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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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描述
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N沟道MOSFET
型号：BSS131 编号：C48995494
封装：SOT-23
品牌：TECH PUBLIC(台舟)
场效应管(MOSFET)

  • 5+

    ￥0.5709

  • 50+

    ￥0.4548

  • 150+

    ￥0.3967

  • 500+

    ￥0.3531

  • 3000+

    ￥0.3183

  • 6000+

    ￥0.3009
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
    型号：TPM1012ER3 编号：C2830303
    封装：SOT-523
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 20V, b = 0.8A。RDS(ON) < 250mΩ @ VGS = 4.5V。RDS(ON) < 300mΩ @ VGS = 2.5V。ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5985

    • 50+

      ￥0.4785

    • 150+

      ￥0.4185

    • 500+

      ￥0.3735

    • 3000+

      ￥0.2981

    • 6000+

      ￥0.28
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:40V 电流:3.9A
    型号：SI2318CDS 编号：C5122034
    封装：SOT-23-3
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：负载/电源开关。接口开关。超小型便携式电子设备的电池管理。逻辑电平转换
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6249

    • 50+

      ￥0.4929

    • 150+

      ￥0.4269

    • 500+

      ￥0.3774

    • 3000+

      ￥0.3279

    • 6000+

      ￥0.3081
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:40V 电流:3.9A
    型号：SI2356DS 编号：C5182104
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：负载/电源开关。接口开关。超小型便携式电子设备的电池管理。逻辑电平转换
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6361

    • 50+

      ￥0.5041

    • 150+

      ￥0.4381

    • 500+

      ￥0.3886

    • 3000+

      ￥0.3325

    • 6000+

      ￥0.3127
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 30V 80A
    型号：JSM80N03D 编号：C22447118
    封装：TO-252
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    N沟道,30V,100A,2mΩ@10V

    • 5+

      ￥0.65637 ￥0.7722

    • 50+

      ￥0.51357 ￥0.6042

    • 150+

      ￥0.44217 ￥0.5202

    • 500+

      ￥0.38862 ￥0.4572

    • 2500+

      ￥0.36958 ￥0.4348

    • 5000+

      ￥0.348075 ￥0.4095
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V
    型号：TM15N10SI 编号：C7422819
    封装：SOT-89-3L
    品牌：TMC(台懋)
    N沟道,100V,15A,80mΩ@10v

    • 5+

      ￥0.6852

    • 50+

      ￥0.6001

    • 150+

      ￥0.5637

    • 1000+

      ￥0.49229 ￥0.5182

    • 2000+

      ￥0.4731 ￥0.498

    • 5000+

      ￥0.461605 ￥0.4859
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:40V 电流:30A
    型号：40P30 编号：C7499852
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)
    40P30是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40P30符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。

    • 5+

      ￥0.717

    • 50+

      ￥0.5687

    • 150+

      ￥0.4945

    • 500+

      ￥0.4389

    • 2500+

      ￥0.3659

    • 5000+

      ￥0.3436
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:7A
    型号：ESP10N10 编号：C5224294
    封装：SOP8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，100V，7.0A，90.0mΩ@10V,3.5A，1.65V@250uA；应用领域：POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册

    • 1+

      ￥0.7614

    • 10+

      ￥0.5732

    • 30+

      ￥0.4791

    • 100+

      ￥0.4086
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:25A
    型号：25N06 编号：C5350883
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7926

    • 50+

      ￥0.6919

    • 150+

      ￥0.6487

    • 500+

      ￥0.5948

    • 2500+

      ￥0.5709

    • 5000+

      ￥0.5565
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:26A
    型号：AON7544 编号：C7202958
    封装：PDFN3x3-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：RDS(ON)，VGS@10V，ID@16A < 9mΩ。 RDS(ON)，VGS@4.5V，ID@8A < 13mΩ。 高开关速度。 改善的dv/dt能力。 低栅极电荷。 低反向传输电容。应用：负载/电源开关。 接口开关

