mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SI2302 编号：C2938373

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:20V 电流:4.3A适用于电源开关和信号控制

数据手册

50+
￥0.112195 ￥0.1181
500+
￥0.089395 ￥0.0941
3000+
￥0.07182 ￥0.0756
6000+
￥0.06422 ￥0.0676
30000+
￥0.057665 ￥0.0607
45000+
￥0.05415 ￥0.057

有货

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型号：WSD40120DN56G 编号：C507088

封装：DFN5x6-8

品牌：WINSOK(微硕)

使用先进的SOCT MOSFET技术，提供低RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。本器件经过专门设计，具有更好的耐用性。

数据手册

1+
￥4.25
10+
￥3.8
30+
￥3.57
100+
￥3.35
500+
￥2.72
1000+
￥2.65

有货

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型号：IRF7342TRPBF 编号：C41811

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-50V,-3.4A,170mΩ@4.5V

数据手册

1+
￥4.28
10+
￥3.55
30+
￥3.19
100+
￥2.83
500+
￥2.32
1000+
￥2.21

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型号：NCEP60T12AK 编号：C216779

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCEP60T12AK采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流

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1+
￥4.32
10+
￥3.42
30+
￥2.96
100+
￥2.51
500+
￥2.24
1000+
￥2.1

有货

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型号：FQT1N60CTF-WS 编号：C258152

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用专有平面条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥4.39
10+
￥3.62
30+
￥3.24
100+
￥2.86
500+
￥2.63
1000+
￥2.52

有货

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型号：TK5A90E,S4X(S 编号：C5360505

封装：TO-220SIS-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.5Ω（典型值）。低泄漏电流：IRSS = 10μA（最大值）（VRS = 720V）。增强模式：Vth = 2.5 至 4.0V（VDS = 10V，ID = 0.45mA）。应用：开关稳压器

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1+
￥4.56
10+
￥3.72
50+
￥3.3
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￥2.88
500+
￥2.63
1000+
￥2.5

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型号：IRFB4410ZPBF 编号：C2657

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,97A,9mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.79
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￥3.89
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￥3.02
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￥2.57
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￥2.31
1200+
￥2.17

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型号：IRFB5615PBF 编号：C79992

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术，以实现每个硅面积的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175℃的工作结温和重复雪崩能力。这些特性结合在一起，使该MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。

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1+
￥4.85
10+
￥4.07
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￥3.36
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￥2.97
500+
￥2.74
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￥2.62

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型号：IRF740PBF 编号：C2570

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,400V,10A,550mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.02
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￥4.13
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￥3.39
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￥2.95
500+
￥2.69
1000+
￥2.55

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型号：IRF840PBF 编号：C537842

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装普遍适用于所有功率耗散水平约为50 W的商业和工业应用。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。

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1+
￥5.15
10+
￥4.26
50+
￥3.56
100+
￥3.12
500+
￥2.85
1000+
￥2.72

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型号：BSC098N10NS5 编号：C534398

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥5.59
10+
￥4.57
30+
￥4.06
100+
￥3.55
500+
￥2.85
1000+
￥2.69

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型号：IRF9540NSTRLPBF 编号：C33903

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V

数据手册

1+
￥5.59
10+
￥4.65
30+
￥4.19
100+
￥3.72
500+
￥3.45
800+
￥3.3

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型号：HD504N015SG 编号：C52766422

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：R+O(宏嘉诚)

1+
￥5.77
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￥4.68
30+
￥4.14
100+
￥3.6
500+
￥3.28
1000+
￥3.11

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型号：HK04N013SG 编号：C52766440

封装：TOLL-8

品牌：R+O(宏嘉诚)

1+
￥7.54
10+
￥6.28
30+
￥5.58
100+
￥4.8
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￥4.45
1000+
￥4.3

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型号：PMV45EN2R 编号：C426872

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

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1+
￥8.21
10+
￥7.14
30+
￥6.61
100+
￥6.08
500+
￥5.76
1000+
￥5.6

