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1个N沟道 耐压:60V 电流:0.32A
型号：TPM7002DFN3 编号：C521982
封装：DFN1006-3L
品牌：TECH PUBLIC(台舟)
特性：VDS 60V。ID 340mA。RDS(ON) (at VGS=10V) <2.5ohm。RDS(ON) (at VGS=4.5V) <3.0ohm。应用：负载/电源开关。接口开关
数据手册

  • 20+

    ￥0.231

  • 200+

    ￥0.1851

  • 600+

    ￥0.1596

  • 2000+

    ￥0.1443

  • 10000+

    ￥0.1177

  • 20000+

    ￥0.1105
  • 有货
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    N沟道 耐压:20V 电流:0.95A
    型号：WNM2030 编号：C3011190
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2315

    • 200+

      ￥0.1781

    • 600+

      ￥0.1484

    • 2000+

      ￥0.1306

    • 8000+

      ￥0.1188

    • 16000+

      ￥0.1105
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:4.2A
    型号：IRLML2502TR(UMW) 编号：C347503
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷。该器件适用于用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2331

    • 200+

      ￥0.1761

    • 600+

      ￥0.1444

    • 3000+

      ￥0.1254

    • 9000+

      ￥0.1089

    • 21000+

      ￥0.1
  • 有货
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：AP2003 编号：C2849575
    封装：SOT-23-6L
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    AP2003采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻Rps(on)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还适用于众多其他应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2379

    • 100+

      ￥0.2005

    • 300+

      ￥0.1817

    • 3000+

      ￥0.1677

    • 6000+

      ￥0.1565

    • 9000+

      ￥0.1509
  • 有货
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    P沟道,电流:-3.7A,耐压:-20V
    型号：IRLML6402 编号：C2886430
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：VDS = -20V, RDS(ON) ≤ 65mΩ @VGS = -4.5V, ID = -3.7A。 超低导通电阻。 P沟道MOSFET。 快速开关
    数据手册

    • 10+

      ￥0.24206 ￥0.2548

    • 100+

      ￥0.193705 ￥0.2039

    • 300+

      ￥0.16948 ￥0.1784

    • 3000+

      ￥0.14535 ￥0.153

    • 6000+

      ￥0.130815 ￥0.1377

    • 9000+

      ￥0.123595 ￥0.1301
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:1A
    型号：DMG1012UW-7 编号：C156390
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    N沟道，20V，1A
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2426

    • 200+

      ￥0.1913

    • 600+

      ￥0.1628

    • 3000+

      ￥0.1406

    • 9000+

      ￥0.1258

    • 21000+

      ￥0.1178
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.4A
    型号：WPM2015-3/TR 编号：C6562215
    封装：SOT-23-3
    品牌：KUU
    特性：TrenchFET功率MOSFET。超高密度单元设计。极低阈值电压。适用于更高直流电流的出色导通电阻。应用：便携式设备的负载开关。DC/DC转换器

    • 20+

      ￥0.2613

    • 200+

      ￥0.2074

    • 600+

      ￥0.1775

    • 3000+

      ￥0.1436

    • 9000+

      ￥0.128

    • 21000+

      ￥0.1196
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V
    型号：CJ2306 编号：C12390
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,30V,3.16A,47mΩ@10V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2683

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      ￥0.2159

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      ￥0.156

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      ￥0.1409

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      ￥0.1327
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:50V 电流:200mA
    型号：BSS138W-7-F 编号：C24553
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@10V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2749

    • 100+

      ￥0.2159

    • 300+

      ￥0.1864

    • 3000+

      ￥0.1643

    • 6000+

      ￥0.1466

    • 9000+

      ￥0.1377
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:6A
    型号：SSM3J332R,LF 编号：C146367
    封装：SOT-23F
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：1.8V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 144mΩ(最大值)(VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 72.0mΩ(最大值)(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 50.0mΩ(最大值)(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 42.0mΩ(最大值)(VGS = 10V)。应用：电源管理开关
    数据手册

