mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSS138W-7-F-ES 编号：C5224279

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

10+
￥0.1385
100+
￥0.1061
300+
￥0.0881
3000+
￥0.0857
6000+
￥0.0763
9000+
￥0.0713

有货

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型号：KM3134K 编号：C5438456

封装：SOT-723

品牌：KUU

特性：先进的沟槽工艺技术。低阈值电压。快速开关速度。无卤无铅。低导通电阻（RDS(on)）的N沟道开关。应用：便携式设备的负载开关。电压控制小信号开关

数据手册

20+
￥0.1423
200+
￥0.1099
600+
￥0.0919
2000+
￥0.0811
8000+
￥0.0687
16000+
￥0.0636

有货

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型号：RC3415P 编号：C5137077

封装：SOT-23

品牌：RealChip(正芯半导体)

特性：VDS = -20V。 ID = 4A (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 40mΩ (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 60mΩ (VGS = -2.5V)。 RDS(ON) < 100mΩ (VGS = -1.8V)。 ESD 额定值：2000V HBM

数据手册

20+
￥0.1468
200+
￥0.1281
600+
￥0.1177
3000+
￥0.1065
9000+
￥0.1011
21000+
￥0.0982

有货

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型号：IRLML6344TRPBF-HXY 编号：C6285738

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于30V电压系统，提供高达5.8A的大电流承载能力。具备出色的低导通电阻与快速开关特性，特别适合充电器、电源模块及高效能电子设备中，实现精准、稳定的功率控制和转换需求。

20+
￥0.170765 ￥0.2009
200+
￥0.13124 ￥0.1544
600+
￥0.10931 ￥0.1286
3000+
￥0.095115 ￥0.1119
9000+
￥0.08364 ￥0.0984
21000+
￥0.07752 ￥0.0912

有货

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型号：AO3402A 编号：C347477

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。漏源击穿电压V(BR)DS < 90V。漏极电流ID = 4A。导通电阻RDS(ON) < 52mΩ（VGS = 10V）。导通电阻RDS(ON) < 65mΩ（VGS = 4.5V）。导通电阻RDS(ON) < 85mΩ（VGS = 2.5V）。应用：负载开关。 PWM应用

数据手册

20+
￥0.1823
200+
￥0.1359
600+
￥0.1101
3000+
￥0.101
9000+
￥0.0876
21000+
￥0.0804

有货

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型号：TPNTK3134NT1G 编号：C587154

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

20+
￥0.1835
200+
￥0.1611
600+
￥0.1487
2000+
￥0.1413
8000+
￥0.1187
16000+
￥0.1152

有货

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型号：DMG1013T 编号：C2830306

封装：SOT-523

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -20V, ID = -0.5A。 RDS(ON) < 610mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 920mΩ @ VGS = -2.5V。 ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.186
100+
￥0.1618
300+
￥0.1497
3000+
￥0.1406
6000+
￥0.1334
9000+
￥0.1297

有货

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型号：CJ3134K 编号：C110100

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道

数据手册

20+
￥0.1929
200+
￥0.154
600+
￥0.1324
3000+
￥0.1158
9000+
￥0.1046

有货

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型号：2N7002KDW 编号：C2919800

封装：SOT-363

品牌：CBI(创基)

特性：高密度单元设计，实现低RDS(on)。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力。 ESD保护。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

20+
￥0.2037
200+
￥0.1605
600+
￥0.1365
3000+
￥0.1137
9000+
￥0.1012
21000+
￥0.0944

有货

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型号：AO3415 编号：C181094

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：使用先进的沟槽技术。提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。低栅极电荷。可在低至1.8V的栅极电压下工作

数据手册

10+
￥0.231135 ￥0.2433
100+
￥0.18468 ￥0.1944
300+
￥0.161405 ￥0.1699
3000+
￥0.12939 ￥0.1362
6000+
￥0.115425 ￥0.1215
9000+
￥0.10849 ￥0.1142

有货

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型号：AO3402M-6AF 编号：C48587112

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

N沟道,30V,5.6A,25mΩ@4.5V

10+
￥0.2465
100+
￥0.1931
300+
￥0.1664
3000+
￥0.1464
6000+
￥0.1304
9000+
￥0.1223

有货

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型号：NTA7002NT1G 编号：C145524

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET 30 V，154 mA，单，N 沟道，门极 ESD 保护，SC-75

数据手册

10+
￥0.257
100+
￥0.2066
300+
￥0.1814
3000+
￥0.1571
6000+
￥0.142
9000+
￥0.1345

有货

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型号：CJ2307 编号：C77900

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

P沟道,-30V,-2.7A,88mΩ@-10V

数据手册

10+
￥0.2752
100+
￥0.2242
300+
￥0.1987
3000+
￥0.1686
6000+
￥0.1533
9000+
￥0.1456

有货

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型号：DMP2305U-7 编号：C85097

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：低导通电阻: -60mΩ @ VGS =-4.5V。 -90mΩ @ VGS =-2.5V。 -113mΩ @ VGS =-1.8V。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.3174
100+
￥0.2549
300+
￥0.2237
3000+
￥0.1931
6000+
￥0.1744
9000+
￥0.165

有货

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型号：RHU002N06T106 编号：C253521

封装：SOT-323

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低导通电阻。高静电放电能力。高速开关。低电压驱动 (4V)。驱动电路简单。易于并联使用。应用：开关

