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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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描述
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耐压:30V 电流:15A
型号：AO4407 编号：C5370947
封装：SOP-8
品牌：TECH PUBLIC(台舟)
特性：VDS = -30V。 ID = -60A。 RDS(ON) < 11mΩ @ VGS = 10V。应用：Load/Power Switching。 Interfacing
数据手册

  • 5+

    ￥0.8897

  • 50+

    ￥0.708

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    ￥0.6171

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    ￥0.4671
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:9A
    型号：SSM3K341R,LF 编号：C2932178
    封装：SOT-23F
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AFC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 28 mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 36 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 43 mΩ（典型值）(@VGS = 4V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1265

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    • 6000+

      ￥0.5358
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    1个P沟道 耐压:200V 电流:12A
    型号：AGM500P20D 编号：C17701063
    封装：TO-252
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM500P20D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 5+

      ￥1.1978

    • 50+

      ￥1.0509

    • 150+

      ￥0.9879

    • 500+

      ￥0.9093

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    • 5000+

      ￥0.7766
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:310mA
    型号：2N7002BKW,115 编号：C455035
    封装：SC-70
    品牌：Nexperia(安世)
    N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT323 (SC- 70) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2297

    • 50+

      ￥1.0608

    • 150+

      ￥0.9764

    • 500+

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    • 6000+

      ￥0.8058
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
    型号：AONR21357-ES 编号：C22379638
    封装：PDFN3x3-8L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-30V，-50A，5.8mΩ@-10.0V,-20A，-2.5V@-250μA；应用领域：锂电池保护板、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

    • 5+

      ￥1.2762

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      ￥0.9814

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      ￥0.855

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      ￥0.585
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    HD503N080SG
    型号：HD503N080SG 编号：C52766421
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 5+

      ￥1.3093

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      ￥1.0371

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    2个P沟道 耐压:30V 电流:8.9A
    型号：WSP4807 编号：C148417
    封装：SOP-8
    品牌：WINSOK(微硕)
    特性：30V/-8.9A。 RDS(ON) = 21mΩ (max.) @ VGS = -10V。 RDS(ON) = 32mΩ (max.) @ VGS = -4.5V。 可靠耐用。 提供无铅和环保设备（符合 RoHS 标准）。应用：笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理
    数据手册

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      ￥1.3615

    • 50+

      ￥1.0843

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5A
    型号：WSE3099 编号：C148359
    封装：SOT-89
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSP3099是一款高性能沟槽型P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WSP3099符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.394

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    P沟道MOSFET
    型号：HP803P300S 编号：C49256765
    封装：SOP-8
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -30V。 ID = -9.1A。 RDS(on)@VGS = -10V < 24mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 35mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用：便携式设备的负载开关。 电池开关

    • 5+

      ￥1.5032

    • 50+

      ￥1.1908

    • 150+

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    • 500+

      ￥0.8897

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      ￥0.8153

    • 4000+

      ￥0.7707
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    耐压:40V 电流:53A
    型号：AOD4184A 编号：C5370959
    封装：TO-252-3L
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：Vds = 60V。 ID = 53A。 Rds(ON) 12mΩ，Vgs = 10V。 Rds(ON) 17mΩ，Vgs = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用
    数据手册

    • 5+

      ￥1.5353

    • 50+

      ￥1.1875

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    • 500+

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    • 5000+

      ￥0.72
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    耐压:60V 电流:4.5A
    型号：BSP318S 编号：C7472941
    封装：SOT-223
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：60V, 4A, RDS(ON) = 85 mΩ @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 4 V。 高密单元设计，实现极低的RDS(ON)。 坚固可靠。 获得无铅产品认证。 SOT-223封装。应用：负载/电源开关。 接口

    • 5+

      ￥1.612

    • 50+

      ￥1.2592

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      ￥1.108

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    • 5000+

      ￥0.785
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    耐压:60V 电流:4A
    型号：NTF3055L108T1G 编号：C7472933
    封装：SOT-223
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：60V, 4A, RDS(ON) = 85 mΩ @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 4.5 V。 高密单元设计，实现极低的RDS(ON)。 坚固可靠。 获得无铅产品认证。 SOT-223封装。应用：负载/电源开关。 接口

    • 5+

      ￥1.6455

    • 50+

      ￥1.2914

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    • 5000+

      ￥0.8152
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:50V 电流:130mA
    型号：BSS84,215 编号：C493579
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    P- 通道增强模式垂直扩散金属氧化物半导体（DMOS）晶体管，采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.7032

    • 50+

      ￥1.3202

    • 150+

      ￥1.1561

    • 500+

      ￥0.9513

    • 3000+

      ￥0.8602

    • 6000+

      ￥0.8054
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
    型号：IRF540NPBF-JSM 编号：C18187910
    封装：TO-220
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。

    • 5+

      ￥1.7344 ￥2.168

    • 50+

      ￥1.342 ￥1.6775

    • 150+

      ￥1.19512 ￥1.4939

    • 500+

      ￥1.01184 ￥1.2648

    • 2500+

      ￥0.93024 ￥1.1628

    • 5000+

      ￥0.88128 ￥1.1016
  • 有货
    • 立即购买
    60V 12A
    型号：HB06N750S 编号：C49423980
    封装：TO-252
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 60 V。 ID = 12 A。 RDS(on)@VGS = 10 V < 75 mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5 V < 90 mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用：电源开关应用。 负载开关