    • 5+

      ￥0.8117

    • 50+

      ￥0.6375

    • 150+

      ￥0.5504

    • 500+

      ￥0.485

    • 2500+

      ￥0.4328

    • 5000+

      ￥0.4066
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道+P沟道 60V 80A
    型号：JSM80N06D 编号：C22447119
    封装：TO-252
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    高密度电池设计，可实现极低的RDS。

    • 5+

      ￥0.81776 ￥1.0222

    • 50+

      ￥0.63632 ￥0.7954

    • 150+

      ￥0.55856 ￥0.6982

    • 500+

      ￥0.4616 ￥0.577

    • 2500+

      ￥0.4472 ￥0.559

    • 5000+

      ￥0.4212 ￥0.5265
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：AO4459 编号：C49047
    封装：SOIC-8
    品牌：AOS
    P沟道,-30V,-6.5A,46mΩ@-10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8339

    • 50+

      ￥0.6745

    • 150+

      ￥0.5948

    • 500+

      ￥0.535

    • 3000+

      ￥0.4291

    • 6000+

      ￥0.4052
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：AP68N06G 编号：C2828590
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    AP68N06系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种电源领域。DFN5*G封装在所有采用红外回流焊技术的商业工业表面贴装应用中广受欢迎，并且由于其连接电阻低，适用于大电流应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8495

    • 50+

      ￥0.7487

    • 150+

      ￥0.7055

    • 500+

      ￥0.6516

    • 2500+

      ￥0.4825

    • 5000+

      ￥0.4681
  • 有货
    • 立即购买
    2个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A
    型号：FDC6506P-TP 编号：C41348166
    封装：SOT-23-6L
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 5+

      ￥0.891765 ￥0.9387

    • 50+

      ￥0.700245 ￥0.7371

    • 150+

      ￥0.618165 ￥0.6507

    • 500+

      ￥0.515755 ￥0.5429

    • 3000+

      ￥0.470155 ￥0.4949

    • 6000+

      ￥0.4427 ￥0.466
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:25A
    型号：AGM210MAP 编号：C7431169
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM210MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 5+

      ￥0.892216 ￥0.9698

    • 50+

      ￥0.706744 ￥0.7682

    • 150+

      ￥0.627256 ￥0.6818

    • 500+

      ￥0.52808 ￥0.574

    • 2500+

      ￥0.48392 ￥0.526

    • 5000+

      ￥0.457424 ￥0.4972
  • 有货
    • 立即购买
    FDC5614P丝印564 1个P沟道 耐压:60V 电流:3.3A
    型号：FDC5614P 编号：C3029022
    封装：SOT-23-6
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    FDC5614P丝印564
    数据手册

    • 5+

      ￥0.934405 ￥1.0993

    • 50+

      ￥0.75446 ￥0.8876

    • 150+

      ￥0.67728 ￥0.7968

    • 500+

      ￥0.58106 ￥0.6836

    • 3000+

      ￥0.458915 ￥0.5399

    • 6000+

      ￥0.43316 ￥0.5096
  • 有货
    • 立即购买
    100V 1A
    型号：ZXMP10A13FTA 编号：C5122068
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9687

    • 50+

      ￥0.7671

    • 150+

      ￥0.6807

    • 500+

      ￥0.5729

    • 3000+

      ￥0.5104

    • 6000+

      ￥0.4815
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
    型号：SL10N10A 编号：C2965540
    封装：SOT-223
    品牌：Slkor(萨科微)
    类型 N VDSS(V) 100 ID@TC=88?C(A) 10 PD@TC=88?C(W) 3.1 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.68V 120
    数据手册

    • 5+

      ￥1.04481 ￥1.0998

    • 50+

      ￥0.84341 ￥0.8878

    • 150+

      ￥0.75715 ￥0.797

    • 500+

      ￥0.649515 ￥0.6837

    • 2500+

      ￥0.533615 ￥0.5617

    • 5000+

      ￥0.50483 ￥0.5314
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 耐压:60V 电流:3A
    型号：ZXMP6A17E6TA 编号：C2959859
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0836

