mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

P沟道,-100V,-6.6A,480mΩ@-10V

数据手册

5+
￥2.0321
50+
￥1.6089
150+
￥1.4275
500+
￥1.141045 ￥1.2011
2000+
￥1.04538 ￥1.1004
4000+
￥0.987905 ￥1.0399

有货

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型号：CRSS052N08N 编号：C410924

封装：TO-263

品牌：CRMICRO(华润微)

特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术。极低的导通电阻RDS(on)。出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。电池管理

数据手册

5+
￥2.0338
50+
￥1.59
150+
￥1.3999
1000+
￥1.2154
2000+
￥1.1097
5000+
￥1.0463

有货

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型号：WSP4099 编号：C148423

封装：SOP-8

WSP4099是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4099符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过输出特性雪崩耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥2.0864
10+
￥1.658
30+
￥1.4744
100+
￥1.2453
500+
￥1.1433
1000+
￥1.0566

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型号：WSD20L75DN33 编号：C148391

封装：DFN-8(3.3x3.3)

WSD20L75DN33采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。

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1+
￥2.169 ￥2.41
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￥1.719 ￥1.91
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￥1.521 ￥1.69
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￥1.278 ￥1.42
500+
￥1.134 ￥1.26
1000+
￥1.062 ￥1.18

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型号：SP60N02BGNK 编号：C22385420

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品

1+
￥2.204 ￥2.32
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￥1.919 ￥2.02
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￥1.7955 ￥1.89
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￥1.6435 ￥1.73
500+
￥1.596 ￥1.68
1000+
￥1.558 ￥1.64

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型号：TPH1R403NL-HXY 编号：C7543027

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，具有出色的功率密度。额定电压30V，峰值电流高达150A，特别适用于空间受限且需要高效能开关控制的电路设计，如电源转换、负载开关及电池管理系统等应用。

5+
￥2.239924 ￥2.4347
50+
￥1.843496 ￥2.0038
150+
￥1.673572 ￥1.8191
500+
￥1.231604 ￥1.3387
2500+
￥1.137212 ￥1.2361
5000+
￥1.08054 ￥1.1745

有货

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型号：IRF640NPBF-JSM 编号：C2857860

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于高频开关电源、有源功率因数校正。

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5+
￥2.24325 ￥2.4925
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￥1.63071 ￥1.8119
150+
￥1.42128 ￥1.5792
500+
￥1.15992 ￥1.2888
2000+
￥1.04364 ￥1.1596
5000+
￥0.9738 ￥1.082

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型号：CMB18N20A 编号：C5203925

封装：TO-263

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMB18N20A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于各种不同的领域。

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1+
￥2.36
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￥1.82
30+
￥1.59
100+
￥1.3
500+
￥1.21
800+
￥1.13

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型号：CSD19538Q3A 编号：C478471

封装：VSONP-8(3.3x3.3)

品牌：TI(德州仪器)

CSD19538Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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5+
￥2.3842
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￥1.889
150+
￥1.6768
500+
￥1.412
2500+
￥1.2941
5000+
￥1.2233

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型号：TPNCE01P30K 编号：C41408089

封装：TO-252-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

1+
￥2.385 ￥3.18
10+
￥1.8825 ￥2.51
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￥1.6725 ￥2.23
100+
￥1.4025 ￥1.87
500+
￥1.2825 ￥1.71
1000+
￥1.215 ￥1.62

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型号：AON7524 编号：C431195

封装：DFN-8(3x3)

品牌：AOS

N-CH

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1+
￥2.5
10+
￥1.98
30+
￥1.75
100+
￥1.47
500+
￥1.35
1000+
￥1.27

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型号：WSD6056DN56 编号：C2758412

封装：DFN5x6-8

Configuration Dual Type N-Ch VDS(V) 60 VGS(V) 20 ID(A)Max. 45 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m?)@4.228V 20 Qg(nC)@4.5V 17.6 QgS(nC) 2.7 Qgd(nC) 6.3 Ciss(pF) 945 Coss(pF) 275 Crss(pF) 26

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.24
30+
￥2
100+
￥1.71
500+
￥1.49
1000+
￥1.41

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型号：FDS4141 编号：C22358679

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

1+
￥2.983 ￥3.14
10+
￥2.3275 ￥2.45
30+
￥2.052 ￥2.16
100+
￥1.7005 ￥1.79
500+
￥1.5485 ￥1.63
1000+
￥1.4535 ￥1.53

