mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-252

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。采用TO-252封装，具有出色的热阻，适用于高电流负载应用。 VDS =-60V。 ID =-26A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 48mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 55mΩ（VGS = 4.5V）

5+
￥1.5559
50+
￥1.2169
150+
￥1.0717
500+
￥0.8904
2500+
￥0.8097
5000+
￥0.7613

有货

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型号：SVT078R0ND(UMW) 编号：C668216

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术设计。提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。符合RoHS标准。 VDS(V) = 68V。 ID = 88A(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 6.3mΩ(VGS = 10V)。快速开关。低导通电阻(Rdson ≤ 29mΩ)。低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试。 100% ΔVDS测试

数据手册

5+
￥1.5785
50+
￥1.222
150+
￥1.0692
500+
￥0.8786
2500+
￥0.7937
5000+
￥0.7428

有货

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型号：AGM40P55AP 编号：C5340112

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM40P55AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

5+
￥1.60083 ￥1.7787
50+
￥1.26063 ￥1.4007
150+
￥1.11483 ￥1.2387
500+
￥0.91602 ￥1.0178
2500+
￥0.83502 ￥0.9278
5000+
￥0.78642 ￥0.8738

有货

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型号：AOD409-HXY 编号：C6285771

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备60V高耐压及强大50A电流处理能力。专为中高压大电流应用场景设计，广泛应用于各类消费电子产品，提供卓越的电源转换效率与系统稳定性表现。

1+
￥1.69366 ￥1.7828
10+
￥1.37693 ￥1.4494
30+
￥1.241175 ￥1.3065
100+
￥1.07179 ￥1.1282
500+
￥0.996455 ￥1.0489
1000+
￥0.83942 ￥0.8836

有货

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型号：TPNTD3055L104T4G 编号：C5350902

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V。 ID = 12A。 RDS(ON) < 85mΩ@VGS = 10V。应用：电池保护。负载开关

数据手册

5+
￥1.7262
50+
￥1.3482
150+
￥1.1862
500+
￥0.9841
2500+
￥0.8941
5000+
￥0.84

有货

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型号：AGM403AP 编号：C7466527

封装：PDFN3.3x3.3-8

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM403AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

5+
￥1.770515 ￥1.8637
50+
￥1.39707 ￥1.4706
150+
￥1.236995 ￥1.3021
500+
￥1.037305 ￥1.0919
2500+
￥0.926155 ￥0.9749
5000+
￥0.872765 ￥0.9187

有货

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型号：WSD4066DN33 编号：C377861

封装：DFN3X3-8L

品牌：WINSOK(微硕)

WSD4066DN33是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WSD4066DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。

数据手册

1+
￥1.77228 ￥1.9692
10+
￥1.41849 ￥1.5761
30+
￥1.26684 ￥1.4076
100+
￥1.07766 ￥1.1974
500+
￥0.99342 ￥1.1038
1000+
￥0.83187 ￥0.9243

有货

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型号：WSP10N10 编号：C2827250

封装：SOP-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSP10N10是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF08N10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性雪崩耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥1.8
10+
￥1.75
30+
￥1.7
100+
￥1.51
500+
￥1.38
1000+
￥1.3

有货

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型号：RS4N90D 编号：C7465277

封装：TO-252

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

超高压MOS，伺服驱动，工控辅助电源，工业电表

5+
￥1.81811 ￥1.9138
50+
￥1.41113 ￥1.4854
150+
￥1.23671 ￥1.3018
500+
￥1.01916 ￥1.0728
2500+
￥0.92226 ￥0.9708
5000+
￥0.864025 ￥0.9095

有货

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型号：XRS100N06HF 编号：C42457050

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：XNRUSEMI(新锐)

特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。电源管理功能

5+
￥1.82097 ￥2.0233
50+
￥1.45809 ￥1.6201
150+
￥1.30257 ￥1.4473
500+
￥1.10853 ￥1.2317
2500+
￥1.02213 ￥1.1357
5000+
￥0.9702 ￥1.078

有货

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型号：CJU50N06A 编号：C3031931

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJU50N06A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（Rps(on)）。它可用于多种应用场景。

数据手册

5+
￥1.8228
50+
￥1.4684
150+
￥1.3165
500+
￥1.127
2500+
￥1.0005
5000+
￥0.9498

有货

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型号：AON7405 编号：C41348137

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥1.8265
50+
￥1.4233
150+
￥1.2505
500+
￥1.0349
2500+
￥0.9389

有货

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型号：FDD5614P 编号：C3647112

封装：TO-252-2

品牌：MSKSEMI(美森科)

P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥1.831125 ￥1.9275
50+
￥1.46262 ￥1.5396
150+
￥1.304635 ￥1.3733
500+
￥1.070365 ￥1.1267

有货

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型号：DMPH6050SK3-TP 编号：C41348156

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥1.839865 ￥1.9367
50+
￥1.456825 ￥1.5335
150+
￥1.292665 ￥1.3607
500+
￥1.087845 ￥1.1451
2500+
￥0.996645 ￥1.0491
5000+
￥0.94183 ￥0.9914