    • 5+

      ￥1.736

    • 50+

      ￥1.3751

    • 150+

      ￥1.2205

    • 500+

      ￥1.0275

    • 2500+

      ￥0.9416

    • 5000+

      ￥0.89
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A
    型号：SI2300DS-T1-GE3 编号：C72271
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    N沟道,30V,3.6A,68mΩ@4.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.7487

    • 50+

      ￥1.3707

    • 150+

      ￥1.2087

    • 500+

      ￥1.0065

    • 3000+

      ￥0.9165

    • 6000+

      ￥0.8625
  • 有货
    • 立即购买
    30V 12A
    型号：HP803P140S 编号：C49423982
    封装：SOP-8
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -30 V。 ID = -12 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 12 mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5 V < 15 mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用：便携式设备的负载开关。 电源开关应用

    • 5+

      ￥1.8184

    • 50+

      ￥1.4404

    • 150+

      ￥1.2784

    • 500+

      ￥1.0763

    • 2500+

      ￥0.9863

    • 4000+

      ￥0.9323
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道MOSFET
    型号：HB04P950S 编号：C49256763
    封装：TO-252
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -40V。 I0 = -10A。 RDS(on) @ VGS = -10V < 85mΩ。 RDS(on) @ VGS = -4.5V < 126mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用：DC-DC转换器。 负载开关

    • 5+

      ￥1.8184

    • 50+

      ￥1.4404

    • 150+

      ￥1.2784

    • 500+

      ￥1.0763

    • 2500+

      ￥0.9863

    • 5000+

      ￥0.9323
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:20A
    型号：NTD5867NLT4G 编号：C5350885
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 60V, ID = 20A。 RDS(ON) < 33mΩ @ VGS = 10V。应用：负载/电源开关。 接口开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.9013

    • 50+

      ￥1.485

    • 150+

      ￥1.3065

    • 500+

      ￥1.0839

    • 2500+

      ￥0.9848

    • 5000+

      ￥0.9253
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：2N7002BKS,115 编号：C68181
    封装：SOT-363(SC-88)
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道,60V,300mA,1.6Ω@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥1.9126 ￥2.62

    • 10+

      ￥1.3041 ￥2.07

    • 30+

      ￥0.9699 ￥1.83

    • 100+

      ￥0.8162 ￥1.54

    • 500+

      ￥0.742 ￥1.4

    • 1000+

      ￥0.6996 ￥1.32
  • 有货
    • 立即购买
    HD303N110DG
    型号：HD303N110DG 编号：C52766430
    封装：PDFN-8(3x3)
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 5+

      ￥1.9639

    • 50+

      ￥1.5556

    • 150+

      ￥1.3807

    • 500+

      ￥1.1624

    • 2500+

      ￥1.0652

    • 5000+

      ￥1.0069
  • 有货
    • 立即购买
    HD303P180S
    型号：HD303P180S 编号：C49423976
    封装：PDFN-8(3x3)
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 5+

      ￥2.0003

    • 50+

      ￥1.5845

    • 150+

      ￥1.4063

    • 500+

      ￥1.1839

    • 2500+

      ￥1.0849

    • 5000+

      ￥1.0255
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:34A
    型号：AONR21357 编号：C431196
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：AOS
    P沟道
    数据手册

    • 5+

      ￥2.054

    • 50+

      ￥1.6179

    • 150+

      ￥1.431

    • 500+

      ￥1.0921

    • 2500+

      ￥0.9882

    • 5000+

      ￥0.9259
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:100V 电流:18A
    型号：NCE01P18K 编号：C115990
    封装：TO-252-2L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    P沟道,-100V,-18A,100mΩ@-10V
    数据手册

    • 5+

      ￥2.0725

    • 50+

      ￥1.5937

    • 150+

      ￥1.3885

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      ￥1.1325

    • 2500+

      ￥1.0185

    • 5000+

      ￥0.95
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    耐压:60V 电流:25A
    型号：AOD409 编号：C5182105
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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      ￥2.1289

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    P沟道MOSFET
    型号：HP804P220S 编号：C49256767
    封装：SOP-8
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -40V。 ID = -13A。 RDS(on) @ VGS = -10V < 15mΩ。 RDS(on) @ VGS = -4.5V < 22mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路

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    1个N沟道 耐压:85V 电流:120A
    型号：CRSS052N08N 编号：C410924
    封装：TO-263
    品牌：CRMICRO(华润微)
    特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:9.3A
    型号：IRF630NPBF 编号：C2567
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,200V,9.3A,300mΩ@10V
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:35A
    型号：DMP3013SFV-7 编号：C264098
    封装：PowerDI3333-8
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
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    1个N沟道 耐压:150V 电流:20A
    型号：NCEP1520K 编号：C341717
    封装：TO-252-2L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    NCEP1520K采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
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