mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SI2301CDS-T1-GE3-ES 编号：C5224168

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-20V，-2A，82mΩ@-4.5V,-2.0A；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

数据手册

10+
￥0.0735
100+
￥0.0663
300+
￥0.0623
3000+
￥0.0598
6000+
￥0.0578
9000+
￥0.0566

有货

立即购买

型号：IRF510PBF 编号：C727603

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装在功率耗散水平约为50W的所有商业-工业应用中普遍受到青睐。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。

数据手册

1+
￥3.73
10+
￥3.06
50+
￥2.54
100+
￥2.21
500+
￥2.01
1000+
￥1.91

有货

立即购买

型号：CMSA5950A 编号：C5203728

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA5950A采用先进技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源（SMPS）的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用应用。

数据手册

1+
￥3.74
10+
￥3.07
30+
￥2.74
100+
￥2.41
500+
￥1.96
1000+
￥1.86

有货

立即购买

型号：SUD50P06-15 编号：C7472883

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：RDS(ON) 14mΩ@VGS = -10V (Typ)。 RDS(ON) 16mΩ@VGS = -4.5V (Typ)。超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。 DC/DC转换器

1+
￥4.44
10+
￥3.57
30+
￥3.14
100+
￥2.71
500+
￥2.46
1000+
￥2.32

有货

立即购买

型号：IRF9630PBF 编号：C2627

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-200V,-6.5A,800mΩ@-10V

数据手册

1+
￥4.51
10+
￥3.65
50+
￥2.96
100+
￥2.54
500+
￥2.28
1000+
￥2.15

有货

立即购买

型号：IRFH7004TRPBF 编号：C112334

封装：PQFN-8(4.9x5.8)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全特性电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。符合 RoHS 标准，无铅、无溴、无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥4.66
10+
￥3.88
30+
￥3.49
100+
￥2.9545 ￥3.11
500+
￥2.261 ￥2.38
1000+
￥2.147 ￥2.26

有货

立即购买

型号：BSC066N06NS 编号：C3278728

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行了优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

1+
￥4.9
10+
￥3.99
30+
￥3.53
100+
￥2.9165 ￥3.07
500+
￥2.66 ￥2.8
1000+
￥2.527 ￥2.66

有货

立即购买

型号：NCEP60T15G 编号：C216776

封装：DFN5X6-8L

品牌：NCE(无锡新洁能)

使用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg的组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

数据手册

1+
￥4.9
10+
￥3.87
30+
￥3.36
100+
￥2.85
500+
￥2.54
1000+
￥2.38

有货

立即购买

型号：CJAC100P03 编号：C504076

封装：PDFNWB5x6-8L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJAC100P03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

数据手册

1+
￥4.92
10+
￥4.06
30+
￥3.62
100+
￥3.2
500+
￥2.74
1000+
￥2.61

有货

立即购买

型号：SQJ459EP-T1_GE3 编号：C3289501

封装：PowerPAKSO-8L

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。100% Rg和UIS测试。AEC-Q101认证。材料分类：如需了解合规定义，请参阅相关文档

1+
￥6.45
10+
￥5.28
30+
￥4.69
100+
￥4.1
500+
￥3.75
1000+
￥3.57

有货

立即购买

型号：WSD75100DN56 编号：C2758411

封装：DFN5x6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD75100DN56是一款具有极高单元密度的高性能沟槽N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD75100DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥6.49
10+
￥5.5
30+
￥5
100+
￥4.51
500+
￥3.63
1000+
￥3.48

有货

立即购买

型号：IRF740STRLPBF 编号：C39238

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,400V,10A,550mΩ@10V

数据手册

1+
￥7.22
10+
￥5.87
30+
￥5.2
100+
￥4.53
500+
￥3.69
800+
￥3.48

有货

立即购买

型号：TK100E08N1,S1X(S 编号：C396033

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.6 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 80 V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥7.25
10+
￥5.99
50+
￥5.29
100+
￥4.51
500+
￥4.16
1000+
￥4

有货

立即购买

型号：SI7898DP-T1-GE3 编号：C26291

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,150V,4.8A,85mΩ@10V

数据手册

1+
￥7.76
10+
￥6.45
30+
￥5.73
100+
￥4.92
500+
￥4.56
1000+
￥4.4

有货

立即购买

型号：CMSL107N20 编号：C39840891

封装：TOLL-8L

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSL107N20采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合高效率快速开关应用。

1+
￥8.07
10+
￥6.66
30+
￥5.89
100+
￥4.98
500+
￥4.59

有货

立即购买

型号：BSC037N08NS5 编号：C194555

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,80V,100A,3.7mΩ@10V

数据手册

1+
￥8.55
10+
￥7.15
30+
￥6.37
100+
￥5.5
500+
￥4.36
1000+
￥4.18

有货

立即购买

型号：SP015N03BGHTO 编号：C22385354

封装：TOLL-8L

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品

1+
￥8.759 ￥9.22
10+
￥7.201 ￥7.58
30+
￥6.346 ￥6.68
100+
￥5.7 ￥6
500+
￥5.2725 ￥5.55
1000+
￥5.073 ￥5.34

