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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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低导通电阻。快速开关速度。硅N沟道MOSFET。驱动电路可以很简单
数据手册
  • 20+

    ¥0.1368 ¥0.144
  • 200+

    ¥0.10773 ¥0.1134
  • 600+

    ¥0.091675 ¥0.0965
  • 3000+

    ¥0.076475 ¥0.0805
  • 9000+

    ¥0.06802 ¥0.0716
  • 21000+

    ¥0.063555 ¥0.0669
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1385
    • 100+

      ¥0.1061
    • 300+

      ¥0.0881
    • 3000+

      ¥0.0857
    • 6000+

      ¥0.0763
    • 9000+

      ¥0.0713
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.85Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1526
    • 200+

      ¥0.1162
    • 600+

      ¥0.0959
    • 3000+

      ¥0.0838
    • 9000+

      ¥0.0732
    • 21000+

      ¥0.0675
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.16A 功率(Pd):750mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@10V,3.5A
    数据手册
    • 20+

      ¥0.153045 ¥0.1611
    • 200+

      ¥0.13281 ¥0.1398
    • 600+

      ¥0.121505 ¥0.1279
    • 3000+

      ¥0.11476 ¥0.1208
    • 9000+

      ¥0.10887 ¥0.1146
    • 21000+

      ¥0.105735 ¥0.1113
  • 有货
  • N沟道,60V,115mA
    数据手册
    • 20+

      ¥0.168
    • 200+

      ¥0.1293
    • 600+

      ¥0.1079
    • 3000+

      ¥0.095
    • 9000+

      ¥0.0839
    • 21000+

      ¥0.0779
  • 有货
  • 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于30V电压系统,提供高达5.8A的大电流承载能力。具备出色的低导通电阻与快速开关特性,特别适合充电器、电源模块及高效能电子设备中,实现精准、稳定的功率控制和转换需求。
    • 20+

      ¥0.170765 ¥0.2009
    • 200+

      ¥0.13124 ¥0.1544
    • 600+

      ¥0.10931 ¥0.1286
    • 3000+

      ¥0.095115 ¥0.1119
    • 9000+

      ¥0.08364 ¥0.0984
    • 21000+

      ¥0.07752 ¥0.0912
  • 有货
  • SOT23 塑封封装 N 道 MOS 场效应管。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1797
    • 200+

      ¥0.1392
    • 600+

      ¥0.1167
    • 3000+

      ¥0.1149
    • 9000+

      ¥0.1032
    • 21000+

      ¥0.0969
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=-30V ,Ip =-1.7A。 RDS(ON)=100mΩ(VGS =-10V),RDS(ON)<330mΩ(VGS =-4.5V)。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 20+

      ¥0.207
    • 200+

      ¥0.1646
    • 600+

      ¥0.141
    • 3000+

      ¥0.1069
    • 9000+

      ¥0.0946
    • 21000+

      ¥0.088
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2167
    • 100+

      ¥0.1681
    • 300+

      ¥0.1411
    • 3000+

      ¥0.121
    • 6000+

      ¥0.107
    • 9000+

      ¥0.0994
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.1A,53mΩ@-4.5V
    • 10+

      ¥0.2221
    • 100+

      ¥0.174
    • 300+

      ¥0.1499
    • 3000+

      ¥0.1319
    • 6000+

      ¥0.1175
    • 9000+

      ¥0.1102
  • 有货
  • 特性:表面贴装封装。 N沟道低导通电阻开关。 低逻辑电平栅极驱动操作。 ESD保护。应用:负载/电源开关。 接口开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2227
    • 200+

      ¥0.1795
    • 600+

      ¥0.1555
    • 2000+

      ¥0.1411
    • 10000+

      ¥0.1148
    • 20000+

      ¥0.108
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4A,50mΩ@-10V
    • 20+

      ¥0.2239
    • 200+

      ¥0.1759
    • 600+

      ¥0.1519
    • 3000+

      ¥0.1277
    • 9000+

      ¥0.1133
    • 21000+

      ¥0.106
  • 有货
  • N 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2246
    • 200+

      ¥0.176
    • 600+

      ¥0.149
    • 3000+

      ¥0.1328
    • 9000+

      ¥0.1187
    • 21000+

      ¥0.1112
  • 有货
  • 特性:小封装 (SOT723)。 超低电压驱动 (1.2V驱动)。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 无卤。应用:开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2275
    • 200+

      ¥0.1816
    • 600+

      ¥0.1561
    • 2000+

      ¥0.1408
    • 8000+

      ¥0.1109
    • 16000+

      ¥0.1037
  • 有货
    • 20+

      ¥0.2343
    • 200+

      ¥0.1838
    • 600+

      ¥0.1557
    • 2000+

      ¥0.1389
  • 有货
  • N沟道,60V,0.2A,6Ω@4.5V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2344
    • 200+

