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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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1个P沟道 耐压:20V 电流:0.66A
型号：CJE3139K 编号：C70991
封装：SOT-523
品牌：CJ(江苏长电/长晶)
P沟道,-20V,-0.66A,520mΩ@4.5V
数据手册

  • 20+

    ￥0.1784

  • 200+

    ￥0.1428

  • 600+

    ￥0.123

  • 3000+

    ￥0.1111

  • 9000+

    ￥0.1008

  • 21000+

    ￥0.0953
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:200mA
    型号：RE1C002UNTCL 编号：C509959
    封装：SC-89(SOT-490)
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：低电压驱动（1.2V），适用于便携式设备。 驱动电路简单。 内置G-S保护二极管。应用：开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1816

    • 200+

      ￥0.1438

    • 600+

      ￥0.1229

    • 3000+

      ￥0.1021

    • 9000+

      ￥0.0912

    • 21000+

      ￥0.0853
  • 有货
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    小电流N型MOSFET
    型号：BSS138KDW 编号：C52037195
    封装：SOT-363
    品牌：Siliup(矽普)
    小电流MOSFET产品，N沟道，ESD防护，耐压：60V，电流：0.22A, Rdson：2000mR

    • 20+

      ￥0.1865

    • 200+

      ￥0.1444

    • 600+

      ￥0.121

    • 3000+

      ￥0.11

    • 9000+

      ￥0.0979

    • 21000+

      ￥0.0913
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401 编号：C22459284
    封装：SOT-23
    品牌：晶扬电子
    P沟道,-30V,-4A,50mΩ@-10V

    • 20+

      ￥0.2239

    • 200+

      ￥0.1759

    • 600+

      ￥0.1519

    • 3000+

      ￥0.1277

    • 9000+

      ￥0.1133

    • 21000+

      ￥0.106
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET
    型号：AO3415B 编号：C47283669
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4.1A

    • 20+

      ￥0.2396

    • 200+

      ￥0.1883

    • 600+

      ￥0.1598

    • 3000+

      ￥0.1427

    • 9000+

      ￥0.1279
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:3.3A
    型号：CJ2304 编号：C44209
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,30V,3.3A,60mΩ@10V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2447

    • 200+

      ￥0.1988

    • 600+

      ￥0.1733

    • 3000+

      ￥0.1342

    • 9000+

      ￥0.1209
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
    型号：SI2310M-6AF 编号：C48587193
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    N沟道,60V,3A,92mΩ@4.5V

    • 10+

      ￥0.2507

    • 100+

      ￥0.1997

    • 300+

      ￥0.1742

    • 3000+

      ￥0.1551

    • 6000+

      ￥0.1398

    • 9000+

      ￥0.1321
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400A 编号：C5122000
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2507

    • 100+

      ￥0.1979

    • 300+

      ￥0.1715

    • 3000+

      ￥0.147

    • 6000+

      ￥0.1312

    • 9000+

      ￥0.1232
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:500mA
    型号：CJ1012 编号：C2991967
    封装：SOT-523
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    这款单N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计，旨在优化导通电阻RDS(ON)。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.253

    • 200+

      ￥0.2048

    • 600+

      ￥0.178

    • 3000+

      ￥0.1547

    • 9000+

      ￥0.1408
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:30V 电流:3A
    型号：BSH108 编号：C16197300
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 30V, ID = 3A。 RDS(ON) < 75mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 65mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用

    • 10+

      ￥0.2767

    • 100+

      ￥0.2186

    • 300+

      ￥0.1895

    • 3000+

      ￥0.1678

    • 6000+

      ￥0.1503

    • 9000+

      ￥0.1416
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：2N7002DW 编号：C2961242
    封装：SOT-363
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：高密度单元设计，实现低导通电阻。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册

    • 10+

      ￥0.277

    • 100+

      ￥0.2222

    • 300+

      ￥0.1948

    • 3000+

      ￥0.1742

    • 6000+

      ￥0.1578

    • 9000+

      ￥0.1496
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型MOS场效应晶体管
    型号：SI2312M-6AF 编号：C48587179
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    N沟道,20V,6.8A,16mΩ@4.5V

    • 10+

      ￥0.2856

    • 100+

      ￥0.2237

    • 300+

      ￥0.1928

    • 3000+

      ￥0.1696

    • 6000+

      ￥0.151

    • 9000+

      ￥0.1417
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:9A
    型号：SSM3K333R,LF 编号：C395454
    封装：SOT-23F
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：4.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 42mΩ（最大值）(VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 28mΩ（最大值）(VGS = 10V)。应用：电源管理开关应用。 高速开关应用
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3033

    • 100+

      ￥0.2371

    • 300+

      ￥0.2039

    • 3000+

      ￥0.179

    • 6000+

      ￥0.1592

    • 9000+

      ￥0.1492
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:3A
    型号：KIRLML5203TRPBF 编号：C2891688
    封装：SOT-23
    品牌：KUU
    特性：TrenchFET功率MOSFET。 超低导通电阻。 可提供卷带包装。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3121

    • 100+

      ￥0.2497

    • 300+

      ￥0.2185

    • 3000+

      ￥0.1846

    • 6000+

      ￥0.1659

    • 9000+

      ￥0.1565
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.5A
    型号：MMBF170LT1G 编号：C28871
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    功率 MOSFET，500 mA，60 V，N 沟道，SOT?23
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3591

