mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NDC7002N 编号：C5125996

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：笔记本电脑。负载开关。网络设备。手持仪器

数据手册

5+
￥0.9487
50+
￥0.7631
150+
￥0.6703
500+
￥0.6008
3000+
￥0.4821
6000+
￥0.4543

有货

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型号：AOD417 编号：C6396163

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗

5+
￥1.0172 ￥1.2715
50+
￥0.8156 ￥1.0195
150+
￥0.7292 ￥0.9115
500+
￥0.62144 ￥0.7768
2500+
￥0.57344 ￥0.7168
5000+
￥0.54456 ￥0.6807

有货

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型号：XR70P03D 编号：C42456940

封装：PDFN3333-8L

品牌：XNRUSEMI(新锐)

高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量，具备完整的功能可靠性。

5+
￥1.04931 ￥1.1659
50+
￥0.83124 ￥0.9236
150+
￥0.73773 ￥0.8197
500+
￥0.62109 ￥0.6901
2500+
￥0.56916 ￥0.6324
5000+
￥0.53802 ￥0.5978

有货

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型号：FDC5614P 编号：C3029022

封装：SOT-23-6

品牌：MSKSEMI(美森科)

FDC5614P丝印564

数据手册

5+
￥1.0573
50+
￥0.8456
150+
￥0.7548
500+
￥0.6416
3000+
￥0.4979
6000+
￥0.4676

有货

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型号：APG250N01Q 编号：C5443731

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ALLPOWER(铨力)

特性：100V, 25A，RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = 10V (典型值: 20mΩ)，RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 4.5V (典型值: 30mΩ)。分裂栅沟槽技术。获得无铅产品认证。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。负载开关

数据手册

5+
￥1.0621
50+
￥0.9653
150+
￥0.9239
500+
￥0.8721
2500+
￥0.5755
5000+
￥0.5617

有货

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型号：25N06 编号：C5350883

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥1.0752
50+
￥0.8335
150+
￥0.7299
500+
￥0.6006
2500+
￥0.543
5000+
￥0.5085

有货

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型号：XR3350M 编号：C42456716

封装：DFN3030-8L

品牌：XNRUSEMI(新锐)

特性：绿色环保器件。超低栅极电荷。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术。 TrenchFET功率MOSFET。优秀的导通电阻RDS(on)。低栅极电荷。高功率和电流处理能力。表面贴装封装。 ESD额定值：2000V HBM

5+
￥1.09107 ￥1.2123
50+
￥0.86427 ￥0.9603
150+
￥0.76707 ￥0.8523
500+
￥0.64575 ￥0.7175
2500+
￥0.59175 ￥0.6575
5000+
￥0.55935 ￥0.6215

有货

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型号：AO4441(UMW) 编号：C5447653

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻和超低栅极电荷。 VDS(V) = -60V。 ID = -4A（VGS = -10V）。 RDS(ON) < 100mΩ（VGS = -10V）。 RDS(ON) < 130mΩ（VGS = -4.5V）

5+
￥1.1155
50+
￥0.8725
150+
￥0.7684
500+
￥0.6384
3000+
￥0.5806
6000+
￥0.5459

有货

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型号：BSH111BKR 编号：C88712

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥1.1319
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￥0.8841
150+
￥0.7779
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￥0.6454
3000+
￥0.5619
6000+
￥0.5265

有货

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型号：IRF7303 编号：C5350841

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥1.1617
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￥0.9122
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￥0.8053
500+
￥0.6719
3000+
￥0.6125
6000+
￥0.5768

有货

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型号：ESN7403 编号：C5140350

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-8A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

1+
￥1.1932
10+
￥0.9176
30+
￥0.7994
100+
￥0.652
500+
￥0.5864
1000+
￥0.547

有货

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型号：SI7129DN-TP 编号：C49452324

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：- VDS：30V。IDS（VGS = -10V时）：50A。RDS(ON)（VGS = -10V时） ≤ 9mΩ（典型值）。应用：反向电池保护。负载开关

5+
￥1.2604
50+
￥0.9832
150+
￥0.8644
500+
￥0.7162
2500+
￥0.6502
5000+
￥0.6105

有货

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型号：IRF9389TRPBF 编号：C5123912

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：电池保护。负载开关

数据手册

5+
￥1.2841
50+
￥1.0068
150+
￥0.888
500+
￥0.6887
3000+
￥0.6227
6000+
￥0.5831

有货

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型号：DMP4047LFDE-7 编号：C442635

封装：U-DFN2020-6E

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

3+
￥1.3029
30+
￥1.0215
90+
￥0.9009
300+
￥0.7504
1500+
￥0.6433
3000+
￥0.6031

有货

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型号：AGM30P05AP 编号：C6719406

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM30P05AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

5+
￥1.3068
50+
￥1.0296
150+
￥0.9108
500+
￥0.7626

有货

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型号：NTTFS4C25NTWG 编号：C893914

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低 RDS(on) 以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换器。功率负载开关

