mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：CSD18534Q5A 编号：C115943

封装：SON-8(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

CSD18534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥3.71
10+
￥2.96
30+
￥2.64
100+
￥2.24
500+
￥1.8
1000+
￥1.69

有货

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型号：WSD30L90DN56 编号：C719076

封装：DFN5X6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD30L90DN56 是一款高性能沟槽 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD30L90DN56 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，通过全功能可靠性认证，100% 保证符合 EAS 标准。

数据手册

1+
￥2.19
10+
￥1.94
30+
￥1.83
100+
￥1.7
500+
￥1.56
1000+
￥1.53

有货

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型号：HT02P130S 编号：C49066907

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -20V。 ID = -16A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 13mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 16mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥2.2863
50+
￥1.8111
150+
￥1.6074
500+
￥1.3532
2500+
￥1.2401
5000+
￥1.1722

有货

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型号：AON6240(UMW) 编号：C19185923

封装：PDFN-8(5.8x4.9)

品牌：UMW(友台半导体)

场效应管（MOSFET）

1+
￥2.5
10+
￥1.95
30+
￥1.72
100+
￥1.43
500+
￥1.3
1000+
￥1.22

有货

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型号：IRLR3410TRPBF 编号：C3017

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,17A,105mΩ@10V

数据手册

5+
￥2.5442
50+
￥2.0663
150+
￥1.8615
500+
￥1.4569
2000+
￥1.3431
4000+
￥1.2748

有货

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型号：HSBB6066 编号：C2828498

封装：PRPAK3x3-8L

品牌：HUASHUO(华朔)

先进的沟槽MOS技术。低栅极电荷。低RDS(ON)。100%保证EAS。有绿色环保产品可供选择

数据手册

1+
￥2.94
10+
￥2.34
30+
￥2.08
100+
￥1.76
500+
￥1.4
1000+
￥1.31

有货

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型号：WSD40L60DN56 编号：C5242051

封装：DFN5x6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD40L60DN56是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD40L60DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，100%保证符合EAS标准。

数据手册

1+
￥3.01
10+
￥2.5
30+
￥2
100+
￥1.5

有货

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型号：HE10N082SG 编号：C52766428

封装：TO-220CB

品牌：R+O(宏嘉诚)

1+
￥3.63
10+
￥2.95
50+
￥2.6
100+
￥2.26
500+
￥2.06
1000+
￥1.96

有货

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型号：HB06N047SG 编号：C52766426

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

1+
￥3.63
10+
￥2.87
30+
￥2.55
100+
￥2.15
500+
￥1.97
1000+
￥1.86

有货

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型号：FSS2302S 编号：C2926140

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

数据手册

50+
￥0.0755
500+
￥0.0604
3000+
￥0.0482
6000+
￥0.0432
24000+
￥0.0388
51000+
￥0.0364

有货

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型号：2N7002 编号：C727149

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA

数据手册

50+
￥0.085595 ￥0.0901
500+
￥0.06783 ￥0.0714
3000+
￥0.05168 ￥0.0544
6000+
￥0.04579 ￥0.0482
24000+
￥0.04066 ￥0.0428
51000+
￥0.037905 ￥0.0399

有货

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型号：AO3400L 编号：C49452393

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS 30V。 RDS(ON) (VGS=10V) ≤22mΩ (Typ)。 RDS(ON) (VGS=4.5V) ≤27mΩ (Typ)。应用：接口开关。负载开关

20+
￥0.1096
200+
￥0.0948
600+
￥0.0865
3000+
￥0.0816
9000+
￥0.0773
21000+
￥0.075

有货

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型号：AO3400AL 编号：C49452344

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS 30 V。 RDS(ON) (VGS=10V) ≤22mΩ (Typ)。 RDS(ON) (VGS=4.5V) ≤27mΩ (Typ)。应用：接口开关。负载开关

20+
￥0.1116
200+
￥0.0967
600+
￥0.0885
3000+
￥0.0835
9000+
￥0.0792
21000+
￥0.0769

有货

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型号：AO3401A 编号：C49396278

封装：SOT-23

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

50+
￥0.1252
500+
￥0.0982
3000+
￥0.0832
6000+
￥0.0742
24000+
￥0.0664
51000+
￥0.0622

