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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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特性:高密度单元设计,实现低导通电阻。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD 保护。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC 转换器
数据手册
  • 20+

    ¥0.1703
  • 200+

    ¥0.1347
  • 600+

    ¥0.1149
  • 3000+

    ¥0.103
  • 9000+

    ¥0.0927
  • 21000+

    ¥0.0872
  • 有货
  • 特性:快速开关。 有环保型产品。 适用于1.5V栅极驱动应用。应用:笔记本负载开关。 网络
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1744
    • 100+

      ¥0.1524
    • 300+

      ¥0.1414
    • 3000+

      ¥0.1331
    • 6000+

      ¥0.1265
    • 9000+

      ¥0.1232
  • 有货
  • AO3401A是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。AO3401A符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1813
    • 200+

      ¥0.1597
    • 600+

      ¥0.1489
    • 3000+

      ¥0.1218
    • 9000+

      ¥0.1153
    • 21000+

      ¥0.112
  • 有货
  • 特性:高端开关。 低导通电阻。 低阈值。 快速开关速度。应用:驱动器:继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。 电池供电系统
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1841
    • 200+

      ¥0.1501
    • 600+

      ¥0.1312
    • 3000+

      ¥0.1148
    • 9000+

      ¥0.1049
    • 21000+

      ¥0.0997
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 VDS(V) = -30V。 ID = -2.6A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 103mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 139mΩ (VGS = -4.5V)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2193
    • 200+

      ¥0.1716
    • 600+

      ¥0.145
    • 3000+

      ¥0.1212
    • 9000+

      ¥0.1074
    • 21000+

      ¥0.1
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计,实现超低导通电阻。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    • 20+

      ¥0.2247
    • 200+

      ¥0.1788
    • 600+

      ¥0.1533
    • 3000+

      ¥0.121
    • 9000+

      ¥0.1077
    • 21000+

      ¥0.1006
  • 有货
    • 20+

      ¥0.2343
    • 200+

      ¥0.1838
    • 600+

      ¥0.1557
    • 2000+

      ¥0.1389
  • 有货
  • P沟道,-30V,-2.7A,88mΩ@-10V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2631
    • 100+

      ¥0.2123
    • 300+

      ¥0.187
    • 3000+

      ¥0.1571
    • 6000+

      ¥0.1418
    • 9000+

      ¥0.1342
  • 有货
  • 特性:VDS=20V,ID=6.3A,RDS(ON)≤21mΩ@VGS=4.5V。 快速开关。 超低导通电阻。 表面贴装器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.28367 ¥0.2986
    • 100+

      ¥0.2242 ¥0.236
    • 300+

      ¥0.194465 ¥0.2047
    • 3000+

      ¥0.172235 ¥0.1813
    • 6000+

      ¥0.154375 ¥0.1625
    • 9000+

      ¥0.145445 ¥0.1531
  • 有货
  • N沟道,20V,2.1A,60mΩ@4.5V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2966
    • 100+

      ¥0.239
    • 300+

      ¥0.2102
    • 3000+

      ¥0.1772
    • 6000+

      ¥0.1599
    • 9000+

      ¥0.1512
  • 有货
  • MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3233
    • 100+

      ¥0.2562
    • 300+

      ¥0.2227
    • 3000+

      ¥0.1975
    • 6000+

      ¥0.1774
    • 9000+

      ¥0.1674
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的RDS(ON)。 低栅极电荷。 可在低至4.5V的栅极电压下工作。 VDS = 30V。 ID = 8.5A。 RDS(ON) < 20mΩ(VGS = 10V)。应用:电池保护。 其他开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.3346
    • 50+

      ¥0.2937
    • 150+

      ¥0.2733
    • 500+

      ¥0.258
    • 3000+

      ¥0.2372
    • 6000+

      ¥0.2311
  • 有货
  • 功率 MOSFET,500 mA,60 V,N 沟道,SOT?23
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3638
    • 100+

      ¥0.2839
    • 300+

      ¥0.244
    • 3000+

      ¥0.2141
    • 6000+

      ¥0.1901
    • 9000+

      ¥0.1781
  • 有货
  • SOP-8 塑封封装双 P 沟道 MOS 场效应管。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.374
    • 100+

      ¥0.3368
    • 300+

      ¥0.3182
    • 1000+

      ¥0.3043
    • 4000+

      ¥0.2244
    • 8000+

      ¥0.2189
  • 有货
  • P沟道,60V,170mA,8Ω@10V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3852
    • 100+

      ¥0.3123
    • 300+

      ¥0.2759
    • 3000+

      ¥0.2013
    • 6000+

      ¥0.1795
    • 9000+

      ¥0.1685
  • 有货
  • MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3986
    • 100+

