mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SI2305M-6AF 编号：C48587196

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

P沟道,-20V,-5.5A,29mΩ@-4.5V

20+
￥0.2007
200+
￥0.1548
600+
￥0.1293
3000+
￥0.114
9000+
￥0.1007
21000+
￥0.0936

有货

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型号：3401 编号：C7431448

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

3401是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3401符合RoHS标准和绿色产品要求，且经过全面功能可靠性认证。

50+
￥0.1276
500+
￥0.0985
3000+
￥0.081
6000+
￥0.0713
24000+
￥0.0629
51000+
￥0.0583

有货

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型号：HL7002KD 编号：C53155118

封装：DFN1006-3L

品牌：R+O(宏嘉诚)

20+
￥0.1487
200+
￥0.1167
600+
￥0.0988
2000+
￥0.0881

有货

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型号：AP3404S 编号：C2875959

封装：SOT-23-3

品牌：ALLPOWER(铨力)

SOT23-3塑封封装 N 道 MOS 场效应管。

数据手册

10+
￥0.1636
100+
￥0.1476
300+
￥0.1395
3000+
￥0.1335

有货

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型号：AO3400A 编号：C48678023

封装：SOT-23

品牌：baocheng(宝乘)

漏源电压:30V 连续漏极电流:5.7A 导通电阻:48mΩ@2.5V 耗散功率:1.4W 阀值电压：0.65V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

20+
￥0.1711
200+
￥0.1318
600+
￥0.11
3000+
￥0.0969
9000+
￥0.0855
21000+
￥0.0794

有货

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型号：HL2304 编号：C7420346

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDSS = 30V。 I0 = 3.6A。 RDS(on)@VGS = 10V < 60mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 75mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池保护。负载开关

20+
￥0.1872
200+
￥0.1524
600+
￥0.1331
3000+
￥0.1099
9000+
￥0.0998
21000+
￥0.0944

有货

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型号：IRLML5103TR(UMW) 编号：C5252439

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

数据手册

10+
￥0.1907
100+
￥0.1677
300+
￥0.1562
3000+
￥0.1406
6000+
￥0.1337
9000+
￥0.1303

有货

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型号：SI2304A 编号：C2681217

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于电池保护或其他开关应用。

数据手册

20+
￥0.1928
200+
￥0.1437
600+
￥0.1164
3000+
￥0.1069
9000+
￥0.0927
21000+
￥0.085

有货

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型号：DO3N10B 编号：C41430600

封装：SOT-23

品牌：DOINGTER(杜因特)

N管/100V/3A/280mΩ(典型220mΩ)

20+
￥0.197
200+
￥0.1543
600+
￥0.1306
3000+
￥0.1076
9000+
￥0.0953
21000+
￥0.0886

有货

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型号：AO3402 编号：C181092

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：超低导通电阻：VDS = 30V，RDS(ON) ≤ 52mΩ @VGS = 10V，ID = 4A。适用于PWM应用。适用于负载开关应用。表面贴装器件

数据手册

20+
￥0.200735 ￥0.2113
200+
￥0.156655 ￥0.1649
600+
￥0.132145 ￥0.1391
3000+
￥0.12692 ￥0.1336
9000+
￥0.11419 ￥0.1202
21000+
￥0.10735 ￥0.113

有货

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型号：2SK3541 编号：C2912553

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

20+
￥0.2111
200+
￥0.1633
600+
￥0.1367
2000+
￥0.1207
8000+
￥0.0968
16000+
￥0.0894

有货

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型号：MDD3407 编号：C427386

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

数据手册

10+
￥0.223872 ￥0.2332
100+
￥0.18144 ￥0.189
300+
￥0.157824 ￥0.1644
3000+
￥0.138432 ￥0.1442
6000+
￥0.126144 ￥0.1314
9000+
￥0.11952 ￥0.1245

有货

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型号：CJBA3139K 编号：C504099

封装：DFN-3L(1x0.6)

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：无铅产品。表面贴装封装。低导通电阻的P沟道开关。在低逻辑电平栅极驱动下工作。栅极具有ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

20+
￥0.2254
200+
￥0.1806
600+
￥0.1557
2000+
￥0.1407
10000+
￥0.1278
20000+
￥0.1208

