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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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适用于各类小型电子设备,提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
  • 20+

    ¥0.17656 ¥0.2207
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    ¥0.13816 ¥0.1727
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    ¥0.11896 ¥0.1487
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    ¥0.11096 ¥0.1387
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    ¥0.09944 ¥0.1243
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    ¥0.0936 ¥0.117
  • 有货
  • 1个N沟道 耐压:30V 电流:3.16A适用于电源开关和信号控制
    数据手册
    • 20+

      ¥0.179265 ¥0.2109
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      ¥0.142545 ¥0.1677
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      ¥0.103785 ¥0.1221
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      ¥0.09316 ¥0.1096
    • 30000+

      ¥0.087465 ¥0.1029
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,20V,0.9A,150mΩ@4.5V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    • 20+

      ¥0.1814
    • 200+

      ¥0.1409
    • 600+

      ¥0.1184
    • 2000+

      ¥0.1049
    • 8000+

      ¥0.0932
    • 16000+

      ¥0.0869
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    • 20+

      ¥0.1857
    • 200+

      ¥0.1425
    • 600+

      ¥0.1185
    • 3000+

      ¥0.1129
    • 9000+

      ¥0.1004
    • 21000+

      ¥0.0936
  • 有货
  • 这款消费级N沟道MOSFET采用微型SOT-323封装,额定电压为20V,最大连续电流可达2A,专为电子设备的高效电源管理和低功耗开关应用设计。其小巧尺寸与卓越性能相结合,提供出色的系统集成解决方案。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.18829 ¥0.1982
    • 200+

      ¥0.155135 ¥0.1633
    • 600+

      ¥0.13661 ¥0.1438
    • 3000+

      ¥0.098515 ¥0.1037
    • 9000+

      ¥0.08892 ¥0.0936
    • 21000+

      ¥0.08379 ¥0.0882
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1896
    • 100+

      ¥0.167
    • 300+

      ¥0.1556
    • 3000+

      ¥0.1404
    • 6000+

      ¥0.1336
    • 9000+

      ¥0.1302
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2055
    • 200+

      ¥0.1623
    • 600+

      ¥0.1383
    • 2000+

      ¥0.1239
    • 10000+

      ¥0.0984
    • 20000+

      ¥0.0916
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=-12V。 RDS(ON) < 50mΩ (VGS =-4.5V)。 RDS(ON) < 85mΩ (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) < 125mΩ (VGS =-1.8V)。 超低导通电阻P沟道MOSFET。 快速开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2311
    • 200+

      ¥0.1761
    • 600+

      ¥0.1455
    • 3000+

      ¥0.1237
    • 9000+

      ¥0.1078
    • 21000+

      ¥0.0992
  • 有货
  • 带ESD防护,2个N沟道,60V,0.3A,1.5Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.2351
    • 50+

      ¥0.1789
    • 150+

      ¥0.1477
    • 500+

      ¥0.129
    • 3000+

      ¥0.1128
    • 6000+

      ¥0.104
  • 有货
  • P沟道,-20V,-5.5A,29mΩ@-4.5V
    • 10+

      ¥0.2355
    • 100+

      ¥0.1845
    • 300+

      ¥0.159
    • 3000+

      ¥0.1399
    • 6000+

      ¥0.1246
    • 9000+

      ¥0.1169
  • 有货
  • P沟道, -30V -3.8A 90mΩ
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2647
    • 100+

      ¥0.2327
    • 300+

      ¥0.2167
    • 3000+

      ¥0.2047
    • 6000+

      ¥0.1951
    • 9000+

      ¥0.1903
  • 有货
  • 3400采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2792
    • 100+

      ¥0.2216
    • 300+

      ¥0.1928
    • 3000+

      ¥0.1567
    • 6000+

      ¥0.1395
    • 9000+

      ¥0.1308
  • 有货
  • PMOS, -30V -4.2A ,RDS(ON)<72mΩ@VGS=-4.5V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3006
    • 100+

      ¥0.2494
    • 300+

      ¥0.2238
    • 3000+

      ¥0.2046
    • 6000+

      ¥0.1892
    • 9000+

      ¥0.1815
  • 有货
  • 特性:VDS = -20V, ID = -0.55A。RDS(ON) < 590mΩ @ VGS = -4.5V。RDS(ON) < 900mΩ @ VGS = -2.5V。ESD保护。应用:负载/电源开关。接口开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3223
    • 100+

      ¥0.2589
    • 300+

      ¥0.2273
    • 3000+

      ¥0.1817
    • 6000+

      ¥0.1627
    • 9000+

      ¥0.1532
  • 有货
  • N沟道,30V,100mA
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3239
    • 100+