有货

立即购买

型号：IPB107N20N3G 编号：C444895

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，标准电平。出色的栅极电荷 x 导通电阻 RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 认证，适用于目标应用。根据 IEC61249-2-21 标准无卤。适用于高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥9.7
10+
￥8.21
30+
￥7.28
100+
￥6.32
500+
￥5.89
1000+
￥5.7

有货

立即购买

型号：STP26NM60N 编号：C110593

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,600V,20A,165mΩ@10V

数据手册

1+
￥9.78
10+
￥8.27
30+
￥7.44
100+
￥5.9
500+
￥5.48
1000+
￥5.3

有货

立即购买

型号：BUK6Y19-30PX 编号：C3288625

封装：LFPAK-56

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56（Power SO8）表面贴装器件（SMD）塑料封装，使用沟槽MOSFET技术。本产品已按照AEC-Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用，如反电池保护。

1+
￥12.23
10+
￥10.48
30+
￥9.39
100+
￥8.1046 ￥8.27
500+
￥7.6048 ￥7.76
1500+
￥7.3892 ￥7.54

有货

立即购买

型号：SIRA99DP-T1-GE3 编号：C3289459

封装：PowerPAK-SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。极低的RDS(on)，可将电压降降至最低并降低传导损耗。无需电荷泵。 100%进行Rg和UIS测试。应用：适配器和充电器开关。电池和电路保护

1+
￥15.13
10+
￥12.71
30+
￥11.19
100+
￥9.4374 ￥9.63
500+
￥8.7514 ￥8.93
1000+
￥8.4574 ￥8.63

有货

立即购买

型号：SP10HF25TO 编号：C42404762

封装：TOLL

品牌：Siliup(矽普)

超结 MOSFET产品，N沟道，耐压：250V，电流：180A, Rdson：10mR，带快恢复

1+
￥17.7555 ￥18.69
10+
￥15.105 ￥15.9
30+
￥13.528 ￥14.24
100+
￥12.6255 ￥13.29
500+
￥11.894 ￥12.52
1000+
￥11.5615 ￥12.17

有货

立即购买

型号：IPB120N06S4-H1 编号：C536548

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道。增强模式。AEC Q101 合格。MSL1 高达 260℃ 峰值回流。175℃ 工作温度。绿色产品（符合 RoHS）。100% 雪崩测试

数据手册

1+
￥20.18
10+
￥17.29
30+
￥15.49
100+
￥13.64
500+
￥12.8
1000+
￥12.44

有货

立即购买

型号：2N7002 编号：C42441800

封装：SOT-23

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

N沟道,60V,0.3A,2Ω@10V

100+
￥0.0494
1000+
￥0.0392
3000+
￥0.0335
9000+
￥0.0301
51000+
￥0.0272
99000+
￥0.0256

有货

立即购买

型号：BSS84 编号：C41354933

封装：SOT-23

品牌：Siliup(矽普)

小电流MOSFET产品，P沟道，耐压：-60V，电流：-0.13A, Rdson：4200mR

50+
￥0.06308 ￥0.0664
500+
￥0.048735 ￥0.0513
3000+
￥0.04161 ￥0.0438
6000+
￥0.03686 ￥0.0388
24000+
￥0.03268 ￥0.0344
51000+
￥0.030495 ￥0.0321

有货

立即购买

型号：BR2N7002K2 编号：C358380

封装：SOT-23

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

SOT-23 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。

数据手册

50+
￥0.0673
500+
￥0.0577
3000+
￥0.0524
6000+
￥0.0493
24000+
￥0.0465
51000+
￥0.045

有货

立即购买

型号：BSS84 编号：C2926187

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

数据手册

50+
￥0.0853
500+
￥0.0675
3000+
￥0.0532
6000+
￥0.0472
24000+
￥0.0421
51000+
￥0.0393

有货

立即购买

型号：2N7002LT1G 编号：C28646313

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

20+
￥0.094
200+
￥0.0816
600+
￥0.0747
3000+
￥0.0706
9000+
￥0.067

有货

立即购买

型号：RK7002BM 编号：C16197299

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD Rating: HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

50+
￥0.1216
500+
￥0.0946
3000+
￥0.0796
6000+
￥0.0706
24000+
￥0.0628
51000+
￥0.0585

有货

立即购买

型号：AO3407A 编号：C49195707

封装：SOT-23

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：VDS(max) = -30V。 ID(max) = -4A。 RDS(ON) < 51mΩ (max)@VGS = -10V。 RDS(ON) < 70mΩ (max)@VGS = -4.5V。先进沟槽技术。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。电源管理

20+
￥0.1377
200+
￥0.108
600+
￥0.0915
3000+
￥0.0816
9000+
￥0.073
21000+
￥0.0684

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示