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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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1个P沟道 耐压:30V 电流:80A
型号：AOD403 编号：C6396161
封装：TO-252
品牌：JSMSEMI(杰盛微)
便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗

  • 5+

    ￥1.401395 ￥1.6487

  • 50+

    ￥1.1101 ￥1.306

  • 150+

    ￥0.985235 ￥1.1591

  • 500+

    ￥0.82943 ￥0.9758

  • 2500+

    ￥0.71791 ￥0.8446

  • 5000+

    ￥0.67626 ￥0.7956
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:6A
    型号：FDS8958A 编号：C5123898
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：电池保护。负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3244

    • 50+

      ￥1.0468

    • 150+

      ￥0.9279

    • 500+

      ￥0.7794

    • 3000+

      ￥0.6236

    • 6000+

      ￥0.5839
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:6A
    型号：IRF9389TRPBF 编号：C5123912
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：电池保护。负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3418

    • 50+

      ￥1.0646

    • 150+

      ￥0.9458

    • 500+

      ￥0.7464

    • 3000+

      ￥0.6804

    • 6000+

      ￥0.6408
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
    型号：NVTFS5116PL-HXY 编号：C5148669
    封装：DFN-8L(3x3)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管具有20A的电流承载能力，60V的耐压特性，内阻典型值为55mΩ，适用于高电流、低损耗的应用场景。其P型结构使得它在特定电路设计中表现出色，确保了高效的电流控制和稳定的性能表现。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.35774 ￥1.4292

    • 50+

      ￥1.09915 ￥1.157

    • 150+

      ￥0.98838 ￥1.0404

    • 500+

      ￥0.850155 ￥0.8949

    • 2500+

      ￥0.686755 ￥0.7229

    • 5000+

      ￥0.6498 ￥0.684
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:18A
    型号：FDS6681Z(UMW) 编号：C5236690
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=-30V。 Qg = 27nC。 I = 18A(VGs = 10V)。 RDS(ON) < 5mΩ(VGs = 10V)。 RDS(ON) < 8mΩ(VGs = 4.5V)。应用：移动设备电池管理。 适配器和充电器开关

    • 5+

      ￥1.373

    • 50+

      ￥1.0746

    • 150+

      ￥0.9467

    • 500+

      ￥0.7176

    • 3000+

      ￥0.6465

    • 6000+

      ￥0.6039
  • 有货
    • 立即购买
    2个P沟道 耐压:30V 电流:21A
    型号：AGM30P14MBP 编号：C5367089
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM30P14MBP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.426

    • 50+

      ￥1.1236

    • 150+

      ￥0.994

    • 500+

      ￥0.8323

    • 2500+

      ￥0.7423

    • 5000+

      ￥0.699
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:68V 电流:88A
    型号：SVT078R0ND(UMW) 编号：C668216
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术设计。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 符合RoHS标准。 VDS(V) = 68V。 ID = 88A(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 6.3mΩ(VGS = 10V)。 快速开关。 低导通电阻(Rdson ≤ 29mΩ)。 低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试。 100% ΔVDS测试
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4324

    • 50+

      ￥1.12

    • 150+

      ￥0.9861

    • 500+

      ￥0.8191

    • 2500+

      ￥0.7447

    • 5000+

      ￥0.7
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:21A
    型号：AGM628MAP 编号：C22364308
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM628MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 5+

      ￥1.4362

    • 50+

      ￥1.1338

    • 150+

      ￥1.0042

    • 500+

      ￥0.8425

    • 2500+

      ￥0.7315

    • 5000+

      ￥0.6883
  • 有货
    • 立即购买
    RUH4040M2
    型号：RUH4040M2 编号：C49021258
    封装：DFN-8L(3x3)
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)

    • 5+

      ￥1.4547

    • 50+

      ￥1.1523

    • 150+

      ￥1.0227

    • 500+

      ￥0.861

    • 2500+

      ￥0.789
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.4A
    型号：FDN304P 编号：C241803
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4981

    • 50+

      ￥1.2099

    • 150+

      ￥1.0863

    • 500+

      ￥0.9322

    • 3000+

      ￥0.7848

    • 6000+

      ￥0.7436
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:65A
    型号：WSF70P03 编号：C148439
    封装：TO-252
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSF70P03是一款具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF70P03符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.53576 ￥1.7064

    • 10+

      ￥1.44 ￥1.6

    • 30+

      ￥1.35621 ￥1.5069

    • 100+

      ￥1.27926 ￥1.4214

    • 500+

      ￥1.18323 ￥1.3147

    • 1000+

      ￥1.17 ￥1.3
  • 有货
    • 立即购买
    无 耐压:60V 电流:38A
    型号：TPPXN012-60QLJ 编号：C49230914
    封装：PDFN-8(3x3)
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 5+

      ￥1.5388

    • 50+

      ￥1.2062

    • 150+

      ￥1.0636

    • 500+

      ￥0.8858

    • 2500+

      ￥0.8066
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:50A
    型号：AON7409 编号：C41348138
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 5+

      ￥1.63989 ￥1.7262

    • 50+

      ￥1.28079 ￥1.3482

    • 150+

      ￥1.12689 ￥1.1862

    • 500+

      ￥0.934895 ￥0.9841

    • 2500+

      ￥0.849395 ￥0.8941

    • 5000+

      ￥0.798 ￥0.84
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
    型号：IRF540N 编号：C41430602
    封装：TO-220
    品牌：DOINGTER(杜因特)
    N管/100V/45A/16mΩ/(典型13.9mΩ)

