mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：STD6N95K5 编号：C455168

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

N沟道950 V、1 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装

数据手册

1+
￥4.45
10+
￥3.9
30+
￥3.62
100+
￥3.35
500+
￥3.19
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￥3.1

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型号：FQD5N60CTM 编号：C467458

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥4.58
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￥3.72
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￥3.29
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￥2.51
500+
￥2.26
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￥2.12

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型号：BSC030N08NS5(ES) 编号：C49108769

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，138A，3mΩ@10V,30A，2.7V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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￥4.69
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￥4.18
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￥3.93
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￥3.68
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￥3.53
1000+
￥3.45

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型号：WSD46N10DN56 编号：C5185328

封装：DFN-8-C-EP2(5x6)

品牌：WINSOK(微硕)

WSD46N10DN56是高性能SGT双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD46N10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

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￥4.77 ￥5.3
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￥4.05 ￥4.5
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￥3.51 ￥3.9
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￥3.393 ￥3.77
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￥3.168 ￥3.52

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型号：AGM035N10A 编号：C5297509

封装：PDFN5x6-8L

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM035N10A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

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￥4.833 ￥5.37
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￥3.978 ￥4.42
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￥3.546 ￥3.94
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￥3.123 ￥3.47
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￥2.466 ￥2.74
1000+
￥2.34 ￥2.6

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型号：PMXB65ENEZ 编号：C547275

封装：SOT1215

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无引脚超小DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

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￥4.96
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￥4.04
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￥3.57
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￥3.11
500+
￥2.84
1000+
￥2.7

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型号：PXN012-60QLJ 编号：C5280958

封装：MLPAK-33-8

品牌：Nexperia(安世)

通用型、额定电流42 A、逻辑电平N沟道增强型功率MOSFET，采用MLPAK33封装。

数据手册

1+
￥4.96
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￥4.08
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￥3.63
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￥3.19
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￥2.81
1000+
￥2.67

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型号：IRF3205STRLPBF 编号：C2613

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,110A,8mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.99
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￥4.16
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￥3.75
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￥3.34
500+
￥2.63
800+
￥2.5

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型号：SI4459ADY-T1-GE3 编号：C143743

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-30V,-29A,0.005Ω@-10V

数据手册

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￥5.01
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￥4.14
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￥3.71
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￥3.28
500+
￥2.78
1000+
￥2.65

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型号：IRF9530NSTRLPBF 编号：C157638

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-14A

数据手册

1+
￥5.03
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￥3.99
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￥3.54
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￥2.98
500+
￥2.37
800+
￥2.22

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型号：CSD19534Q5A 编号：C114200

封装：SON-8(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

CSD19534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥5.12
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￥4.2
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￥3.74
100+
￥3.28
500+
￥2.75
1000+
￥2.6

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型号：IRFR3607TRPBF 编号：C74775

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,80A,9mΩ@10V

数据手册

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￥5.32
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￥4.41
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￥3.95
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￥2.58
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￥2.44

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型号：CSD88537ND 编号：C117439

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

CSD88537ND 采用 SO-8 封装的双路、15mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

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￥5.65
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￥4.3
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￥3.84
500+
￥3.69
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￥3.6

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型号：SI7288DP-T1-GE3 编号：C126988

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

N沟道

数据手册

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￥6.41
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￥5.33
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￥4.79
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￥3.36
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￥3.2

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型号：FDMS86200 编号：C128799

封装：PDFN-8(4.9x5.8)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥6.46
10+
￥5.3
30+
￥4.66
100+
￥3.93
500+
￥3.61
1000+
￥3.47

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型号：NCEP035N85GU 编号：C2686769

封装：DFN5X6-8L

品牌：NCE(无锡新洁能)

使用超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 QG 组合，导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。

数据手册

1+
￥6.57
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￥5.19
30+
￥4.5
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￥3.81
500+
￥3.41
1000+
￥3.19

