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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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1个P沟道 耐压:60V 电流:2A
型号：SI2309 编号：C431496
封装：SOT-23-3L
品牌：BORN(伯恩半导体)
先进的沟槽工艺技术，高密度单元设计，实现超低导通电阻，采用SOT-23-3L表面贴装封装。
数据手册

  • 10+

    ￥0.4471

  • 100+

    ￥0.3679

  • 300+

    ￥0.3283

  • 3000+

    ￥0.2205

  • 6000+

    ￥0.1967

  • 9000+

    ￥0.1848
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:2.5A
    型号：FSS2302S 编号：C2926140
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0721

    • 500+

      ￥0.057

    • 3000+

      ￥0.0449

    • 6000+

      ￥0.0398

    • 24000+

      ￥0.0354

    • 51000+

      ￥0.0331
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
    型号：DO3400D 编号：C41384542
    封装：SOT-23
    品牌：DOINGTER(杜因特)
    N管/30V/5A/30mΩ/(典型25mΩ)

    • 50+

      ￥0.1033

    • 500+

      ￥0.0801

    • 3000+

      ￥0.0672

    • 6000+

      ￥0.0595

    • 24000+

      ￥0.0528

    • 51000+

      ￥0.0492
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:50V 电流:360mA
    型号：BSS138BK 编号：C18212667
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    场效应管(MOSFET)

    • 50+

      ￥0.1177

    • 500+

      ￥0.0907

    • 3000+

      ￥0.0757

    • 6000+

      ￥0.0667

    • 24000+

      ￥0.0589

    • 51000+

      ￥0.0547
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:50V 电流:360mA
    型号：BSS138PW 编号：C18212688
    封装：SOT-323
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    场效应管(MOSFET)

    • 50+

      ￥0.1222

    • 500+

      ￥0.0952

    • 3000+

      ￥0.0802

    • 6000+

      ￥0.0712

    • 24000+

      ￥0.0634

    • 51000+

      ￥0.0592
  • 有货
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    P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401-TD 编号：C42421810
    封装：SOT-23
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，可承载3A电流。具备低导通电阻与快速开关特性，应用于充电器、电源转换等场合，提供高效能、稳定可靠的功率控制方案，是各类电子设备的理想选择。

    • 20+

      ￥0.1372

    • 200+

      ￥0.1083

    • 600+

      ￥0.0922

    • 3000+

      ￥0.0826

    • 9000+

      ￥0.0742

    • 21000+

      ￥0.0697
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
    型号：AO3401 编号：C6575062
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用：笔记本电脑电源管理。 开关应用

    • 20+

      ￥0.1694

    • 200+

      ￥0.1332

    • 600+

      ￥0.1131

    • 3000+

      ￥0.096

    • 9000+

      ￥0.0856

    • 21000+

      ￥0.0799
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A
    型号：SI2304A 编号：C2681217
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2042

    • 200+

      ￥0.1521

    • 600+

      ￥0.1232

    • 3000+

      ￥0.1131

    • 9000+

      ￥0.0981

    • 21000+

      ￥0.09
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
    型号：FSS2305 编号：C2926136
    封装：SOT-23-3L
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2058

    • 200+

      ￥0.16

    • 600+

      ￥0.1346

    • 3000+

      ￥0.1193

    • 9000+

      ￥0.1061

    • 21000+

      ￥0.099
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
    型号：AO3401 编号：C2985640
    封装：SOT-23
    品牌：KUU
    特性：TrenchFET功率MOSFET。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2167

    • 100+

      ￥0.1681

    • 300+

      ￥0.1411

    • 3000+

      ￥0.121

    • 6000+

      ￥0.107

    • 9000+

      ￥0.0994
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：KSI2305CDS-T1-GE3 编号：C2891686
    封装：SOT-23
    品牌：KUU
    特性：TrenchFET Power MOSFET。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2249

    • 200+

      ￥0.1787

    • 600+

      ￥0.153

    • 3000+

      ￥0.1232

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    • 21000+

      ￥0.1027
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:50V 电流:130mA
    型号：BSS84-7-F 编号：C85202
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2328

    • 200+

      ￥0.1826

    • 600+

      ￥0.1546

    • 3000+

      ￥0.1379

    • 9000+

      ￥0.1233

    • 21000+

      ￥0.1155
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：CJ3402 编号：C59515
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,30V,4A,55mΩ@10V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2509

    • 200+

      ￥0.2022

    • 600+

      ￥0.1751

    • 3000+

      ￥0.1408

    • 9000+

      ￥0.1267
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401A 编号：C700954
    封装：SOT-23
    品牌：HUASHUO(华朔)
    AO3401A是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。AO3401A符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2516

    • 200+

      ￥0.1997

    • 600+

      ￥0.1738

    • 3000+

      ￥0.1354

    • 9000+

      ￥0.1198

    • 21000+

      ￥0.112
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:60V 电流:0.23A
    型号：2N7002DW-7-F 编号：C83571
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET的设计旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2877