    • 5+

      ￥1.6422

    • 50+

      ￥1.2886

    • 150+

      ￥1.1482

    • 500+

      ￥0.973

    • 2500+

      ￥0.895

    • 5000+

      ￥0.8482
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:12A
    型号：IRF7424TRPBF 编号：C5350821
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6426

    • 50+

      ￥1.2898

    • 150+

      ￥1.1386

    • 500+

      ￥0.95

    • 3000+

      ￥0.866

    • 6000+

      ￥0.8155
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:30V 电流:6.9A
    型号：AO4800 编号：C17098
    封装：SOIC-8
    品牌：AOS
    N沟道,30V,6.9A,27mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6963

    • 50+

      ￥1.3536

    • 150+

      ￥1.2067

    • 500+

      ￥0.967

    • 3000+

      ￥0.8854

    • 6000+

      ￥0.8364
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:900V 电流:4A
    型号：RS4N90D 编号：C7465277
    封装：TO-252
    品牌：REASUNOS(瑞森半导体)
    超高压MOS，伺服驱动，工控辅助电源，工业电表

    • 5+

      ￥1.827515 ￥1.9237

    • 50+

      ￥1.420535 ￥1.4953

    • 150+

      ￥1.246115 ￥1.3117

    • 500+

      ￥1.02847 ￥1.0826

    • 2500+

      ￥0.93157 ￥0.9806

    • 5000+

      ￥0.87343 ￥0.9194
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:3A
    型号：NDT2955 编号：C5246423
    封装：SOT-223
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    NDT2955 高开启标准Vth:3.0
    数据手册

    • 1+

      ￥1.87

    • 10+

      ￥1.65

    • 30+

      ￥1.56

    • 100+

      ￥1.44

    • 500+

      ￥1.24

    • 1000+

      ￥1.21
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:60V 电流:9A
    型号：AO4828 编号：C3040597
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.8713

    • 50+

      ￥1.4781

    • 150+

      ￥1.3096

    • 500+

      ￥1.0993

    • 3000+

      ￥0.93

    • 6000+

      ￥0.8739
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:1.15A
    型号：SI2328DS-T1-GE3 编号：C467896
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤。 100% Rg 和 UIS 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC 的 TrenchFET 功率 MOSFET
    数据手册

    • 5+

      ￥1.961

    • 50+

      ￥1.558

    • 150+

      ￥1.3853

    • 500+

      ￥1.146404 ￥1.1698

    • 3000+

      ￥1.052324 ￥1.0738

    • 6000+

      ￥0.995974 ￥1.0163
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V
    型号：YJQ40G10A 编号：C919608
    封装：DFN3333-8L
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    YJQ40G10A-F1-1100HF
    数据手册

    • 5+

      ￥1.9615

    • 50+

      ￥1.555

    • 150+

      ￥1.3807

    • 500+

      ￥1.1633

    • 2500+

      ￥1.0665
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:20A
    型号：NTD5867NLT4G 编号：C5350885
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 60V, ID = 20A。 RDS(ON) < 33mΩ @ VGS = 10V。应用：负载/电源开关。 接口开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.9726

    • 50+

      ￥1.5406

    • 150+

      ￥1.3555

    • 500+

      ￥1.1245

    • 2500+

      ￥1.0217

    • 5000+

      ￥0.9599
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:100V 电流:90A
    型号：APG077N01G 编号：C2840980
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    特性：100V，90A。 RDS(ON) < 7.7mΩ @VGS = 10V (典型值: 6.2mΩ)。 RDS(ON) < 10mΩ @VGS = 4.5V (典型值: 8.0mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
    数据手册

    • 1+

      ￥1.9964

    • 10+

      ￥1.7595

    • 30+

      ￥1.658

    • 100+

      ￥1.5313

    • 500+

      ￥1.1337

    • 1000+

      ￥1.0999
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:45A
    型号：NCEP4045GU 编号：C502973
    封装：DFN5X6-8L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    NCEP4045GU采用了超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻Rds(on)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用
    数据手册

    • 5+

      ￥2.0179

    • 50+

      ￥1.5517

    • 150+

      ￥1.3519

    • 500+

      ￥1.1027

    • 2500+

      ￥0.9917

    • 5000+

      ￥0.925
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:36A
    型号：WSD6040DN56 编号：C719102
    封装：DFN-8-EP(6.1x5.2)
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSD6040DN56是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（Rpson）和栅极电荷。WSD6040DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备完整的功能可靠性。
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:8.8A
    型号：FDS4435BZ 编号：C23931
    封装：SO-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
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    2个N沟道+2个P沟道 耐压:30V 电流:6A
    型号：DMHC3025LSD-13 编号：C156387
    封装：SO-8
    品牌：DIODES(美台)
    新一代互补MOSFET H桥，具有低导通电阻，可通过低栅极驱动实现。
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:16.7A
    型号：WSP4445 编号：C719112
    封装：SO-8
    品牌：WINSOK(微硕)
    特性：可靠耐用。提供无铅和环保设备（符合RoHS标准）。HBM ESD保护等级通过8KV。应用：LCD TV逆变器中的电源管理
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    2个N沟道 耐压:30V 电流:6.8A
    型号：AO4800-VB 编号：C709891
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双路N+N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于中功率功率控制和开关应用，中功率电子设备的功率开关和控制模块。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
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    汽车级P沟道60 V（D-S）、175 °C MOSFET
    型号：SQ2361CEES-T1_GE3 编号：C29267586
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：TrenchFET功率MOSFET。典型ESD保护：800V。通过AEC-Q101认证。100%进行Rg和UIS测试

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