mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRF9540NS 编号：C19272230

封装：TO-263

品牌：minos(迈诺斯)

IRF9540NS采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

1+
￥3.57
10+
￥2.92
30+
￥2.6
100+
￥2.28
500+
￥1.9
800+
￥1.8

有货

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型号：30P06 编号：C18164395

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。有绿色环保器件可选。出色的CdvV/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。 100% EAS保证。应用：PWM应用。负载开关

5+
￥1.1786
50+
￥0.9366
150+
￥0.8329
500+
￥0.7035
2500+
￥0.6314
5000+
￥0.5969

有货

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型号：HXY4884S 编号：C5148649

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款消费级MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，内置双N沟道设计，额定电压40V，可承载高达12A的连续电流。专为高效电源转换、电机驱动等应用打造，具备出色的低导通电阻和快速开关性能，是优化系统能效、提升设备运行表现的理想半导体器件选择。

数据手册

5+
￥1.21467 ￥1.2786
50+
￥0.99484 ￥1.0472
150+
￥0.900695 ￥0.9481
500+
￥0.78318 ￥0.8244
3000+
￥0.663575 ￥0.6985
6000+
￥0.632225 ￥0.6655

有货

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型号：AGM30P08AP 编号：C5349152

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM30P08AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

5+
￥1.2176
50+
￥0.9657
150+
￥0.8578
500+
￥0.7231
2500+
￥0.6258
5000+
￥0.5898

有货

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型号：CJT04N15 编号：C81507

封装：SOT-223

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

这款CJT04N15采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。

数据手册

5+
￥1.2611
50+
￥1.0066
150+
￥0.8975
500+
￥0.7615
2500+
￥0.673
5000+
￥0.6367

有货

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型号：IRFR5305TR(UMW) 编号：C5693005

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

5+
￥1.3282
50+
￥1.0389
150+
￥0.915
500+
￥0.7603
2500+
￥0.6914
5000+
￥0.65

有货

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型号：SI4532CDY 编号：C5123895

封装：SOIC-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥1.4143
50+
￥1.1371
150+
￥1.0183
500+
￥0.8701
3000+
￥0.7145
6000+
￥0.6748

有货

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型号：WST3078 编号：C148370

封装：SOT-23-6

品牌：WINSOK(微硕)

WST3078是具有极高单元密度的高性能沟槽式N沟道和P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST3078符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

5+
￥1.4211
50+
￥1.1439
150+
￥1.0251
500+
￥0.8769
3000+
￥0.6912
6000+
￥0.6516

有货

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型号：SI2347DS-T1-GE3 编号：C145002

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-30V,-5A,0.042Ω@-10V

数据手册

5+
￥1.5011
50+
￥1.2359
150+
￥1.1222
500+
￥0.9804
3000+
￥0.8572
6000+
￥0.8194

有货

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型号：AOD413A 编号：C115837

封装：DPAK

品牌：AOS

P沟 -40V -12A

数据手册

5+
￥1.5769
50+
￥1.2804
150+
￥1.1533
500+
￥0.9947
2500+
￥0.8791
5000+
￥0.8367

有货

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型号：STN3NF06L 编号：C222218

封装：SOT-223

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,40V,6A

数据手册

5+
￥1.6292
50+
￥1.2761
150+
￥1.1247
500+
￥0.9359
2500+
￥0.8519
4000+
￥0.8014

有货

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型号：AON7409 编号：C41348138

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥1.63989 ￥1.7262
50+
￥1.28079 ￥1.3482
150+
￥1.12689 ￥1.1862
500+
￥0.934895 ￥0.9841
2500+
￥0.849395 ￥0.8941
5000+
￥0.798 ￥0.84

有货

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型号：NTF3055L108T1G 编号：C7472933

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：60V, 4A, RDS(ON) = 85 mΩ @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 4.5 V。高密单元设计，实现极低的RDS(ON)。坚固可靠。获得无铅产品认证。 SOT-223封装。应用：负载/电源开关。接口

5+
￥1.6455
50+
￥1.2914
150+
￥1.1396
500+
￥0.9502
2500+
￥0.8658
5000+
￥0.8152

有货

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型号：IRF7343TRPBF 编号：C5123950

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：N沟道：VDS = 60V，ID = 6.0A，RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = 10V。高功率和电流处理能力。无铅产品。表面贴装封装。 P沟道：VDS = -60V，ID = -5A，RDS(ON) < 95mΩ @ VGS = -10V

数据手册

5+
￥1.9478
50+
￥1.5194
150+
￥1.3358
500+
￥1.1068
3000+
￥0.9623
6000+
￥0.901

有货

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型号：ESN4485 编号：C5224302

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-40V，-34A，13mΩ@-10V,-10A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥1.9852
50+
￥1.5266
150+
￥1.33
500+
￥1.0848
2500+
￥0.9756
5000+
￥0.91