数据手册

10+
￥0.3285
100+
￥0.2613
300+
￥0.2277
3000+
￥0.2025
6000+
￥0.1823
9000+
￥0.1722

有货

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型号：SI2333CDS-HXY 编号：C18198389

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，额定电压为20V，具备高达7A的大电流承载能力。凭借其低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于电池保护、电源转换等高效率电子设备中，实现稳定可靠的功率控制。

5+
￥0.343875 ￥0.4585
50+
￥0.2718 ￥0.3624
150+
￥0.2358 ￥0.3144
500+
￥0.2088 ￥0.2784
3000+
￥0.1872 ￥0.2496
6000+
￥0.1764 ￥0.2352

有货

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型号：AO3422 编号：C5122003

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：Load/Power Switching。Interfacing Switching。Battery Management for Ultra Small Portable。Logic Level Shift

数据手册

10+
￥0.3685
100+
￥0.2929
300+
￥0.2551
3000+
￥0.2199
6000+
￥0.1972
9000+
￥0.1859

有货

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型号：IRLML6402 编号：C518785

封装：SOT-23

品牌：HUASHUO(华朔)

IRLML6402是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。IRLML6402符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

10+
￥0.3717
100+
￥0.2997
300+
￥0.2637
3000+
￥0.2275
6000+
￥0.2059
9000+
￥0.195

有货

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型号：3095K 编号：C42441713

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

特性：100% EAS保证。超低栅极电荷。有绿色环保器件可选。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。负载开关

10+
￥0.3917
100+
￥0.3053
300+
￥0.2621
2500+
￥0.2297
5000+
￥0.2038
10000+
￥0.1908

有货

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型号：CJ2333 编号：C77678

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

P沟道,-12V,-6A,28mΩ@-4.5V

数据手册

10+
￥0.3992
100+
￥0.3224
300+
￥0.284
3000+
￥0.2553
6000+
￥0.2322
9000+
￥0.2207

有货

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型号：BSS123 编号：C513249

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专利的高单元密度 DMOS 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS123 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

数据手册

10+
￥0.4245
100+
￥0.3398
300+
￥0.2975
3000+
￥0.2657
6000+
￥0.2403
9000+
￥0.2276

有货

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型号：SI2308BDS 编号：C5122031

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

10+
￥0.4353
100+
￥0.3456
300+
￥0.3007
3000+
￥0.2499
6000+
￥0.223
9000+
￥0.2095

有货

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型号：BSS83P 编号：C7472872

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：电话机中的线路电流中断器。高速和线路变压器驱动器

10+
￥0.4473
100+
￥0.3513
300+
￥0.3033
3000+
￥0.2673
6000+
￥0.2385
9000+
￥0.224

有货

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型号：AP30H50Q 编号：C2849568

封装：PDFN3X3-8L

品牌：ALLPOWER(铨力)

特性：30V，40A，RDS(ON) < 9mΩ @ VGS = 10V，TP = 6.5mΩ；RDS(ON) < 14mΩ @ VGS = 4.5V，TP = 9.0mΩ。先进的沟槽技术。获得无铅产品认证。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。负载开关

数据手册

5+
￥0.4529
50+
￥0.3829
150+
￥0.3479
500+
￥0.3216
2500+
￥0.3006
5000+
￥0.2901

有货

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型号：DOD40P03 编号：C36499177

封装：TO-252

品牌：DOINGTER(杜因特)

P管/-30V/-40A/15mΩ(典型12mΩ)

5+
￥0.4532
50+
￥0.4008
150+
￥0.3746
500+
￥0.3549
2500+
￥0.3275
5000+
￥0.3197

有货

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型号：DMN10H220L 编号：C5122013

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 100V, ID = 3.5A。 RDS(ON) < 130mΩ @ VGS = 10V (96mΩ Typ)。 RDS(ON) < 180mΩ @ VGS = 4.5V (140mΩ Typ)。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

5+
￥0.4814
50+
￥0.4243
150+
￥0.3958
500+
￥0.3744
3000+
￥0.3109
6000+
￥0.3023

有货

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型号：30P03D 编号：C7499851

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：HL(富海微)

30P03D是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30P03D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。

5+
￥0.5193
50+
￥0.4087
150+
￥0.3534
500+
￥0.3119
2500+
￥0.2706
5000+
￥0.254

有货

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型号：20N06D 编号：C7543835

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：HL(富海微)

20N06D是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20N06D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。

5+
￥0.5332
50+
￥0.4228
150+
￥0.3676
500+
￥0.3262
2500+
￥0.2735
5000+
￥0.257

有货

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型号：CJQ9435 编号：C114071

封装：SOP-8

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJQ9435采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻Rps(on)、抗直通能力、体二极管特性和超低栅极电阻。该器件非常适合用作笔记本电脑CPU核心电源转换中的低端开关。

数据手册

5+
￥0.5471
50+
￥0.4415
150+
￥0.3887
500+
￥0.3491
2500+
￥0.3064
4000+
￥0.2905

有货

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型号：AO3413 编号：C86648

封装：SOT-23

品牌：AOS

P沟道,-20V,-3A,80mΩ@-4.5V

数据手册

5+
￥0.5628
50+
￥0.4464
150+
￥0.3881
500+
￥0.3445
3000+
￥0.2722
6000+
￥0.2547

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