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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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台积电流片,长电科技封装;是一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于广泛的领域和模块,包括电源管理、电路保护、低功耗应用、传感器接口和医疗电子等领域。SOT23;P—Channel沟道,-60V;-5.2A;RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;
数据手册
  • 5+

    ¥1.653475 ¥1.7405
  • 50+

    ¥1.299125 ¥1.3675
  • 150+

    ¥1.147315 ¥1.2077
  • 500+

    ¥0.95779 ¥1.0082
  • 3000+

    ¥0.845025 ¥0.8895
  • 6000+

    ¥0.79439 ¥0.8362
  • 有货
  • P沟道,-30V,-3A,98mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7692
    • 50+

      ¥0.6112
    • 150+

      ¥0.5322
    • 500+

      ¥0.44935 ¥0.473
    • 3000+

      ¥0.40432 ¥0.4256
    • 6000+

      ¥0.381805 ¥0.4019
  • 有货
  • MOS(场效应管)
    • 5+

      ¥0.789
    • 50+

      ¥0.6215
    • 150+

      ¥0.5378
    • 500+

      ¥0.475
    • 3000+

      ¥0.4247
    • 6000+

      ¥0.3996
  • 有货
  • WSP4606是高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSP4606符合RoHS标准和绿色产品要求,100%通过了雪崩能量耐量(EAS)测试,并经过了全面的可靠性验证。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8208
    • 50+

      ¥0.7263
    • 150+

      ¥0.6858
    • 500+

      ¥0.6352
    • 3000+

      ¥0.5473
    • 6000+

      ¥0.5338
  • 有货
  • 应用:负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换
    数据手册
    • 5+

      ¥0.822
    • 50+

      ¥0.6565
    • 150+

      ¥0.5737
    • 500+

      ¥0.5116
    • 3000+

      ¥0.4318
    • 6000+

      ¥0.407
  • 有货
  • 采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8221
    • 50+

      ¥0.6506
    • 150+

      ¥0.5648
    • 500+

      ¥0.5005
    • 3000+

      ¥0.4261
    • 6000+

      ¥0.4003
  • 有货
  • 采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用SOT323(SC - 70)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.916
    • 50+

      ¥0.7262
    • 150+

      ¥0.6312
    • 500+

      ¥0.543297 ¥0.5601
    • 3000+

      ¥0.488007 ¥0.5031
    • 6000+

      ¥0.460362 ¥0.4746
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1393
    • 50+

      ¥0.8898
    • 150+

      ¥0.7829
    • 500+

      ¥0.6495
    • 3000+

      ¥0.5901
    • 6000+

      ¥0.5544
  • 有货
  • N沟 20V 6A
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1424
    • 50+

      ¥0.9267
    • 150+

      ¥0.8343
    • 500+

      ¥0.704522 ¥0.7189
    • 3000+

      ¥0.57673 ¥0.5885
    • 6000+

      ¥0.546546 ¥0.5577
  • 有货
    • 5+

      ¥1.2226
    • 50+

      ¥0.9497
    • 150+

      ¥0.8327
    • 500+

      ¥0.6867
    • 2500+

      ¥0.6218
    • 5000+

      ¥0.5828
  • 有货
  • 特性:VDS =-30V, ID =-12A。 RD(S(ON))(Typ.) 9.5mΩ @ VGS =-10V。 RD(S(ON))(Typ.) 14mΩ @ VGS =-4.5V。应用:PWM应用。 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2731
    • 50+

      ¥1.1113
    • 150+

      ¥1.042
    • 500+

      ¥0.9554
    • 3000+

      ¥0.9169
    • 6000+

      ¥0.8938
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用:DC/DC转换。 笔记本系统电源
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3734
    • 50+

      ¥1.0965
    • 150+

      ¥0.9778
    • 500+

      ¥0.8297
    • 2500+

      ¥0.7045
    • 5000+

      ¥0.6649
  • 有货
  • WSP3099是一款高性能沟槽型P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷。WSP3099符合RoHS标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.394
    • 50+

      ¥1.1017
    • 150+

      ¥0.9764
    • 1000+

      ¥0.8051
    • 2000+

      ¥0.7355
    • 5000+

      ¥0.6937
  • 有货
  • AOD407采用先进的沟槽技术,可实现出色的 $\mathsf{R}_{\mathsf{DS}(\mathsf{ON})}$、低栅极电荷和低栅极电阻。凭借DPAK封装出色的热阻特性,该器件非常适合大电流负载应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4064
    • 50+

      ¥1.2481
    • 150+

      ¥1.1803
    • 500+

      ¥1.0957
    • 2500+

      ¥0.942
    • 5000+

      ¥0.9193
  • 有货
  • 特性:30V。 -30A。 RDS(ON) = 32mΩ @VGS=-12V。 RDS(ON) = 50mΩ @VGS=-4.5V。应用:负载电源开关。 接口开关
    • 5+

