mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：AOD407 编号：C6396162

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。

5+
￥1.7289
50+
￥1.3535
150+
￥1.1927
500+
￥0.992
2500+
￥0.9026
5000+
￥0.849

有货

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型号：AON6240(UMW) 编号：C19185923

封装：PDFN-8(5.8x4.9)

品牌：UMW(友台半导体)

场效应管（MOSFET）

5+
￥1.6754
50+
￥1.3143
150+
￥1.1595
500+
￥0.9664
2500+
￥0.8804
5000+
￥0.8288

有货

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型号：IRFR220NTRPBF 编号：C2584

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,5A,600mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.7718
50+
￥1.4168
150+
￥1.2647
500+
￥0.888535 ￥0.9353
2000+
￥0.80826 ￥0.8508
4000+
￥0.76 ￥0.8

有货

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型号：IRF9530NPBF 编号：C2574

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-14A,200mΩ@-10V

数据手册

5+
￥1.7915
50+
￥1.407
150+
￥1.2422
500+
￥0.984675 ￥1.0365
2000+
￥0.89775 ￥0.945
5000+
￥0.8455 ￥0.89

有货

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型号：AONR21357 编号：C431196

封装：DFN-8(3x3)

品牌：AOS

P沟道

数据手册

5+
￥2.0544
50+
￥1.6182
150+
￥1.4312
500+
￥1.0923
2500+
￥0.9884
5000+
￥0.9261

有货

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型号：IRF7341TRPBF 编号：C21791

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,4.9A,50mΩ@10V

数据手册

5+
￥2.1591
50+
￥1.7635
150+
￥1.5939
500+
￥1.073215 ￥1.1297
2500+
￥0.983725 ￥1.0355
4000+
￥0.929955 ￥0.9789

有货

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型号：IRLZ44NPBF-HXY 编号：C22367197

封装：TO-220

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRLZ44NPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典可靠的TO-220封装，专为高功率应用设计。该器件提供60V的高耐压VDSS，可承载高达60A的连续漏极电流ID，满足大电流环境下的电力传输需求。其独特优势在于业界领先的17mR低导通电阻RD(on)，有效减少能量损耗，提升系统能效，适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等各种大功率、高效率的电子设备中。

1+
￥2.3994 ￥2.58
10+
￥1.9437 ￥2.09
50+
￥1.7019 ￥1.83
100+
￥1.4601 ￥1.57
500+
￥1.3485 ￥1.45
1000+
￥1.2834 ￥1.38

有货

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型号：HYG090ND06LS1C2 编号：C2999758

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：HUAYI(华羿微)

特性：60V/56A。 RDS(ON) = 8.0 mΩ（典型值） @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 12.2 mΩ（典型值） @ VGS = 4.5 V。 100% 雪崩测试。可靠且耐用。提供无卤和环保器件（符合 RoHS 标准）。应用：开关应用。 DC/DC 电源管理

数据手册

5+
￥2.4002
50+
￥1.9104
150+
￥1.6713
500+
￥1.2268
2500+
￥1.1682
5000+
￥1.1331

有货

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型号：TPH1R403NL 编号：C19268167

封装：PowerDFN-8(5x6)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 30V。 ID = 150A。 RDS(ON) = 2.5mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) = 3.3mΩ（VGS = 4.5V）。应用：负载/电源开关。接口、逻辑开关

5+
￥2.56
50+
￥1.98
150+
￥1.74
500+
￥1.43
2500+
￥1.29
5000+
￥1.2

有货

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型号：SI7617DN-T1-GE3 编号：C727607

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：笔记本电池充电。笔记本适配器开关

数据手册

1+
￥3.87
10+
￥3.12
30+
￥2.8
100+
￥2.3422 ￥2.39
500+
￥1.9012 ￥1.94
1000+
￥1.7934 ￥1.83

有货

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型号：SI7137DP-T1-GE3 编号：C784367

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen II p- 沟道功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：适配器开关。电池开关

数据手册

1+
￥3.97
10+
￥3.22
30+
￥2.85
100+
￥2.48
500+
￥2.26
1000+
￥2.14

有货

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型号：IRF740PBF 编号：C2570

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,400V,10A,550mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.65
10+
￥3.76
50+
￥3.02
100+
￥2.5542 ￥2.58
500+
￥2.2968 ￥2.32
1000+
￥2.1582 ￥2.18

有货

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型号：IRF830PbF 编号：C2573

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,500V,4.5A,1.5Ω@10V

数据手册

1+
￥5.42
10+
￥4.62
50+
￥3.95
100+
￥3.55
500+
￥3.31
1000+
￥3.19

有货

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型号：SIHG20N50C-E3 编号：C11745

封装：TO-247AC

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,560V,20A,270mΩ@10V

数据手册

1+
￥10.44
10+
￥8.56
25+
￥7.38
100+
￥6.0858 ￥6.21
500+
￥5.5762 ￥5.69
1000+
￥5.3508 ￥5.46

有货

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型号：IPP023N10N5 编号：C537114

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，针对FOMoss进行优化。极低导通电阻，可在175℃工作温度下使用。无铅镀铅，符合RoHS标准。按照JEDC11标准进行认证，适用于目标应用。非常适合高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥13.64
10+
￥11.81
50+
￥9.56
100+
￥7.961 ￥8.38
500+
￥7.4575 ￥7.85
1000+
￥7.239 ￥7.62

