mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NDT2955 编号：C5156058

封装：SOT-223

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。

数据手册

5+
￥1.12746 ￥1.1868
50+
￥0.977835 ￥1.0293
150+
￥0.91371 ￥0.9618
1000+
￥0.855095 ￥0.9001
2000+
￥0.81947 ￥0.8626
5000+
￥0.798095 ￥0.8401

有货

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型号：WNM2021 编号：C2940608

封装：SOT-323

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 20V。RDS(ON) = 300mΩ (typ.) @ VGS = 2.5V。RDS(ON) = 250mΩ (typ.) @ VGS = 4.5V。ESD Protected up to 2KV。应用：负载/电源开关。接口开关

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10+
￥0.2631
100+
￥0.2345
300+
￥0.2202
3000+
￥0.179
6000+
￥0.1704
9000+
￥0.1661

有货

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型号：BSS84LT1G 编号：C82079

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

P 沟道功率 MOSFET，逻辑电平，-50V，-130mA，10Ω，SOT-23 逻辑电平

数据手册

10+
￥0.2928
100+
￥0.2324
300+
￥0.2022
3000+
￥0.1795
6000+
￥0.1614
9000+
￥0.1524

有货

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型号：BSS138 编号：C52895

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产，用于最大限度地减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。BSS138尤其适合低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用。

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20+
￥0.3022
200+
￥0.2482
600+
￥0.2182
3000+
￥0.1311
9000+
￥0.1155
21000+
￥0.107

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型号：AO3415 编号：C5380662

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -20V，ID = -4A。 RDS(ON) < 36mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 49mΩ @ VGS = -2.5V。 ESD 额定值：2500V HBM。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.3155
100+
￥0.2468
300+
￥0.2125
3000+
￥0.1868
6000+
￥0.1662
9000+
￥0.1559

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型号：SI2333-HXY 编号：C4748717

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品是一款P型场效应管，具有7A的电流承载能力，最高20V的工作电压。其内阻典型值为20mΩ，栅源极电压VGS为12V。适用于多种应用场景，如电源管理、信号放大等，确保系统稳定运行。低内阻使其具备高效能特性。

数据手册

10+
￥0.325194 ￥0.3918
100+
￥0.264272 ￥0.3184
300+
￥0.233728 ￥0.2816
3000+
￥0.195133 ￥0.2351
6000+
￥0.17679 ￥0.213
9000+
￥0.16766 ￥0.202

有货

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型号：PMV160UP 编号：C7472860

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：高功率和电流处理能力。获得无铅产品认证。表面贴装封装。应用：PWM应用。负载开关

10+
￥0.3374
100+
￥0.2654
300+
￥0.2294
3000+
￥0.2024
6000+
￥0.1808
9000+
￥0.17

有货

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型号：DMG2302UK-7 编号：C460977

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.3659
100+
￥0.2916
300+
￥0.2545
3000+
￥0.2254
6000+
￥0.2031
9000+
￥0.192

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型号：NX7002AKVL 编号：C551606

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

10+
￥0.4382
100+
￥0.3474
300+
￥0.302
1000+
￥0.259863 ￥0.2679
5000+
￥0.233479 ￥0.2407
10000+
￥0.220287 ￥0.2271

有货

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型号：4953 编号：C2922756

封装：SOP-8

品牌：KUU

特性：TrenchFET功率MOSFET。获得无铅产品认证。表面贴装封装。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

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5+
￥0.4716
50+
￥0.3708
150+
￥0.3204
500+
￥0.2826
2500+
￥0.2378
4000+
￥0.2226

有货

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型号：ZXMP6A13FTA 编号：C3021114

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥0.4749
50+
￥0.4199
150+
￥0.3924
500+
￥0.3718
3000+
￥0.3245
6000+
￥0.3163

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型号：IRLML2502TRPBF 编号：C5123960

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 20V, ID = 6A。 RDS|ON < 23mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS|ON < 35mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.4965
100+
￥0.3863
300+
￥0.3312
3000+
￥0.2812
6000+
￥0.2482
9000+
￥0.2316

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型号：BSS138NH6327 编号：C94638

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道

数据手册

10+
￥0.5018
100+
￥0.4048
300+
￥0.3564
3000+
￥0.246905 ￥0.2599
6000+
￥0.21926 ￥0.2308
9000+
￥0.20539 ￥0.2162

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型号：SI2304DDS-T1-GE3 编号：C56372

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,30V,3.6A,60mΩ@10V

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5+
￥0.5084
50+
￥0.409
150+
￥0.3593
500+
￥0.322
3000+
￥0.262
6000+
￥0.2471

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型号：SI1308EDL 编号：C7603347

封装：SOT-323

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：与其他型号引脚兼容。应用：负载/电源开关。接口开关

5+
￥0.5569
50+
￥0.4369
150+
￥0.3769
500+
￥0.3319
3000+
￥0.2959
6000+
￥0.2779

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型号：BSS131 编号：C5337202

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N型场效应管具有0.1A的电流处理能力和240V的电压承受范围。其内阻典型值为3000mΩ，VGS为20V。适用于需要低功耗和高稳定性的应用场景，如电源管理、信号放大及开关控制等，确保系统高效运行。

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5+
￥0.5583
50+
￥0.458
150+
￥0.4079
500+
￥0.3703
3000+
￥0.3031
6000+
￥0.2881

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型号：FDN5618P 编号：C3021110

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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5+
￥0.57
50+
￥0.4486
150+
￥0.3878
500+
￥0.3423
3000+
￥0.2966
6000+
￥0.2784

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型号：AO3403 编号：C47741

封装：SOT-23

品牌：AOS

P沟道,-30V,-2.6A,115mΩ@-10V

数据手册

5+
￥0.6305
50+
￥0.5032
150+
￥0.4396
500+
￥0.3919
3000+
￥0.3402
6000+
￥0.3211

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型号：WST4040 编号：C377863

封装：SOT-23-3L

品牌：WINSOK(微硕)

N沟道.40V.5.8A.30mΩ

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5+
￥0.6435 ￥0.715
50+
￥0.5733 ￥0.637
150+
￥0.5382 ￥0.598
500+
￥0.51183 ￥0.5687
3000+
￥0.44532 ￥0.4948
6000+
￥0.43479 ￥0.4831

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型号：2N60G 编号：C2889158

封装：SOT-223

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=600V。 ID = 2A。 RDS(ON)=4.5Ω

数据手册

5+
￥0.6467
50+
￥0.5027
150+
￥0.4307
500+
￥0.3767
2500+
￥0.3017
5000+
￥0.28

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型号：20N06 编号：C2890395

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。漏源电压（VDS）：60V。漏极电流（ID）：20A（VGS = 10V）。导通电阻（RDS(ON)）< 23mΩ（VGS = 10V）。导通电阻（RDS(ON)）< 29mΩ（VGS = 4.5V）。先进的沟槽技术。出色的导通电阻和低栅极电荷。无铅产品

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