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WsD30L40DN33是高性能沟槽式P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WsD30L40DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过全功能可靠性认证，保证每颗产品均合格。

数据手册

1+
￥1.51038 ￥1.6782
10+
￥1.19736 ￥1.3304
30+
￥1.06326 ￥1.1814
100+
￥0.89586 ￥0.9954
500+
￥0.82134 ￥0.9126
1000+
￥0.74232 ￥0.8248

有货

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型号：AOD4184A 编号：C5370959

封装：TO-252-3L

特性：Vds = 60V。 ID = 53A。 Rds(ON) 12mΩ，Vgs = 10V。 Rds(ON) 17mΩ，Vgs = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用

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5+
￥1.5353
50+
￥1.1875
150+
￥1.0385
500+
￥0.8525
2500+
￥0.7697
5000+
￥0.72

有货

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型号：NTF3055L108T1G 编号：C7472933

封装：SOT-223

特性：60V, 4A, RDS(ON) = 85 mΩ @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 4.5 V。高密单元设计，实现极低的RDS(ON)。坚固可靠。获得无铅产品认证。 SOT-223封装。应用：负载/电源开关。接口

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￥1.6455
50+
￥1.2914
150+
￥1.1396
500+
￥0.9502
2500+
￥0.8658
5000+
￥0.8152

有货

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型号：NCE603S 编号：C216791

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCE603S采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换的高端开关，还适用于众多其他应用。

数据手册

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￥1.8325
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￥1.4092
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￥1.2277
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￥1.0013
500+
￥0.9005
1000+
￥0.84

有货

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型号：WSP4984 编号：C148405

封装：SOP-8

WSP4984是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WSP4984符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥1.8509
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￥1.4729
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￥1.3109
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￥1.1087
500+
￥1.0187
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￥0.8836

有货

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型号：NCE40P40K 编号：C130100

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

P沟道，40V，40A.

数据手册

5+
￥1.9089
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￥1.4679
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￥1.2789
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￥1.0431
2500+
￥0.9381
5000+
￥0.875

有货

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型号：AO4882 编号：C477943

封装：SOIC-8

品牌：AOS

使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。这是一种通用器件，适用于广泛的功率转换应用。

数据手册

5+
￥1.933
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￥1.537
150+
￥1.3673
500+
￥1.1556
3000+
￥1.015
6000+
￥0.9585

有货

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型号：STD35NF06L 编号：C20611850

封装：TO-252-3L

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥1.971
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￥1.5678
150+
￥1.395
500+
￥1.1794
2500+
￥1.0834
5000+
￥1.0258

有货

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型号：IRF7342TRPBF 编号：C5197322

封装：SOP-8

应用：负载/电源开关。接口。开关逻辑电平转换

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1+
￥2
10+
￥1.75
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￥1.64
100+
￥1.51
500+
￥1.37
1000+
￥1.34

有货

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型号：IRFR9120NTRPBF 编号：C3019

封装：DPAK(TO-252AA)

P沟道,-100V,-6.6A,480mΩ@-10V

数据手册

5+
￥2.0321
50+
￥1.6089
150+
￥1.4275
500+
￥1.141045 ￥1.2011
2000+
￥1.04538 ￥1.1004
4000+
￥0.987905 ￥1.0399

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型号：CRSS052N08N 编号：C410924

封装：TO-263

品牌：CRMICRO(华润微)

特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术。极低的导通电阻RDS(on)。出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。电池管理

数据手册

5+
￥2.0338
50+
￥1.59
150+
￥1.3999
1000+
￥1.2154
2000+
￥1.1097
5000+
￥1.0463

有货

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型号：WSP4099 编号：C148423

封装：SOP-8

WSP4099是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4099符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过输出特性雪崩耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥2.0864
10+
￥1.658
30+
￥1.4744
100+
￥1.2453
500+
￥1.1433
1000+
￥1.0566

有货

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型号：WSD20L75DN33 编号：C148391

封装：DFN-8(3.3x3.3)

WSD20L75DN33采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。

数据手册

1+
￥2.169 ￥2.41
10+
￥1.719 ￥1.91
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￥1.521 ￥1.69
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￥1.278 ￥1.42
500+
￥1.134 ￥1.26
1000+
￥1.062 ￥1.18

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型号：SP60N02BGNK 编号：C22385420

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品

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￥2.204 ￥2.32
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￥1.919 ￥2.02
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￥1.7955 ￥1.89
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￥1.6435 ￥1.73
500+
￥1.596 ￥1.68
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￥1.558 ￥1.64

有货

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型号：TPH1R403NL-HXY 编号：C7543027

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，具有出色的功率密度。额定电压30V，峰值电流高达150A，特别适用于空间受限且需要高效能开关控制的电路设计，如电源转换、负载开关及电池管理系统等应用。