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型号：IRF5305PBF 编号：C2623

封装：TO-220AB

P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V

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1+
￥3.84
10+
￥3.16
50+
￥2.42
100+
￥1.976 ￥2.08
500+
￥1.786 ￥1.88
1000+
￥1.691 ￥1.78

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型号：STF13N60M2 编号：C146208

封装：TO-220FPAB-3

品牌：ST(意法半导体)

N沟道600 V、0.35 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装

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1+
￥4.06
10+
￥3.23
50+
￥2.82
100+
￥2.41
500+
￥2.16
1200+
￥2.03

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型号：BSC010N04LS 编号：C501508

封装：TDSON-8FL

特性：优化用于同步整流。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

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1+
￥4.11
10+
￥3.34
30+
￥2.95
100+
￥2.432 ￥2.56
500+
￥2.2135 ￥2.33
1000+
￥2.0995 ￥2.21

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型号：WSD30L120DN56 编号：C148396

封装：DFN5X6-8

WSD30L120DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD30L120DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS保证，并经过全面功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥4.365 ￥4.85
10+
￥3.627 ￥4.03
30+
￥3.249 ￥3.61
100+
￥2.88 ￥3.2
500+
￥2.295 ￥2.55
1000+
￥2.178 ￥2.42

有货

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型号：WSF50P10 编号：C2758447

封装：TO-252

WSF50P10是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF50P10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。

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1+
￥4.51
10+
￥3.69
30+
￥3.28
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￥2.87
500+
￥2.28
1000+
￥2.15

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型号：SI7322DN-T1-GE3 编号：C141551

封装：PowerPAK1212-8

特性：有无卤选项。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行UIS测试。应用：初级开关。隔离式DC/DC转换器

数据手册

1+
￥5.07
10+
￥4.1
30+
￥3.62
100+
￥3.14
500+
￥2.85
1000+
￥2.71

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型号：SI2337DS-T1-GE3 编号：C83155

封装：SOT-23

P沟道,-80V,-2.2A,0.270Ω@-10V

数据手册

1+
￥5.08
10+
￥4.11
30+
￥3.62
100+
￥3.13
500+
￥2.58
1000+
￥2.43

有货

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型号：IRFR9220TRPBF 编号：C3020

封装：TO-252(DPAK)

P沟道,-200V,-3.6A,1.5Ω@-10V

数据手册

1+
￥5.09
10+
￥4.13
30+
￥3.66
100+
￥2.862 ￥3.18
500+
￥2.34 ￥2.6
1000+
￥2.214 ￥2.46

有货

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型号：IRF5210PBF 编号：C2621

封装：TO-220AB

P沟道,-100V,-40A,60mΩ@-10V

数据手册

1+
￥5.17
10+
￥4.64
50+
￥4.35
100+
￥4.02
500+
￥3.87
1000+
￥3.8

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型号：IRF7351TRPBF 编号：C68403

封装：SO-8

双N沟道,60V,8A,17.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.56
10+
￥4.56
30+
￥4.06
100+
￥3.56
500+
￥2.73
1000+
￥2.58

有货

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型号：SI7288DP-T1-GE3 编号：C126988

封装：PowerPAKSO-8

N沟道

数据手册

1+
￥5.96
10+
￥4.87
30+
￥4.32
100+
￥3.78
500+
￥2.89
1000+
￥2.73

有货

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型号：IRF9640STRLPBF-VB 编号：C47993897

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO263；P—Channel沟道；-200V；-11A；RDS(ON)=500(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-3.5V；采用Trench技术；

1+
￥6.384 ￥6.72
10+
￥5.1775 ￥5.45
30+
￥4.579 ￥4.82
100+
￥3.9805 ￥4.19
500+
￥3.6195 ￥3.81
1000+
￥3.439 ￥3.62

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型号：IPD068N10N3G 编号：C88066

封装：TO-252-3

N沟道,100V,90A,6.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.91
10+
￥5.82
30+
￥5.23
100+
￥4.12
500+
￥3.83
1000+
￥3.69

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型号：SI7155DP-T1-GE3 编号：C2927416

封装：PowerPAKSO-8

特性：TrenchFET Gen II p沟道功率MOSFET。行业领先的RDS(on)规格（截至2017年11月）。 100%进行Rg和UIS测试。应用：适配器和充电器开关。负载开关

数据手册

1+
￥9.9764 ￥10.18
10+
￥8.33 ￥8.5
30+
￥7.4186 ￥7.57
100+
￥6.3994 ￥6.53
500+
￥5.9388 ￥6.06
1000+
￥5.733 ￥5.85

有货

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型号：SI7469DP-T1-GE3 编号：C467910

封装：PowerPAKSO-8