mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：PMV250EPEAR 编号：C477997

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

1+
￥2.82
10+
￥2.26
30+
￥2.01
100+
￥1.71
500+
￥1.58
1000+
￥1.5

有货

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型号：PMV65XPEAR 编号：C2889116

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23(TO 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装

数据手册

1+
￥2.4
10+
￥1.88
30+
￥1.65
100+
￥1.37
500+
￥1.25
1000+
￥1.14

有货

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型号：SI2319CDS-T1-GE3 编号：C146287

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-40V,-4.4A,0.077Ω@-10V

数据手册

5+
￥2.5115
50+
￥2.0323
150+
￥1.827
500+
￥1.4291
3000+
￥1.315
6000+
￥1.2466

有货

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型号：HSBB6115 编号：C845604

封装：PRPAK3x3-8L

品牌：HUASHUO(华朔)

HSBB6115 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBB6115 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥2.75
10+
￥2.17
30+
￥1.91
100+
￥1.6
500+
￥1.33
1000+
￥1.25

有货

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型号：IRF7342TRPBF 编号：C5197322

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：负载/电源开关。接口。开关逻辑电平转换

数据手册

1+
￥2.84
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￥2.23
30+
￥1.97
100+
￥1.64
500+
￥1.42
1000+
￥1.34

有货

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型号：HB04N040S 编号：C49423979

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 40V。ID = 100A。RDS(on)@VGS = 10V < 4mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 6mΩ。雪崩能量测试。快速开关速度。应用：电源开关应用。负载开关

1+
￥2.92
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￥2.31
30+
￥2.05
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￥1.73
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￥1.59
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￥1.5

有货

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型号：SI7115DN 编号：C22435138

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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￥3.1065 ￥3.27
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￥2.489 ￥2.62
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￥2.185 ￥2.3
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￥1.881 ￥1.98
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￥1.691 ￥1.78
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￥1.596 ￥1.68

有货

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型号：NTD2955T4G 编号：C5246441

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

NTD2955T4G Pin to PIN 标准参数Vth:3.0

数据手册

1+
￥3.12
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￥2.46
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￥2.17
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￥1.82
500+
￥1.58
1000+
￥1.48

有货

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型号：PMV40UN2R 编号：C179442

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装

数据手册

1+
￥3.25
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￥2.68
30+
￥2.44
100+
￥2.13
500+
￥2
1000+
￥1.83

有货

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型号：WSD60N10GDN56 编号：C719101

封装：DFN5x6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD60N10GDN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD60N10GDN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过全面的功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥3.474 ￥3.86
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￥2.826 ￥3.14
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￥2.547 ￥2.83
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￥2.196 ￥2.44
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￥1.638 ￥1.82
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￥1.548 ￥1.72

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型号：CSD19538Q3A 编号：C478471

封装：VSONP-8(3.3x3.3)

品牌：TI(德州仪器)

CSD19538Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥3.48
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￥2.79
30+
￥2.49
100+
￥2.12
500+
￥1.96
1000+
￥1.86

有货

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型号：HD506N032SG 编号：C52766425

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：R+O(宏嘉诚)

1+
￥3.71
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￥3.01
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￥2.66
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￥2.32
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￥2.11
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￥2

有货

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型号：HD503N110D 编号：C51883846

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 30V。 ID = 80A。 RDS(on)@VGS = 10V < 5mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6mΩ。沟槽技术功率MOSFET。低栅极电阻。应用：功率开关应用。硬开关和高频电路

1+
￥4.35
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￥3.53
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￥3.12
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￥2.71
500+
￥2.47
1000+
￥2.35

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型号：IRF2807PBF 编号：C2560

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,75A,13mΩ@10V

数据手册

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￥4.79
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￥3.93
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￥3.22
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￥2.79
500+
￥2.54
1000+
￥2.4

有货

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型号：HK04N010SG 编号：C50132386

封装：TOLL

品牌：R+O(宏嘉诚)

1+
￥5.27
10+
￥4.27
30+
￥3.78
100+
￥3.29
500+
￥2.99
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￥2.84

有货

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型号：NTMFS5C612NLT1G 编号：C348543

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，60V，196A，1.5mΩ，单 N 沟道

数据手册

1+
￥5.32
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￥4.22
30+
￥3.67
100+
￥3.13
500+
￥2.8
1500+
￥2.63

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型号：TK10A80E,S4X(S 编号：C5379814