有货

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型号：T2N7002BK,LM 编号：C146372

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：ESD(HBM) 等级：2 kV。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 1.05Ω（典型值）(@ VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 1.15Ω（典型值）(@ VGS = 5.0V)。 -RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）(@ VGS = 4.5V)。应用：高速开关

数据手册

50+
￥0.1072
500+
￥0.0829
3000+
￥0.0694
6000+
￥0.0613
24000+
￥0.0543
51000+
￥0.0505

有货

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型号：AP2300 编号：C360338

封装：SOT-23

品牌：ALLPOWER(铨力)

2300采用沟槽处理技术设计，可实现极低的导通电阻，具备快速开关速度和更高的传输效率。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种DC-DC应用的高效可靠器件。

数据手册

20+
￥0.116
200+
￥0.0879
600+
￥0.0723
9000+
￥0.0642
21000+
￥0.0599

有货

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型号：LBSS123LT1G 编号：C8491

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

N沟道,100V,0.17A,6Ω@10V

数据手册

20+
￥0.141
200+
￥0.1083
600+
￥0.0902
3000+
￥0.0793
9000+
￥0.0699
21000+
￥0.0648

有货

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型号：BSS123LT1G 编号：C7419968

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：低导通电阻。高速开关。驱动电路简单。易于并联使用。应用：开关应用

20+
￥0.1607
200+
￥0.125
600+
￥0.1052
3000+
￥0.0934
9000+
￥0.0831
21000+
￥0.0775

有货

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型号：IRLML0100TR(UMW) 编号：C5447657

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

使用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

20+
￥0.1651
200+
￥0.1429
600+
￥0.1306
3000+
￥0.1232
9000+
￥0.1168
21000+
￥0.1134

有货

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型号：SI2305 编号：C5248046

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个P沟道耐压:12V 电流:4.1A适用于电源开关和信号控制

数据手册

20+
￥0.17136 ￥0.2142
200+
￥0.13248 ￥0.1656
600+
￥0.11088 ￥0.1386
3000+
￥0.0936 ￥0.117
9000+
￥0.0824 ￥0.103
30000+
￥0.07632 ￥0.0954

有货

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型号：SI2305 编号：C382302

封装：SOT-23-3

品牌：KEXIN(科信)

P 沟道 -20V

数据手册

20+
￥0.1838
200+
￥0.1422
600+
￥0.1191
3000+
￥0.1071
9000+
￥0.0951
21000+
￥0.0886

有货

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型号：2N7002T 编号：C40106

封装：SOT-523

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道,60V,0.115A,7Ω@5V

数据手册

20+
￥0.1889
200+
￥0.1533
600+
￥0.1335
3000+
￥0.1084
9000+
￥0.0981
21000+
￥0.0926

有货

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型号：AP40P05 编号：C2886385

封装：SOT-23

品牌：ALLPOWER(铨力)

特性：40V，5A。 RDS(ON) < 85mΩ @VGS = -10V，TYP: 65mΩ。 RDS(ON) < 120mΩ @VGS = -4.5V，TYP: 90mΩ。先进的沟槽技术。获得无铅产品认证。应用：接口开关。负载开关

数据手册

20+
￥0.1962
200+
￥0.1703
600+
￥0.1559
3000+
￥0.1239
9000+
￥0.1164
21000+
￥0.1124

有货

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型号：CJ3139K 编号：C70022

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

P沟道,-20V,-0.66A,520mΩ@-4.5V

数据手册

20+
￥0.204
200+
￥0.1655
600+
￥0.1441
2000+
￥0.1313
8000+
￥0.1059
16000+
￥0.0999

有货

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型号：RUM001L02T2CL 编号：C253528

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低电压驱动（1.2V），适用于便携式设备。驱动电路简单。内置G-S保护二极管。应用：开关

数据手册

20+
￥0.2093
200+
￥0.1637
600+
￥0.1384
2000+
￥0.1232
8000+
￥0.1101
16000+
￥0.103

有货

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型号：SI2305 编号：C727153

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@1.8V,2A

数据手册

10+
￥0.23166 ￥0.2574
100+
￥0.18927 ￥0.2103
300+
￥0.16812 ￥0.1868
3000+
￥0.13392 ￥0.1488
6000+
￥0.12114 ￥0.1346
9000+
￥0.11484 ￥0.1276

有货

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型号：CJ3404 编号：C71151

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道,30V,5.8A,30mΩ@10V

数据手册

20+
￥0.2362
200+
￥0.1869
600+
￥0.1596
3000+
￥0.1431
9000+
￥0.1289
21000+
￥0.1212

有货

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型号：FDN304P(UMW) 编号：C347509

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：该P沟道1.8V指定MOSFET采用先进的低压PowerTrench工艺。 VDS(V) = 20V。 ID =-2.4A。 RDS(ON)< 52mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON)< 70mΩ (VGS = 2.5V)。 RDS(ON)< 100mΩ (VGS =-1.8V)。应用：电池保护。负载开关

数据手册

20+
￥0.2436
200+
￥0.1853
600+
￥0.1529
3000+
￥0.127
9000+
￥0.1101
21000+
￥0.101

有货

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型号：AO3400A 编号：C700953

封装：SOT-23

品牌：HUASHUO(华朔)

AO3400A是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。AO3400A符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

20+
￥0.2526
200+
￥0.2007
600+
￥0.1748
3000+
￥0.1354
9000+
￥0.1198
21000+
￥0.112

有货

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