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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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台积电流片,长电科技封装;是一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于广泛的领域和模块,包括电源管理、电路保护、低功耗应用、传感器接口和医疗电子等领域。SOT23;P—Channel沟道,-60V;-5.2A;RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;
数据手册
  • 5+

    ¥1.653475 ¥1.7405
  • 50+

    ¥1.299125 ¥1.3675
  • 150+

    ¥1.147315 ¥1.2077
  • 500+

    ¥0.95779 ¥1.0082
  • 3000+

    ¥0.845025 ¥0.8895
  • 6000+

    ¥0.79439 ¥0.8362
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=60V。 ID = 12A(VGS = 10V)。 RDS(ON)<104mΩ(VGS=5V)。 电源转换器。 功率电机控制。 桥接电路
    • 5+

      ¥1.2578
    • 50+

      ¥0.9594
    • 150+

      ¥0.8316
    • 500+

      ¥0.6721
    • 2500+

      ¥0.601
    • 5000+

      ¥0.5584
  • 有货
  • 这种先进的MOSFET技术经过特别设计,可降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2588
    • 50+

      ¥0.9915
    • 150+

      ¥0.877
    • 500+

      ¥0.734
    • 2500+

      ¥0.6386
    • 5000+

      ¥0.6004
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=-40V。 RDS(ON) < 18mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 29mΩ(VGS =-4.5V)。应用:负载开关。 负载点电源
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3001
    • 50+

      ¥1.022
    • 150+

      ¥0.9028
    • 500+

      ¥0.7541
    • 3000+

      ¥0.6898
    • 6000+

      ¥0.65
  • 有货
  • N沟道.30V/66A.5.5mΩ.功能与脚位等同AON7534
    数据手册
    • 5+

      ¥1.309
    • 50+

      ¥1.162
    • 150+

      ¥1.099
    • 500+

      ¥1.0204
    • 2500+

      ¥0.8532
    • 5000+

      ¥0.8322
  • 有货
  • CJAB35P03采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(ON))。它可应用于各种不同的领域。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.385
    • 50+

      ¥1.1229
    • 150+

      ¥1.0106
    • 500+

      ¥0.8705
    • 2500+

      ¥0.8081
    • 5000+

      ¥0.7706
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    • 5+

      ¥1.5388
    • 50+

      ¥1.2062
    • 150+

      ¥1.0636
    • 500+

      ¥0.8858
    • 2500+

      ¥0.8066
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5621
    • 50+

      ¥1.2093
    • 150+

      ¥1.0581
    • 500+

      ¥0.8695
    • 3000+

      ¥0.7855
    • 6000+

      ¥0.735
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4A,53mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5647
    • 50+

      ¥1.2734
    • 150+

      ¥1.1486
    • 500+

      ¥0.892
    • 3000+

      ¥0.8226
    • 6000+

      ¥0.781
  • 有货
  • 特性:VDS = 60V,ID = 25A。 RDS(ON) < 33mΩ @ VGS = 10V。应用:负载/电源开关。 接口开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6121
    • 50+

      ¥1.2694
    • 150+

      ¥1.1225
    • 500+

      ¥0.9393
    • 2500+

      ¥0.8101
    • 5000+

      ¥0.7611
  • 有货
  • NTF2955T1G 高开启标准Vth:3.0
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6218
    • 50+

      ¥1.3972
    • 150+

      ¥1.3009
    • 500+

      ¥1.0943
    • 2500+

      ¥1.0409
    • 5000+

      ¥1.0088
  • 有货
  • N沟道,30V,80A,2.4mΩ@10V,20A,1.6V@250μA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 1+

      ¥1.86
    • 10+

      ¥1.64
    • 30+

      ¥1.54
    • 100+

      ¥1.42
    • 500+

      ¥1.37
    • 1000+

      ¥1.33
  • 有货
  • NDT2955 高开启标准Vth:3.0
    数据手册
    • 1+

      ¥1.87
    • 10+

      ¥1.65
    • 30+

      ¥1.56
    • 100+

      ¥1.44
    • 500+

      ¥1.24
    • 1000+

      ¥1.21
  • 有货
  • N沟道 耐压:200V 电流:9A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@10V,4.5A
    • 5+

      ¥1.8703
    • 50+

      ¥1.4671
    • 150+

      ¥1.2943
    • 500+

      ¥1.0787
    • 2500+

      ¥1.0307
  • 有货
  • 特性:VDS = -60V。 ID = -2A。 RDS(on)@VGS = -10V < 170mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 220mΩ。 高功率和电流处理能力。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。应用:电池保护。 负载开关
    • 5+

      ¥1.9348
    • 50+

      ¥1.5326
    • 150+

      ¥1.3602
    • 500+

      ¥1.1452
    • 2500+

      ¥1.0494
    • 5000+

      ¥0.9919
  • 有货
  • N沟道,800V,250mA,16Ω@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9491
    • 50+

      ¥1.5162
    • 150+

      ¥1.3307
    • 500+

      ¥1.0993
    • 2500+

      ¥0.9962
    • 4000+

      ¥0.9344
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=650V。ID = 7A。RDS(ON) ≤ 1.4Ω (VGS = 10V)
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0406
    • 50+

