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1个P沟道 耐压:30V 电流:80A
型号：AOD403 编号：C6396161
封装：TO-252
品牌：JSMSEMI(杰盛微)
便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗

  • 5+

    ￥1.401395 ￥1.6487

  • 50+

    ￥1.1101 ￥1.306

  • 150+

    ￥0.985235 ￥1.1591

  • 500+

    ￥0.82943 ￥0.9758

  • 2500+

    ￥0.71791 ￥0.8446

  • 5000+

    ￥0.67626 ￥0.7956
  • 有货
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    耐压:20V 电流:6A
    型号：SI2323DDS 编号：C5123948
    封装：SOT-23-3
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5769

    • 50+

      ￥0.5109

    • 150+

      ￥0.4779

    • 500+

      ￥0.4531

    • 3000+

      ￥0.3795

    • 6000+

      ￥0.3696
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:10A
    型号：AO4435 编号：C5182770
    封装：SOP-8
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.58936 ￥0.7367

    • 50+

      ￥0.46456 ￥0.5807

    • 150+

      ￥0.40216 ￥0.5027

    • 500+

      ￥0.35536 ￥0.4442

    • 3000+

      ￥0.3004 ￥0.3755

    • 6000+

      ￥0.28168 ￥0.3521
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
    型号：4410 编号：C2922757
    封装：SOP-8
    品牌：KUU
    4410将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5909

    • 50+

      ￥0.4757

    • 150+

      ￥0.4181

    • 500+

      ￥0.3749

    • 2500+

      ￥0.2993

    • 4000+

      ￥0.282
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A
    型号：SI2307CDS-T1-GE3 编号：C141561
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：无卤选项。 TrenchFET功率MOSFET。应用：便携式设备的负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6472

    • 50+

      ￥0.5755

    • 150+

      ￥0.5397

    • 500+

      ￥0.502544 ￥0.5128

    • 3000+

      ￥0.435806 ￥0.4447

    • 6000+

      ￥0.42532 ￥0.434
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：RSS090P03-JSM 编号：C18191266
    封装：SOP-8
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。

    • 5+

      ￥0.663085 ￥0.7801

    • 50+

      ￥0.573835 ￥0.6751

    • 150+

      ￥0.535585 ￥0.6301

    • 500+

      ￥0.487815 ￥0.5739

    • 3000+

      ￥0.466565 ￥0.5489

    • 6000+

      ￥0.453815 ￥0.5339
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:15A
    型号：AO4407 编号：C5370947
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = -30V。 ID = -60A。 RDS(ON) < 11mΩ @ VGS = 10V。应用：Load/Power Switching。 Interfacing
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7164

    • 50+

      ￥0.623

    • 150+

      ￥0.583

    • 500+

      ￥0.533

    • 3000+

      ￥0.5108

    • 6000+

      ￥0.4974
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:40V 电流:3A
    型号：SI2319DS 编号：C5122037
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7686

    • 50+

      ￥0.6102

    • 150+

      ￥0.531

    • 500+

      ￥0.4716

    • 3000+

      ￥0.4116

    • 6000+

      ￥0.3878
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:12A
    型号：AO4485 编号：C5125949
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。 漏源电压（VDS）：-40V。 漏极电流（ID）：-10A。 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）< 15mΩ（VGS = -10V）。 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）< 20mΩ（VGS = -4.5V）。应用：DC-DC 转换器应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9102

    • 50+

      ￥0.7126

    • 150+

      ￥0.6138

    • 500+

      ￥0.5397

    • 3000+

      ￥0.4519

    • 6000+

      ￥0.4222
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:30V 电流:46A
    型号：AGM306MBP 编号：C7466529
    封装：PDFN3.3x3.3-8
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM306MBP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 5+

      ￥0.9541

    • 50+

      ￥0.7424

    • 150+

      ￥0.6517

    • 500+

      ￥0.5385

    • 2500+

      ￥0.4755

    • 5000+

      ￥0.4452
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:30V 电流:27A
    型号：ESN4832 编号：C5224304
    封装：PDFN3x3-8L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    2个N沟道，30V，27.0A，11.5mΩ@10V,8.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

    • 5+

      ￥0.988

    • 50+

      ￥0.7384

    • 150+

      ￥0.6136

    • 500+

      ￥0.52
  • 有货
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    P沟道 耐压:55V 电流:19A
    型号：IRF9Z34N(UMW) 编号：C18207547
    封装：TO-220
    品牌：UMW(友台半导体)
    MOS管

    • 5+

      ￥1.0048

    • 50+

      ￥0.8756

    • 150+

      ￥0.8203

    • 500+

      ￥0.7512

    • 2500+

      ￥0.7205

    • 5000+

      ￥0.702
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:16A 14A
    型号：AON3611-HXY 编号：C5148676
    封装：DFN-8L(3x3)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，集成双通道技术，额定电压30V，最大连续电流16A。专为现代电子设备设计，适用于电源转换、负载管理与电池系统控制，提供高效能、紧凑型的半导体解决方案。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.01025 ￥1.1225

    • 10+

      ￥0.82107 ￥0.9123

    • 30+

      ￥0.73998 ￥0.8222

    • 100+

      ￥0.63882 ￥0.7098

    • 500+

      ￥0.59373 ￥0.6597

    • 1000+

      ￥0.46422 ￥0.5158
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道100V快速开关MOSFET
    型号：XRS50N10LF 编号：C42457062
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：XNRUSEMI(新锐)
    特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能

    • 5+

      ￥1.0152 ￥1.128

    • 50+

      ￥0.89235 ￥0.9915

    • 150+

      ￥0.8397 ￥0.933

    • 500+

      ￥0.774 ￥0.86

    • 2500+

      ￥0.74475 ￥0.8275

    • 5000+

      ￥0.7272 ￥0.808
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V
    型号：FDN340P 编号：C75469
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0338

