mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRF9540NS 编号：C19272230

封装：TO-263

品牌：minos(迈诺斯)

IRF9540NS采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

1+
￥3.57
10+
￥2.92
30+
￥2.6
100+
￥2.28
500+
￥1.9
800+
￥1.8

有货

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型号：AON7401 编号：C5311002

封装：PDFN-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥1.596
50+
￥1.26
150+
￥1.1161
500+
￥0.9365
2500+
￥0.7945
5000+
￥0.7465

有货

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型号：IRF540N 编号：C41430602

封装：TO-220

品牌：DOINGTER(杜因特)

N管/100V/45A/16mΩ/(典型13.9mΩ)

5+
￥1.6422
50+
￥1.2886
150+
￥1.1482
500+
￥0.973
2500+
￥0.895
5000+
￥0.8482

有货

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型号：IRLR120NTRPBF 编号：C2594

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,10A,185mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.6906
50+
￥1.361
150+
￥1.2197
500+
￥0.894995 ￥0.9421
2000+
￥0.82042 ￥0.8636
4000+
￥0.77577 ￥0.8166

有货

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型号：BSP170P 编号：C5246419

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

BSP170P 高开启标准Vth:3.0

数据手册

5+
￥1.6969
50+
￥1.3344
150+
￥1.179
500+
￥0.9183
2500+
￥0.832
5000+
￥0.7802

有货

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型号：Si4178DY-T1-GE3 编号：C75685

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% Rg 和 0H3 测试。符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：笔记本系统电源。低电流 DC/DC

数据手册

5+
￥1.7268
50+
￥1.3385
150+
￥1.1721
500+
￥0.9645
2500+
￥0.8721
5000+
￥0.8166

有货

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型号：AOD4185 编号：C5371006

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -40V。 ID = -40A。 RDS(ON) < -19mΩ @VGS = -10V (Type: 14mΩ)。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

5+
￥1.7352
50+
￥1.3294
150+
￥1.1556
500+
￥0.9386
2500+
￥0.842
5000+
￥0.784

有货

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型号：AO4616 编号：C115831

封装：SOIC-8

品牌：AOS

数据手册

5+
￥1.8748
50+
￥1.5048
150+
￥1.3462
500+
￥1.0294
3000+
￥0.9413
6000+
￥0.8884

有货

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型号：SP60N05GTD 编号：C22466770

封装：TO-263-3L

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：100A,Rdson：4.9mR

5+
￥1.9189
50+
￥1.4905
150+
￥1.3069
800+
￥1.1578
2400+
￥1.0558
4800+
￥0.9945

有货

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型号：AON6407 编号：C7603355

封装：DFN-8(5x6)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -30V，ID = -100A。 RDS(ON) < 4.1mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 6.6mΩ @ VGS = -4.5V。先进的沟槽技术。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。无铅。应用：PWM应用。负载开关

1+
￥1.9275 ￥2.57
10+
￥1.71 ￥2.28
30+
￥1.5975 ￥2.13
100+
￥1.4925 ￥1.99
500+
￥1.425 ￥1.9
1000+
￥1.395 ￥1.86

有货

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型号：YJQ40G10A 编号：C919608

封装：DFN3333-8L

品牌：YANGJIE(扬杰)

YJQ40G10A-F1-1100HF

数据手册

5+
￥1.9615
50+
￥1.555
150+
￥1.3807
500+
￥1.1633
2500+
￥1.0665

有货

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型号：FDS4559 编号：C5123951

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：N沟道：VDS = 60V，ID = 6.0A，RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 10V时）。 P沟道：VDS = -60V，ID = -5A，RDS(ON) < 95mΩ（VGS = -10V时）。高功率和电流处理能力。无铅产品。表面贴装封装

数据手册

5+
￥1.9667
50+
￥1.536
150+
￥1.3515
500+
￥1.1212
3000+
￥1.0186
6000+
￥0.9571

有货

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型号：FDS4435BZ 编号：C23931

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

数据手册

5+
￥2.0373
50+
￥1.6785
150+
￥1.5247
500+
￥1.3329
2500+
￥1.2474
5000+
￥1.1962

有货

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型号：CRST055N08N 编号：C410925

封装：TO-220

品牌：CRMICRO(华润微)

低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用,Vds=85V Id=120A Rds=4.6mΩ(5.5mΩ最大) TO-220封装；完全兼容 SKD502T C467184