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型号：HK10N020SG 编号：C52204670

封装：TOLL-8

品牌：R+O(宏嘉诚)

1+
￥8.61
10+
￥7.17
30+
￥6.38
100+
￥5.49
500+
￥5.09
1000+
￥4.91

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型号：TK100E10N1,S1X(S 编号：C396029

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.8 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V，ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

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1+
￥9.3
10+
￥7.95
50+
￥6.82
100+
￥5.98
500+
￥5.61
1000+
￥5.44

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型号：AGM015N10LL 编号：C5297508

封装：TOLL-8L

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM015N10LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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1+
￥10.62 ￥11.8
10+
￥9.018 ￥10.02
30+
￥8.019 ￥8.91
100+
￥6.561 ￥7.29
500+
￥6.102 ￥6.78
1000+
￥5.895 ￥6.55

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型号：HK10N015SG 编号：C52766449

封装：TOLL-8

品牌：R+O(宏嘉诚)

1+
￥11.67
10+
￥9.94
30+
￥8.85
100+
￥7.74
500+
￥7.24
1000+
￥7.03

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型号：HYG015N10NS1TA 编号：C2979263

封装：TOLL-8L

品牌：HUAYI(华羿微)

特性：100V/380A，导通电阻（RDS(ON)）典型值为 1.2mΩ（VGS = 10V 时）。 100% 雪崩测试。可靠耐用。提供无卤器件（符合 RoHS 标准）。应用：开关应用。逆变器系统的电源管理

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1+
￥12.68
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￥10.88
30+
￥9.75
100+
￥8.11
500+
￥7.59
1000+
￥7.36

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型号：WSD86P10DN56 编号：C5185333

封装：DFN5X6-8L

品牌：WINSOK(微硕)

WSD86P10DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD86P10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的可靠性认证。

数据手册

1+
￥13.7
10+
￥11.95
30+
￥10.86
100+
￥7.51
500+
￥7
1000+
￥6.78

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型号：IPT017N12NM6ATMA1 编号：C20191620

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低反向恢复电荷(Qrr)。高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。针对高频开关进行优化。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。根据J-STD-020标准进行MSL 1分类

1+
￥17.43
10+
￥15
30+
￥13.48
100+
￥11.92
500+
￥11.22
1000+
￥10.92

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型号：2SK2225-E 编号：C37357

封装：TO-3PFM

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

N沟道,1500V,2A,12Ω@15V

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1+
￥22.73
10+
￥19.57
30+
￥17.69
100+
￥15.79
500+
￥14.91
1000+
￥14.52

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型号：7002-2N7002K 编号：C17702881

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:60V 电流:340mA适用于电源开关和信号控制

50+
￥0.05864 ￥0.0733
500+
￥0.04568 ￥0.0571
3000+
￥0.0356 ￥0.0445
6000+
￥0.03128 ￥0.0391
30000+
￥0.02752 ￥0.0344
45000+
￥0.02544 ￥0.0318

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型号：BSS138 编号：C2874697

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。

数据手册

50+
￥0.06256 ￥0.0782
500+
￥0.0492 ￥0.0615
3000+
￥0.03848 ￥0.0481
6000+
￥0.03408 ￥0.0426
24000+
￥0.03016 ￥0.0377
45000+
￥0.02808 ￥0.0351

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型号：BSS138P 编号：C5224269

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

10+
￥0.0642
100+
￥0.0541
300+
￥0.0485
3000+
￥0.0397
6000+
￥0.0368
9000+
￥0.0352

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型号：BR2N7002K2 编号：C358380

封装：SOT-23

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

SOT-23 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。

数据手册

50+
￥0.0673
500+
￥0.0577
3000+
￥0.0524
6000+
￥0.0493
24000+
￥0.0465
51000+
￥0.045

有货

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型号：BSS138 编号：C347484

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 VDS(V) = 50V。 ID = 300mA (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 2.5Ω (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 3.5Ω (VGS = 2.5V)。低导通电阻。 ESD等级：1.5KV HBM

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