5+
￥2.239924 ￥2.4347
50+
￥1.843496 ￥2.0038
150+
￥1.673572 ￥1.8191
500+
￥1.231604 ￥1.3387
2500+
￥1.137212 ￥1.2361
5000+
￥1.08054 ￥1.1745

有货

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型号：IRF640NPBF-JSM 编号：C2857860

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于高频开关电源、有源功率因数校正。

数据手册

5+
￥2.24325 ￥2.4925
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￥1.63071 ￥1.8119
150+
￥1.42128 ￥1.5792
500+
￥1.15992 ￥1.2888
2000+
￥1.04364 ￥1.1596
5000+
￥0.9738 ￥1.082

有货

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型号：CMB18N20A 编号：C5203925

封装：TO-263

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMB18N20A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于各种不同的领域。

数据手册

1+
￥2.36
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￥1.82
30+
￥1.59
100+
￥1.3
500+
￥1.21
800+
￥1.13

有货

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型号：CSD19538Q3A 编号：C478471

封装：VSONP-8(3.3x3.3)

品牌：TI(德州仪器)

CSD19538Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

5+
￥2.3842
50+
￥1.889
150+
￥1.6768
500+
￥1.412
2500+
￥1.2941
5000+
￥1.2233

有货

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型号：AON7524 编号：C431195

封装：DFN-8(3x3)

品牌：AOS

N-CH

数据手册

1+
￥2.5
10+
￥1.98
30+
￥1.75
100+
￥1.47
500+
￥1.35
1000+
￥1.27

有货

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型号：HSBB6115 编号：C845604

封装：PRPAK3x3-8L

品牌：HUASHUO(华朔)

HSBB6115 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBB6115 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

5+
￥2.56
50+
￥2.02
150+
￥1.78
500+
￥1.37
3000+
￥1.24
6000+
￥1.16

有货

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型号：IRLL024NTRPBF 编号：C148138

封装：SOT-223

N沟道 55V 3.1A

数据手册

1+
￥2.67
10+
￥2.14
30+
￥1.91
100+
￥1.539 ￥1.62
500+
￥1.3015 ￥1.37
1000+
￥1.235 ￥1.3

有货

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型号：WSD6056DN56 编号：C2758412

封装：DFN5x6-8

Configuration Dual Type N-Ch VDS(V) 60 VGS(V) 20 ID(A)Max. 45 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m?)@4.228V 20 Qg(nC)@4.5V 17.6 QgS(nC) 2.7 Qgd(nC) 6.3 Ciss(pF) 945 Coss(pF) 275 Crss(pF) 26

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.24
30+
￥2
100+
￥1.71
500+
￥1.49
1000+
￥1.41

有货

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型号：FDS4141 编号：C22358679

封装：SOP-8

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

1+
￥2.983 ￥3.14
10+
￥2.3275 ￥2.45
30+
￥2.052 ￥2.16
100+
￥1.7005 ￥1.79
500+
￥1.5485 ￥1.63
1000+
￥1.4535 ￥1.53

有货

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型号：AO4421 编号：C33484

封装：SOIC-8

品牌：AOS

将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的导通电阻。该器件适用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

1+
￥3.27
10+
￥2.59
30+
￥2.29
100+
￥1.93
500+
￥1.77
1000+
￥1.67

有货

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型号：IRF5305PBF 编号：C2623

封装：TO-220AB

P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V

数据手册

1+
￥3.84
10+
￥3.16
50+
￥2.42
100+
￥1.976 ￥2.08
500+
￥1.786 ￥1.88
1000+
￥1.691 ￥1.78

有货

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型号：STF13N60M2 编号：C146208

封装：TO-220FPAB-3

品牌：ST(意法半导体)

N沟道600 V、0.35 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装

数据手册

1+
￥4.06
10+
￥3.23
50+
￥2.82
100+
￥2.41
500+
￥2.16
1200+
￥2.03

有货

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型号：BSC010N04LS 编号：C501508

封装：TDSON-8FL

特性：优化用于同步整流。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

数据手册

1+
￥4.11
10+
￥3.34
30+
￥2.95
100+
￥2.432 ￥2.56
500+
￥2.2135 ￥2.33
1000+
￥2.0995 ￥2.21

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型号：WSD30L120DN56 编号：C148396

封装：DFN5X6-8

WSD30L120DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD30L120DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS保证，并经过全面功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥4.365 ￥4.85
10+
￥3.627 ￥4.03
30+
￥3.249 ￥3.61
100+
￥2.88 ￥3.2
500+
￥2.295 ￥2.55
1000+
￥2.178 ￥2.42

有货

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型号：WSF50P10 编号：C2758447

封装：TO-252