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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
型号：NVTFS5116PL-MS 编号：C17702939
封装：DFN3x3-8L
品牌：MSKSEMI(美森科)
NVTFS5116PL-MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

  • 5+

    ￥1.3224 ￥1.392

  • 50+

    ￥1.03512 ￥1.0896

  • 150+

    ￥0.912 ￥0.96

  • 500+

    ￥0.758385 ￥0.7983

  • 2500+

    ￥0.689985 ￥0.7263

  • 5000+

    ￥0.64885 ￥0.683
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    P沟道60V快速开关MOSFET
    型号：XR15P06D 编号：C42457005
    封装：PDFN3333-8L
    品牌：XNRUSEMI(新锐)
    高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量，具备完整功能可靠性。

    • 5+

      ￥0.59454 ￥0.6606

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      ￥0.47358 ￥0.5262

    • 150+

      ￥0.4131 ￥0.459

    • 500+

      ￥0.36774 ￥0.4086

    • 2500+

      ￥0.33138 ￥0.3682

    • 5000+

      ￥0.31329 ￥0.3481
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
    型号：60N04D 编号：C7543822
    封装：PDFN-8-EP(3x3)
    品牌：HL(富海微)
    特性：绿色环保器件。 开关速度快。 100% EAS 保证。 先进的沟槽 MOS 技术。应用：高频开关和同步整流。 DC/DC 转换器

    • 5+

      ￥0.6488

    • 50+

      ￥0.5144

    • 150+

      ￥0.4472

    • 500+

      ￥0.3968

    • 2500+

      ￥0.3327

    • 5000+

      ￥0.3125
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V
    型号：DMG1029SV 编号：C7472878
    封装：SOT-563
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：ESD保护：2KV HBM。应用：替代数字晶体管、电平转换器。 电源转换电路

    • 5+

      ￥0.6624

    • 50+

      ￥0.5184

    • 150+

      ￥0.4464

    • 500+

      ￥0.3924

    • 3000+

      ￥0.3492

    • 6000+

      ￥0.3275
  • 有货
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    低压MOSFET（P沟道）
    型号：HKTQ30P03 编号：C49238169
    封装：PDFN3333
    品牌：Hottech(合科泰)
    P-ch -30V -60A

    • 5+

      ￥0.701005 ￥0.7379

    • 50+

      ￥0.55841 ￥0.5878

    • 150+

      ￥0.487065 ￥0.5127

    • 500+

      ￥0.43358 ￥0.4564

    • 2500+

      ￥0.39083 ￥0.4114

    • 5000+

      ￥0.369455 ￥0.3889
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:40V 电流:3.9A
    型号：SI2318DS 编号：C5122035
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：负载/电源开关。接口开关。超小型便携式电子设备的电池管理。逻辑电平转换
    数据手册

    • 5+

      ￥0.752

    • 50+

      ￥0.5963

    • 150+

      ￥0.5184

    • 500+

      ￥0.4601

    • 3000+

      ￥0.4005

    • 6000+

      ￥0.3771
  • 有货
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    耐压:30V 电流:4.1A
    型号：TPIRFTS9342TRPBF 编号：C5246406
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7792

    • 50+

      ￥0.6187

    • 150+

      ￥0.5385

    • 500+

      ￥0.4784

    • 3000+

      ￥0.3834

    • 6000+

      ￥0.3594
  • 有货
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    耐压:30V 电流:15A
    型号：IRF7455TR(UMW) 编号：C5338296
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=30V。 RDS(ON)=7.5mΩ(VGS=10)。 RDS(ON)=9mΩ(VGS=4.5V)。 高频同步整流DC-DC转换器。 超低栅极阻抗。 极低的RDS(ON)=4.5V VGS。 全特性雪崩电压和电流
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7879

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      ￥0.6859

    • 150+

      ￥0.6422

    • 500+

      ￥0.5876

    • 3000+

      ￥0.5634

    • 6000+

      ￥0.5488
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:10A
    型号：AGM60P20R 编号：C6719402
    封装：SOT-223
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM60P20R将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 5+

      ￥0.7914

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      ￥0.6234

    • 150+

      ￥0.5394

    • 500+

      ￥0.4764

    • 3000+

      ￥0.4138

    • 6000+

      ￥0.3885
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
    型号：NCE0103M 编号：C161844
    封装：SOT-89-3L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    N沟道，100V，3A，160毫欧
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8994

    • 50+

      ￥0.6954

    • 150+

      ￥0.5934

    • 1000+

      ￥0.5169

    • 2000+

      ￥0.4557

    • 5000+

      ￥0.425
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：AGM612AP 编号：C5349119
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM612AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 5+

      ￥0.92025 ￥1.0225

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      ￥0.80685 ￥0.8965

    • 150+

      ￥0.75825 ￥0.8425

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      ￥0.69768 ￥0.7752

    • 2500+

      ￥0.6534 ￥0.726

    • 5000+

      ￥0.6372 ￥0.708
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
    型号：WSF12N10 编号：C148434
    封装：TO-252
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSF12N10是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF12N10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.93411 ￥1.0379

    • 50+

      ￥0.82629 ￥0.9181

    • 150+

      ￥0.78003 ￥0.8667

    • 500+

      ￥0.72234 ￥0.8026

    • 2500+

      ￥0.6111 ￥0.679

    • 5000+

      ￥0.59562 ￥0.6618
  • 有货
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    30V, 8A, N沟道 MOSFET
    型号：AO4800 编号：C5456627
    封装：SOP-8
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。