      ¥1.4142
    • 150+

      ¥1.2672
    • 500+

      ¥1.0837
    • 2000+

      ¥1.002
    • 5000+

      ¥0.953
  • 有货
  • 特性:Vds = 60V。 ID = 53A。 Rds(ON) 12mΩ,Vgs = 10V。 Rds(ON) 17mΩ,Vgs = 4.5V。应用:负载开关。 PWM应用
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0426
    • 50+

      ¥1.589
    • 150+

      ¥1.3946
    • 500+

      ¥1.1521
    • 2500+

      ¥1.0441
    • 5000+

      ¥0.9792
  • 有货
  • 大电流SGT MOSFET产品
    • 5+

      ¥2.0729 ¥2.182
    • 50+

      ¥1.61291 ¥1.6978
    • 150+

      ¥1.41588 ¥1.4904
    • 500+

      ¥1.242885 ¥1.3083
    • 2500+

      ¥1.133445 ¥1.1931
    • 5000+

      ¥1.067705 ¥1.1239
  • 有货
  • 中低压MOSFET产品,P沟道,耐压:-40V,电流:-85A,RDSON:4.9mR
    • 5+

      ¥2.079835 ¥2.1893
    • 50+

      ¥1.649105 ¥1.7359
    • 150+

      ¥1.46452 ¥1.5416
    • 500+

      ¥1.234145 ¥1.2991
    • 2500+

      ¥1.13164 ¥1.1912
    • 5000+

      ¥1.07008 ¥1.1264
  • 有货
  • WSP4099是高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSP4099符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过输出特性雪崩耐量(EAS)测试,且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.0864
    • 10+

      ¥1.658
    • 30+

      ¥1.4744
    • 100+

      ¥1.2453
    • 500+

      ¥1.1433
    • 1000+

      ¥1.0566
  • 有货
  • N沟道,100V,10A,185mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1052
    • 50+

      ¥1.689
    • 150+

      ¥1.5106
    • 500+

      ¥1.16
    • 2000+

      ¥1.0609
    • 4000+

      ¥1.0014
  • 有货
  • P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻。该器件适用于负载开关或PWM应用。
    • 1+

      ¥2.185 ¥2.3
    • 10+

      ¥1.7005 ¥1.79
    • 30+

      ¥1.501 ¥1.58
    • 100+

      ¥1.2445 ¥1.31
    • 500+

      ¥1.197 ¥1.26
    • 1000+

      ¥1.121 ¥1.18
  • 有货
  • 大电流SGT MOSFET产品
    • 1+

      ¥2.204 ¥2.32
    • 10+

      ¥1.919 ¥2.02
    • 30+

      ¥1.7955 ¥1.89
    • 100+

      ¥1.6435 ¥1.73
    • 500+

      ¥1.596 ¥1.68
    • 1000+

      ¥1.558 ¥1.64
  • 有货
  • 这款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装,具有出色的功率密度。额定电压30V,峰值电流高达150A,特别适用于空间受限且需要高效能开关控制的电路设计,如电源转换、负载开关及电池管理系统等应用。
    • 5+

      ¥2.33358 ¥2.5365
    • 50+

      ¥1.937152 ¥2.1056
    • 150+

      ¥1.767228 ¥1.9209
    • 500+

      ¥1.32526 ¥1.4405
    • 2500+

      ¥1.230868 ¥1.3379
    • 5000+

      ¥1.174196 ¥1.2763
  • 有货
  • BSP613P 高开启标准Vth:3.0
    数据手册
    • 5+

      ¥2.39
    • 50+

      ¥1.88
    • 150+

      ¥1.67
    • 500+

      ¥1.26
    • 2500+

      ¥1.14
    • 5000+

      ¥1.06
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款高性能单P型场效应晶体管,采用Trench技术,适用于小型功率电路,具有良好的散热性能和安装方便性。 SOT89-3;P—Channel沟道,-60V;-6.5A;RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.2~-2.5V;
    数据手册
    • 1+

      ¥2.4035 ¥2.53
    • 10+

      ¥1.9095 ¥2.01
    • 30+

      ¥1.7005 ¥1.79
    • 100+

      ¥1.4345 ¥1.51
    • 500+

      ¥1.2255 ¥1.29
    • 1000+

      ¥1.1495 ¥1.21
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.46
    • 10+

      ¥1.95
    • 30+

      ¥1.73
    • 100+

      ¥1.46
    • 500+

      ¥1.23
    • 1000+

      ¥1.16
  • 有货
  • P沟道,-60V,-1.8A,500mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.5158
    • 50+

      ¥2.0601
    • 150+

      ¥1.8647
    • 500+

      ¥1.5031
    • 2500+

      ¥1.3945
    • 5000+

      ¥1.3294
  • 有货
  • 应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
    • 1+

      ¥2.556 ¥2.84
    • 10+

      ¥1.989 ¥2.21
    • 30+

      ¥1.746 ¥1.94
    • 100+

      ¥1.449 ¥1.61
    • 500+

      ¥1.404 ¥1.56
    • 800+

      ¥1.323 ¥1.47
  • 有货
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