mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：AP4606C 编号：C2833151

封装：SOP-8

品牌：ALLPOWER(铨力)

SOP-8塑封封装互补增强模式MOS场效应管。

数据手册

10+
￥0.439
100+
￥0.3574
300+
￥0.3166
1000+
￥0.286
4000+
￥0.2192
8000+
￥0.2069

有货

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型号：AP4953 编号：C353083

封装：SOP-8

品牌：ALLPOWER(铨力)

SOP-8 塑封封装双 P 沟道 MOS 场效应管。

数据手册

5+
￥0.4414
50+
￥0.3588
150+
￥0.3176
500+
￥0.2866
2500+
￥0.2618
4000+
￥0.2494

有货

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型号：SC015P2G 编号：C41367295

封装：SOP-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

P管/-30V/-10A/15mΩ(典型值12mΩ)

10+
￥0.4471
100+
￥0.3594
300+
￥0.3155
3000+
￥0.2771
6000+
￥0.2508
9000+
￥0.2376

有货

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型号：BSS123NH6327 编号：C5205497

封装：TO-236-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道增强模式。逻辑电平（额定 4.5V）。雪崩额定。根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅；符合 RoHS 标准，无卤素

数据手册

10+
￥0.4551
100+
￥0.3672
300+
￥0.3233
3000+
￥0.2904
6000+
￥0.264
9000+
￥0.2508

有货

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型号：AP3010 编号：C353073

封装：SOP-8

品牌：ALLPOWER(铨力)

特性：30V, 10A，RDS(ON) < 10mΩ（VGS = 10V，典型值：8.5mΩ），RDS(ON) < 14mΩ（VGS = 4.5V，典型值：11mΩ）。先进的沟槽技术。获得无铅产品认证。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。负载开关

数据手册

10+
￥0.4828
100+
￥0.3685
300+
￥0.3114
1000+
￥0.2686
4000+
￥0.2343
8000+
￥0.2171

有货

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型号：CJL2623 编号：C139831

封装：SOT-23-6

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

双P沟 30V 3A

数据手册

5+
￥0.5197
50+
￥0.4231
150+
￥0.3748
500+
￥0.3386
3000+
￥0.2936
6000+
￥0.2791

有货

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型号：DMP2120U 编号：C5122017

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥0.5399
50+
￥0.4343
150+
￥0.3815
500+
￥0.3419
3000+
￥0.2744
6000+
￥0.2585

有货

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型号：15N10 编号：C7471106

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

15N10是高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。15N10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.5922
50+
￥0.473
150+
￥0.4134
500+
￥0.3687
2500+
￥0.311
5000+
￥0.2932

有货

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型号：HV10N1H6S 编号：C49424009

封装：SOT-89

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 100 V。 ID = 3 A。 RDS(on)@VGS = 10 V < 160 mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5 V < 170 mΩ。雪崩能量测试。快速开关速度。应用：电源开关应用。硬开关和高频电路

5+
￥0.637
50+
￥0.5074
150+
￥0.4426
1000+
￥0.394
2000+
￥0.3551
5000+
￥0.3357

有货

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型号：SI2302DDS-T1-GE3 编号：C194092

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤产品。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100%进行 Rg 测试。符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC 转换器

数据手册

5+
￥0.6531
50+
￥0.5216
150+
￥0.4559
500+
￥0.4066
3000+
￥0.3196
6000+
￥0.2999

有货

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型号：SP3023CTM 编号：C49257229

封装：TO-252-4L

品牌：Siliup(矽普)

N+P MOSFET产品，耐压：30V，电流：N 25A/P -21A, Rdson：N 10mR/P 20mR

5+
￥0.6896
50+
￥0.5511
150+
￥0.4819
500+
￥0.43
2500+
￥0.3971
5000+
￥0.3763

有货

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型号：NTGD3148NT1G 编号：C5123953

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：笔记本电脑。负载开关。网络。手持仪器

数据手册

5+
￥0.6917
50+
￥0.5597
150+
￥0.4937
500+
￥0.4442
3000+
￥0.36
6000+
￥0.3401

有货

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型号：AO3415A 编号：C133233

封装：SOT-23

品牌：AOS

使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至1.0V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用。

数据手册

5+
￥0.7264
50+
￥0.5969
150+
￥0.5321
500+
￥0.4836
3000+
￥0.4065
6000+
￥0.387

有货

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型号：DMN3065LW-7 编号：C150506

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

N沟道,30V,4A,52mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.7688
50+
￥0.63
150+
￥0.5605
500+
￥0.5085
3000+
￥0.4668
6000+
￥0.446

有货

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型号：HB06N330S 编号：C49423997

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥0.7785
50+
￥0.6201
150+
￥0.5409
500+
￥0.4815
2500+
￥0.434
5000+
￥0.4102

有货

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型号：HB10N850S 编号：C49423998

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥0.8174
50+
￥0.6511
150+
￥0.568
500+
￥0.5056
2500+
￥0.4557
5000+
￥0.4307

有货

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型号：AO4468 编号：C87410

封装：SOIC-8

品牌：AOS

N沟 30V 10.5A

数据手册

5+
￥0.8391
50+
￥0.6711
150+
￥0.5871
500+
￥0.5241
3000+
￥0.4523
6000+
￥0.427

有货

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型号：FDS4435BZ 编号：C5310972

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥0.8477
50+
￥0.7438
150+
￥0.6992
500+
￥0.6436
3000+
￥0.5892
6000+
￥0.5743

有货

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型号：AO4407 编号：C5155210

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

为高效电源开关、电池保护和负载管理应用设计，具备低导通电阻及卓越的开关性能，是各类中低压电路的理想选择，有效提升系统能效并确保稳定运行。

数据手册

5+
￥0.8956
50+
￥0.7142
150+
￥0.6235
500+
￥0.5554
3000+
￥0.479
6000+
￥0.4517

有货

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型号：WSF12N10 编号：C148434

封装：TO-252

品牌：WINSOK(微硕)

WSF12N10是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF12N10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

数据手册

5+
￥0.93411 ￥1.0379
50+
￥0.82629 ￥0.9181
150+
￥0.78003 ￥0.8667
500+
￥0.72234 ￥0.8026
2500+
￥0.6111 ￥0.679
5000+
￥0.59562 ￥0.6618

有货

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型号：AO4459 编号：C49047

封装：SOIC-8

品牌：AOS

P沟道,-30V,-6.5A,46mΩ@-10V

数据手册

5+
￥0.935
50+
￥0.77
150+
￥0.6875
500+
￥0.6256
3000+
￥0.5159
6000+
￥0.4912

有货

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型号：FDS8958A 编号：C5123898

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：电池保护。负载开关

数据手册

5+
￥0.9448
50+
￥0.8291
150+
￥0.7796
500+
￥0.7177
3000+
￥0.6004
6000+
￥0.5839

有货

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型号：AON7264E-TP 编号：C49230902

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥0.9837 ￥1.3116
50+
￥0.7758 ￥1.0344
150+
￥0.6867 ￥0.9156
500+
￥0.57555 ￥0.7674
2500+
￥0.52605 ￥0.7014
5000+
￥0.49635 ￥0.6618

有货

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型号：AO4447A(UMW) 编号：C7588050

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。 ESD保护。符合RoHS和无卤标准。漏源电压VDS = -30V。漏极电流ID = -18.5A（VGS = -10V）。导通电阻RDS(ON) < 5.8mΩ（VGS = -10V）。导通电阻RDS(ON) < 8.2mΩ（VGS = -4.5V）