￥0.3887
5000+
￥0.3671

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