    • 5+

      ￥0.99952 ￥1.2494

    • 50+

      ￥0.77776 ￥0.9722

    • 150+

      ￥0.68272 ￥0.8534

    • 500+

      ￥0.56416 ￥0.7052

    • 3000+

      ￥0.54656 ￥0.6832

    • 6000+

      ￥0.5148 ￥0.6435
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:600V 电流:30mA
    型号：BSS126 编号：C2987085
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0515

    • 50+

      ￥0.8247

    • 150+

      ￥0.7275

    • 500+

      ￥0.6062

    • 3000+

      ￥0.5332

    • 6000+

      ￥0.5008
  • 有货
    • 立即购买
    30V 90A
    型号：IRLR8726 编号：C5350860
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0582

    • 50+

      ￥0.8314

    • 150+

      ￥0.7342

    • 500+

      ￥0.613

    • 2500+

      ￥0.5365

    • 5000+

      ￥0.504
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:25A
    型号：APG250N01Q 编号：C5443731
    封装：PDFN3x3-8L
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    特性：100V, 25A，RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = 10V (典型值: 20mΩ)，RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 4.5V (典型值: 30mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0621

    • 50+

      ￥0.9653

    • 150+

      ￥0.9239

    • 500+

      ￥0.8721

    • 2500+

      ￥0.5755

    • 5000+

      ￥0.5617
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:100V 电流:14.7A
    型号：15N10 编号：C5350893
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1061

    • 50+

      ￥0.8574

    • 150+

      ￥0.7508

    • 500+

      ￥0.6178

    • 2500+

      ￥0.5586

    • 5000+

      ￥0.5231
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
    型号：TMG60N04DF 编号：C7422898
    封装：PDFN3x3-8L
    品牌：TMC(台懋)
    N沟道,40V,60A,6.9mΩ@10v

    • 5+

      ￥1.1218

    • 50+

      ￥0.8967

    • 150+

      ￥0.8002

    • 500+

      ￥0.645905 ￥0.6799

    • 2500+

      ￥0.53979 ￥0.5682

    • 5000+

      ￥0.5092 ￥0.536
  • 有货
    • 立即购买
    100V N沟道增强型MOSFET
    型号：MDDG10R08G 编号：C48615220
    封装：PDFN5x6-8L
    品牌：MDD(辰达半导体)
    100V N通道增强模式MOSFET

    • 5+

      ￥1.1539

    • 50+

      ￥0.9076

    • 150+

      ￥0.8021

    • 500+

      ￥0.6704

    • 2500+

      ￥0.6118

    • 5000+

      ￥0.5766
  • 有货
    • 立即购买
    30V 12A
    型号：FDS4435BZ 编号：C5310972
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.189

    • 50+

      ￥0.9394

    • 150+

      ￥0.8325

    • 500+

      ￥0.6991

    • 3000+

      ￥0.61

    • 6000+

      ￥0.5743
  • 有货
    • 立即购买
    4882 2个N沟道 耐压:40V 电流:6A
    型号：AO4882-MS 编号：C2847038
    封装：SOP-8
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：VDS = 40V，ID = 6A。 RDS(ON) < 30mΩ @ VGS = 10V。应用：电池保护。 负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2103

    • 50+

      ￥0.9785

    • 150+

      ￥0.8791

    • 500+

      ￥0.7552

    • 3000+

      ￥0.6542

    • 6000+

      ￥0.621
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
    型号：IRFR1205TRPBF-ES 编号：C21713850
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道,60V,20.0A,26mΩ@10.0V,20A,1.6V@250uA；应用领域：功率开关、高频开关、不间断电源等。

    • 5+

      ￥1.2612

    • 50+

      ￥1.0094

    • 150+

      ￥0.9015

    • 500+

      ￥0.7668

    • 2500+

      ￥0.6819

    • 5000+

      ￥0.6459
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:40A
    型号：AON7264E-HXY 编号：C6285769
    封装：DFN3x3-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，具有出色的功率密度。额定电压60V，连续电流高达40A，适用于小型化、高性能电源转换、负载开关及电池管理系统设计，实现空间节省与高效能的完美结合。

    • 5+

      ￥1.271892 ￥1.5324

    • 50+

      ￥1.053519 ￥1.2693

    • 150+

      ￥0.959978 ￥1.1566

    • 500+

      ￥0.843197 ￥1.0159

    • 2500+

      ￥0.629887 ￥0.7589

    • 5000+

      ￥0.598762 ￥0.7214
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:60A
    型号：AGM30P05AP 编号：C6719406
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM30P05AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
    型号：TMG60N04NF 编号：C7422899
    封装：PDFN5x6-8L
    品牌：TMC(台懋)
    N沟道,40V,60A,6.7mΩ@10v

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:11.4A
    型号：SI4435DDY-T1-GE3 编号：C10491
    封装：SO-8
    品牌：VISHAY(威世)
    P沟道,-30V,11.4A,24mΩ@-10V
    数据手册

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    2个N沟道 耐压:30V 电流:35A
    型号：WSD3056DN33 编号：C2758429
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：WINSOK(微硕)
    WsD3056DN33是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻Rps(on)和栅极电荷。WsD3056DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过功能可靠性认证，确保产品质量。
    数据手册

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      ￥1.44324 ￥1.6036

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:25A
    型号：SL25N10 编号：C2965548
    封装：TO-252
    品牌：Slkor(萨科微)
    类型 N VDSS(V) 100 ID@TC=91?C(A) 25 PD@TC=91?C(W) 34 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.71V -
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    1个N沟道 耐压:55V 电流:17A
    型号：IRLR024NTRPBF 编号：C3007
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,55V,17A,65mΩ@10V
    数据手册

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    耐压:60V 电流:25A
    型号：STD20NF06LT4 编号：C5350879
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 60V，ID = 25A。 RDS(ON) < 33mΩ @ VGS = 10V。应用：负载/电源开关。 接口开关
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