    • 50+

      ￥0.8255

    • 150+

      ￥0.7362

    • 500+

      ￥0.6248

    • 3000+

      ￥0.5012

    • 6000+

      ￥0.4715
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
    型号：AO4828 编号：C5125954
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并可在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0441

    • 50+

      ￥0.7999

    • 150+

      ￥0.6953

    • 500+

      ￥0.5647

    • 3000+

      ￥0.4879

    • 6000+

      ￥0.453
  • 有货
    • 立即购买
    中低压N型MOSFET
    型号：SP40N03BNK 编号：C41354886
    封装：PDFNWB-8L(5x6)
    品牌：Siliup(矽普)
    中低压MOSFET产品，N沟道，耐压：40V,电流：100A,RDSON:3.1mR

    • 5+

      ￥1.1192

    • 50+

      ￥0.8773

    • 150+

      ￥0.7736

    • 500+

      ￥0.6442

    • 2500+

      ￥0.5866

    • 5000+

      ￥0.552
  • 有货
    • 立即购买
    双N沟道60V MOSFET
    型号：XRS60V06F 编号：C42457040
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：XNRUSEMI(新锐)
    特性：Split Gate Trench MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能

    • 5+

      ￥1.17135 ￥1.3015

    • 50+

      ￥1.0296 ￥1.144

    • 150+

      ￥0.96885 ￥1.0765

    • 500+

      ￥0.89307 ￥0.9923

    • 2500+

      ￥0.85932 ￥0.9548

    • 5000+

      ￥0.83907 ￥0.9323
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:0.7A
    型号：SI1539CDL-T1-GE3 编号：C141530
    封装：SC-70-6(SOT-363)
    品牌：VISHAY(威世)
    这些新型器件适用于小信号应用，此类应用需要采用小型化封装，且需要直接或通过电平转换配置来切换低电流（约250 mA）。全新的6引脚SC - 70封装可改善导通电阻值并提升热性能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1891

    • 50+

      ￥0.9482

    • 150+

      ￥0.8449

    • 500+

      ￥0.6022

    • 3000+

      ￥0.5449

    • 6000+

      ￥0.5104
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
    型号：WSP6946 编号：C148408
    封装：SOP-8
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSP6946是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP6946符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.21131 ￥1.3459

    • 50+

      ￥0.96183 ￥1.0687

    • 150+

      ￥0.85491 ￥0.9499

    • 500+

      ￥0.72144 ￥0.8016

    • 3000+

      ￥0.61803 ￥0.6867

    • 6000+

      ￥0.58239 ￥0.6471
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：AOD409-HXY 编号：C6285771
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备60V高耐压及强大50A电流处理能力。专为中高压大电流应用场景设计，广泛应用于各类消费电子产品，提供卓越的电源转换效率与系统稳定性表现。

    • 1+

      ￥1.260555 ￥1.3269

    • 10+

      ￥1.1286 ￥1.188

    • 30+

      ￥1.07198 ￥1.1284

    • 100+

      ￥1.00149 ￥1.0542

    • 500+

      ￥0.970045 ￥1.0211

    • 1000+

      ￥0.83942 ￥0.8836
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
    型号：AOSP21321 编号：C560863
    封装：SOIC-8
    品牌：AOS
    数据手册

    • 5+

      ￥1.273

    • 50+

      ￥1.0253

    • 150+

      ￥0.9192

    • 500+

      ￥0.7867

    • 3000+

      ￥0.635

    • 6000+

      ￥0.5996
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:13.5A
    型号：AO4264E 编号：C334232
    封装：SOIC-8
    品牌：AOS
    N沟道 60V 13.5A
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2921

    • 50+

      ￥1.0401

    • 150+

      ￥0.9321

    • 500+

      ￥0.7973

    • 3000+

      ￥0.6461

    • 6000+

      ￥0.61
  • 有货
    • 立即购买
    2个P沟道 耐压:20V 电流:3.2A
    型号：WST2011 编号：C148368
    封装：SOT-23-6L
    品牌：WINSOK(微硕)
    WST2011是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST2011符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全面的可靠性测试。
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    耐压:30V 电流:6A
    型号：FDS8958A 编号：C5123898
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：电池保护。负载开关
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    耐压:30V 电流:6A
    型号：IRF9389TRPBF 编号：C5123912
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：电池保护。负载开关
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
    型号：NVTFS5116PL-HXY 编号：C5148669
    封装：DFN-8L(3x3)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管具有20A的电流承载能力，60V的耐压特性，内阻典型值为55mΩ，适用于高电流、低损耗的应用场景。其P型结构使得它在特定电路设计中表现出色，确保了高效的电流控制和稳定的性能表现。
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:18A
    型号：FDS6681Z(UMW) 编号：C5236690
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=-30V。 Qg = 27nC。 I = 18A(VGs = 10V)。 RDS(ON) < 5mΩ(VGs = 10V)。 RDS(ON) < 8mΩ(VGs = 4.5V)。应用：移动设备电池管理。 适配器和充电器开关

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    2个P沟道 耐压:30V 电流:21A
    型号：AGM30P14MBP 编号：C5367089
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM30P14MBP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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    1个N沟道 耐压:68V 电流:88A
    型号：SVT078R0ND(UMW) 编号：C668216
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术设计。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 符合RoHS标准。 VDS(V) = 68V。 ID = 88A(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 6.3mΩ(VGS = 10V)。 快速开关。 低导通电阻(Rdson ≤ 29mΩ)。 低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试。 100% ΔVDS测试
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