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1个P沟道 耐压:60V 电流:10A
型号：CJAE10P06 编号：C2943210
封装：DFNWB-8L-EP(3x3)
品牌：CJ(江苏长电/长晶)
CJAE10P06采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷条件下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
数据手册

  • 5+

    ￥2.1765

  • 50+

    ￥1.7578

  • 150+

    ￥1.5784

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    ￥1.3545

  • 2500+

    ￥1.2548
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:55V 电流:18A
    型号：IRFR5505TRPBF 编号：C26340
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-55V,-18A,110mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥2.1865

    • 50+

      ￥1.6949

    • 150+

      ￥1.4842

    • 500+

      ￥1.2213

    • 2000+

      ￥1.1042

    • 4000+

      ￥1.034
  • 有货
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    N沟道120V快速开关MOSFET
    型号：XRS80N12F 编号：C42457090
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：XNRUSEMI(新锐)
    特性：快速开关。 低栅极电荷和低导通电阻RDS(on)。 低反向传输电容。 100%进行DVDS测试。 100%进行雪崩测试。应用：DC-DC转换器。 便携式设备

    • 1+

      ￥2.187 ￥2.43

    • 10+

      ￥1.926 ￥2.14

    • 30+

      ￥1.809 ￥2.01

    • 100+

      ￥1.674 ￥1.86

    • 500+

      ￥1.611 ￥1.79

    • 1000+

      ￥1.575 ￥1.75
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
    型号：GT55N06D5 编号：C3288300
    封装：DFN5x6-8L
    品牌：GOFORD(谷峰)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于各种应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥2.223

    • 50+

      ￥1.7617

    • 150+

      ￥1.564

    • 500+

      ￥1.3173

    • 2500+

      ￥1.1342

    • 5000+

      ￥1.0683
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:3A
    型号：FDC5614P 编号：C48167
    封装：SuperSOT-6
    品牌：onsemi(安森美)
    P沟道,-60V,-3A,105mΩ@-10V
    数据手册

    • 5+

      ￥2.2281

    • 50+

      ￥1.7354

    • 150+

      ￥1.5243

    • 500+

      ￥1.2608

    • 3000+

      ￥1.1435

    • 6000+

      ￥1.0731
  • 有货
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    P沟道 耐压:250V 电流:0.15A
    型号：BSR92P 编号：C22435042
    封装：SOT-23-3L
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 5+

      ￥2.2334

    • 50+

      ￥1.7798

    • 150+

      ￥1.5854

    • 500+

      ￥1.3429

    • 3000+

      ￥1.2349

    • 6000+

      ￥1.17
  • 有货
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    耐压:40V 电流:12A
    型号：SI4401BDY 编号：C5197356
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = -40V, ID = 12A。 RDS(ON) < 18mΩ @ VGS = 10V。 高功率和电流处理能力。 采用无铅产品。 表面贴装封装
    数据手册

    • 5+

      ￥2.2366

    • 50+

      ￥1.7931

    • 150+

      ￥1.603

    • 500+

      ￥1.313

    • 3000+

      ￥1.2074

    • 6000+

      ￥1.144
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:80A
    型号：CMD80P06A 编号：C22364952
    封装：TO-252
    品牌：Cmos(广东场效应半导体)
    P-Channel增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于负载开关或PWM应用。

    • 5+

      ￥2.2431

    • 50+

      ￥1.7947

    • 150+

      ￥1.6025

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      ￥1.2426

    • 2500+

      ￥1.1359
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
    型号：IRF9Z34NPBF-JSM 编号：C2886330
    封装：TO-220AB
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效能、稳定可靠的功率控制。
    数据手册

    • 5+

      ￥2.3145

    • 50+

      ￥1.8447

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      ￥1.6184

    • 500+

      ￥1.3361

    • 2000+

      ￥1.2104

    • 5000+

      ￥1.1349
  • 有货
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    耐压:60V 电流:3A
    型号：NTF2955T1G 编号：C5246422
    封装：SOT-223
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    NTF2955T1G 高开启标准Vth:3.0
    数据手册

    • 5+

      ￥2.3589

    • 50+

      ￥1.8198

    • 150+

      ￥1.5888

    • 500+

      ￥1.2141

    • 2500+

      ￥1.0858

    • 5000+

      ￥1.0088
  • 有货
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    耐压:60V 电流:9A
    型号：STS4DNF60L 编号：C3040629
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 60V, ID = 6A。 RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 45mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载/电源开关。 接口
    数据手册

    • 5+

      ￥2.42

    • 50+

      ￥1.91

    • 150+

      ￥1.7

    • 500+

      ￥1.32

    • 3000+

      ￥1.2

    • 6000+

      ￥1.12
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:5A
    型号：SI2312BDS-T1-GE3 编号：C10490
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    N沟道,20V,5A,31mΩ@4.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥2.5178

    • 50+

      ￥2.0335

    • 150+

      ￥1.826

    • 500+

      ￥1.4149

    • 3000+

      ￥1.2996
  • 有货
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    耐压:40V 电流:53A
    型号：FDD8447L 编号：C5370958
    封装：TO-252-3L
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：Vds = 60V, ID = 53A。 Rds(ON) 12mΩ Vgs = 10V。 Rds(ON) 17mΩ Vgs = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用
    数据手册

    • 1+

      ￥2.62

    • 10+

      ￥2.03

    • 30+

      ￥1.79

    • 100+

      ￥1.47

    • 500+

      ￥1.34

    • 1000+

      ￥1.25
  • 有货
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    2个N沟道 耐压:60V 电流:40A
    型号：WSD6035DN33 编号：C5185325
    封装：DFN3X3-8L
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSD6035DN33是一款高性能的沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WSD6035DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。