有货

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型号：TP5322K1-G 编号：C22435122

封装：SOT-23-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥2.0926
50+
￥1.639
150+
￥1.4446
500+
￥1.202
3000+
￥1.094
6000+
￥1.0292

有货

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型号：IRF640NPBF-JSM 编号：C2857860

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于高频开关电源、有源功率因数校正。

数据手册

5+
￥2.16846 ￥2.4094
50+
￥1.57761 ￥1.7529
150+
￥1.37556 ￥1.5284
500+
￥1.12356 ￥1.2484
2000+
￥1.01133 ￥1.1237
5000+
￥0.94401 ￥1.0489

有货

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型号：WSF15P10 编号：C148442

封装：TO-252

品牌：WINSOK(微硕)

WSF15P10是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF15P10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且具备完整的可靠性认证。

数据手册

1+
￥2.17242 ￥2.4138
10+
￥1.76418 ￥1.9602
30+
￥1.58922 ￥1.7658
100+
￥1.37088 ￥1.5232
500+
￥1.0953 ￥1.217
1000+
￥1.03689 ￥1.1521

有货

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型号：HD503N022S 编号：C52204673

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥2.1821
50+
￥1.7285
150+
￥1.5341
500+
￥1.2915
2500+
￥1.1835

有货

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型号：CMB18N20A 编号：C5203925

封装：TO-263

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMB18N20A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于各种不同的领域。

数据手册

1+
￥2.4035 ￥2.53
10+
￥1.862 ￥1.96
30+
￥1.634 ￥1.72
100+
￥1.349 ￥1.42
500+
￥1.254 ￥1.32
800+
￥1.178 ￥1.24

有货

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型号：AO4405 编号：C48639032

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

1+
￥2.47 ￥2.6
10+
￥1.938 ￥2.04
30+
￥1.7195 ￥1.81
100+
￥1.4345 ￥1.51
500+
￥1.311 ￥1.38
1000+
￥1.235 ￥1.3

有货

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型号：WSD30100DN56 编号：C148393

封装：DFN5X6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD30100DN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD30100DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过全功能可靠性测试，确保产品质量。

数据手册

1+
￥2.5009
10+
￥2.0221
30+
￥1.8169
100+
￥1.5609
500+
￥1.4469
1000+
￥1.1648

有货

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型号：WSD4098DN56 编号：C719105

封装：DFN-8(5.2x5.5)

品牌：WINSOK(微硕)

WSD4098DN56是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD4098DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过全功能可靠性认证，确保产品质量。

数据手册

1+
￥2.75
10+
￥2.22
30+
￥2
100+
￥1.71
500+
￥1.33
1000+
￥1.25

有货

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型号：HSBB6115 编号：C845604

封装：PRPAK3x3-8L

品牌：HUASHUO(华朔)

HSBB6115 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBB6115 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥2.75
10+
￥2.17
30+
￥1.91
100+
￥1.6
500+
￥1.33
1000+
￥1.25

有货

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型号：WSD6056DN56 编号：C2758412

封装：DFN5x6-8

品牌：WINSOK(微硕)

Configuration Dual Type N-Ch VDS(V) 60 VGS(V) 20 ID(A)Max. 45 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m?)@4.228V 20 Qg(nC)@4.5V 17.6 QgS(nC) 2.7 Qgd(nC) 6.3 Ciss(pF) 945 Coss(pF) 275 Crss(pF) 26

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.24
30+
￥2
100+
￥1.71
500+
￥1.49
1000+
￥1.41

有货

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型号：NTD5865NLT4G 编号：C5350898

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

1+
￥2.84
10+
￥2.24
30+
￥1.98
100+
￥1.66
500+
￥1.51
1000+
￥1.42

有货

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型号：NCE40P70K 编号：C130101

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

P沟道，40V，70A.

数据手册

1+
￥2.84
10+
￥2.19
30+
￥1.9
100+
￥1.55
500+
￥1.4
1000+
￥1.3

有货

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型号：IRF7103TRPBF 编号：C27080

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,50V,3A,130mΩ@10V

数据手册

1+
￥2.96
10+
￥2.37
30+
￥2.12
100+
￥1.8
500+
￥1.49
1000+
￥1.4

有货

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型号：NCEP40T11G 编号：C182465

封装：DFN5X6-8L

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道,40V,110A,2.4mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.17
10+
￥2.44
30+
￥2.12
100+
￥1.73
500+
￥1.56
1000+
￥1.45

有货

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型号：IRF4905STRLPBF-JSM 编号：C28642375

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。

1+
￥3.2555 ￥3.83
10+
￥2.669 ￥3.14
30+
￥2.38 ￥2.8
100+
￥2.0825 ￥2.45
500+
￥1.9125 ￥2.25
800+
￥1.819 ￥2.14

有货

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