有货

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型号：AP2301 编号：C385296

封装：SOT-23

品牌：ALLPOWER(铨力)

特性：20V，-3A，RDS(ON) < 75mΩ @VGS = -10V，典型值：58mΩ；RDS(ON) < 95mΩ @VGS = -4.5V，典型值：74mΩ。先进的沟槽技术。获得无铅产品认证。应用：接口。开关

数据手册

20+
￥0.1278
200+
￥0.0986
600+
￥0.0824
9000+
￥0.074
21000+
￥0.0694

有货

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型号：BMSN3139 编号：C19078062

封装：SOT-323

品牌：BORN(伯恩半导体)

场效应管（MOS）

20+
￥0.1395
200+
￥0.1098
600+
￥0.0933
3000+
￥0.0834
12000+
￥0.0725
18000+
￥0.0678

有货

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型号：MMFTN3019E 编号：C86709

封装：SOT-523-3

品牌：ST(先科)

N沟道,30V,1A,8Ω@4V

数据手册

20+
￥0.1538
200+
￥0.1189
600+
￥0.0995
4000+
￥0.0878
8000+
￥0.0778
20000+
￥0.0723

有货

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型号：BSS123LT1G 编号：C7419968

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：低导通电阻。高速开关。驱动电路简单。易于并联使用。应用：开关应用

20+
￥0.1607
200+
￥0.125
600+
￥0.1052
3000+
￥0.0934
9000+
￥0.0831
21000+
￥0.0775

有货

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型号：TPM7002DFN3 编号：C521982

封装：DFN1006-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS 60V。ID 340mA。RDS(ON) (at VGS=10V) <2.5ohm。RDS(ON) (at VGS=4.5V) <3.0ohm。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

20+
￥0.1669
200+
￥0.1477
600+
￥0.1371
2000+
￥0.1307
10000+
￥0.1118
20000+
￥0.1088

有货

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型号：CJE3139K 编号：C70991

封装：SOT-523

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

P沟道,-20V,-0.66A,520mΩ@4.5V

数据手册

20+
￥0.1718
200+
￥0.1362
600+
￥0.1164
3000+
￥0.1045
9000+
￥0.0942
21000+
￥0.0887

有货

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型号：BMS2302 编号：C22380730

封装：SOT-323

品牌：BORN(伯恩半导体)

2.1A 20V 59mΩ NMOS

20+
￥0.1743
200+
￥0.1354
600+
￥0.1138
3000+
￥0.098
9000+
￥0.0867
21000+
￥0.0807

有货

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型号：AO3404 编号：C5248044

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:30V 电流:5.8A适用于电源开关和信号控制

数据手册

20+
￥0.1962 ￥0.218
200+
￥0.15732 ￥0.1748
600+
￥0.13572 ￥0.1508
3000+
￥0.11457 ￥0.1273
9000+
￥0.10332 ￥0.1148
30000+
￥0.09729 ￥0.1081

有货

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型号：FDN338P(UMW) 编号：C347511

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：采用先进的低压PowerTrench工艺。针对电池电源管理应用进行了优化。 V(BR)DSS = 20V。 ID = -2.8A。 RDS(ON) < 112mΩ (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 142mΩ (VGS = -2.5V)。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

20+
￥0.2028
200+
￥0.1537
600+
￥0.1264
3000+
￥0.1068
9000+
￥0.0926
21000+
￥0.0849

有货

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型号：FSS2305 编号：C2926136

封装：SOT-23-3L

品牌：FOSAN(富捷/富信)

数据手册

20+
￥0.2076
200+
￥0.1618
600+
￥0.1364
3000+
￥0.1211
9000+
￥0.1079
21000+
￥0.1007

有货

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型号：AO3402A 编号：C347477

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。漏源击穿电压V(BR)DS < 90V。漏极电流ID = 4A。导通电阻RDS(ON) < 52mΩ（VGS = 10V）。导通电阻RDS(ON) < 65mΩ（VGS = 4.5V）。导通电阻RDS(ON) < 85mΩ（VGS = 2.5V）。应用：负载开关。 PWM应用

数据手册