mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSH103 编号：C22358686

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

20+
￥0.2374
200+
￥0.1894
600+
￥0.1654
3000+
￥0.1474
9000+
￥0.133
21000+
￥0.1257

有货

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型号：AP2003 编号：C2849575

封装：SOT-23-6L

品牌：ALLPOWER(铨力)

AP2003采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻Rps(on)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还适用于众多其他应用。

数据手册

10+
￥0.2379
100+
￥0.2005
300+
￥0.1817
3000+
￥0.1677
6000+
￥0.1565
9000+
￥0.1509

有货

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型号：S8205A 编号：C181097

封装：SOT-23-6

品牌：Hottech(合科泰)

特性：低导通电阻：VDS = 20V，ID = 5A，RDS(ON) ≤ 25mΩ @VGS = 4.5V。低栅极电荷。适用于同步整流应用。表面贴装器件

数据手册

1+
￥0.24434 ￥0.2572
10+
￥0.193515 ￥0.2037
30+
￥0.1653 ￥0.174
100+
￥0.14839 ￥0.1562
500+
￥0.13376 ￥0.1408
1000+
￥0.12578 ￥0.1324

有货

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型号：DMG1013T-7 编号：C96676

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-20V,-0.46A,0.7Ω@-4.5V

数据手册

20+
￥0.2552
200+
￥0.2057
600+
￥0.1783
3000+
￥0.1448
9000+
￥0.1305
21000+
￥0.1228

有货

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型号：BLM3400S3 编号：C5310944

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 30V，ID = 5.8A。 RDS(ON) < 59mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 45mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 41mΩ @ VGS = 10V。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.2728
100+
￥0.2155
300+
￥0.1868
3000+
￥0.1542
6000+
￥0.137
12000+
￥0.1284

有货

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型号：BSS84-7-F 编号：C85202

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.2817
100+
￥0.2298
300+
￥0.2039
3000+
￥0.1844
6000+
￥0.1689
9000+
￥0.1611

有货

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型号：AP5N10S 编号：C2849571

封装：SOT-23-3L

品牌：ALLPOWER(铨力)

AP5N10S采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景，具备静电放电（ESD）保护功能。

数据手册

10+
￥0.2972
100+
￥0.2348
300+
￥0.2036
3000+
￥0.1802
6000+
￥0.1615
9000+
￥0.1521

有货

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型号：HL3416 编号：C28646273

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 20V。 ID = 6.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 22mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 26mΩ。沟槽功率MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。固态继电器

10+
￥0.3012
100+
￥0.2381
300+
￥0.2065
3000+
￥0.1829
6000+
￥0.1639
9000+
￥0.1545

有货

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型号：SI2323DS(UMW) 编号：C5346821

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V) = -30V。 ID = -4.2A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 50mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 65mΩ (VGS = -4.5V)。应用：负载开关。 PA开关

数据手册

10+
￥0.3221
100+
￥0.2545
300+
￥0.2207
3000+
￥0.1883
6000+
￥0.168
9000+
￥0.1578

有货

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型号：CJ3415 编号：C2910186

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：优秀的RDS(ON)。低栅极电荷。低栅极电压。应用：负载开关。 PWM应用

数据手册

10+
￥0.323
100+
￥0.2653
300+
￥0.2365
3000+
￥0.2028
6000+
￥0.1855
9000+
￥0.1768

有货

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型号：NDS351AN 编号：C19829405

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 30V, ID = 3A。 RDS(ON) < 85mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 100mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用

10+
￥0.3359
100+
￥0.2639
300+
￥0.2279
3000+
￥0.2009
6000+
￥0.1793
9000+
￥0.1685

有货

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型号：CJ2324 编号：C81053

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道,100V,2A,234mΩ@10V；较BSS123具有更大的额定电流

数据手册

10+
￥0.34
100+
￥0.2766
300+
￥0.2448
3000+
￥0.1946
6000+
￥0.1756
9000+
￥0.1661

有货

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型号：2N7002 编号：C124475

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产。该产品的设计可在最大程度减少导通电阻的同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。2N7002可用于需要高达400mA直流电的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。本产品特别适合于低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

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