mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：2N7002 编号：C306856

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

MOSFET,N-channel 60V/20V 0.2A VGS(th)=1V 7.5Ω（MAX)0,SOT-23

数据手册

50+
￥0.1266
500+
￥0.1006
3000+
￥0.0852
6000+
￥0.0765
24000+
￥0.069
51000+
￥0.065

有货

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型号：IRFP460APBF 编号：C2582

封装：TO-247AC-3

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,500V,20A,270mΩ@10V

数据手册

1+
￥15.69
10+
￥13.65
30+
￥11.35
100+
￥10.04
500+
￥9.45
1000+
￥9.19

有货

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型号：SP10HF25TO 编号：C42404762

封装：TOLL

品牌：Siliup(矽普)

超结 MOSFET产品，N沟道，耐压：250V，电流：180A, Rdson：10mR，带快恢复

1+
￥17.2615 ￥18.17
10+
￥14.6585 ￥15.43
30+
￥13.034 ￥13.72
100+
￥11.97 ￥12.6
500+
￥11.2195 ￥11.81
1000+
￥10.887 ￥11.46

有货

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型号：SQM120P10_10M1LGE3 编号：C3281565

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥27.56
10+
￥23.85
30+
￥21.64
100+
￥19.41
500+
￥18.38
800+
￥17.92

有货

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型号：MU2N7002T 编号：C34373742

封装：SOT-23

品牌：MP(美禄科技)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：0.32A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3000mΩ

50+
￥0.0556
500+
￥0.0437
3000+
￥0.0371
6000+
￥0.0331
24000+
￥0.0297
51000+
￥0.0278

有货

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型号：SI2301A 编号：C49010227

封装：SOT-23

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：领先的沟槽技术实现低导通电阻。低栅极电荷。应用：视频监视器。电源管理

50+
￥0.0701
500+
￥0.055
3000+
￥0.0466
6000+
￥0.0416
24000+
￥0.0372
51000+
￥0.0349

有货

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型号：AP2301B 编号：C2763847

封装：SOT-23

品牌：ALLPOWER(铨力)

数据手册

50+
￥0.0796
500+
￥0.069
3000+
￥0.0539
6000+
￥0.0504
24000+
￥0.0473
60000+
￥0.0457

有货

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型号：2N7002LT1G 编号：C28646313

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

20+
￥0.1277
200+
￥0.098
600+
￥0.0815
3000+
￥0.0716
9000+
￥0.063

有货

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型号：FS3400MLT1 A09T 编号：C5119712

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

数据手册

20+
￥0.1347
200+
￥0.105
600+
￥0.0885
3000+
￥0.0765
9000+
￥0.0679
21000+
￥0.0633

有货

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型号：KM3134K 编号：C5438456

封装：SOT-723

品牌：KUU

特性：先进的沟槽工艺技术。低阈值电压。快速开关速度。无卤无铅。低导通电阻（RDS(on)）的N沟道开关。应用：便携式设备的负载开关。电压控制小信号开关

数据手册

20+
￥0.1496
200+
￥0.1172
600+
￥0.0992
2000+
￥0.0884
8000+
￥0.0761
16000+
￥0.071

有货

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型号：AO3401 编号：C53261043

封装：SOT-23

品牌：GMIC(绿微)

20+
￥0.1497
200+
￥0.1174
600+
￥0.0995
3000+
￥0.0887
9000+
￥0.0794
21000+
￥0.0744

有货

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型号：2SK3019 编号：C5439971

封装：SOT-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：低导通电阻。快速开关速度。低电压驱动，使该器件适用于便携式设备。易于设计驱动电路。易于并联

20+
￥0.1504
200+
￥0.1191
600+
￥0.1017
3000+
￥0.0936
9000+
￥0.0845
21000+
￥0.0796

有货

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型号：SI2301SS-6AF 编号：C48587093

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

P沟道,-20V,-2.3A,90mΩ@-4.5V

20+
￥0.1715
200+
￥0.1323
600+
￥0.1105
3000+
￥0.0974
9000+
￥0.0861
21000+
￥0.0799

有货

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型号：SI2302SS-6AF 编号：C48587099