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 Ω（典型值）。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 640 V)。增强模式：Vtch = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥5.38
10+
￥4.31
50+
￥3.77
100+
￥3.23
500+
￥2.91
1000+
￥2.75

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型号：IRF9540NSTRLPBF 编号：C33903

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V

数据手册

1+
￥5.59
10+
￥4.65
30+
￥4.19
100+
￥3.72
500+
￥3.45
800+
￥3.3

有货

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型号：STP110N8F6 编号：C81146

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,80V,110A,6.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.02
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￥5.16
50+
￥4.48
100+
￥4.05
500+
￥3.8
1000+
￥3.66

有货

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型号：BSC160N10NS3G 编号：C148261

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,8.8A,16mΩ@10V

数据手册

1+
￥8.61
10+
￥7.19
30+
￥6.4
100+
￥5.51
500+
￥4.53
1000+
￥4.35

有货

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型号：SP60P03GHTO 编号：C42372352

封装：TOLL-8L

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品，P沟道，耐压：-60V，电流：-140A,Rdson：3.1mR

1+
￥10
10+
￥8.41
30+
￥7.42
100+
￥6.41
500+
￥6.32
1000+
￥6.12

有货

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型号：TK100E08N1,S1X(S 编号：C396033

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.6 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 80 V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥10.08
10+
￥8.71
50+
￥7.96
100+
￥7.11
500+
￥6.74
1000+
￥6.57

有货

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型号：AGM015N10LL 编号：C5297508

封装：TOLL-8L

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM015N10LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

1+
￥10.62 ￥11.8
10+
￥9.018 ￥10.02
30+
￥8.019 ￥8.91
100+
￥6.561 ￥7.29
500+
￥6.102 ￥6.78
1000+
￥5.895 ￥6.55

有货

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型号：NCEP016N85LL 编号：C2686653

封装：TOLL

品牌：NCE(无锡新洁能)

该系列器件采用超级沟槽 II 技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg 的组合，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

数据手册

1+
￥14.14
10+
￥11.79
30+
￥10.31
100+
￥8.8
500+
￥8.12
1000+
￥7.82

有货

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型号：2N7002K 编号：C5278865

封装：SOT-23

品牌：PAKER(派克微)

特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。5V逻辑电平控制。HMB ESD保护2KV。应用：电池保护和负载开关。电压调节器模块

50+
￥0.04614 ￥0.0769
500+
￥0.04008 ￥0.0668
3000+
￥0.03672 ￥0.0612
6000+
￥0.03468 ￥0.0578
24000+
￥0.03294 ￥0.0549
51000+
￥0.03198 ￥0.0533

有货

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型号：2N7002KX 编号：C3038094

封装：SOT-23

品牌：晶扬电子

MOSFET，小信号，SOT-23

数据手册

20+
￥0.0619
200+
￥0.0533
600+
￥0.0486
3000+
￥0.0441
9000+
￥0.0417
21000+
￥0.0403

有货

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型号：BSS138 编号：C2874697

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。

数据手册

50+
￥0.06256 ￥0.0782
500+
￥0.0492 ￥0.0615
3000+
￥0.03848 ￥0.0481
6000+
￥0.03408 ￥0.0426
24000+
￥0.03016 ￥0.0377
45000+
￥0.02808 ￥0.0351

有货

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型号：BSS138 编号：C5190146

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：低导通电阻。低栅极阈值电压。快速开关速度。低输入/输出泄漏。超小型表面贴装封装

数据手册

50+
￥0.103265 ￥0.1087
500+
￥0.08018 ￥0.0844
3000+
￥0.071535 ￥0.0753
6000+
￥0.06384 ￥0.0672
24000+
￥0.05719 ￥0.0602
51000+
￥0.05358 ￥0.0564

有货

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型号：SI2302S 编号：C427388

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

特性：先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻

数据手册

50+
￥0.114336 ￥0.1191
500+
￥0.094272 ￥0.0982
3000+
￥0.07152 ￥0.0745
6000+
￥0.0648 ￥0.0675
24000+
￥0.05904 ￥0.0615
51000+
￥0.055872 ￥0.0582

有货

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型号：SI2302S 编号：C431493

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：低导通电阻（RDS(ON)），在VGS = 4.5V-3.3V逻辑电平控制下。 N沟道SOT23封装。无铅，符合RoHS标准。应用：负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

20+
￥0.1276
200+
￥0.1114
600+
￥0.1024
3000+
￥0.0829
9000+
￥0.0782
21000+
￥0.0757

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