mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRF640NSTRLPBF 编号：C23708

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,220V,18A,150mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.27
10+
￥3.5
30+
￥3.11
100+
￥2.73
500+
￥2.12
800+
￥2

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型号：SUD50P06-15 编号：C7472883

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：RDS(ON) 14mΩ@VGS = -10V (Typ)。 RDS(ON) 16mΩ@VGS = -4.5V (Typ)。超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。 DC/DC转换器

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￥4.44
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￥3.57
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￥3.14
100+
￥2.71
500+
￥2.46
1000+
￥2.32

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型号：STD6N95K5 编号：C455168

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

N沟道950 V、1 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装

数据手册

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￥4.45
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￥3.9
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￥3.62
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￥3.35
500+
￥3.19
1000+
￥3.1

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型号：FQD5N60CTM 编号：C467458

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

数据手册

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￥4.58
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￥3.72
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￥3.29
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￥2.51
500+
￥2.26
1000+
￥2.12

有货

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型号：TPSI4090DY-T1-GE3 编号：C53100651

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

1+
￥4.6132 ￥6.07
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￥3.7088 ￥4.88
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￥3.2604 ￥4.29
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￥2.812 ￥3.7
500+
￥2.546 ￥3.35
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￥2.4092 ￥3.17

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型号：BSC030N08NS5(ES) 编号：C49108769

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，138A，3mΩ@10V,30A，2.7V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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￥4.69
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￥4.18
30+
￥3.93
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￥3.68
500+
￥3.53
1000+
￥3.45

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型号：WSD46N10DN56 编号：C5185328

封装：DFN-8-C-EP2(5x6)

品牌：WINSOK(微硕)

WSD46N10DN56是高性能SGT双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD46N10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

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￥4.77 ￥5.3
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￥4.05 ￥4.5
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￥3.51 ￥3.9
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￥3.393 ￥3.77
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￥3.168 ￥3.52

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型号：AGM035N10A 编号：C5297509

封装：PDFN5x6-8L

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM035N10A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

1+
￥4.833 ￥5.37
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￥3.978 ￥4.42
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￥3.546 ￥3.94
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￥3.123 ￥3.47
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￥2.466 ￥2.74
1000+
￥2.34 ￥2.6

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型号：PXN012-60QLJ 编号：C5280958

封装：MLPAK-33-8

品牌：Nexperia(安世)

通用型、额定电流42 A、逻辑电平N沟道增强型功率MOSFET，采用MLPAK33封装。

数据手册

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￥4.96
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￥4.08
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￥3.63
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￥3.19
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￥2.81
1000+
￥2.67

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型号：IRF3205STRLPBF 编号：C2613

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,110A,8mΩ@10V

数据手册

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￥4.99
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￥4.16
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￥3.75
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￥3.34
500+
￥2.63
800+
￥2.5

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型号：SI4459ADY-T1-GE3 编号：C143743

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-30V,-29A,0.005Ω@-10V

数据手册

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￥5.01
10+
￥4.14
30+
￥3.71
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￥3.28
500+
￥2.78
1000+
￥2.65

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型号：IRF9530NSTRLPBF 编号：C157638

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-14A

数据手册

1+
￥5.03
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￥3.99
30+
￥3.54
100+
￥2.98
500+
￥2.37
800+
￥2.22

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型号：BSC014N04LS 编号：C2760081

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。出色的热阻。 N沟道，逻辑电平。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

数据手册

1+
￥5.08
10+
￥4.19
30+
￥3.74
100+
￥3.3
500+
￥2.63
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￥2.5

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型号：CSD19534Q5A 编号：C114200

封装：SON-8(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

CSD19534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥5.12
10+
￥4.2
30+
￥3.74
100+
￥3.28
500+
￥2.75
1000+
￥2.6

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型号：MPT023N10-T 编号：C22390008

封装：TOLL-8L

品牌：minos(迈诺斯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：326A 功率(Pd)：416.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.4mΩ@10V,50A

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￥2.82
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￥2.65

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型号：PSMN1R2-30YLD 编号：C22465456

封装：LFPAK-56

品牌：Nexperia(安世)

采用LFPAK56封装的250 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET性能相当，但不会出现高漏电流的问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用