数据手册

5+
￥1.3086
50+
￥1.1405
150+
￥1.0685
500+
￥0.9128
2500+
￥0.8727
5000+
￥0.8487

有货

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型号：IRF9310TR(UMW) 编号：C5236693

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=-30V。 ID =-20A。 Qg = 58nC。 RDS(ON)< 4.6mΩ (VGS =-10V)。 RDS(ON)< 6.8mΩ (VGS =-4.5V)。行业标准引脚排列SOP-8封装。与现有表面贴装技术兼容。符合RoHS标准，无卤。 MSL1，工业级认证

数据手册

5+
￥1.3281
50+
￥1.0605
150+
￥0.9459
500+
￥0.7019
3000+
￥0.6382
6000+
￥0.6

有货

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型号：AO4407A 编号：C16072

封装：SOIC-8

品牌：AOS

P沟道,-30V,-12A,13mΩ@-10V

数据手册

5+
￥1.3496
50+
￥1.0976
150+
￥0.9896
500+
￥0.8549
3000+
￥0.7061
6000+
￥0.67

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型号：SI3459BDV 编号：C2987067

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：可靠耐用。有符合RoHS标准的无铅环保器件。应用：DC-DC转换器。负载开关

数据手册

5+
￥1.3516
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￥1.0744
150+
￥0.9556
500+
￥0.8074
3000+
￥0.6517
6000+
￥0.6121

有货

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型号：SI2333CDS-T1-GE3 编号：C48179

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-12V,-5.1A,35mΩ@-4.5V

数据手册

5+
￥1.3569
50+
￥1.0995
150+
￥0.9892
500+
￥0.8515
3000+
￥0.7058
6000+
￥0.6691

有货

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型号：50N10 编号：C49023427

封装：TO-252

品牌：GOODWORK(固得沃克)

适用于电源开关和信号控制

5+
￥1.381965 ￥1.4547
50+
￥1.094685 ￥1.1523
150+
￥0.971565 ￥1.0227
500+
￥0.81795 ￥0.861
2500+
￥0.74955 ￥0.789
5000+
￥0.70851 ￥0.7458

有货

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型号：HT03N140S 编号：C49424007

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 30 V。 ID = 9 A。 RDS(on)@VGS = 10 V < 14.3 mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5 V < 22.6 mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电源管理开关。 DC/DC转换器

5+
￥1.382
50+
￥1.0947
150+
￥0.9716
500+
￥0.818
2500+
￥0.7496
5000+
￥0.7085

有货

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型号：AO4264E 编号：C334232

封装：SOIC-8

品牌：AOS

N沟道 60V 13.5A

数据手册

5+
￥1.3922
50+
￥1.1402
150+
￥1.0322
500+
￥0.8974
3000+
￥0.7462
6000+
￥0.7102

有货

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型号：IRF7341 编号：C5355495

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。它可用于各种应用。

数据手册

5+
￥1.4009
50+
￥1.1001
150+
￥0.9713
500+
￥0.8105
3000+
￥0.7389
6000+
￥0.6959

有货

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型号：CJQ60P05 编号：C5441040

封装：SOP-8

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJQ60P05采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

5+
￥1.4252
50+
￥1.1474
150+
￥1.0283
500+
￥0.8798
2500+
￥0.8136
4000+
￥0.7739

有货

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型号：NX2301P,215 编号：C191273

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P沟道,20V,2A

数据手册

5+
￥1.4323
50+
￥1.1477
150+
￥1.0258
500+
￥0.8736
3000+
￥0.7175
6000+
￥0.6768

有货

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型号：FDN304P 编号：C241803

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

数据手册

5+
￥1.4514
50+
￥1.144
150+
￥1.0122
500+
￥0.8478
3000+
￥0.6906
6000+
￥0.6466

有货

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型号：FDS6930B-TP 编号：C5350842

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：RDS(ON)≤35 mΩ@VGS=10V。 RDS(ON)≤45 mΩ@VGS=4.5V。超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。便携式设备

数据手册

5+
￥1.4811
50+
￥1.1484
150+
￥1.0059
500+
￥0.828
3000+
￥0.7488
6000+
￥0.7013

有货

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型号：JSM10N15 编号：C2900591

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。

数据手册

5+
￥1.52488 ￥1.9061
50+
￥1.22248 ￥1.5281
150+
￥1.09288 ￥1.3661
500+
￥0.9312 ￥1.164
2500+
￥0.8592 ￥1.074
5000+
￥0.81592 ￥1.0199

有货

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型号：AOD4189(UMW) 编号：C5346824

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

使用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。凭借TO-252封装出色的热阻，该器件非常适合大电流负载应用。

数据手册

5+
￥1.5494
50+
￥1.2118
150+
￥1.0672
500+
￥0.8867
2500+
￥0.8064
5000+
￥0.7581

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