    • 100+

      ￥0.2303

    • 300+

      ￥0.2016

    • 3000+

      ￥0.1801

    • 6000+

      ￥0.1629

    • 9000+

      ￥0.1543
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
    型号：AP5N10S 编号：C2849571
    封装：SOT-23-3L
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    AP5N10S采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景，具备静电放电（ESD）保护功能。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2973

    • 100+

      ￥0.2349

    • 300+

      ￥0.2037

    • 3000+

      ￥0.1803

    • 6000+

      ￥0.1615

    • 9000+

      ￥0.1522
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
    型号：DOZ30N03 编号：C36499164
    封装：DFN3x3-8
    品牌：DOINGTER(杜因特)
    N管/30V/30A/13mΩ(典型9mΩ)

    • 10+

      ￥0.3865

    • 100+

      ￥0.3078

    • 300+

      ￥0.2684

    • 1000+

      ￥0.2389

    • 5000+

      ￥0.2153

    • 10000+

      ￥0.2035
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:3A
    型号：SI2306BDS 编号：C19829417
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 30V，ID = 3A。 RDS(ON) < 95mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 75mΩ @ VGS = 10V。应用：负载开关。 PWM应用

    • 10+

      ￥0.424935 ￥0.4473

    • 100+

      ￥0.333735 ￥0.3513

    • 300+

      ￥0.288135 ￥0.3033

    • 3000+

      ￥0.253935 ￥0.2673

    • 6000+

      ￥0.226575 ￥0.2385

    • 9000+

      ￥0.2128 ￥0.224
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:20V 电流:6.5A
    型号：AO3416 编号：C5123927
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4394

    • 50+

      ￥0.3813

    • 150+

      ￥0.3522

    • 500+

      ￥0.3304

    • 3000+

      ￥0.3021

    • 6000+

      ￥0.2934
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:2.7A
    型号：SI2303CDS-T1-GE3 编号：C10489
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VISHAY(威世)
    P沟道,-30V,-2.7A,190mΩ@-10V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4693

    • 100+

      ￥0.3747

    • 300+

      ￥0.3275

    • 3000+

      ￥0.2789

    • 6000+

      ￥0.2506

    • 9000+

      ￥0.2364
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:3A
    型号：TPZXMP3A13FTA 编号：C5182053
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4708

    • 100+

      ￥0.3748

    • 300+

      ￥0.3268

    • 3000+

      ￥0.2583

    • 6000+

      ￥0.2295

    • 9000+

      ￥0.215
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 耐压:20V 电流:5A
    型号：DMG2305UX-13 编号：C144153
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4997

    • 50+

      ￥0.4016

    • 150+

      ￥0.3526

    • 500+

      ￥0.3158

    • 2500+

      ￥0.2864

    • 5000+

      ￥0.2637
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:8V 电流:5.8A
    型号：SI2305CDS-T1-GE3 编号：C37577
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    P沟道,-8V,-5.8A,35mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5076

    • 50+

      ￥0.3989

    • 150+

      ￥0.3446

    • 500+

      ￥0.3038

    • 3000+

      ￥0.2609

    • 6000+

      ￥0.2446
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:20V 电流:2.8A
    型号：FDC6327C 编号：C5182064
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：DC-DC转换器。负载开关。电源管理
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5574

    • 50+

      ￥0.4914

    • 150+

      ￥0.4583

    • 500+

      ￥0.4336

    • 3000+

      ￥0.3598

    • 6000+

      ￥0.3499
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:2.9A
    型号：SI2302DDS-T1-GE3 编号：C194092
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤产品。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100%进行 Rg 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC 转换器
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5604

    • 50+

      ￥0.4476

    • 150+

      ￥0.3912

    • 500+

      ￥0.3489

    • 3000+

      ￥0.2742

    • 6000+

      ￥0.2573
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
    型号：15N10 编号：C5807889
    封装：TO-252
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个N沟道 耐压:100V 电流:15A适用于电源开关和信号控制

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      ￥0.5612 ￥0.7015

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    耐压:100V 电流:3.5A
    型号：IRLML0100TRPBF 编号：C5122026
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 100V, ID = 3.5A。 RDS(ON) < 130mΩ @ VGS = 10V (96mΩ Typ)。 RDS(ON) < 180mΩ @ VGS = 4.5V (140mΩ Typ)。应用：负载/电源开关。 接口开关
    数据手册

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      ￥0.627

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    2个N沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：NTGD3148NT1G 编号：C5123953
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：笔记本电脑。负载开关。网络。手持仪器
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:40V 电流:30A
    型号：40P30 编号：C7499852
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)
    40P30是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40P30符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。

    • 5+

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    1个P沟道 耐压:60V 电流:1.6A
    型号：SI2309CDS-T1-GE3 编号：C10493
    封装：SOT-23-3
    品牌：VISHAY(威世)
    P沟道,-60V,-1.6A,345mΩ@-10V
    数据手册

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