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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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  • 10+

    ¥0.3841
  • 100+

    ¥0.3025
  • 300+

    ¥0.2617
  • 3000+

    ¥0.2311
  • 6000+

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    ¥0.1944
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  • 阈值电压VGS:±20
    • 10+

      ¥0.4047
    • 100+

      ¥0.3192
    • 300+

      ¥0.2764
    • 2500+

      ¥0.2336
    • 5000+

      ¥0.2079
    • 10000+

      ¥0.1951
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4353
    • 100+

      ¥0.3456
    • 300+

      ¥0.3007
    • 3000+

      ¥0.2499
    • 6000+

      ¥0.223
    • 9000+

      ¥0.2095
  • 有货
  • 应用:负载/电源开关。接口开关。超小型便携式电子设备的电池管理。逻辑电平转换
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4459
    • 50+

      ¥0.3909
    • 150+

      ¥0.3634
    • 500+

      ¥0.3428
    • 3000+

      ¥0.3163
    • 6000+

      ¥0.3081
  • 有货
  • 特性:RDS(ON) ≤ 215mΩ,Vgs@-10V。 RDS(ON) ≤ 260mΩ,Vgs@-4.5V。 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 产品材料符合RoHS要求且无卤。应用:笔记本电脑电源管理。 便携式设备
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4582
    • 100+

      ¥0.361
    • 300+

      ¥0.3124
    • 3000+

      ¥0.276
    • 6000+

      ¥0.2469
    • 9000+

      ¥0.2323
  • 有货
  • 特性:VDS =-60V, ID =-1.6A。 RDS(ON) < 200mΩ @VGS =-10V。 RDS(ON) < 240mΩ @VGS =-4.5V。应用:Load/Power Switching。 Interfacing Switching
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4618
    • 50+

      ¥0.4112
    • 150+

      ¥0.3859
    • 500+

      ¥0.3669
    • 3000+

      ¥0.3365
    • 6000+

      ¥0.3289
  • 有货
  • AP4438系列采用创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种超高效的器件,可广泛应用于各种电源领域。SOT89封装在所有采用红外回流焊技术的商业 - 工业表面贴装应用中广受青睐,适用于电压转换或开关应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4672
    • 100+

      ¥0.3736
    • 300+

      ¥0.3268
    • 1000+

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    • 5000+

      ¥0.265
    • 10000+

      ¥0.251
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4749
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    • 150+

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    • 3000+

      ¥0.3245
    • 6000+

      ¥0.3163
  • 有货
  • N管/60V/20A/36mΩ(典型27mΩ)
    • 10+

      ¥0.4899
    • 100+

      ¥0.3982
    • 300+

      ¥0.3523
    • 2500+

      ¥0.3084
    • 5000+

      ¥0.2809
    • 10000+

      ¥0.2671
  • 有货
  • N沟道,60V,15A,30mΩ@10v
    • 10+

      ¥0.5038
    • 100+

      ¥0.4091
    • 300+

      ¥0.3618
    • 1000+

      ¥0.3025
    • 5000+

      ¥0.2741
    • 10000+

      ¥0.2599
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5046
    • 50+

      ¥0.4496
    • 150+

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    • 500+

      ¥0.4015
    • 3000+

      ¥0.3741
    • 6000+

      ¥0.3658
  • 有货
  • 特性:30V,15A。 RDS(ON) < 8mΩ(VGS = 10V,典型值6.5mΩ)。 RDS(ON) < 13mΩ(VGS = 4.5V,典型值10.2mΩ)。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:PWM应用。 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5108
    • 50+

      ¥0.4052
    • 150+

      ¥0.3524
    • 500+

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    • 2500+

      ¥0.2987
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      ¥0.2829
  • 有货
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    • 150+

      ¥0.3988
    • 500+

      ¥0.3532
    • 3000+

      ¥0.3075
    • 6000+

      ¥0.2893
  • 有货
  • 4410将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5909
    • 50+

      ¥0.4757
    • 150+

      ¥0.4181
    • 500+

      ¥0.3749
    • 2500+

      ¥0.2993
    • 4000+

      ¥0.282
  • 有货
  • 特性:40V,20A。RDS(ON) <22mΩ @VGS=10V。RDS(ON) <30mΩ @VGS=4.5V。Trench DMOS功率MOSFET。快速开关。出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用:DC/DC转换器。便携式设备的负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6539
    • 50+

      ¥0.5963
    • 150+

      ¥0.5675
    • 500+

      ¥0.5459
    • 2500+

      ¥0.3597
    • 5000+

      ¥0.351
  • 有货
    • 5+

      ¥0.6606
    • 50+

      ¥0.5262
    • 150+

      ¥0.459
    • 500+

      ¥0.4086
    • 2500+

      ¥0.3682
    • 5000+

      ¥0.3481
  • 有货
  • 适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.72696 ¥0.9087
    • 50+