      ¥0.317
    • 300+

      ¥0.2762
    • 3000+

      ¥0.2204
    • 6000+

      ¥0.1959
    • 9000+

      ¥0.1836
  • 有货
  • N管/30V/30A/13mΩ(典型9mΩ)
    • 10+

      ¥0.405
    • 100+

      ¥0.3263
    • 300+

      ¥0.2869
    • 1000+

      ¥0.2574
    • 5000+

      ¥0.2338
    • 10000+

      ¥0.222
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.2A,48毫欧@10V。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4103
    • 100+

      ¥0.3268
    • 300+

      ¥0.2851
    • 3000+

      ¥0.2538
    • 6000+

      ¥0.2288
    • 9000+

      ¥0.2162
  • 有货
  • N沟道,60V,0.36A,1.6Ω@10V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4148
    • 100+

      ¥0.3341
    • 300+

      ¥0.2937
    • 3000+

      ¥0.2568
    • 6000+

      ¥0.2325
    • 9000+

      ¥0.2204
  • 有货
  • 应用:负载/电源开关。接口开关。超小型便携式设备的电池管理。逻辑电平转换
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4254
    • 50+

      ¥0.3425
    • 150+

      ¥0.301
    • 500+

      ¥0.2699
    • 3000+

      ¥0.2168
    • 6000+

      ¥0.2044
  • 有货
  • P沟道,-60V,-185mA,6Ω@-10V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4374
    • 100+

      ¥0.3468
    • 300+

      ¥0.3015
    • 3000+

      ¥0.2675
    • 6000+

      ¥0.2403
    • 9000+

      ¥0.2267
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V,ID = 3A。 RDS(ON) < 95mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 75mΩ @ VGS = 10V。应用:负载开关。 PWM应用
    • 10+

      ¥0.438425 ¥0.4615
    • 100+

      ¥0.347225 ¥0.3655
    • 300+

      ¥0.301625 ¥0.3175
    • 3000+

      ¥0.267425 ¥0.2815
    • 6000+

      ¥0.240065 ¥0.2527
    • 9000+

      ¥0.22629 ¥0.2382
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4908
    • 100+

      ¥0.3948
    • 300+

      ¥0.3468
    • 3000+

      ¥0.2783
    • 6000+

      ¥0.2495
    • 9000+

      ¥0.235
  • 有货
  • 特性:-20V, -3.3A, RDS(ON) = 30mΩ@VGS = -4.5V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件可供选择。应用:笔记本电脑。 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4968
    • 50+

      ¥0.4008
    • 150+

      ¥0.3528
    • 500+

      ¥0.3168
    • 3000+

      ¥0.277
    • 6000+

      ¥0.2625
  • 有货
  • N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V,0.22A,1.6Ω
    数据手册
    • 5+

      ¥0.575
    • 50+

      ¥0.4742
    • 150+

      ¥0.4238
    • 500+

      ¥0.386
    • 3000+

      ¥0.3149
    • 6000+

      ¥0.2998
  • 有货
  • N沟道,60V,0.36A,1.6Ω@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5938
    • 50+

      ¥0.4744
    • 150+

      ¥0.4146
    • 500+

      ¥0.3699
    • 3000+

      ¥0.334
    • 6000+

      ¥0.3161
  • 有货
  • 特性:VDS = 40V。ID = 40A。RDS(on)@VGS = 10V < 8.5mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 12mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用:DC-DC转换器。负载开关
    • 5+

      ¥0.7785
    • 50+

      ¥0.6201
    • 150+

      ¥0.5409
    • 500+

      ¥0.4815
    • 2500+

      ¥0.434
    • 5000+

      ¥0.4102
  • 有货
  • 特性:RDS(ON),VGS@10V,ID@16A < 9mΩ。 RDS(ON),VGS@4.5V,ID@8A < 13mΩ。 高开关速度。 改善的dv/dt能力。 低栅极电荷。 低反向传输电容。应用:负载/电源开关。 接口开关
    • 5+

      ¥0.8117
    • 50+

      ¥0.6375
    • 150+

      ¥0.5504
    • 500+

      ¥0.485
    • 2500+

      ¥0.4328
    • 5000+

      ¥0.4066
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压(VDS)为 60V。 漏极电流(ID)为 40A(VGS = 10V)。 导通电阻(RDS(ON))< 14mΩ(VGS = 10V)。 导通电阻(RDS(ON))< 16mΩ(VGS = 4.5V)。 无铅产品
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8264
    • 50+

      ¥0.6418
    • 150+

      ¥0.5495
    • 500+

      ¥0.4803
    • 2500+

      ¥0.3977
    • 5000+

      ¥0.37
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    • 5+

      ¥0.86355 ¥0.909
    • 50+

      ¥0.67203 ¥0.7074
    • 150+

      ¥0.58995 ¥0.621
    • 500+

      ¥0.48754 ¥0.5132
    • 3000+

      ¥0.44194 ¥0.4652
    • 6000+

      ¥0.41458 ¥0.4364
  • 有货
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