mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TDSON-8(5x6)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了优化。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。卓越的热阻。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥4.2
10+
￥3.42
30+
￥3.03
100+
￥2.65
500+
￥2.41
1000+
￥2.3

有货

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型号：IRF9540NSTRLPBF 编号：C33903

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V

数据手册

1+
￥4.24
10+
￥3.54
30+
￥3.18
100+
￥2.83
500+
￥2.13
800+
￥2.02

有货

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型号：AON6144 编号：C133142

封装：DFN-8(5x6)

品牌：AOS

N沟道,40V,100A,2.4Ω@10V

数据手册

1+
￥4.26
10+
￥3.5
30+
￥3.12
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￥2.75
500+
￥2.27
1000+
￥2.16

有货

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型号：IRF9530NSTRLPBF 编号：C157638

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-14A

数据手册

1+
￥4.28
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￥3.39
30+
￥3.01
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￥2.54
500+
￥2.02
800+
￥1.89

有货

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型号：CJAC13TH06 编号：C504082

封装：PDFNWB5x6-8L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

使用屏蔽栅沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。

数据手册

1+
￥4.28
10+
￥3.51
30+
￥3.13
100+
￥2.76
500+
￥2.53
1000+
￥2.42

有货

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型号：SQ7415AEN-T1_GE3 编号：C506610

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Power MOSFET-PowerPAK 封装。低热阻，RthJC。低 1.07 mm 外形。 AEC-Q101 认证。 100% Rg 和 UIS 测试

数据手册

1+
￥4.51
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￥3.59
30+
￥3.12
100+
￥2.67
500+
￥2.39
1000+
￥2.25

有货

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型号：IRFB7437PBF 编号：C79993

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,250A,2mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.63
10+
￥3.77
50+
￥3.34
100+
￥2.91
500+
￥2.65
1000+
￥2.52

有货

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型号：WSD46N10DN56 编号：C5185328

封装：DFN-8-C-EP2(5x6)

品牌：WINSOK(微硕)

WSD46N10DN56是高性能SGT双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD46N10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥4.77 ￥5.3
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￥4.05 ￥4.5
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￥3.51 ￥3.9
100+
￥3.393 ￥3.77
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￥3.168 ￥3.52

有货

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型号：IRF3205STRLPBF 编号：C2613

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,110A,8mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.81
10+
￥3.98
30+
￥3.57
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￥3.16
500+
￥2.45
800+
￥2.33

有货

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型号：AGM035N10A 编号：C5297509

封装：PDFN5x6-8L

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM035N10A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

1+
￥4.833 ￥5.37
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￥3.978 ￥4.42
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￥3.546 ￥3.94
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￥3.123 ￥3.47
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￥2.466 ￥2.74
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￥2.34 ￥2.6

有货

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型号：SQJ479EP-T1_GE3 编号：C141604

封装：PowerPAKSO-8L

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试

数据手册

1+
￥4.84
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￥3.92
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￥3.46
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￥2.94 ￥3
500+
￥2.6754 ￥2.73
1000+
￥2.5382 ￥2.59

有货

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型号：IRLR7843TRPBF 编号：C21988

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,161A,4mΩ@4.5V

数据手册

1+
￥4.91
10+
￥3.92
30+
￥3.42
100+
￥2.93
500+
￥2.64
1000+
￥2.48

有货

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型号：SIR182DP-T1-RE3 编号：C467943

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。针对最低的RDS-Qoss FOM进行了调整。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。初级侧开关

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1+
￥4.99
10+
￥4.51
30+
￥4.27
100+
￥3.8285 ￥4.03
500+
￥3.2965 ￥3.47
1000+
￥3.2205 ￥3.39

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型号：BSC072N08NS5 编号：C431094

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥5.65
10+
￥4.53
30+
￥3.97
100+
￥3.41
500+
￥3.08
1000+
￥2.9

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型号：IRFR4620TRLPBF 编号：C500531

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 200V 24A

数据手册

1+
￥5.68
10+
￥4.73
30+
￥4.25
100+
￥3.78
500+
￥2.88
1000+
￥2.74

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型号：BSC060N10NS3G 编号：C501504

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的栅极电荷，适用于高频应用。为直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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