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型号：BSC117N08NS5 编号：C3278730

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥7.18
10+
￥5.92
30+
￥5.29
100+
￥4.66
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￥4.29
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￥4.1

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型号：CSD19531Q5A 编号：C2760462

封装：VSONP-8(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

CSD19531Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥7.29
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￥6.52
30+
￥5.79
100+
￥5.25
500+
￥5.03
1000+
￥4.92

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型号：BSC093N15NS5 编号：C454270

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。极低的反向恢复电荷（Qrr）。 150℃工作温度。无铅负载电镀，符合 R_D / R_S 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥8.25
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￥6.87
30+
￥6.11
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￥5.26
500+
￥4.88
1000+
￥4.7

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型号：SP015N03BGHTO 编号：C22385354

封装：TOLL-8L

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品

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￥9.3765 ￥9.87
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￥7.7045 ￥8.11
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￥6.7925 ￥7.15
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￥6.099 ￥6.42
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￥5.643 ￥5.94
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￥5.434 ￥5.72

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型号：NCEP40T35ALL 编号：C2686590

封装：TOLL

品牌：NCE(无锡新洁能)

使用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。

数据手册

1+
￥10.278 ￥11.42
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￥8.361 ￥9.29
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￥7.299 ￥8.11
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￥6.111 ￥6.79
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￥5.58 ￥6.2
1000+
￥5.337 ￥5.93

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型号：SUD50P06-15-GE3 编号：C141584

封装：TO-252

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Power MOSFET。应用：负载开关

数据手册

1+
￥10.87
10+
￥9.31
30+
￥8.34
100+
￥7.34
500+
￥6.89
1000+
￥6.69

有货

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型号：IRFP4110PBF 编号：C2689

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,180A,4.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥11.66
10+
￥10.14
25+
￥8.4
100+
￥7.43
400+
￥6.99
800+
￥6.79

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型号：IPT012N08N5 编号：C531199

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥13.22
10+
￥11.33
30+
￥10.15
100+
￥8.94
500+
￥8.39
1000+
￥8.16

有货

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型号：IRFP4868PBF 编号：C415700

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥14.39
10+
￥12.34
25+
￥10.48
75+
￥9.16
525+
￥8.57
975+
￥8.31

有货

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型号：IRF200P223-JSM 编号：C19193730

封装：TO-247

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于高频开关电源、有源功率因数校正。

1+
￥14.792 ￥18.49
10+
￥12.648 ￥15.81
30+
￥11.368 ￥14.21
90+
￥10.08 ￥12.6
450+
￥9.488 ￥11.86
900+
￥9.216 ￥11.52

有货

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型号：IRFP460APBF 编号：C2582

封装：TO-247AC-3

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,500V,20A,270mΩ@10V

数据手册

1+
￥15.69
10+
￥13.65
30+
￥11.35
100+
￥10.04
500+
￥9.45
1000+
￥9.19

有货

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型号：SP10HF25TO 编号：C42404762

封装：TOLL

品牌：Siliup(矽普)

超结 MOSFET产品，N沟道，耐压：250V，电流：180A, Rdson：10mR，带快恢复

1+
￥17.2615 ￥18.17
10+
￥14.6585 ￥15.43
30+
￥13.034 ￥13.72
100+
￥11.97 ￥12.6
500+
￥11.2195 ￥11.81
1000+
￥10.887 ￥11.46

有货

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型号：SQM120P10_10M1LGE3 编号：C3281565

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥27.56
10+
￥23.85
30+
￥21.64
100+
￥19.41
500+
￥18.38
800+
￥17.92

有货

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型号：MU2N7002T 编号：C34373742

封装：SOT-23

品牌：MP(美禄科技)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：0.32A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3000mΩ

50+
￥0.0556
500+
￥0.0437
3000+
￥0.0371
6000+
￥0.0331
24000+
￥0.0297
51000+
￥0.0278

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