    • 100+

      ￥0.2799

    • 300+

      ￥0.2403

    • 3000+

      ￥0.2106

    • 6000+

      ￥0.1868

    • 9000+

      ￥0.1749
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:12A
    型号：AO4404 编号：C5125944
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)。 低栅极电荷。 可在低至4.5V的栅极电压下工作。 VDS = 30V。 ID = 8.5A。 RDS(ON) < 20mΩ（VGS = 10V）。应用：电池保护。 其他开关应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.3613

    • 50+

      ￥0.3177

    • 150+

      ￥0.2959

    • 500+

      ￥0.2795

    • 3000+

      ￥0.2573

    • 6000+

      ￥0.2508
  • 有货
    • 立即购买
    全桥MOSFET 2个N沟道+2个P沟道 耐压:20V 电流:2A
    型号：AP4580 编号：C2849569
    封装：SOT-23-8L
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3818

    • 100+

      ￥0.3386

    • 300+

      ￥0.317

    • 3000+

      ￥0.2301

    • 6000+

      ￥0.2171

    • 9000+

      ￥0.2106
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
    型号：DOZ30N03 编号：C36499164
    封装：DFN3x3-8
    品牌：DOINGTER(杜因特)
    N管/30V/30A/13mΩ(典型9mΩ)

    • 10+

      ￥0.3865

    • 100+

      ￥0.3078

    • 300+

      ￥0.2684

    • 1000+

      ￥0.2389

    • 5000+

      ￥0.2153

    • 10000+

      ￥0.2035
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：FS8205A 编号：C908265
    封装：SOT-23-6L
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：电池保护。 开关应用
    数据手册

    • 10+

      ￥0.39141 ￥0.4349

    • 100+

      ￥0.31797 ￥0.3533

    • 300+

      ￥0.28125 ￥0.3125

    • 3000+

      ￥0.21573 ￥0.2397

    • 6000+

      ￥0.19368 ￥0.2152

    • 9000+

      ￥0.1827 ￥0.203
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
    型号：AP9926 编号：C353066
    封装：SOP-8
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    SOP-8塑封封装N沟道PowerTrenchMOS双场效应管。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3948

    • 100+

      ￥0.2974

    • 300+

      ￥0.2486

    • 1000+

      ￥0.2121

    • 4000+

      ￥0.1829

    • 8000+

      ￥0.1682
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
    型号：SC015P2G 编号：C41367295
    封装：SOP-8
    品牌：DOINGTER(杜因特)
    P管/-30V/-10A/15mΩ(典型值12mΩ)

    • 10+

      ￥0.4231

    • 100+

      ￥0.34

    • 300+

      ￥0.2985

    • 3000+

      ￥0.2622

    • 6000+

      ￥0.2373

    • 9000+

      ￥0.2248
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:30V 电流:3A
    型号：ZXMN3F30FHTA 编号：C19829418
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 30V，ID = 3A。 RDS(ON) < 95mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 75mΩ @ VGS = 10V。应用：负载开关。 PWM应用

    • 10+

      ￥0.424935 ￥0.4473

    • 100+

      ￥0.333735 ￥0.3513

    • 300+

      ￥0.288135 ￥0.3033

    • 3000+

      ￥0.253935 ￥0.2673

    • 6000+

      ￥0.226575 ￥0.2385

    • 9000+

      ￥0.2128 ￥0.224
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5.2A
    型号：AP4606C 编号：C2833151
    封装：SOP-8
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    SOP-8塑封封装互补增强模式MOS场效应管。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4311

    • 100+

      ￥0.3494

    • 300+

      ￥0.3086

    • 1000+

      ￥0.278

    • 4000+

      ￥0.2112

    • 8000+

      ￥0.199
  • 有货
    • 立即购买
    2个P沟道 耐压:30V 电流:4.9A
    型号：AP4953 编号：C353083
    封装：SOP-8
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    SOP-8 塑封封装双 P 沟道 MOS 场效应管。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4414

    • 50+

      ￥0.3588

    • 150+

      ￥0.3176

    • 500+

      ￥0.2866

    • 2500+

      ￥0.2618

    • 4000+

      ￥0.2494
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:40V 电流:5A
    型号：TM05P04I 编号：C7422782
    封装：SOT-23
    品牌：TMC(台懋)
    P沟道,-40V,-4.8A,47mΩ@-10v

    • 10+

      ￥0.4556

    • 100+

      ￥0.3643

    • 300+

      ￥0.3187

    • 3000+

      ￥0.270275 ￥0.2845

    • 6000+

      ￥0.244245 ￥0.2571

    • 9000+

      ￥0.23123 ￥0.2434
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:10A
    型号：AP3010 编号：C353073
    封装：SOP-8
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    特性：30V, 10A，RDS(ON) < 10mΩ（VGS = 10V，典型值：8.5mΩ），RDS(ON) < 14mΩ（VGS = 4.5V，典型值：11mΩ）。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
    型号：DOD20N06 编号：C36499181
    封装：TO-252
    品牌：DOINGTER(杜因特)
    N管/60V/20A/36mΩ(典型27mΩ)

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
    型号：50N03 编号：C22379656
    封装：TO-252-3L
    品牌：HL(富海微)
    50N03 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50N03 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。

    • 10+

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    N沟道MOSFET
    型号：IRLML6244TRPBF 编号：C5123965
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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    2个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
    型号：APM4953(UMW) 编号：C5185739
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=-30V，ID =-5.3A（VGS = 10V）。 RDS(ON)<41mΩ（VGS =-10V）。 RDS(ON)<75mΩ（VGS =-4.5V）
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