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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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1个P沟道 耐压:30V 电流:90A
型号：WSD30L90DN56 编号：C719076
封装：DFN5X6-8
品牌：WINSOK(微硕)
WSD30L90DN56 是一款高性能沟槽 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD30L90DN56 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，通过全功能可靠性认证，100% 保证符合 EAS 标准。
数据手册

  • 1+

    ￥2.19

  • 10+

    ￥1.94

  • 30+

    ￥1.83

  • 100+

    ￥1.7

  • 500+

    ￥1.56

  • 1000+

    ￥1.53
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    P沟道 MOSFET,电流:3.0A,耐压:80V
    型号：SI2387DS-T1-GE3 编号：C3290063
    封装：SOT-23-3(TO-236-3)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET。 100 % Rg and UIS tested。应用：Load switch。 Circuit protection

    • 5+

      ￥2.30527 ￥2.4266

    • 50+

      ￥1.857535 ￥1.9553

    • 150+

      ￥1.665635 ￥1.7533

    • 500+

      ￥1.426235 ￥1.5013

    • 3000+

      ￥1.319645 ￥1.3891

    • 6000+

      ￥1.25571 ￥1.3218
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:7A
    型号：DMP6023LE-13 编号：C154901
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥2.3563

    • 50+

      ￥1.8909

    • 150+

      ￥1.6914

    • 500+

      ￥1.4022

    • 2500+

      ￥1.2914

    • 5000+

      ￥1.2249
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:4.4A
    型号：SI2319CDS-T1-GE3 编号：C146287
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    P沟道,-40V,-4.4A,0.077Ω@-10V
    数据手册

    • 5+

      ￥2.4362

    • 50+

      ￥1.9532

    • 150+

      ￥1.7462

    • 500+

      ￥1.277845 ￥1.3451

    • 3000+

      ￥1.168595 ￥1.2301

    • 6000+

      ￥1.103045 ￥1.1611
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:13A
    型号：IRFR5410TRPBF 编号：C3018
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-100V,-13A,-205mΩ@-10V
    数据手册

    • 1+

      ￥3.17

    • 10+

      ￥2.56

    • 30+

      ￥2.3

    • 100+

      ￥1.8715 ￥1.97

    • 500+

      ￥1.482 ￥1.56

    • 1000+

      ￥1.3965 ￥1.47
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
    型号：CRSM038N10N4 编号：C2988619
    封装：DFN-8(5x6)
    品牌：CRMICRO(华润微)
    低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用,Vds=100V Id=100A Rds=3.0mΩ(3.6mΩ最大) DFN5x6封装；
    数据手册

    • 1+

      ￥3.28

    • 10+

      ￥2.78

    • 30+

      ￥2.42

    • 100+

      ￥2.13

    • 500+

      ￥1.9

    • 1000+

      ￥1.84
  • 有货
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    N沟道 耐压:40V 电流:170A
    型号：BSC014N04LS 编号：C2760081
    封装：TDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对同步整流进行优化。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 出色的热阻。 N沟道，逻辑电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性
    数据手册

    • 1+

      ￥3.69

    • 10+

      ￥2.98

    • 30+

      ￥2.68

    • 100+

      ￥2.185 ￥2.3

    • 500+

      ￥1.7765 ￥1.87

    • 1000+

      ￥1.6815 ￥1.77
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:97A
    型号：IRFB4410ZPBF 编号：C2657
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,97A,9mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.79

    • 10+

      ￥3.89

    • 50+

      ￥3.02

    • 100+

      ￥2.5186 ￥2.57

    • 500+

      ￥2.2638 ￥2.31

    • 1200+

      ￥2.1266 ￥2.17
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:900V
    型号：TK7A90E,S4X(S 编号：C5331584
    封装：TO-220SIS
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.6 Ω (典型值)。 低漏电流：IDSS = 10 μA (最大值) (VDS = 720 V)。 增强模式：VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.7 mA)。应用：开关稳压器
    数据手册

    • 1+

      ￥5.54

    • 10+

      ￥4.42

    • 50+

      ￥3.86

    • 100+

      ￥3.3

    • 500+

      ￥2.97

    • 1000+

      ￥2.79
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:800V
    型号：TK10A80E,S4X(S 编号：C5379814
    封装：TO-220SIS
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 Ω（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 640 V)。 增强模式：Vtch = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：开关稳压器
    数据手册

    • 1+

      ￥5.55

    • 10+

      ￥4.44

    • 50+

      ￥3.88

    • 100+

      ￥3.33

    • 500+

      ￥3

    • 1000+

      ￥2.83
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：SUD50P06-15-GE3 编号：C141584
    封装：TO-252
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：TrenchFET Power MOSFET。应用：负载开关
    数据手册

    • 1+

      ￥9.52

    • 10+

      ￥7.91

    • 30+

      ￥7.02

    • 100+

      ￥5.8996 ￥6.02

    • 500+

      ￥5.4586 ￥5.57

    • 1000+

      ￥5.2626 ￥5.37
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:300A
    型号：AGM015N10LL 编号：C5297508
    封装：TOLL-8L
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM015N10LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥10.62 ￥11.8

    • 10+

      ￥9.018 ￥10.02

    • 30+

      ￥8.019 ￥8.91

    • 100+

      ￥6.561 ￥7.29

    • 500+

      ￥6.102 ￥6.78

    • 1000+

      ￥5.895 ￥6.55
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
    型号：2N7002K 编号：C181083
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：低导通电阻：RDS(ON)。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏
    数据手册

