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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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描述
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操作
1个N沟道 耐压:55V 电流:110A
型号：IRFP064NPBF 编号：C9205
封装：TO-247AC-3
品牌：Infineon(英飞凌)
N沟道,55V,110A,8mΩ@10V
数据手册

  • 1+

    ￥6.85

  • 10+

    ￥5.68

  • 25+

    ￥4.12

  • 100+

    ￥3.53

  • 400+

    ￥3.18

  • 800+

    ￥3
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:100V 电流:14A
    型号：IRF9530NPBF 编号：C2574
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-100V,-14A,200mΩ@-10V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.8372

    • 50+

      ￥1.4588

    • 150+

      ￥1.2966

    • 500+

      ￥1.0942

    • 2000+

      ￥1.0041

    • 5000+

      ￥0.95
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:14A
    型号：FDD5614P 编号：C5310927
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = -60V, ID = -14A。 RDS(ON) 88mΩ @ VGS = -10V (Typ)。 RDS(ON) 120mΩ @ VGS = -4.5V (Typ)。应用：负载/电源开关。 接口开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.8985

    • 50+

      ￥1.5105

    • 150+

      ￥1.3441

    • 500+

      ￥1.1366

    • 2500+

      ￥0.998

    • 5000+

      ￥0.9426
  • 有货
    • 立即购买
    30V 25A
    型号：HD303P250S 编号：C49423977
    封装：PDFN-8(3x3)
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -30 V。ID = -25 A。RDS(on)@VGS = -10 V < 16 mΩ。RDS(on)@VGS = -4.5V < 31 mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电源开关应用。负载开关

    • 5+

      ￥1.9275

    • 50+

      ￥1.5268

    • 150+

      ￥1.3551

    • 500+

      ￥1.1409

    • 2500+

      ￥1.0455

    • 5000+

      ￥0.9882
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道MOSFET
    型号：HP803N110S 编号：C49256769
    封装：SOP-8
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30V。 ID = 18A。 RDS(on) @ VGS = 10V < 6mΩ。 RDS(on) @ VGS = 4.5V < 8.5mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路

    • 5+

      ￥1.9396

    • 50+

      ￥1.5364

    • 150+

      ￥1.3636

    • 500+

      ￥1.148

    • 2500+

      ￥1.052

    • 4000+

      ￥0.9944
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道MOSFET
    型号：HP803P180S 编号：C49256768
    封装：SOP-8
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -30V。 I0 = -12A。 RDS(on)@VGS = -10V < 13mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 21mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

    • 5+

      ￥1.9639

    • 50+

      ￥1.5556

    • 150+

      ￥1.3807

    • 500+

      ￥1.1624

    • 2500+

      ￥1.0652

    • 4000+

      ￥1.0069
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:40V 电流:10A
    型号：AO4485 编号：C51499
    封装：SOIC-8
    品牌：AOS
    P沟道,-40V,-10A,15mΩ@-10V
    数据手册

    • 5+

      ￥2.0768

    • 50+

      ￥1.6748

    • 150+

      ￥1.5026

    • 500+

      ￥1.2877

    • 3000+

      ￥1.192

    • 6000+

      ￥1.1345
  • 有货
    • 立即购买
    55V N沟道MOSFET
    型号：IRLZ44N(UMW) 编号：C42370423
    封装：TO-220
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：结合了快速开关速度和坚固的器件设计。 VDS(V) = 55V。 ID = 25A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 22mΩ(VGS = 10V)

    • 5+

      ￥2.0801

    • 50+

      ￥1.6058

    • 150+

      ￥1.4129

    • 500+

      ￥1.1721

    • 2000+

      ￥1.0649

    • 5000+

      ￥1.0006
  • 有货
    • 立即购买
    互补N和P沟道MOSFET
    型号：HP804C360D 编号：C51883848
    封装：SOP-8
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：N MOS:VDS = 40V。ID = 8A。RDS(on)(Q) VGS = 10V < 21mΩ。RDS(on)(Q) VGS = 4.5V < 32mΩ。P MOS:VDS = -40V。ID = -6A。应用：电源开关应用。低电压应用

    • 5+

      ￥2.1821

    • 50+

      ￥1.7285

    • 150+

      ￥1.5341

    • 500+

      ￥1.2915

    • 2500+

      ￥1.1835

    • 4000+

      ￥1.1187
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道100V快速开关MOSFET
    型号：XRS120N10F 编号：C42457066
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：XNRUSEMI(新锐)
    特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能

    • 1+

      ￥2.403 ￥2.67

    • 10+

      ￥1.908 ￥2.12

    • 30+

      ￥1.692 ￥1.88

    • 100+

      ￥1.422 ￥1.58

    • 500+

      ￥1.305 ￥1.45

    • 1000+

      ￥1.233 ￥1.37
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:100V 电流:30A
    型号：TPNCE01P30K 编号：C41408089
    封装：TO-252-3L
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 1+

      ￥2.5125 ￥3.35

    • 10+

      ￥2.0175 ￥2.69

    • 30+

      ￥1.8 ￥2.4

    • 100+

      ￥1.5375 ￥2.05

    • 500+

      ￥1.4175 ￥1.89

    • 1000+

      ￥1.35 ￥1.8
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:100V 电流:3A
    型号：HT10P3H1S 编号：C49066910
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -100V。 I0 = -3.0A。 RDS(on)@VGS = -10V < 210mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 280mΩ。 高功率和电流处理能力。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：DC/DC转换器。 电源开关

    • 1+

      ￥2.64

    • 10+

      ￥2.09

    • 30+

      ￥1.86

    • 100+

      ￥1.57

    • 500+

      ￥1.44

    • 1000+

      ￥1.36
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道MOSFET
    型号：HB03N080S 编号：C49256761
    封装：TO-252
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30V。 I0 = 50A。 RDS(on)@VGS = 10V < 7mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 11.5mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用：DC-DC转换器。 负载开关