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

N沟道,20V,3A,45mΩ@4.5V

20+
￥0.1717
200+
￥0.1324
600+
￥0.1106
3000+
￥0.0975
9000+
￥0.0862
21000+
￥0.08

有货

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型号：HSS3400A 编号：C518774

封装：SOT-23

品牌：HUASHUO(华朔)

HSS3400A 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSS3400A 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。

数据手册

20+
￥0.1728
200+
￥0.1347
600+
￥0.1135
3000+
￥0.1008
9000+
￥0.0897
21000+
￥0.0838

有货

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型号：AO3401M-6AF 编号：C48587197

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

P沟道,-30V,-4.2A,52mΩ@-4.5V

20+
￥0.1757
200+
￥0.1355
600+
￥0.1132
3000+
￥0.0998
9000+
￥0.0882
21000+
￥0.0819

有货

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型号：AO3400M-6AF 编号：C48587194

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

N沟道,30V,5.8A,25mΩ@4.5V

20+
￥0.1769
200+
￥0.1364
600+
￥0.1139
3000+
￥0.1004
9000+
￥0.0887
21000+
￥0.0824

有货

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型号：BSS123 编号：C431506

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：低RDS(on)，VGS = 10V。 5V逻辑电平控制。 N沟道SOT23封装。 HMB ESD保护。无铅，符合RoHS标准。应用：继电器驱动器。开关

数据手册

20+
￥0.179
200+
￥0.1389
600+
￥0.1167
3000+
￥0.0964
9000+
￥0.0849
21000+
￥0.0786

有货

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型号：HL3134KE 编号：C52204686

封装：SOT-723

品牌：R+O(宏嘉诚)

20+
￥0.1893
200+
￥0.1485
600+
￥0.1258
2000+
￥0.1122
8000+
￥0.1004

有货

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型号：HL3139KE 编号：C52204690

封装：SOT-723

品牌：R+O(宏嘉诚)

20+
￥0.1893
200+
￥0.1485
600+
￥0.1258
2000+
￥0.1122

有货

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型号：SI2306A 编号：C347489

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于电池保护或其他开关应用。

数据手册

20+
￥0.2046
200+
￥0.1596
600+
￥0.1346
3000+
￥0.1196
9000+
￥0.1066
21000+
￥0.0996

有货

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型号：8205A 编号：C5370944

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

适用于快速开关应用，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点。

数据手册

10+
￥0.222224 ￥0.3268
100+
￥0.17918 ￥0.2635
300+
￥0.157692 ￥0.2319
3000+
￥0.141576 ￥0.2082
6000+
￥0.128656 ￥0.1892
9000+
￥0.122196 ￥0.1797

有货

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型号：AO3415 编号：C5380662

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -20V，ID = -4A。 RDS(ON) < 36mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 49mΩ @ VGS = -2.5V。 ESD 额定值：2500V HBM。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.2224
100+
￥0.1938
300+
￥0.1795
3000+
￥0.1688
6000+
￥0.1602
9000+
￥0.1559

有货

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型号：HL3402 编号：C28646271

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 30V。 I0 = 2.5A。 RDS(on)@VGS = 10V < 50mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 58mΩ。沟槽功率MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。固态继电器

20+
￥0.2401
200+
￥0.1891
600+
￥0.1609
3000+
￥0.1439
9000+
￥0.1292
21000+
￥0.1212

有货

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型号：AO6402A(UMW) 编号：C7394013

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。 VDS(V) = 30V。 ID = 7.5A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 24mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 4.5V）

10+
￥0.2561
100+
￥0.2241
300+
￥0.208
3000+
￥0.196
6000+
￥0.1864
9000+
￥0.1816

有货

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型号：SSM3K324R,LF 编号：C395455

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8-V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 56 mΩ（最大值）(@VGS = 4.5 V)。 RDS(ON) = 72 mΩ（最大值）(@VGS = 2.5 V)。 RDS(ON) = 109 mΩ（最大值）(@VGS = 1.8 V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

数据手册