    • 10+

      ￥0.283

    • 100+

      ￥0.2254

    • 300+

      ￥0.1966

    • 3000+

      ￥0.1556

    • 6000+

      ￥0.1383

    • 9000+

      ￥0.1296
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:5A
    型号：CJ2312 编号：C23521
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,20V,5A,31.8mΩ@4.5V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.287

    • 100+

      ￥0.2314

    • 300+

      ￥0.2035

    • 3000+

      ￥0.1768

    • 6000+

      ￥0.1601

    • 9000+

      ￥0.1518
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:1.9A
    型号：SI2309S 编号：C2997263
    封装：SOT-23-3L
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    先进的沟槽工艺技术，高密度单元设计，实现超低导通电阻，采用SOT-23-3L表面贴装封装。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3078

    • 100+

      ￥0.2727

    • 300+

      ￥0.2551

    • 3000+

      ￥0.2164

    • 6000+

      ￥0.2058

    • 9000+

      ￥0.2006
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
    型号：TPNTS4101PT1G 编号：C970018
    封装：SOT-323
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3592

    • 100+

      ￥0.2872

    • 300+

      ￥0.2512

    • 3000+

      ￥0.2037

    • 6000+

      ￥0.1821

    • 9000+

      ￥0.1712
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:4A
    型号：RC60P04Y 编号：C5137085
    封装：SOT-23L
    品牌：RealChip(正芯半导体)
    特性：60V。4.0A。RDS(ON) = 90mΩ @VGS = -10V。RDS(ON) = 125mΩ @VGS = -4.5V。高密单元设计，极低的RDS(ON)。坚固可靠
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3782

    • 100+

      ￥0.2984

    • 300+

      ￥0.2586

    • 3000+

      ￥0.2187

    • 6000+

      ￥0.1948

    • 9000+

      ￥0.1828
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：SSM3J328R,LF 编号：C396016
    封装：SOT-23F
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 88.4mΩ 最大 (VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 56.0mΩ 最大 (VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 39.7mΩ 最大 (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 29.0mΩ 最大 (VGS =-4.5V)。应用：电源管理开关应用
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3801

    • 100+

      ￥0.2985

    • 300+

      ￥0.2578

    • 3000+

      ￥0.2188

    • 6000+

      ￥0.1943

    • 9000+

      ￥0.182
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:20V 电流:4.1A
    型号：PMV48XP 编号：C2959854
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 无铅产品。应用：负载/电源开关。 接口
    数据手册

    • 5+

      ￥0.3857

    • 50+

      ￥0.3417

    • 150+

      ￥0.3197

    • 500+

      ￥0.3032

    • 3000+

      ￥0.2531

    • 6000+

      ￥0.2465
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:40V 电流:5.3A
    型号：NCE40P05Y 编号：C163738
    封装：SOT-23-3L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    P沟道，40V，5.3A，85毫欧。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3979

    • 100+

      ￥0.3076

    • 300+

      ￥0.2625

    • 3000+

      ￥0.2287

    • 6000+

      ￥0.2016

    • 9000+

      ￥0.188
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道,电流:20A,耐压:30V
    型号：20N03 编号：C19271469
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)
    阈值电压VGS:±20

    • 10+

      ￥0.4049

    • 100+

      ￥0.3193

    • 300+

      ￥0.2765

    • 2500+

      ￥0.2254

    • 5000+

      ￥0.1998

    • 10000+

      ￥0.1869
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道 耐压:100V 电流:1A
    型号：PJM10H01PSA 编号：C2838029
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：SOT-23。 快速开关。 低栅极电荷和RDS(on)。 VDS = -100V，ID = -1A时，RDS(on) < 650mΩ @VGS = -10V。应用：PWM应用。 负载开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.4228

