mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

特性：采用先进的沟槽技术设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。符合RoHS标准。快速开关。低反向传输电容。低导通电阻。低栅极电荷

数据手册

5+
￥0.7219
50+
￥0.5676
150+
￥0.4905
500+
￥0.4327
2500+
￥0.3864
5000+
￥0.3632

有货

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型号：HD303N070S 编号：C49423983

封装：PDFN-8(3x3)

5+
￥0.7396
50+
￥0.5891
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￥0.5139
500+
￥0.4574
2500+
￥0.4123
5000+
￥0.3897

有货

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型号：SI2333DS 编号：C5122042

封装：SOT-23-3

应用：负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换

数据手册

5+
￥0.8247
50+
￥0.6586
150+
￥0.5756
500+
￥0.5133
3000+
￥0.4332
6000+
￥0.4083

有货

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型号：HD303P150S 编号：C52204616

封装：PDFN-8(3x3)

5+
￥0.8493
50+
￥0.6765
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￥0.5901
500+
￥0.5253
2500+
￥0.4734
5000+
￥0.4475

有货

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型号：DMG2305UX-7 编号：C150470

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-20V,-4.2A,52mΩ@-4.5V

数据手册

5+
￥0.8538
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￥0.7095
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￥0.6374
500+
￥0.5833
3000+
￥0.4921
6000+
￥0.4704

有货

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型号：ZXMP10A13FTA 编号：C5122068

封装：SOT-23

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥0.9687
50+
￥0.7671
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￥0.6807
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￥0.5729
3000+
￥0.5104
6000+
￥0.4815

有货

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型号：AO4407C 编号：C469397

封装：SOIC-8

品牌：AOS

数据手册

5+
￥0.9839
50+
￥0.7818
150+
￥0.6952
500+
￥0.5871
3000+
￥0.5151
6000+
￥0.4862

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型号：NTD25P03LG 编号：C18197843

封装：TO-252

特性：30V。 -30A。 RDS(ON) = 32mΩ @VGS=-12V。 RDS(ON) = 50mΩ @VGS=-4.5V。应用：负载电源开关。接口开关

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￥1.0186
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￥0.8799
150+
￥0.8205
500+
￥0.7463
2500+
￥0.7133
5000+
￥0.6935

有货

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型号：NDS331N 编号：C192741

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.0253
50+
￥0.8007
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￥0.7045
500+
￥0.5845
3000+
￥0.531
6000+
￥0.499

有货

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型号：HD504N060SG 编号：C50132382

封装：PDFN-8(5x6)

5+
￥1.0412
50+
￥0.9152
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￥0.8612
500+
￥0.7938
2500+
￥0.7638

有货

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型号：AO4413(UMW) 编号：C19100579

封装：SOP-8

MOS（场效应管）

5+
￥1.0439
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￥0.8138
150+
￥0.7152
500+
￥0.5921
3000+
￥0.5373
6000+
￥0.5044

有货

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型号：HD304N075SG 编号：C52766423

封装：PDFN-8(3x3)

5+
￥1.0474
50+
￥0.8297
150+
￥0.7364
500+
￥0.62
2500+
￥0.5681
5000+
￥0.537

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型号：AO4826 编号：C5125953

封装：SOP-8

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和超低的栅极电荷。 VDS(V) = 60V。 RDS(ON) < 0.028Ω (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 0.03Ω (VGS = 4.5V)

数据手册

5+
￥1.0499
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￥0.8249
150+
￥0.7285
500+
￥0.6082
3000+
￥0.5321
6000+
￥0.5

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型号：AO4884 编号：C5125955

封装：SOP-8

采用先进的沟槽技术，提供低栅极电荷和出色的导通电阻。适用于广泛的功率转换应用。

数据手册

5+
￥1.0708
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￥0.8335
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￥0.7318
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￥0.6049
3000+
￥0.5134
6000+
￥0.4795

有货

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型号：15N10 编号：C5350893

封装：TO-252

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥1.1061
50+
￥0.8574
150+
￥0.7508
500+
￥0.6178
2500+
￥0.5586
5000+
￥0.5231

有货

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型号：AOD4185(UMW) 编号：C5346822

封装：TO-252

使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。凭借DPAK/IPAK封装出色的热阻，该器件非常适合大电流应用。

数据手册

5+
￥1.1373
50+
￥0.8898
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￥0.7838
500+
￥0.6515
2500+
￥0.5354
5000+
￥0.5

有货

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型号：HB06P1H0S 编号：C49256779

封装：TO-252

5+
￥1.1456
50+
￥0.9075
150+
￥0.8054
500+
￥0.6781
2500+
￥0.6214
5000+
￥0.5874

有货

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型号：AGM18N10AP 编号：C7509649

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM18N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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￥1.163
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￥0.9364
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￥0.8393
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￥0.7181
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￥0.6394
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￥0.607

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型号：IRLML0060TRPBF 编号：C67274

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,2.7A,92mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.1883
50+
￥1.0253
150+
￥0.9437
500+
￥0.8826
3000+
￥0.7245
6000+
￥0.7

有货

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型号：RU3030M2-TP 编号：C41348100

封装：DFN-8(3x3)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥1.2058
50+
￥0.9538
150+
￥0.8458
500+
￥0.7111
2500+
￥0.6511
5000+
￥0.615

有货

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型号：IRF7416TRPBF 编号：C5350823

封装：SOP-8

特性：VDS =-30V, ID =-12A。 RD(S(ON))(Typ.) 9.5mΩ @ VGS =-10V。 RD(S(ON))(Typ.) 14mΩ @ VGS =-4.5V。应用：PWM应用。负载开关

数据手册

5+
￥1.2731
50+
￥1.1113
150+
￥1.042
500+
￥0.9554
3000+
￥0.9169
6000+
￥0.8938

有货

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型号：FDS4435A 编号：C5122021

封装：SOP-8

特性：VDS =-30V, ID =-12A。 RD(SON)(Typ.) 9.5mΩ @ VGS =-10V。 RD(SON)(Typ.) 14mΩ @ VGS =-4.5V。应用：PWM应用。负载开关

数据手册

5+
￥1.3047
50+
￥1.0171
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￥0.8939
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￥0.7103
3000+
￥0.6418
6000+
￥0.6007

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型号：IRLML6344TRPBF 编号：C53550

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,5A,29mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥1.3975
50+
￥1.1345
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￥1.0218
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￥0.8811
3000+
￥0.7047
6000+
￥0.6671

有货

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型号：STD20NF06L(UMW) 编号：C668203

封装：TO-252