      ¥0.1858
    • 1000+

      ¥0.1544
    • 2000+

      ¥0.1382
    • 10000+

      ¥0.1241
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2363
    • 200+

      ¥0.1837
    • 600+

      ¥0.1544
    • 2000+

      ¥0.1369
    • 8000+

      ¥0.1065
    • 16000+

      ¥0.0983
  • 有货
  • N沟道,60V,3A,92mΩ@4.5V
    • 10+

      ¥0.2507
    • 100+

      ¥0.1997
    • 300+

      ¥0.1742
    • 3000+

      ¥0.1551
    • 6000+

      ¥0.1398
    • 9000+

      ¥0.1321
  • 有货
  • N沟道,30V,0.1A,8Ω@10V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2573
    • 100+

      ¥0.2072
    • 300+

      ¥0.1822
    • 1000+

      ¥0.1634
    • 5000+

      ¥0.1484
    • 8000+

      ¥0.1409
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    • 10+

      ¥0.305
    • 100+

      ¥0.2426
    • 300+

      ¥0.2114
    • 3000+

      ¥0.188
    • 6000+

      ¥0.1693
    • 9000+

      ¥0.1599
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。 超低导通电阻。 可提供卷带包装。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3092
    • 100+

      ¥0.2468
    • 300+

      ¥0.2156
    • 3000+

      ¥0.1817
    • 6000+

      ¥0.163
    • 9000+

      ¥0.1536
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 10+

      ¥0.31014 ¥0.3446
    • 100+

      ¥0.25398 ¥0.2822
    • 300+

      ¥0.2259 ¥0.251
    • 3000+

      ¥0.17145 ¥0.1905
    • 6000+

      ¥0.15462 ¥0.1718
    • 9000+

      ¥0.14625 ¥0.1625
  • 有货
  • 本产品是一款P型场效应管,具有7A的电流承载能力,最高20V的工作电压。其内阻典型值为20mΩ,栅源极电压VGS为12V。适用于多种应用场景,如电源管理、信号放大等,确保系统稳定运行。低内阻使其具备高效能特性。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.325194 ¥0.3918
    • 100+

      ¥0.264272 ¥0.3184
    • 300+

      ¥0.233728 ¥0.2816
    • 3000+

      ¥0.195133 ¥0.2351
    • 6000+

      ¥0.17679 ¥0.213
    • 9000+

      ¥0.16766 ¥0.202
  • 有货
  • 此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,专为40V电压系统设计,具备5A强大电流处理能力。凭借其出色的低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于充电器、电源管理及各类高效率电子设备中,实现高效、稳定的功率转换与控制。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.328064 ¥0.3728
    • 100+

      ¥0.27104 ¥0.308
    • 300+

      ¥0.242528 ¥0.2756
    • 3000+

      ¥0.198176 ¥0.2252
    • 6000+

      ¥0.181104 ¥0.2058
    • 9000+

      ¥0.172568 ¥0.1961
  • 有货
  • N沟道,30V,100mA
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3655
    • 100+

      ¥0.2963
    • 300+

      ¥0.2616
    • 3000+

      ¥0.2073
    • 6000+

      ¥0.1866
    • 9000+

      ¥0.1762
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3835
    • 100+

      ¥0.3115
    • 300+

      ¥0.2755
    • 3000+

      ¥0.2275
    • 6000+

      ¥0.2059
    • 9000+

      ¥0.195
  • 有货
  • 特性:VDS = -60V。 ID = -1.25A。 RDS(on)@VGS = -10V < 340mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 550mΩ。 Trench Power MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器
    • 10+

      ¥0.3937
    • 100+

      ¥0.3127
    • 300+

      ¥0.2722
    • 3000+

      ¥0.2419
    • 6000+

      ¥0.2176
    • 9000+

      ¥0.2054
  • 有货
  • 特性:VDS = 20V, ID = 6A。 RDS(ON) < 23mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = 4.5V。应用:负载/电源开关。 接口开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4153
    • 100+

      ¥0.3652
    • 300+

      ¥0.3402
    • 3000+

      ¥0.2731
    • 6000+

      ¥0.258
    • 9000+

      ¥0.2505
  • 有货
  • AP6800采用先进的沟槽技术,可提供出色的Rps(导通)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4359
    • 100+

      ¥0.3975
    • 300+

      ¥0.3783
    • 3000+

      ¥0.2513
    • 6000+

      ¥0.2398
    • 9000+

      ¥0.234
  • 有货
  • 特性:N沟道:VDD = 30V,ID = 5.8A,RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 4.5V(典型值 = 24mΩ),RDS(ON) < 58mΩ @ VGS = 2.5V(典型值 = 35mΩ)。 P沟道:VDD = -30V,ID = -4.2A,RDS(ON) < 68mΩ @ VGS = -4.5V(典型值 = 53mΩ),RDS(ON) < 96mΩ @ VGS = -2.5V(典型值 = 75mΩ)。 无铅产品。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。应用:接口开关。 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4577
    • 50+

      ¥0.4174
    • 150+

      ¥0.3972
    • 500+

      ¥0.3821
    • 3000+

      ¥0.2518
    • 6000+

      ¥0.2457
  • 有货
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