有货

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型号：BUK9875-100A 编号：C5122011

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：负载/电源开关。接口。开关逻辑电平转换

数据手册

5+
￥1.8686
50+
￥1.4805
150+
￥1.3142
500+
￥1.1066
2500+
￥0.8887
5000+
￥0.8333

有货

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型号：AO4828 编号：C3040597

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥1.8713
50+
￥1.4781
150+
￥1.3096
500+
￥1.0993
3000+
￥0.93
6000+
￥0.8739

有货

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型号：FDS4935A 编号：C4355028

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

1+
￥1.88
10+
￥1.64
30+
￥1.54
100+
￥1.42
500+
￥1.23
1000+
￥1.2

有货

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型号：APG077N01G 编号：C2840980

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：ALLPOWER(铨力)

特性：100V，90A。 RDS(ON) < 7.7mΩ @VGS = 10V (典型值: 6.2mΩ)。 RDS(ON) < 10mΩ @VGS = 4.5V (典型值: 8.0mΩ)。分裂栅沟槽技术。获得无铅产品认证。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。负载开关

数据手册

1+
￥1.9964
10+
￥1.7595
30+
￥1.658
100+
￥1.5313
500+
￥1.1337
1000+
￥1.0998

有货

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型号：DMP4015SSS 编号：C5197355

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS =-40V，ID = 12A。 RDS(ON) < 18mΩ @ VGS = 10V。高功率和大电流处理能力。无铅产品。表面贴装封装

数据手册

5+
￥2.0034
50+
￥1.6002
150+
￥1.4274
500+
￥1.2118
3000+
￥1.0038
6000+
￥0.9461

有货

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型号：DMP10H400SE-13 编号：C156277

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最小化导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥2.1699
50+
￥1.7103
150+
￥1.5134
500+
￥1.2677
2500+
￥1.1561
5000+
￥1.0904

有货

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型号：WSD6040DN56 编号：C719102

封装：DFN-8-EP(6.1x5.2)

品牌：WINSOK(微硕)

WSD6040DN56是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（Rpson）和栅极电荷。WSD6040DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备完整的功能可靠性。

数据手册

1+
￥2.1744
10+
￥1.7309
30+
￥1.5408
100+
￥1.3036
500+
￥1.198
1000+
￥0.9303

有货

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型号：NDT2955 编号：C194179

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 60V P 沟道 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的高压沟槽工艺生产的。此产品非常适用于电源管理应用。

数据手册

5+
￥2.1809
50+
￥1.6971
150+
￥1.4897
500+
￥1.231
2500+
￥1.1158
4000+
￥1.0467

有货

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型号：AGM403A1 编号：C5184861

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：AGMSEMI(芯控源)

BLDC(无刷电机)推荐料,Vds=40V Id=120A Rds=2.7mΩ(3.6mΩ最大)DFN5*6封装；

数据手册

5+
￥2.215115 ￥2.3317
50+
￥1.760255 ￥1.8529
150+
￥1.565315 ￥1.6477
500+
￥1.20023 ￥1.2634
3000+
￥1.09193 ￥1.1494
6000+
￥1.02695 ￥1.081

有货

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型号：IRF9Z34NPBF-JSM 编号：C2886330

封装：TO-220AB

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效能、稳定可靠的功率控制。

数据手册

5+
￥2.2563
50+
￥1.7865
150+
￥1.5602
500+
￥1.2779
2000+
￥1.1522
5000+
￥1.0767

有货

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型号：XRS80N12F 编号：C42457090

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：XNRUSEMI(新锐)

特性：快速开关。低栅极电荷和低导通电阻RDS(on)。低反向传输电容。 100%进行DVDS测试。 100%进行雪崩测试。应用：DC-DC转换器。便携式设备

1+
￥2.259 ￥2.51
10+
￥2.016 ￥2.24
30+
￥1.899 ￥2.11
100+
￥1.773 ￥1.97
500+
￥1.701 ￥1.89
1000+
￥1.665 ￥1.85

有货

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型号：IRF7341TRPBF 编号：C21791

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,4.9A,50mΩ@10V

数据手册

5+
￥2.2775
50+
￥1.8827
150+
￥1.7136
500+
￥1.2504
2500+
￥1.1564

有货

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型号：IPD079N06L3G-TP 编号：C51939566

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

1+
￥2.2952 ￥3.02
10+
￥1.786 ￥2.35
30+
￥1.5732 ￥2.07
100+
￥1.2996 ￥1.71
500+
￥1.178 ￥1.55
1000+
￥1.1096 ￥1.46

有货

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型号：IRF9Z24NPBF 编号：C2576

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-55V,-12A,175mΩ@-10V

数据手册

5+
￥2.3449
50+
￥1.669
150+
￥1.479
500+
￥1.242
2000+
￥1.1364
5000+
￥1.0731

有货

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型号：IRFR5505 编号：C5246440

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

IRFR5305TRPBF Pin to PIN 标准参数Vth:3.0

数据手册

5+
￥2.35
50+
￥1.84
150+
￥1.63
500+
￥1.27
2500+
￥1.15
5000+
￥1.07

有货

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型号：STS4DNF60L 编号：C3040629

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V, ID = 6A。 RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 45mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载/电源开关。接口

数据手册

5+
￥2.38
50+
￥1.88
150+
￥1.66
500+
￥1.28
3000+
￥1.16
6000+
￥1.09

有货

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