mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-252-2L

P沟道场效应管（MOSFET），漏源电压（VDSS）为60V，持续漏极电流（ID）可达30A，适用于多种电源管理场景。导通电阻（RDON）仅为29mΩ，有助于减少功率损耗并提升整体效率。该器件基于P沟道设计，常用于直流电机驱动、电池充放电控制及开关电源电路中。凭借其高可靠性与优异的热稳定性，可广泛适配于通信设备、智能家居装置以及便携式电子产品的电源系统。

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￥2.584 ￥2.72
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￥2.052 ￥2.16
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￥1.8145 ￥1.91
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￥1.5295 ￥1.61
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￥1.406 ￥1.48
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￥1.33 ￥1.4

有货

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型号：IRFR5410 编号：C5342377

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS-100V。 ID-13A。 RDS(ON) (at VGS=- 10V) < 210mΩ。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

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￥2.7
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￥2.15
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有货

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型号：DMP6023LE-13 编号：C154901

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

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￥2.81
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￥2.3
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￥2.08
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￥1.8
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￥1.56

有货

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型号：IRFR7440TRPBF 编号：C97244

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,90A,2.4mΩ@10V

数据手册

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￥3.27
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￥2.49
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￥1.99

有货

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型号：IRFR5305 编号：C5155388

封装：TO-252

品牌：Slkor(萨科微)

此P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。

数据手册

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￥3.31
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￥2.66
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￥2.38
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￥1.56

有货

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型号：NTD2955T4G 编号：C10663

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。适用于电源、转换器和功率电机控制中的低压高速开关应用。此类器件尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。

数据手册

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￥3.5
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￥2.8
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￥2.51
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￥1.75
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￥1.48

有货

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型号：AON6407 编号：C13899

封装：PDFN-8(5.8x4.9)

品牌：AOS

P沟道,-30V,-85A,4.5mΩ@-10V

数据手册

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￥3.53
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￥2.81
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￥2.09
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￥1.88
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￥1.77

有货

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型号：NCE01P30K 编号：C115991

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCE01P30K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景，具备静电放电（ESD）保护功能。

数据手册

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￥3.63
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￥2.79
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￥2.43
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￥1.98
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￥1.66

有货

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型号：WSP16N10 编号：C148413

封装：SOP-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSP16N10是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF16N10符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

数据手册

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￥3.83
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￥3.1
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￥2.79
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￥2.4
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￥1.63

有货

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型号：IPB042N10N3G 编号：C69300

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 认证，适用于目标应用。非常适合高频开关和同步整流。根据 IEC61249-2-21 标准，无卤

数据手册

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￥4.43
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￥3.24
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型号：WSF50P10 编号：C2758447

封装：TO-252

品牌：WINSOK(微硕)

WSF50P10是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF50P10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。

数据手册

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￥4.51
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￥3.69
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￥3.28
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￥2.15

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型号：BSC072N08NS5-TP 编号：C19829610

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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￥4.826 ￥5.08
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￥4.3225 ￥4.55
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￥3.743 ￥3.94
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￥3.5435 ￥3.73

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型号：WSD30L120DN56 编号：C148396

封装：DFN5X6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD30L120DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD30L120DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS保证，并经过全面功能可靠性认证。

数据手册

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￥4.85
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￥4.03
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￥3.61
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￥3.2
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￥2.42

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型号：CJAC100P03 编号：C504076

封装：PDFNWB5x6-8L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJAC100P03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

数据手册

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￥4.92
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￥4.06
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￥3.62
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￥2.74
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￥2.61

有货

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型号：IRF5210PBF 编号：C2621

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-40A,60mΩ@-10V

数据手册

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￥5.27
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￥4.45
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￥4.12
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￥3.97
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￥3.9

有货

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型号：IRF1407PBF 编号：C2609

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,130A,7.8mΩ@10V

数据手册

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￥5.4
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￥3.78
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￥2.76

有货

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型号：FDMS86263P 编号：C455156

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，并针对卓越的开关性能进行了优化。

数据手册

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￥6.37
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￥5.29
30+
￥4.76
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￥4.18
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￥3.86
1000+
￥3.69

有货

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型号：IRFS4227TRLPBF 编号：C146578

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏中的维持、能量回收和通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻和低脉冲能量（EpuLsE）额定值。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力

数据手册

1+
￥6.44
10+
￥5.28
30+
￥4.65
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￥3.94
500+
￥3.62
800+
￥3.48

有货

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型号：IRLR7843TRPBF 编号：C21988

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,161A,4mΩ@4.5V

数据手册

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￥6.54
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￥5.33
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￥4.72
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￥4.12
500+
￥3.76
1000+
￥3.58

有货

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型号：IRFB3206PBF 编号：C2642

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,210A,3mΩ@10V

数据手册

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￥6.98
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￥5.71
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￥4.53
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￥3.91
350+
￥3.53
1050+
￥3.34

有货

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型号：IRFBG30PBF 编号：C2637

封装：TO-220

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,1000V,3.1A,5Ω@10V

数据手册

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￥7.28
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￥6.16
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￥5.34
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￥4.65
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￥4.2

有货

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型号：BSC014N06NS 编号：C113391

封装：TDSON-8-FL

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道

数据手册

1+
￥7.92
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￥6.55
30+
￥5.8
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￥4.95
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￥4.57
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￥4.4

有货

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型号：BSC072N08NS5 编号：C431094

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥9.45
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￥7.8
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￥6.89
100+
￥5.87
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￥5.41
1000+
￥5.2

有货

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型号：WGA40N50SE 编号：C17702323

封装：TO-247

品牌：Wild Goose(威谷)

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￥10.298 ￥10.84
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￥8.6355 ￥9.09
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￥7.6 ￥8
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￥5.8425 ￥6.15

有货

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型号：IPD068N10N3G 编号：C88066

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,90A,6.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥10.64
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￥9.25
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￥8.49
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￥7.06
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￥6.68
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￥6.5

有货

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型号：CSD19532Q5B 编号：C473333

封装：SON-8(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

CSD19532Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.9mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥11.08
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￥9.66
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￥8.88
100+
￥7.67
500+
￥7.27
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￥7.1

有货

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型号：IRFP9240PBF 编号：C2686

封装：TO-247AC-3

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-200V,-12A,500mΩ@-10V

数据手册

1+
￥11.2
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￥9.18
25+
￥8
100+
￥6.75
500+
￥6.19
1000+
￥5.94

有货

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型号：HK8EN015SG 编号：C52766443

封装：TOLL-8

品牌：R+O(宏嘉诚)

1+
￥11.67
10+
￥9.94
30+
￥8.85
100+
￥7.74
500+
￥7.24
1000+
￥7.03

有货

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型号：MOT1113T 编号：C6533572

封装：TOLL-8

品牌：MOT(仁懋)

耐压:100V 电流:399A N型场效应管

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￥11.849 ￥13.94
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￥10.1575 ￥11.95
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￥9.1035 ￥10.71
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￥6.987 ￥8.22
500+
￥6.5025 ￥7.65
1000+
￥6.29 ￥7.4

有货

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型号：BSC030P03NS3G 编号：C152375

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,30V,100A,3mΩ@10V

数据手册

1+
￥12.07
10+
￥10.36
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￥9.29
100+
￥8.19
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￥7.7
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