数据手册

5+
￥2.1122
50+
￥1.6886
150+
￥1.4942
500+
￥1.2516
2000+
￥1.1435
5000+
￥1.0787

有货

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型号：NTD2955T4G 编号：C5246441

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

NTD2955T4G Pin to PIN 标准参数Vth:3.0

数据手册

1+
￥2.21
10+
￥1.94
30+
￥1.82
100+
￥1.67
500+
￥1.52
1000+
￥1.48

有货

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型号：AGM403A1 编号：C5184861

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：AGMSEMI(芯控源)

BLDC(无刷电机)推荐料,Vds=40V Id=120A Rds=2.7mΩ(3.6mΩ最大)DFN5*6封装；

数据手册

5+
￥2.215115 ￥2.3317
50+
￥1.760255 ￥1.8529
150+
￥1.565315 ￥1.6477
500+
￥1.20023 ￥1.2634
3000+
￥1.09193 ￥1.1494
6000+
￥1.02695 ￥1.081

有货

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型号：IRFR5305-JSM 编号：C2874618

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。

数据手册

1+
￥2.4 ￥3
10+
￥1.872 ￥2.34
30+
￥1.648 ￥2.06
100+
￥1.376 ￥1.72
500+
￥1.2 ￥1.5
1000+
￥1.128 ￥1.41

有货

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型号：SI2312BDS-T1-GE3 编号：C10490

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,20V,5A,31mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥2.5178
50+
￥2.0335
150+
￥1.826
500+
￥1.4149
3000+
￥1.2996

有货

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型号：IRF530NS-JSM 编号：C7496524

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于高频开关电源、有源功率因数校正。

1+
￥2.556 ￥2.84
10+
￥1.989 ￥2.21
30+
￥1.746 ￥1.94
100+
￥1.449 ￥1.61
500+
￥1.404 ￥1.56
800+
￥1.323 ￥1.47

有货

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型号：IRFR5410 编号：C5342377

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS-100V。 ID-13A。 RDS(ON) (at VGS=- 10V) < 210mΩ。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

1+
￥2.58
10+
￥2.03
30+
￥1.79
100+
￥1.49
500+
￥1.36
1000+
￥1.28

有货

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型号：IRF7343TRPBF 编号：C36656

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

MOS全桥

数据手册

1+
￥2.61
10+
￥2.12
30+
￥1.91
100+
￥1.5675 ￥1.65
500+
￥1.2825 ￥1.35
1000+
￥1.216 ￥1.28

有货

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型号：PMV213SN,215 编号：C131676

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道 100V 1.9A

数据手册

1+
￥2.79
10+
￥2.2
30+
￥1.95
100+
￥1.63
500+
￥1.49
1000+
￥1.41

有货

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型号：IRF3205S-JSM 编号：C2874633

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。

数据手册

1+
￥2.8028 ￥3.64
10+
￥2.2638 ￥2.94
30+
￥1.9943 ￥2.59
100+
￥1.7248 ￥2.24
500+
￥1.4399 ￥1.87
800+
￥1.3552 ￥1.76

有货

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型号：NCE40P70K 编号：C130101

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

P沟道，40V，70A.

数据手册

1+
￥3.15
10+
￥2.42
30+
￥2.11
100+
￥1.72
500+
￥1.55

有货

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型号：NTMFS5C430NLT1G 编号：C194661

封装：DFN5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40 V，1.4 mΩ，200 A，单 N 沟道

数据手册

1+
￥3.27
10+
￥2.58
30+
￥2.28
100+
￥1.91
500+
￥1.64
1500+
￥1.54

有货

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型号：FDS9958 编号：C5197324

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

1+
￥3.29
10+
￥2.62
30+
￥2.34
100+
￥1.98
500+
￥1.64
1000+
￥1.54

有货

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型号：IPD50P04P4L-11 编号：C5370996

封装：TO-252-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -40V。 ID = -50A。 RDS(ON) < -13mΩ @ VGS = -10V (Type:9.0mΩ)。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

1+
￥3.31
10+
￥2.67
30+
￥2.34
100+
￥2.02
500+
￥1.83
1000+
￥1.73

有货

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型号：BSC070N10NS5 编号：C534364

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥3.38
10+
￥2.7
30+
￥2.41
100+
￥1.76

有货

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型号：NCEP40T13GU 编号：C191993

封装：DFN5X6-8L

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道,40V,130A,2.3mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.45
10+
￥2.66
30+
￥2.31
100+
￥1.89
500+
￥1.7
1000+
￥1.58

有货

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型号：PMV100XPEAR 编号：C553079

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

1+
￥3.48
10+
￥2.72
30+
￥2.4
100+
￥1.94 ￥2
500+
￥1.7654 ￥1.82
1000+
￥1.6587 ￥1.71

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