有货

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型号：CJ3401A 编号：C82360

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

P沟道,-30V,-4.2A,70mΩ@-4.5V

数据手册

10+
￥0.2383
100+
￥0.1911
300+
￥0.1675
3000+
￥0.1498
6000+
￥0.1356
9000+
￥0.1285

有货

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型号：AO3415B 编号：C47283669

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4.1A

20+
￥0.2396
200+
￥0.1883
600+
￥0.1598
3000+
￥0.1427
9000+
￥0.1279

有货

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型号：CJ1012 编号：C2991967

封装：SOT-523

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

这款单N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计，旨在优化导通电阻RDS(ON)。

数据手册

20+
￥0.251
200+
￥0.2052
600+
￥0.1797
3000+
￥0.1576
9000+
￥0.1443

有货

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型号：AO3400 编号：C841146

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

3400采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

数据手册

10+
￥0.2795
100+
￥0.2219
300+
￥0.1931
3000+
￥0.1571
6000+
￥0.1398
9000+
￥0.1311

有货

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型号：SI2312M-6AF 编号：C48587179

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

N沟道,20V,6.8A,16mΩ@4.5V

10+
￥0.2856
100+
￥0.2237
300+
￥0.1928
3000+
￥0.1696
6000+
￥0.151
9000+
￥0.1417

有货

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型号：BLM3401 编号：C90479

封装：SOT-23

品牌：BL(上海贝岭)

PMOS， -30V -4.2A ，RDS(ON)<72mΩ@VGS=-4.5V

数据手册

10+
￥0.2989
100+
￥0.2499
300+
￥0.2254
3000+
￥0.207
6000+
￥0.1924
9000+
￥0.185

有货

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型号：NCE3407 编号：C113770

封装：SOT-23

品牌：NCE(无锡新洁能)

P沟道，-30V，-4.1A，60毫欧。

数据手册

10+
￥0.3175
100+
￥0.2455
300+
￥0.2095
3000+
￥0.1825
6000+
￥0.1609
9000+
￥0.15

有货

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型号：TPCJ2102 编号：C708760

封装：SOT-323

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

10+
￥0.319
100+
￥0.2556
300+
￥0.2239
3000+
￥0.2002
6000+
￥0.1812
9000+
￥0.1716

有货

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型号：PMV160UP 编号：C7472860

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：高功率和电流处理能力。获得无铅产品认证。表面贴装封装。应用：PWM应用。负载开关

10+
￥0.3354
100+
￥0.2634
300+
￥0.2274
3000+
￥0.2004
6000+
￥0.1788
9000+
￥0.168

有货

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型号：IRLML6402 编号：C5148470

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。采用SOT-23表面贴装封装

数据手册

10+
￥0.3433
100+
￥0.2761
300+
￥0.2425
3000+
￥0.1903
6000+
￥0.1701
9000+
￥0.16

有货

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型号：JY3407AX 编号：C3038098

封装：SOT-23

品牌：晶扬电子

MOS管/PC/一体机@@P沟道增强型功率MOSFET

数据手册

10+
￥0.3435
100+
￥0.282
300+
￥0.2513
3000+
￥0.1634
6000+
￥0.1449
9000+
￥0.1357

有货

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型号：RHU002N06T106 编号：C253521

封装：SOT-323

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低导通电阻。高静电放电能力。高速开关。低电压驱动 (4V)。驱动电路简单。易于并联使用。应用：开关

数据手册

10+
￥0.3552
100+
￥0.2793
300+
￥0.2414
3000+
￥0.213
6000+
￥0.1902
9000+
￥0.1788

有货

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型号：WNM2021 编号：C2940608

封装：SOT-323

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 20V。RDS(ON) = 300mΩ (typ.) @ VGS = 2.5V。RDS(ON) = 250mΩ (typ.) @ VGS = 4.5V。ESD Protected up to 2KV。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.3562
100+
￥0.2875
300+
￥0.2532
3000+
￥0.197
6000+
￥0.1764
9000+
￥0.1661

有货

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型号：BSS138W-7-F 编号：C24553

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@10V

数据手册

10+
￥0.364
100+
￥0.3011
300+
￥0.2697
3000+
￥0.2461
6000+
￥0.2273
9000+
￥0.2178

有货

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型号：2N7002T-7-F 编号：C139445

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.3661
100+
￥0.2965
300+
￥0.2617
3000+
￥0.2149
6000+
￥0.194
9000+
￥0.1835

有货

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型号：SSM3J334R,LF 编号：C396017

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于电源管理开关应用。

数据手册

10+
￥0.4116
100+
￥0.3298
300+
￥0.289
3000+
￥0.2583
6000+
￥0.2338
9000+
￥0.2215

有货

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型号：ZXMN3F30FHTA 编号：C19829418

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 30V，ID = 3A。 RDS(ON) < 95mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 75mΩ @ VGS = 10V。应用：负载开关。 PWM应用

10+
￥0.435385 ￥0.4583
100+
￥0.344185 ￥0.3623
300+
￥0.298585 ￥0.3143
3000+
￥0.264385 ￥0.2783
6000+
￥0.237025 ￥0.2495
9000+
￥0.22325 ￥0.235

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提示