mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

N沟道,60V,0.27A,2.8Ω@10V

数据手册

5+
￥0.9471
50+
￥0.7368
150+
￥0.6466
500+
￥0.528858 ￥0.5342
3000+
￥0.479259 ￥0.4841
6000+
￥0.449559 ￥0.4541

有货

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型号：NX3020NAKS,115 编号：C179400

封装：TSSOP-6(SOT-363)

双 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装封装 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥1.0303
50+
￥0.8123
150+
￥0.7188
500+
￥0.584134 ￥0.6022
3000+
￥0.533791 ￥0.5503
6000+
￥0.503624 ￥0.5192

有货

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型号：AO4884-MS 编号：C2847036

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

特性：VDS = 40V，ID = 10A。 RDS(ON) < 19mΩ @ VGS=10V。应用：电池保护。负载开关

数据手册

5+
￥1.035405 ￥1.0899
50+
￥0.819945 ￥0.8631
150+
￥0.727605 ￥0.7659
500+
￥0.61237 ￥0.6446
2500+
￥0.53029 ￥0.5582
4000+
￥0.499415 ￥0.5257

有货

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型号：SL10N10A 编号：C2965540

封装：SOT-223

品牌：Slkor(萨科微)

类型 N VDSS(V) 100 ID@TC=88?C(A) 10 PD@TC=88?C(W) 3.1 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.68V 120

数据手册

5+
￥1.04481 ￥1.0998
50+
￥0.84341 ￥0.8878
150+
￥0.75715 ￥0.797
500+
￥0.649515 ￥0.6837
2500+
￥0.533615 ￥0.5617
5000+
￥0.50483 ￥0.5314

有货

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型号：FDC6305N 编号：C5123954

封装：SOT-23-6

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥1.0787
50+
￥0.857
150+
￥0.7619
500+
￥0.6433
3000+
￥0.5188
6000+
￥0.4871

有货

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型号：IRLML2502TRPBF 编号：C2589

封装：SOT-23

N沟道,20V,4.2A,45mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥1.103
50+
￥0.9387
150+
￥0.8566

有货

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型号：AGM18N10AP 编号：C7509649

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM18N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

5+
￥1.1529
50+
￥0.9282
150+
￥0.832
500+
￥0.7118
2500+
￥0.7007
5000+
￥0.6686

有货

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型号：AON7403 编号：C5310961

封装：PDFN-8

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥1.1578
50+
￥0.9976
150+
￥0.929
500+
￥0.8434
2500+
￥0.7655
5000+
￥0.7426

有货

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型号：AO4485 编号：C5183843

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。

数据手册

5+
￥1.1812 ￥1.4765
50+
￥0.91912 ￥1.1489
150+
￥0.8068 ￥1.0085
500+
￥0.66672 ￥0.8334
3000+
￥0.64592 ￥0.8074
6000+
￥0.6084 ￥0.7605

有货

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型号：AGM500P20D 编号：C17701063

封装：TO-252

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM500P20D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

5+
￥1.1978
50+
￥1.0509
150+
￥0.9879
500+
￥0.9093
2500+
￥0.7976
5000+
￥0.7766

有货

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型号：WSP4807 编号：C148417

封装：SOP-8

品牌：WINSOK(微硕)

特性：30V/-8.9A。 RDS(ON) = 21mΩ (max.) @ VGS = -10V。 RDS(ON) = 32mΩ (max.) @ VGS = -4.5V。可靠耐用。提供无铅和环保设备（符合 RoHS 标准）。应用：笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理

数据手册

5+
￥1.3615
50+
￥1.0843
150+
￥0.9655
500+
￥0.8173
3000+
￥0.6868
6000+
￥0.6472

有货

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型号：FDS6681Z(UMW) 编号：C5236690

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=-30V。 Qg = 27nC。 I = 18A(VGs = 10V)。 RDS(ON) < 5mΩ(VGs = 10V)。 RDS(ON) < 8mΩ(VGs = 4.5V)。应用：移动设备电池管理。适配器和充电器开关

5+
￥1.373
50+
￥1.0746
150+
￥0.9467
500+
￥0.7176
3000+
￥0.6465
6000+
￥0.6039

有货

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型号：WST3078 编号：C148370

封装：SOT-23-6

品牌：WINSOK(微硕)

WST3078是具有极高单元密度的高性能沟槽式N沟道和P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST3078符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

5+
￥1.4211
50+
￥1.1439
150+
￥1.0251
500+
￥0.8769
3000+
￥0.6912
6000+
￥0.6516

有货

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型号：IRLML6344TRPBF 编号：C53550

封装：SOT-23

N沟道,30V,5A,29mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥1.4271
50+
￥1.1365
150+
￥1.0119
500+
￥0.8565
3000+
￥0.6616
6000+
￥0.62