    • 1+

      ￥2.682 ￥2.98

    • 10+

      ￥2.151 ￥2.39

    • 30+

      ￥1.917 ￥2.13

    • 100+

      ￥1.629 ￥1.81

    • 500+

      ￥1.431 ￥1.59

    • 1000+

      ￥1.35 ￥1.5
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:2A
    型号：SQ2364EES-T1_GE3 编号：C3290054
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：沟槽场效应晶体管功率MOSFET。通过AEC-Q101认证。100%进行Rg和UIS测试。典型ESD保护800V

    • 1+

      ￥2.76

    • 10+

      ￥2.18

    • 30+

      ￥1.93

    • 100+

      ￥1.5876 ￥1.62

    • 500+

      ￥1.4504 ￥1.48

    • 1000+

      ￥1.372 ￥1.4
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:55V 电流:110A
    型号：IRF3205S-JSM 编号：C2874633
    封装：TO-263
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.8028 ￥3.64

    • 10+

      ￥2.2638 ￥2.94

    • 30+

      ￥1.9943 ￥2.59

    • 100+

      ￥1.7248 ￥2.24

    • 500+

      ￥1.4399 ￥1.87

    • 800+

      ￥1.3552 ￥1.76
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:100V 电流:13A
    型号：IRFR9120N 编号：C5342378
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS-100V。 ID-13A。 RDS(ON) (at VGS=- 10V) < 210mΩ。应用：负载/电源开关。 接口开关
    数据手册

    • 1+

      ￥2.81

    • 10+

      ￥2.21

    • 30+

      ￥1.95

    • 100+

      ￥1.63

    • 500+

      ￥1.48

    • 1000+

      ￥1.4
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:16A
    型号：IRF9310TRPBF-TP 编号：C7603294
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：RDS(ON)≤5.2mΩ@VGS=10V。 RDS(ON)≤9.5mΩ@VGS=4V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备

    • 1+

      ￥2.92

    • 10+

      ￥2.26

    • 30+

      ￥1.98

    • 100+

      ￥1.63

    • 500+

      ￥1.48

    • 1000+

      ￥1.38
  • 有货
    • 立即购买
    2个P沟道 耐压:30V 电流:9A
    型号：AO4805 编号：C38943
    封装：SOIC-8
    品牌：AOS
    P沟道,-30V,-9A,18mΩ@-10V
    数据手册

    • 1+

      ￥3.08

    • 10+

      ￥2.43

    • 30+

      ￥2.16

    • 100+

      ￥1.81

    • 500+

      ￥1.66

    • 1000+

      ￥1.57
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:2.6A
    型号：NTF2955T1G 编号：C17265
    封装：SOT-223
    品牌：onsemi(安森美)
    这是 SOT-223 封装中的 -60 V，P 沟道 MOSFET。 此器件非常坚固，拥有很大的安全运行区域。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.16

    • 10+

      ￥2.48

    • 30+

      ￥2.19

    • 100+

      ￥1.82

    • 500+

      ￥1.56

    • 1000+

      ￥1.46
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道MOSFET
    型号：AOD4126 编号：C41407552
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 1+

      ￥3.173 ￥3.34

    • 10+

      ￥2.546 ￥2.68

    • 30+

      ￥2.223 ￥2.34

    • 100+

      ￥1.9095 ￥2.01

    • 500+

      ￥1.729 ￥1.82

    • 1000+

      ￥1.6245 ￥1.71
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:120A
    型号：WSD30L120ADN56 编号：C3825104
    封装：DFN5X6-8
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSD30L120ADN56是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD30L120ADN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.267 ￥3.63

    • 10+

      ￥2.619 ￥2.91

    • 30+

      ￥2.304 ￥2.56

    • 100+

      ￥1.98 ￥2.2

    • 500+

      ￥1.809 ￥2.01

    • 1000+

      ￥1.71 ￥1.9
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:130A
    型号：NCEP40T13GU 编号：C191993
    封装：DFN5X6-8L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    N沟道,40V,130A,2.3mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥3.45

    • 10+

      ￥2.66

    • 30+

      ￥2.31

    • 100+

      ￥1.89

    • 500+

      ￥1.7

    • 1000+

      ￥1.58
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：BSC067N06LS3G 编号：C24199
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,60V,50A,6.7mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥3.68

    • 10+

      ￥2.94

    • 30+

      ￥2.62

    • 100+

      ￥2.1185 ￥2.23

    • 500+

      ￥1.824 ￥1.92

    • 1000+

      ￥1.729 ￥1.82
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：STP55NF06 编号：C10657
    封装：TO-220
    品牌：ST(意法半导体)
    N沟道,60V,50A,15mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥3.71

    • 10+

      ￥3.05

    • 50+

      ￥2.71

    • 100+

      ￥2.38

    • 500+

      ￥2.19

    • 1000+

      ￥2.08
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:130A
    型号：CJAC130SN06L 编号：C5441189
    封装：PDFNWB5x6-8L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    CJAC130SN06L采用屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

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    1个P沟道 耐压:60V 电流:65A
    型号：G65P06D5 编号：C3038565
    封装：DFN5x6-8L
    品牌：GOFORD(谷峰)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于各种应用。
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:80A
    型号：CJAC80SN10 编号：C2913221
    封装：PDFNWB5x6-8L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    CJAC80SN10采用屏蔽栅沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时，提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:23.1A
    型号：SI7149ADP-T1-GE3 编号：C554002
    封装：SO-8
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：TrenchFET功率MOSFET，低导通电阻，低压降。 扩展的VGS最大额定值：25V。 100% Rg和UIS测试。应用：电池、负载和适配器开关。 笔记本电脑
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
    型号：CRSS037N10N 编号：C455308
    封装：TO-263
    品牌：CRMICRO(华润微)
    N沟道
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