      ¥1.4738
    • 50+

      ¥1.141
    • 150+

      ¥0.9983
    • 500+

      ¥0.8203
    • 2500+

      ¥0.7411
    • 5000+

      ¥0.6935
  • 有货
  • 特性:60V,4A,RDS(ON) = 85 mΩ @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 4 V。 高密单元设计,实现极低的RDS(ON)。 坚固可靠。 符合无铅产品要求。 SOT-223封装。应用:负载/电源开关。 接口
    • 5+

      ¥1.4813
    • 50+

      ¥1.1335
    • 150+

      ¥0.9845
    • 500+

      ¥0.7985
    • 2500+

      ¥0.7157
    • 5000+

      ¥0.666
  • 有货
  • P沟道,-40V,-10A,15mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0091
    • 50+

      ¥1.5874
    • 150+

      ¥1.4067
    • 500+

      ¥1.1813
    • 3000+

      ¥1.0809
    • 6000+

      ¥1.0207
  • 有货
  • P沟道,60V,25A.
    数据手册
    • 1+

      ¥2.0725
    • 10+

      ¥1.5937
    • 30+

      ¥1.3885
    • 100+

      ¥1.1325
    • 500+

      ¥1.0185
    • 1000+

      ¥0.95
  • 有货
  • N沟道,30V,18A,4.8mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0743
    • 50+

      ¥1.6374
    • 150+

      ¥1.4501
    • 500+

      ¥1.155675 ¥1.2165
    • 2500+

      ¥1.056875 ¥1.1125
    • 4000+

      ¥0.997595 ¥1.0501
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=-60V。 RDS(ON)<15mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON)<20mΩ(VGS =-4.5V)。应用:负载开关
    • 5+

      ¥2.1645
    • 50+

      ¥1.6909
    • 150+

      ¥1.488
    • 500+

      ¥1.2347
    • 2500+

      ¥1.122
    • 5000+

      ¥1.0543
  • 有货
  • N沟道,100V,17A,90mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3073
    • 50+

      ¥1.7953
    • 150+

      ¥1.5919
    • 500+

      ¥1.27129 ¥1.3382
    • 2000+

      ¥1.16394 ¥1.2252
    • 5000+

      ¥1.09953 ¥1.1574
  • 有货
  • 特性:分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:DC-DC转换器。 电源管理功能
    • 1+

      ¥2.403 ¥2.67
    • 10+

      ¥1.908 ¥2.12
    • 30+

      ¥1.692 ¥1.88
    • 100+

      ¥1.422 ¥1.58
    • 500+

      ¥1.305 ¥1.45
    • 1000+

      ¥1.233 ¥1.37
  • 有货
  • P沟道,-30V,-70A,8mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.48
    • 10+

      ¥1.96
    • 30+

      ¥1.74
    • 100+

      ¥1.46
    • 500+

      ¥1.18
    • 1000+

      ¥1.11
  • 有货
  • WSD4098DN56是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSD4098DN56符合RoHS标准和绿色产品要求,100%通过全功能可靠性认证,确保产品质量。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.75
    • 10+

      ¥2.22
    • 30+

      ¥2
    • 100+

      ¥1.71
    • 500+

      ¥1.33
    • 1000+

      ¥1.25
  • 有货
  • 特性:TrenchFET Gen II p- 沟道功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用:适配器开关。 电池开关
    数据手册
    • 1+

      ¥2.89
    • 10+

      ¥2.28
    • 30+

      ¥2.02
    • 100+

      ¥1.7
    • 500+

      ¥1.56
    • 1000+

      ¥1.47
  • 有货
  • N沟道,80V,100A,5.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.24
    • 10+

      ¥3.5
    • 30+

      ¥3.13
    • 100+

      ¥2.622 ¥2.76
    • 500+

      ¥2.147 ¥2.26
    • 1000+

      ¥2.0425 ¥2.15
  • 有货
  • N沟道增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。该先进技术经过专门定制,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.79
    • 10+

      ¥3.93
    • 30+

      ¥3.5
    • 100+

      ¥3.07
    • 500+

      ¥2.81
    • 1000+

      ¥2.68
  • 有货
    • 1+

      ¥7.26
    • 10+

      ¥6.04
    • 30+

      ¥5.38
    • 100+

      ¥4.63
    • 500+

      ¥4.29
    • 1000+

      ¥4.14
  • 有货
  • P沟道,-200V,-12A,500mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.77
    • 10+

      ¥7.19
    • 25+

      ¥6.26
    • 100+

      ¥5.28
    • 500+

      ¥4.85
    • 1000+

      ¥4.65
  • 有货
  • N沟道,500V,20A,270mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥17.34
    • 10+

      ¥14.93
    • 30+

      ¥12.23
    • 100+

      ¥10.69
    • 500+

      ¥9.99
    • 1000+

      ¥9.69
  • 有货
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