      ¥0.56568 ¥0.7071
    • 150+

      ¥0.49656 ¥0.6207
    • 500+

      ¥0.41032 ¥0.5129
    • 3000+

      ¥0.39752 ¥0.4969
    • 6000+

      ¥0.3744 ¥0.468
  • 有货
  • 广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统,实现卓越的功率密度与效率表现。
    • 5+

      ¥0.737545 ¥0.8677
    • 50+

      ¥0.648295 ¥0.7627
    • 150+

      ¥0.610045 ¥0.7177
    • 500+

      ¥0.562275 ¥0.6615
    • 3000+

      ¥0.541025 ¥0.6365
    • 6000+

      ¥0.528275 ¥0.6215
  • 有货
  • 应用:负载/电源开关。接口开关。超小型便携式电子设备的电池管理。逻辑电平转换
    数据手册
    • 5+

      ¥0.752
    • 50+

      ¥0.5963
    • 150+

      ¥0.5184
    • 500+

      ¥0.4601
    • 3000+

      ¥0.4005
    • 6000+

      ¥0.3771
  • 有货
  • 应用:负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7686
    • 50+

      ¥0.6102
    • 150+

      ¥0.531
    • 500+

      ¥0.4716
    • 3000+

      ¥0.4116
    • 6000+

      ¥0.3878
  • 有货
  • 中低压MOSFET产品,P沟道,耐压:-40V,电流:-36A,RDSON:8mR
    • 5+

      ¥0.83049 ¥0.8742
    • 50+

      ¥0.66101 ¥0.6958
    • 150+

      ¥0.576175 ¥0.6065
    • 500+

      ¥0.51262 ¥0.5396
    • 2500+

      ¥0.472435 ¥0.4973
    • 5000+

      ¥0.446975 ¥0.4705
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。 快速开关。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用:DC/DC转换器。 便携式设备的负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8404
    • 50+

      ¥0.7195
    • 150+

      ¥0.6676
    • 500+

      ¥0.6029
    • 2500+

      ¥0.5741
    • 5000+

      ¥0.5569
  • 有货
  • 特性:快速开关。 有绿色环保型号。 适用于1.5V栅极驱动应用。应用:笔记本电脑。 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8423
    • 50+

      ¥0.6835
    • 150+

      ¥0.6042
    • 500+

      ¥0.5446
    • 2500+

      ¥0.4473
    • 4000+

      ¥0.4235
  • 有货
  • CJA03N10S采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于多种应用场景。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8556
    • 50+

      ¥0.7103
    • 150+

      ¥0.6376
    • 1000+

      ¥0.541
    • 2000+

      ¥0.4974
    • 5000+

      ¥0.4756
  • 有货
  • AO4407-MS采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8622
    • 50+

      ¥0.7058
    • 150+

      ¥0.6276
    • 500+

      ¥0.569
    • 3000+

      ¥0.4471
    • 6000+

      ¥0.4236
  • 有货
  • MOS(场效应管)
    • 5+

      ¥0.8844
    • 50+

      ¥0.6783
    • 150+

      ¥0.5752
    • 500+

      ¥0.4979
    • 2500+

      ¥0.4319
    • 5000+

      ¥0.4009
  • 有货
  • N沟道,30V,5A,32mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8922
    • 50+

      ¥0.6954
    • 150+

      ¥0.597
    • 500+

      ¥0.5232
    • 3000+

      ¥0.4642
    • 6000+

      ¥0.4346
  • 有货
  • N沟道,100V,3A,160毫欧
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9099
    • 50+

      ¥0.7035
    • 150+

      ¥0.6003
    • 1000+

      ¥0.5229
    • 2000+

      ¥0.461
    • 5000+

      ¥0.43
  • 有货
  • 特性:通过定制引线框架进行了修改,具有增强的热特性和多芯片能力,适用于各种电源应用。 改进后可在应用中使用多个器件,显著减少电路板空间。 该封装设计适用于气相、红外线或波峰焊接技术。 典型 PCB 安装应用中功耗大于 0.8W。 VDS(V) = -20V。 RDS(ON)< 40mΩ (VGS = -4.5V)。 RDS(ON)< 60mΩ (VGS = -2.7V)。 第五代技术。 超低导通电阻。 表面贴装。 动态 dv/dt 额定值。 快速开关。 无铅
    • 5+

      ¥0.9123
    • 50+

      ¥0.7212
    • 150+

      ¥0.6256
    • 500+

      ¥0.554
    • 3000+

      ¥0.4966
    • 6000+

      ¥0.4679
  • 有货
  • N沟道,40V,3.6A,56mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9173
    • 50+

      ¥0.7132
    • 150+

      ¥0.6257
    • 500+

      ¥0.5166
    • 3000+

      ¥0.468
    • 6000+

      ¥0.4388
  • 有货
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