    • 50+

      ￥0.8618

    • 150+

      ￥0.7668

    • 500+

      ￥0.6482

    • 3000+

      ￥0.5234

    • 6000+

      ￥0.4917
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：SI2343CDS-T1-GE3 编号：C6903
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    P沟道,-30V,-4A,53mΩ@-10V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1461

    • 50+

      ￥0.9229

    • 150+

      ￥0.8272

    • 500+

      ￥0.6306

    • 3000+

      ￥0.5774

    • 6000+

      ￥0.5455
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
    型号：AOD4184-HXY 编号：C5337192
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款N型场效应管具备60A的电流承载能力，能在40V电压下稳定工作。其内阻典型值为7.7mΩ，VGS为20V。适用于要求高电流、低内阻的应用场景，如电源管理、负载开关等，确保系统高效稳定运行。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.14631 ￥1.3486

    • 50+

      ￥0.93619 ￥1.1014

    • 150+

      ￥0.84609 ￥0.9954

    • 500+

      ￥0.73372 ￥0.8632

    • 2500+

      ￥0.63563 ￥0.7478

    • 5000+

      ￥0.605625 ￥0.7125
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:350mA
    型号：NDC7001C 编号：C7603325
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：替换数字晶体管。电平转换器。电源转换器电路。电池供电系统

    • 5+

      ￥1.1508

    • 50+

      ￥0.8988

    • 150+

      ￥0.7908

    • 500+

      ￥0.6561

    • 3000+

      ￥0.5961

    • 6000+

      ￥0.56
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道,电流:-2.3A,耐压:-60V
    型号：HSL6107 编号：C2828484
    封装：SOT-223
    品牌：HUASHUO(华朔)
    是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量（EAS），具备完整功能可靠性认证。100% EAS保证。有绿色环保器件可供选择。超低栅极电荷。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1733

    • 50+

      ￥0.9283

    • 150+

      ￥0.8233

    • 500+

      ￥0.6923

    • 3000+

      ￥0.6111

    • 6000+

      ￥0.5761
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:42A
    型号：RU3030M2-TP 编号：C41348100
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 5+

      ￥1.2058

    • 50+

      ￥0.9538

    • 150+

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    1个N沟道 耐压:150V 电流:4A
    型号：CJT04N15 编号：C81507
    封装：SOT-223
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    这款CJT04N15采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2685

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      ￥1.0134

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      ￥0.6791

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
    型号：WSD3066DN33 编号：C148386
    封装：DFN-8(3.3x3.3)
    品牌：WINSOK(微硕)
    N沟道.30V/66A.5.5mΩ.功能与脚位等同AON7534
    数据手册

    • 5+

      ￥1.309

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      ￥1.162

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      ￥0.8322
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    2个N沟道 耐压:60V 电流:5A
    型号：IRF7341 编号：C5355495
    封装：SOP-8
    品牌：Slkor(萨科微)
    双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。它可用于各种应用。
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    • 5+

      ￥1.33589 ￥1.4062

    • 50+

      ￥1.049085 ￥1.1043

    • 150+

      ￥0.92625 ￥0.975

    • 500+

      ￥0.77292 ￥0.8136

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      ￥0.704615 ￥0.7417

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      ￥0.66367 ￥0.6986
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:4.3A
    型号：SI2356DS-T1-GE3 编号：C74127
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。应用：DC/DC转换器。 负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3549

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      ￥1.0659

    • 150+

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      ￥0.6774
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    耐压:30V 电流:80A
    型号：AOD403 编号：C5342365
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = -30V, ID = -80A。 RDS(ON) ≤ 8mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) ≤ 11mΩ @ VGS = -4.5V。应用：负载/电源开关。 接口开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.394

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      ￥1.089

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      ￥0.7227

    • 5000+

      ￥0.6791
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:45A
    型号：ESN21307 编号：C5224307
    封装：PDFN5x6-8L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-30V，-45A，8.5mΩ@-10V,-20A，-1.5V@-250uA；应用领域：锂电池保护板、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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      ￥1.4726

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      ￥1.1324

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