mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFR5305-JSM 编号：C2874618

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。

数据手册

1+
￥2.4 ￥3
10+
￥1.872 ￥2.34
30+
￥1.648 ￥2.06
100+
￥1.376 ￥1.72
500+
￥1.2 ￥1.5
1000+
￥1.128 ￥1.41

有货

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型号：BSC097N06NS-HXY 编号：C20606225

封装：DFN-8(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装，专为高电流应用设计。额定电压60V，能承载高达65A连续电流，尤其适用于电源转换、电池管理系统及大功率电子设备，具备低导通电阻与高效散热性能，是现代紧凑型系统理想的高性能半导体组件。

1+
￥2.4012 ￥2.61
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￥1.9228 ￥2.09
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￥1.7112 ￥1.86
100+
￥1.4536 ￥1.58
500+
￥1.2788 ￥1.39
1000+
￥1.2052 ￥1.31

有货

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型号：SI9407AEY 编号：C5122044

封装：SOIC-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：负载/电源开关。接口。开关逻辑电平转换

数据手册

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￥2.4572
50+
￥1.9969
150+
￥1.7996
500+
￥1.5535
3000+
￥1.295
6000+
￥1.2292

有货

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型号：MX10T03AHT 编号：C22468154

封装：TO-263-3L

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

100V N沟道 Power MOSFET,电流:186A,耐压:100V

1+
￥2.54
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￥2.26
30+
￥2.11
100+
￥1.97
500+
￥1.88
1000+
￥1.84

有货

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型号：AON7524 编号：C431195

封装：DFN-8(3x3)

品牌：AOS

N-CH

数据手册

1+
￥2.63
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￥2.1
30+
￥1.88
100+
￥1.6
500+
￥1.47
1000+
￥1.4

有货

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型号：HYG090ND06LS1C2 编号：C2999758

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：HUAYI(华羿微)

特性：60V/56A。 RDS(ON) = 8.0 mΩ（典型值） @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 12.2 mΩ（典型值） @ VGS = 4.5 V。 100% 雪崩测试。可靠且耐用。提供无卤和环保器件（符合 RoHS 标准）。应用：开关应用。 DC/DC 电源管理

数据手册

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￥2.6389
50+
￥2.1471
150+
￥1.9363
500+
￥1.413
2500+
￥1.2959
5000+
￥1.2256

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型号：WSD6035DN33 编号：C5185325

封装：DFN3X3-8L

品牌：WINSOK(微硕)

WSD6035DN33是一款高性能的沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WSD6035DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。

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￥2.682 ￥2.98
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￥2.151 ￥2.39
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￥1.917 ￥2.13
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￥1.629 ￥1.81
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￥1.431 ￥1.59
1000+
￥1.35 ￥1.5

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型号：IRF3205S-JSM 编号：C2874633

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。

数据手册

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￥2.8028 ￥3.64
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￥2.2638 ￥2.94
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￥1.9943 ￥2.59
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￥1.7248 ￥2.24
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￥1.4399 ￥1.87
800+
￥1.3552 ￥1.76

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型号：IRFR9120N 编号：C5342378

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS-100V。 ID-13A。 RDS(ON) (at VGS=- 10V) < 210mΩ。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

1+
￥2.81
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￥2.21
30+
￥1.95
100+
￥1.63
500+
￥1.48
1000+
￥1.4

有货

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型号：AGM6014A 编号：C5349120

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM6014A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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￥2.81
10+
￥2.26
30+
￥2.02
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￥1.72
500+
￥1.59
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￥1.3

有货

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型号：SI2333DS-T1-GE3 编号：C727544

封装：SOT-23-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。应用：负载开关。 PA 开关

数据手册

1+
￥2.87
10+
￥2.26
30+
￥2
100+
￥1.68
500+
￥1.53
1000+
￥1.45

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型号：FDS4141 编号：C22358679

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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￥2.888 ￥3.04
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￥2.242 ￥2.36
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￥1.957 ￥2.06
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￥1.615 ￥1.7
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￥1.4535 ￥1.53
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￥1.368 ￥1.44

有货

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型号：SI4465ADY 编号：C7603378

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：30V/-15A。 RDS(ON) = 6.8mΩ (max.) @ VGS = -10V。 RDS(ON) = 13mΩ (max.) @ VGS = -4.5V。应用：笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理

1+
￥2.93
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￥2.27
30+
￥1.99
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￥1.64
500+
￥1.48
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￥1.39

有货

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型号：FDS9958 编号：C5197324

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

1+
￥3.16
10+
￥2.49
30+
￥2.2
100+
￥1.85
500+
￥1.51
1000+
￥1.41

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型号：SBSC014N04LSIATMA1 编号：C49206914

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

N沟道高性能低结电容，40V 180A 1.1mΩ@10V

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￥3.2
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￥2.55
30+
￥2.23
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￥1.91
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￥1.82
1000+
￥1.72

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型号：AGM60P90D 编号：C5464761

封装：TO-252

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM60P90D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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￥3.2108 ￥3.49
10+
￥2.576 ￥2.8
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￥2.254 ￥2.45
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￥1.9412 ￥2.11
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￥1.7388 ￥1.89

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型号：NTMFS5C670NLT1G 编号：C179626

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低RθJC，以减少传导损耗。低QG和电容，以减少驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

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￥3.23
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￥2.55
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￥2.25
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￥1.89
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型号：TPN2R703NL,L1Q(M 编号：C5307666

封装：TSON-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 5.2 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(VGS = 4.5 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VDA = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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