    • 1+

      ￥2.67

    • 10+

      ￥2.12

    • 30+

      ￥1.88

    • 100+

      ￥1.58

    • 500+

      ￥1.45

    • 1000+

      ￥1.37
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:55V 电流:18A
    型号：IRFR5505TRPBF 编号：C26340
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-55V,-18A,110mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥2.79

    • 10+

      ￥2.16

    • 30+

      ￥1.89

    • 100+

      ￥1.56

    • 500+

      ￥1.41

    • 1000+

      ￥1.32
  • 有货
    • 立即购买
    HD508N052SG
    型号：HD508N052SG 编号：C52766427
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 1+

      ￥3.41

    • 10+

      ￥2.7

    • 30+

      ￥2.4

    • 100+

      ￥2.02

    • 500+

      ￥1.85

    • 1000+

      ￥1.75
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:80A
    型号：CJAC80SN10 编号：C2913221
    封装：PDFNWB5x6-8L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    CJAC80SN10采用屏蔽栅沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时，提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.77

    • 10+

      ￥3.12

    • 30+

      ￥2.79

    • 100+

      ￥2.47

    • 500+

      ￥2.18

    • 1000+

      ￥2.09
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
    型号：CJAC100SN08U 编号：C2906252
    封装：PDFNWB-8L(5X6)
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。该先进技术经过专门定制，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.26

    • 10+

      ￥3.5

    • 30+

      ￥3.12

    • 100+

      ￥2.74

    • 500+

      ￥2.51

    • 1000+

      ￥2.4
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:200V 电流:11A
    型号：IRF9640PBF 编号：C2628
    封装：TO-220AB
    品牌：VISHAY(威世)
    P沟道,-200V,-11A,500mΩ@-10V
    数据手册

    • 1+

      ￥6.72

    • 10+

      ￥5.48

    • 50+

      ￥4.87

    • 100+

      ￥4.26

    • 500+

      ￥3.89

    • 1000+

      ￥3.7
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:75V 电流:210A
    型号：IRFB3077PBF 编号：C2641
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,75V,210A,3.3mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥8.66

    • 10+

      ￥7.29

    • 50+

      ￥5.85

    • 100+

      ￥5

    • 600+

      ￥4.62

    • 900+

      ￥4.45
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:90A
    型号：WSD90P06DN56 编号：C719104
    封装：DFN-8(5x6)
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSD90P06DN56是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD90P06DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。
    数据手册

    • 1+

      ￥9.05

    • 10+

      ￥7.72

    • 30+

      ￥6.99

    • 100+

      ￥6.16

    • 500+

      ￥4.89

    • 1000+

      ￥4.72
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:200V 电流:88A
    型号：IPB107N20N3G 编号：C444895
    封装：TO-263-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N 沟道，标准电平。 出色的栅极电荷 x 导通电阻 RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证，适用于目标应用。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册

    • 1+

      ￥9.89

    • 10+

      ￥8.18

    • 30+

      ￥7.25

    • 100+

      ￥6.18

    • 500+

      ￥5.71

    • 1000+

      ￥5.5
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
    型号：SI2301 编号：C20628871
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    小体积

    • 50+

      ￥0.08284 ￥0.0872

    • 500+

      ￥0.064315 ￥0.0677

    • 3000+

      ￥0.054055 ￥0.0569

    • 6000+

      ￥0.047975 ￥0.0505

    • 24000+

      ￥0.04256 ￥0.0448

    • 51000+

      ￥0.03971 ￥0.0418
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
    型号：DO3400D 编号：C41384542
    封装：SOT-23
    品牌：DOINGTER(杜因特)
    N管/30V/5A/30mΩ/(典型25mΩ)

    • 50+

      ￥0.1085

    • 500+

      ￥0.0853

    • 3000+

      ￥0.0724

    • 6000+

      ￥0.0647

    • 24000+

      ￥0.058

    • 51000+

      ￥0.0543
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:200mA
    型号：LBSS138LT1G 编号：C8490
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@5V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1213

    • 500+

      ￥0.0934

    • 3000+

      ￥0.078

    • 6000+

      ￥0.0687

    • 24000+

      ￥0.0606

    • 51000+

      ￥0.0563
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:50V 电流:0.13A
    型号：LBSS84LT1G 编号：C8492
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    P沟道,-50V,-0.13A,10Ω@-5V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1357

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
    型号：BSS123 编号：C5184436
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该款消费级N沟道MOSFET采用小巧SOT-23封装，适用于100V高压系统，额定电流为0.2A，特别适合于低功耗电子设备的电源开关和信号控制。具备卓越的低导通电阻与快速切换性能，有效提升能效并确保在各类应用中的稳定运行。
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：RC3415P 编号：C5137077
    封装：SOT-23
    品牌：RealChip(正芯半导体)
    特性：VDS = -20V。 ID = 4A (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 40mΩ (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 60mΩ (VGS = -2.5V)。 RDS(ON) < 100mΩ (VGS = -1.8V)。 ESD 额定值：2000V HBM
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    耐压:100V 电流:1.6A
    型号：IRLML0100TR(UMW) 编号：C5447657
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:250mA
    型号：RK7002BMT116 编号：C157736
    封装：SOT-23
    品牌：ROHM(罗姆)
    带ESD保护的N通道MOSFET晶体管/60V/0.25A/2.4Ω@10V/0.2W
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    耐压:20V 电流:2.6A
    型号：IRLML2246TR(UMW) 编号：C5340727
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，可提供具有低栅极电荷的出色导通电阻。该器件适用于用作负载开关或在PWM应用中使用。
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