有货

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型号：HYG015N03LS1C2 编号：C18222234

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HUAYI(华羿微)

MOSFET

5+
￥1.6734
50+
￥1.2903
150+
￥1.1261
500+
￥0.9213
2500+
￥0.8605
5000+
￥0.8057

有货

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型号：AO4882 编号：C3040598

封装：SOP-8

应用：DO-DC 转换器。负载开关。电源管理

数据手册

5+
￥1.6806
50+
￥1.3019
150+
￥1.1396
500+
￥0.9372
3000+
￥0.7859
6000+
￥0.7318

有货

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型号：SQ2308CES-T1_GE3 编号：C142560

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,60V,2.3A,0.15Ω@10V

数据手册

5+
￥1.9028
50+
￥1.4996
150+
￥1.2201
500+
￥1.0045
3000+
￥0.9085
6000+
￥0.8509

有货

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型号：DMP4015SSS 编号：C5197355

封装：SOP-8

特性：VDS =-40V，ID = 12A。 RDS(ON) < 18mΩ @ VGS = 10V。高功率和大电流处理能力。无铅产品。表面贴装封装

数据手册

5+
￥1.9364
50+
￥1.5332
150+
￥1.3604
500+
￥1.1448
3000+
￥0.9368
6000+
￥0.8792

有货

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型号：ESN4485 编号：C5224302

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-40V，-34A，13mΩ@-10V,-10A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥1.9852
50+
￥1.5266
150+
￥1.33
500+
￥1.0848
2500+
￥0.9756
5000+
￥0.91

有货

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型号：IRF7342TRPBF 编号：C5197322

封装：SOP-8

应用：负载/电源开关。接口。开关逻辑电平转换

数据手册

1+
￥2
10+
￥1.75
30+
￥1.64
100+
￥1.51
500+
￥1.37
1000+
￥1.34

有货

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型号：NCE01P18K 编号：C115990

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

P沟道,-100V,-18A,100mΩ@-10V

数据手册

5+
￥2.0289
50+
￥1.5601
150+
￥1.3593
500+
￥1.1086
2500+
￥0.997

有货

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型号：AOD409 编号：C5182105

封装：TO-252

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥2.045
50+
￥1.5668
150+
￥1.3619
500+
￥1.1062
2500+
￥0.9924
5000+
￥0.924

有货

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型号：2N7002BKS,115 编号：C68181

封装：SOT-363(SC-88)

N沟道,60V,300mA,1.6Ω@10V

数据手册

1+
￥2.62
10+
￥2.07
30+
￥1.83
100+
￥1.4938 ￥1.54
500+
￥1.358 ￥1.4
1000+
￥1.2804 ￥1.32

有货

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型号：NTD5865NLT4G 编号：C5350898

封装：TO-252

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

1+
￥2.69
10+
￥2.09
30+
￥1.83
100+
￥1.51
500+
￥1.36
1000+
￥1.28

有货

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型号：AO4480 编号：C454185

封装：SOIC-8

品牌：AOS

数据手册

1+
￥2.75
10+
￥2.2
30+
￥1.96
100+
￥1.67
500+
￥1.42
1000+
￥1.34

有货

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型号：SI4401DDY-T1-GE3 编号：C72317

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-40V,-16.1A,0.015Ω@-10V

数据手册

1+
￥2.86
10+
￥2.25
30+
￥2
100+
￥1.68
500+
￥1.53
1000+
￥1.45

有货

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型号：PMV60ENEAR 编号：C547263

封装：SOT-23

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

1+
￥3.39
10+
￥2.74
30+
￥2.42
100+
￥2.037 ￥2.1
500+
￥1.843 ￥1.9
1000+
￥1.7557 ￥1.81

有货

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型号：WSD60N10GDN56 编号：C719101

封装：DFN5x6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD60N10GDN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD60N10GDN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过全面的功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥3.474 ￥3.86
10+
￥2.826 ￥3.14
30+
￥2.547 ￥2.83
100+
￥2.196 ￥2.44
500+
￥1.638 ￥1.82
1000+
￥1.548 ￥1.72

有货

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型号：IRF7342TRPBF 编号：C41811

封装：SO-8

P沟道,-50V,-3.4A,170mΩ@4.5V

数据手册

1+
￥3.63
10+
￥2.92
30+
￥2.61
100+
￥2.1185 ￥2.23
500+
￥1.729 ￥1.82
1000+
￥1.634 ￥1.72

有货

立即购买

型号：IRF5305PBF 编号：C2623

封装：TO-220AB