    • 200+

      ￥0.3364

    • 600+

      ￥0.2932

    • 3000+

      ￥0.2405

    • 9000+

      ￥0.2146

    • 21000+

      ￥0.2016
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AP3003 编号：C2936847
    封装：SOT-23-6
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    特性：N沟道：VDD = 30V，ID = 5.8A，RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 4.5V（典型值 = 24mΩ），RDS(ON) < 58mΩ @ VGS = 2.5V（典型值 = 35mΩ）。 P沟道：VDD = -30V，ID = -4.2A，RDS(ON) < 68mΩ @ VGS = -4.5V（典型值 = 53mΩ），RDS(ON) < 96mΩ @ VGS = -2.5V（典型值 = 75mΩ）。 无铅产品。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。应用：接口开关。 负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4577

    • 50+

      ￥0.4174

    • 150+

      ￥0.3972

    • 500+

      ￥0.3821

    • 3000+

      ￥0.2518

    • 6000+

      ￥0.2457
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:3A
    型号：NTR5198NLT1G 编号：C5122029
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：负载/电源开关。接口开关。超小型便携式设备电池管理。逻辑电平转换
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4631

    • 100+

      ￥0.3733

    • 300+

      ￥0.3284

    • 3000+

      ￥0.2836

    • 6000+

      ￥0.2566

    • 9000+

      ￥0.2432
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:55V 电流:10A
    型号：AO3422 编号：C37130
    封装：SOT-23
    品牌：AOS
    N沟道,55V,2.1A,160mΩ@4.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4745

    • 50+

      ￥0.4643

    • 150+

      ￥0.4575

    • 500+

      ￥0.4506
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:12V 电流:5.2A
    型号：DMP1045U-7 编号：C177033
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合用于高效电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.476

    • 50+

      ￥0.3752

    • 150+

      ￥0.3248

    • 500+

      ￥0.287

    • 3000+

      ￥0.2567

    • 6000+

      ￥0.2416
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:15A
    型号：TM15N06SI 编号：C7422817
    封装：SOT-89-3L
    品牌：TMC(台懋)
    N沟道,60V,15A,30mΩ@10v

    • 10+

      ￥0.4874

    • 100+

      ￥0.3914

    • 300+

      ￥0.3434

    • 1000+

      ￥0.26904 ￥0.2832

    • 5000+

      ￥0.24168 ￥0.2544

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      ￥0.228 ￥0.24
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:8A
    型号：TMG08N10SI 编号：C7422896
    封装：SOT-89-3L
    品牌：TMC(台懋)
    N沟道,100V,8A,100mΩ@10v

    • 10+

      ￥0.5063

    • 100+

      ￥0.4229

    • 300+

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:2.5A
    型号：DMN6075S-7 编号：C155242
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5616

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    P沟道 耐压:30V 电流:8A
    型号：SI2393DS 编号：C41348109
    封装：SOT-23-3L
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 5+

      ￥0.56791 ￥0.5978

    • 50+

      ￥0.45391 ￥0.4778

    • 150+

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      ￥0.31996 ￥0.3368

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      ￥0.30286 ￥0.3188
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    耐压:20V 电流:6A
    型号：SI2305CDS 编号：C5182095
    封装：SOT-23-3
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换
    数据手册

    • 5+

      ￥0.59

    • 50+

      ￥0.524

    • 150+

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      ￥0.3927

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      ￥0.3828
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:3.2A
    型号：NTR4101PT1G 编号：C35920
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这是一个 20 V P 沟道功率 MOSFET。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6233

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      ￥0.5052

    • 150+

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    • 3000+

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    • 6000+

      ￥0.3002
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    2个N沟道 耐压:40V 电流:8A
    型号：4882 编号：C7543833
    封装：SOP-8
    品牌：HL(富海微)
    4882是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4882符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备全面的功能可靠性认证。

    • 5+

      ￥0.6257

    • 50+

      ￥0.4961

    • 150+

      ￥0.4313

    • 500+

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