mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：2N7002T 编号：C7507460

封装：SOT-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该消费级N沟道MOSFET采用SOT-523微型封装，具有60V高耐压和0.1A电流处理能力，专为紧凑型、低功耗电子设备设计，实现精细电源管理与高效开关功能。

20+
￥0.12331 ￥0.1298
200+
￥0.09823 ￥0.1034
600+
￥0.08417 ￥0.0886
3000+
￥0.074575 ￥0.0785
9000+
￥0.06726 ￥0.0708
21000+
￥0.063365 ￥0.0667

有货

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型号：SI7145DP-T1-GE3 编号：C144873

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-30V,-60A,0.0026Ω@-10V

数据手册

1+
￥12.62
10+
￥10.8
30+
￥9.66
100+
￥8.5
500+
￥7.97
1000+
￥7.74

有货

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型号：IPB120N06S4-H1 编号：C536548

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道。增强模式。AEC Q101 合格。MSL1 高达 260℃ 峰值回流。175℃ 工作温度。绿色产品（符合 RoHS）。100% 雪崩测试

数据手册

1+
￥22.55
10+
￥19.66
30+
￥17.86
100+
￥16.01
500+
￥15.17
1000+
￥14.81

有货

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型号：BSS138BK 编号：C5224267

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

10+
￥0.0584
100+
￥0.0484
300+
￥0.0428
3000+
￥0.0413
6000+
￥0.0384
9000+
￥0.0368

有货

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型号：BSS138 编号：C3015220

封装：SOT-23

品牌：KUU

数据手册

20+
￥0.0738
200+
￥0.057
600+
￥0.0477
3000+
￥0.041
9000+
￥0.0362
21000+
￥0.0336

有货

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型号：2N7002K 编号：C181083

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：低导通电阻：RDS(ON)。低栅极阈值电压。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏

数据手册

50+
￥0.079895 ￥0.0841
500+
￥0.06251 ￥0.0658
3000+
￥0.05396 ￥0.0568
6000+
￥0.048165 ￥0.0507
24000+
￥0.04313 ￥0.0454
51000+
￥0.04047 ￥0.0426

有货

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型号：2N7002 编号：C5331134

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002

50+
￥0.09975 ￥0.105
500+
￥0.07923 ￥0.0834
3000+
￥0.06555 ￥0.069
6000+
￥0.05871 ￥0.0618
24000+
￥0.052725 ￥0.0555
51000+
￥0.049495 ￥0.0521

有货

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型号：BS170FTA 编号：C5236685

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至 2.5V 的栅极电压下工作。适用于作为负载开关或用于 PWM 应用。

50+
￥0.1122
500+
￥0.0878
3000+
￥0.0698
6000+
￥0.0617
24000+
￥0.0546
51000+
￥0.0508

有货

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型号：DMG2302UK-7-ES 编号：C5224188

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.14V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

数据手册

10+
￥0.1207
100+
￥0.0909
300+
￥0.0743
3000+
￥0.0644
6000+
￥0.0557
9000+
￥0.0511

有货

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型号：FS3401M 编号：C2936839

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

数据手册

20+
￥0.1391
200+
￥0.1062
600+
￥0.0879
3000+
￥0.0824
9000+
￥0.0729
21000+
￥0.0678

有货

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型号：LBSS123LT1G 编号：C8491

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

N沟道,100V,0.17A,6Ω@10V

数据手册

20+
￥0.141
200+
￥0.1083
600+
￥0.0902
3000+
￥0.0793
9000+
￥0.0699
21000+
￥0.0648

有货

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型号：2N7002DW 编号：C42434496

封装：SOT-363

品牌：GOODWORK(固得沃克)

特性：用于低RDS(on)的高密度单元设计。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力。 ESD保护。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

20+
￥0.144585 ￥0.1701
200+
￥0.11475 ￥0.135
600+
￥0.098175 ￥0.1155
3000+
￥0.08823 ￥0.1038
9000+
￥0.076585 ￥0.0901
21000+
￥0.07191 ￥0.0846

有货

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型号：HL3134KD 编号：C53055315

封装：DFN1006-3L

品牌：R+O(宏嘉诚)

20+
￥0.1622
200+
￥0.1273
600+
￥0.1078
2000+
￥0.0961
10000+
￥0.086

有货

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型号：MU3401V 编号：C34373740

封装：SOT-23-3L

品牌：MP(美禄科技)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：39mΩ

20+
￥0.1745
200+
￥0.1388
600+
￥0.119
3000+
￥0.0998
9000+
￥0.0895
21000+
￥0.0839

有货

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型号：AP1002 编号：C2995324

封装：SOT-23

品牌：ALLPOWER(铨力)

AP1002采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（Rds(on)）。它可应用于多种领域。

数据手册

10+
￥0.1851
100+
￥0.1624
300+
￥0.1498
3000+
￥0.1076
6000+
￥0.101
9000+
￥0.0975

有货

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型号：2SK3541 编号：C504051

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低导通电阻。快速开关速度。低电压驱动，适用于便携式设备。驱动电路简单。易于并联使用。应用：接口。开关

数据手册

20+
￥0.1864
200+
￥0.1459
600+
￥0.1234
2000+
￥0.1099
8000+
￥0.0982
16000+
￥0.0919

有货

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型号：AO3401A 编号：C48678024

封装：SOT-23

品牌：baocheng(宝乘)

漏源电压:30V 连续漏极电流:4.2A 导通电阻:120mΩ@2.5V 耗散功率:1.4W 阀值电压：0.4V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

20+
￥0.193
200+
￥0.1484
600+
￥0.1237
3000+
￥0.1088
9000+
￥0.0959
21000+
￥0.089

有货

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型号：WNM6002-3/TR 编号：C501342

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM66002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路

数据手册

20+
￥0.2142
200+
￥0.1743
600+
￥0.1521
3000+
￥0.1388
9000+
￥0.1272
21000+
￥0.121

有货

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型号：LP3407LT1G 编号：C49583

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

P沟道,-30V,-4.1A,70mΩ@-10V

数据手册

10+
￥0.2247
100+
￥0.1762
300+
￥0.152
3000+
￥0.1339
6000+
￥0.1193
9000+
￥0.1121

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型号：AO3414A 编号：C347498

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。 VDS(V) = 20V。 ID = 4.2A (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 26mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 36mΩ (VGS = 2.5V)。 RDS(ON) < 57mΩ (VGS = 1.8V)。应用：负载开关。 PWM应用

数据手册

20+
￥0.2343
200+
￥0.1765
600+
￥0.1444
3000+
￥0.1252
9000+
￥0.1085
21000+
￥0.0995

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型号：FDN304P(UMW) 编号：C347509

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：该P沟道1.8V指定MOSFET采用先进的低压PowerTrench工艺。 VDS(V) = 20V。 ID =-2.4A。 RDS(ON)< 52mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON)< 70mΩ (VGS = 2.5V)。 RDS(ON)< 100mΩ (VGS =-1.8V)。应用：电池保护。负载开关

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