mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRF2807PBF 编号：C2560

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,75A,13mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.98
10+
￥3.08
50+
￥2.43
100+
￥1.95
500+
￥1.73
1000+
￥1.6

有货

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型号：NCE01P18K 编号：C115990

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

P沟道,-100V,-18A,100mΩ@-10V

数据手册

5+
￥2.0289
50+
￥1.5601
150+
￥1.3593
500+
￥1.1086
2500+
￥0.997

有货

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型号：AOD409 编号：C5182105

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥2.045
50+
￥1.5668
150+
￥1.3619
500+
￥1.1062
2500+
￥0.9924
5000+
￥0.924

有货

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型号：2N7002BKS,115 编号：C68181

封装：SOT-363(SC-88)

品牌：Nexperia(安世)

N沟道,60V,300mA,1.6Ω@10V

数据手册

1+
￥2.62
10+
￥2.07
30+
￥1.83
100+
￥1.4938 ￥1.54
500+
￥1.358 ￥1.4
1000+
￥1.2804 ￥1.32

有货

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型号：NTD5865NLT4G 编号：C5350898

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

1+
￥2.69
10+
￥2.09
30+
￥1.83
100+
￥1.51
500+
￥1.36
1000+
￥1.28

有货

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型号：AO4480 编号：C454185

封装：SOIC-8

品牌：AOS

数据手册

1+
￥2.75
10+
￥2.2
30+
￥1.96
100+
￥1.67
500+
￥1.42
1000+
￥1.34

有货

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型号：SI4401DDY-T1-GE3 编号：C72317

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-40V,-16.1A,0.015Ω@-10V

数据手册

1+
￥2.86
10+
￥2.25
30+
￥2
100+
￥1.68
500+
￥1.53
1000+
￥1.45

有货

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型号：PMV60ENEAR 编号：C547263

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

1+
￥3.39
10+
￥2.74
30+
￥2.42
100+
￥2.037 ￥2.1
500+
￥1.843 ￥1.9
1000+
￥1.7557 ￥1.81

有货

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型号：WSD60N10GDN56 编号：C719101

封装：DFN5x6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD60N10GDN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD60N10GDN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过全面的功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥3.474 ￥3.86
10+
￥2.826 ￥3.14
30+
￥2.547 ￥2.83
100+
￥2.196 ￥2.44
500+
￥1.638 ￥1.82
1000+
￥1.548 ￥1.72

有货

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型号：IRF7342TRPBF 编号：C41811

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-50V,-3.4A,170mΩ@4.5V

数据手册

1+
￥3.63
10+
￥2.92
30+
￥2.61
100+
￥2.1185 ￥2.23
500+
￥1.729 ￥1.82
1000+
￥1.634 ￥1.72

有货

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型号：NCEP0178AK 编号：C216784

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道，100V，78A，7.2mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.98
10+
￥3.06
30+
￥2.66
100+
￥2.17
500+
￥1.96
1000+
￥1.82

有货

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型号：CSD25404Q3 编号：C2865523

封装：VSON-CLIP-8(3.3x3.3)

品牌：TI(德州仪器)

CSD25404Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥4.63
10+
￥3.98
30+
￥3.52
100+
￥3.14
500+
￥3.02
1000+
￥2.94

有货

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型号：NTMFS5C612NLT1G 编号：C348543

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，60V，196A，1.5mΩ，单 N 沟道

数据手册

1+
￥4.96
10+
￥3.94
30+
￥3.43
100+
￥2.92
500+
￥2.62
1500+
￥2.46

有货

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型号：BSC028N06NS 编号：C148250

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,100A,2.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.39
10+
￥4.37
30+
￥3.85
100+
￥3.35
500+
￥3.04
1000+
￥2.88

有货

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型号：IRF7351TRPBF 编号：C68403

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

双N沟道,60V,8A,17.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.56
10+
￥4.56
30+
￥4.06
100+
￥3.56
500+
￥2.73
1000+
￥2.58

有货

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型号：SIR876ADP-T1-GE3 编号：C114889

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。符合RoHS指令2002/95/EC。应用：DC/DC初级侧开关。电信/服务器48V，全/半桥DC/DC

数据手册

1+
￥6.37
10+
￥5.16
30+
￥4.55
100+
￥3.871 ￥3.95
500+
￥3.1458 ￥3.21
1000+
￥2.9694 ￥3.03

有货

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型号：IPB072N15N3G 编号：C459162

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥6.69
10+
￥5.57
30+
￥4.95
100+
￥4.26
500+
￥3.95
1000+
￥3.81

有货

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型号：TPH2R608NH,L1Q(M 编号：C5379811

封装：SOP-8-Advance(5x6)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 28 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.1 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 75 V)。增强模式：VDA = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器