      ¥0.2625
    • 300+

      ¥0.2318
    • 3000+

      ¥0.1837
    • 6000+

      ¥0.1653
    • 9000+

      ¥0.1561
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3331
    • 100+

      ¥0.2644
    • 300+

      ¥0.2301
    • 3000+

      ¥0.1911
    • 6000+

      ¥0.1705
    • 9000+

      ¥0.1602
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
    • 20+

      ¥0.349
    • 200+

      ¥0.2717
    • 600+

      ¥0.2287
    • 3000+

      ¥0.1832
    • 9000+

      ¥0.1609
  • 有货
  • 结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,具有极低的导通电阻,适用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3963
    • 100+

      ¥0.3114
    • 300+

      ¥0.269
    • 3000+

      ¥0.2185
    • 6000+

      ¥0.1931
    • 9000+

      ¥0.1804
  • 有货
  • 特性:VDS = 20V, ID = 6A。 RDS(ON) < 23mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = 4.5V。应用:负载/电源开关。 接口开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4153
    • 100+

      ¥0.3652
    • 300+

      ¥0.3402
    • 3000+

      ¥0.2731
    • 6000+

      ¥0.258
    • 9000+

      ¥0.2505
  • 有货
  • 应用:便携式设备的负载开关。DC/DC转换器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4272
    • 50+

      ¥0.3766
    • 150+

      ¥0.3513
    • 500+

      ¥0.3323
    • 3000+

      ¥0.2759
    • 6000+

      ¥0.2683
  • 有货
  • AP6800采用先进的沟槽技术,可提供出色的Rps(导通)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4359
    • 100+

      ¥0.3975
    • 300+

      ¥0.3783
    • 3000+

      ¥0.2513
    • 6000+

      ¥0.2398
    • 9000+

      ¥0.234
  • 有货
  • 特性:-20V, -3.3A, RDS(ON) = 30mΩ@VGS = -4.5V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件可供选择。应用:笔记本电脑。 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.45068 ¥0.4744
    • 50+

      ¥0.35948 ¥0.3784
    • 150+

      ¥0.31388 ¥0.3304
    • 500+

      ¥0.27968 ¥0.2944
    • 3000+

      ¥0.24187 ¥0.2546
    • 6000+

      ¥0.22819 ¥0.2402
  • 有货
  • 特性:VDS =-60V, ID =-1.6A。 RDS(ON) < 200mΩ @VGS =-10V。 RDS(ON) < 240mΩ @VGS =-4.5V。应用:Load/Power Switching。 Interfacing Switching
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4618
    • 50+

      ¥0.4112
    • 150+

      ¥0.3859
    • 500+

      ¥0.3669
    • 3000+

      ¥0.3365
    • 6000+

      ¥0.3289
  • 有货
  • MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4813
    • 50+

      ¥0.3849
    • 150+

      ¥0.3367
    • 500+

      ¥0.3006
    • 3000+

      ¥0.2634
    • 6000+

      ¥0.2489
  • 有货
  • 特性:30V,15A。 RDS(ON) < 8mΩ(VGS = 10V,典型值6.5mΩ)。 RDS(ON) < 13mΩ(VGS = 4.5V,典型值10.2mΩ)。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:PWM应用。 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4853
    • 50+

      ¥0.3797
    • 150+

      ¥0.3269
    • 500+

      ¥0.2873
    • 2500+

      ¥0.2732
    • 4000+

      ¥0.2574
  • 有货
  • 1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
    • 5+

      ¥0.49305 ¥0.519
    • 50+

      ¥0.39273 ¥0.4134
    • 150+

      ¥0.34257 ¥0.3606
    • 500+

      ¥0.30495 ¥0.321
    • 2500+

      ¥0.250895 ¥0.2641
    • 5000+

      ¥0.23579 ¥0.2482
  • 有货
  • 这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4957
    • 100+

      ¥0.4065
    • 300+

      ¥0.3619
    • 3000+

      ¥0.2819
    • 6000+

      ¥0.2551
    • 9000+

      ¥0.2417
  • 有货
  • P沟道,-30V,-3.8A,70mΩ@-10V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.499
    • 100+

      ¥0.4031
    • 300+

      ¥0.3552
    • 3000+

      ¥0.2962
    • 6000+

      ¥0.2675
    • 9000+

      ¥0.2531
  • 有货
  • 应用:负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5715
    • 50+

      ¥0.4489
    • 150+

      ¥0.3877
    • 500+

      ¥0.3417
    • 3000+

      ¥0.2805
    • 6000+

      ¥0.2621
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5898
    • 50+

      ¥0.4665
    • 150+

      ¥0.4048
    • 500+

      ¥0.3586
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