    • 50+

      ￥0.071915 ￥0.0757

    • 500+

      ￥0.055005 ￥0.0579

    • 3000+

      ￥0.04674 ￥0.0492

    • 6000+

      ￥0.041135 ￥0.0433

    • 24000+

      ￥0.036195 ￥0.0381

    • 51000+

      ￥0.03363 ￥0.0354
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
    型号：2SK3019 编号：C2909905
    封装：SOT-523
    品牌：KUU
    特性：低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动，适用于便携式设备。 易于设计驱动电路。 易于并联。 符合RoHS标准且环保。 雾锡（Sn）引脚镀层。 重量：约0.002g
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0958

    • 500+

      ￥0.0748

    • 3000+

      ￥0.0635

    • 6000+

      ￥0.0565

    • 24000+

      ￥0.0504

    • 51000+

      ￥0.0472
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:3.3A
    型号：DMG2302UK-7-ES 编号：C5224188
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.14V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1207

    • 100+

      ￥0.0909

    • 300+

      ￥0.0743

    • 3000+

      ￥0.0644

    • 6000+

      ￥0.0557

    • 9000+

      ￥0.0511
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:0.3A
    型号：2N7002NXAKR 编号：C19268174
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD 等级：HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

    • 20+

      ￥0.12445 ￥0.131

    • 200+

      ￥0.096235 ￥0.1013

    • 600+

      ￥0.08056 ￥0.0848

    • 3000+

      ￥0.071155 ￥0.0749

    • 9000+

      ￥0.062985 ￥0.0663

    • 21000+

      ￥0.05852 ￥0.0616
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:4.3A
    型号：SI2302 编号：C2938373
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个N沟道 耐压:20V 电流:4.3A适用于电源开关和信号控制
    数据手册

    • 50+

      ￥0.12635 ￥0.133

    • 500+

      ￥0.1007 ￥0.106

    • 3000+

      ￥0.08094 ￥0.0852

    • 6000+

      ￥0.07239 ￥0.0762

    • 30000+

      ￥0.06498 ￥0.0684

    • 45000+

      ￥0.06099 ￥0.0642
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：SI2302S 编号：C431493
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：低导通电阻（RDS(ON)），在VGS = 4.5V-3.3V逻辑电平控制下。 N沟道SOT23封装。 无铅，符合RoHS标准。应用：负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1276

    • 200+

      ￥0.1114

    • 600+

      ￥0.1024

    • 3000+

      ￥0.0829

    • 9000+

      ￥0.0782

    • 21000+

      ￥0.0757
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
    型号：BMSN3139 编号：C19078062
    封装：SOT-323
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    场效应管（MOS）

    • 20+

      ￥0.1328

    • 200+

      ￥0.1031

    • 600+

      ￥0.0866

    • 3000+

      ￥0.0767

    • 12000+

      ￥0.0657

    • 18000+

      ￥0.0611
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
    型号：2SK3018 编号：C475593
    封装：SOT-23
    品牌：SHIKUES(时科)
    低导通电阻。快速开关速度。硅N沟道MOSFET。驱动电路可以很简单
    数据手册

    • 20+

      ￥0.13604 ￥0.1432

    • 200+

      ￥0.107065 ￥0.1127

    • 600+

      ￥0.09101 ￥0.0958

    • 3000+

      ￥0.075715 ￥0.0797

    • 9000+

      ￥0.067355 ￥0.0709

    • 21000+

      ￥0.06289 ￥0.0662
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：2N7002KW 编号：C5224237
    封装：SOT-323
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1526

    • 200+

      ￥0.1162

    • 600+

      ￥0.0959

    • 3000+

      ￥0.0838

    • 9000+

      ￥0.0732

    • 21000+

      ￥0.0675
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:250mA
    型号：RK7002BMT116 编号：C157736
    封装：SOT-23
    品牌：ROHM(罗姆)
    带ESD保护的N通道MOSFET晶体管/60V/0.25A/2.4Ω@10V/0.2W
    数据手册

    • 20+

      ￥0.154

    • 200+

      ￥0.1225

    • 600+

      ￥0.1051

    • 3000+

      ￥0.0851

    • 9000+

      ￥0.076

    • 21000+

      ￥0.0711
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:0.1A
    型号：2SK3018 编号：C8562
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,30V,0.1A,13Ω@2.5V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1577

    • 200+

      ￥0.1269

    • 600+

      ￥0.1098

    • 3000+

      ￥0.0972

    • 9000+

      ￥0.0883

    • 21000+

      ￥0.0835
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
    型号：2N7002KW 编号：C504047
    封装：SOT-323
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：高密度单元设计，实现低导通电阻。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD 保护。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC 转换器
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3404 编号：C5248044
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A适用于电源开关和信号控制
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    耐压:50V 电流:0.13A
    型号：BSS84 编号：C5380669
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：电池保护。负载开关。电源管理
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    耐压:30V 电流:0.1A
    型号：2SK3541 编号：C2912553
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401 编号：C382312
    封装：SOT-23-3
    品牌：KEXIN(科信)
    P沟道,-30V -4.2A
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：2N7002,215 编号：C65189
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道,60V,0.3A,5Ω@10V
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:2.5A
    型号：SI2308 编号：C5337194
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为60V电压系统设计，提供高达3A的连续电流处理能力。具备卓越的低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场景，实现高效、稳定的功率控制。
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