mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：AO4805 编号：C5183840

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适合电池管理系统、AC/DC转换及各类消费电子产品。集成双极性通道，提供优越的开关特性和低导通电阻，确保在正负电压下稳定工作，提升系统效能与节能表现。

数据手册

5+
￥1.01042 ￥1.0636
50+
￥0.8056 ￥0.848
150+
￥0.71782 ￥0.7556
500+
￥0.545395 ￥0.5741
3000+
￥0.49666 ￥0.5228
6000+
￥0.4674 ￥0.492

有货

立即购买

型号：2N60G 编号：C2889158

封装：SOT-223

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=600V。 ID = 2A。 RDS(ON)=4.5Ω

数据手册

5+
￥0.6492
50+
￥0.5052
150+
￥0.4332
500+
￥0.3792
2500+
￥0.3042
5000+
￥0.2825

有货

立即购买

型号：HD304N140S 编号：C50327548

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 40V。 ID = 25A。 RDS(on)@VGS = 10V < 14mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 20mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：DC-DC转换器。负载开关

5+
￥0.6606
50+
￥0.5262
150+
￥0.459
500+
￥0.4086
2500+
￥0.3682
5000+
￥0.3481

有货

立即购买

型号：HV04P320S 编号：C49424010

封装：SOT-89

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -40 V。 ID = -8.5 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 32 mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5 V < 40 mΩ。雪崩能量测试。快速开关速度。应用：同步整流。 DC/DC转换器

5+
￥0.6901
50+
￥0.5497
150+
￥0.4795
1000+
￥0.4268
2000+
￥0.3847
5000+
￥0.3636

有货

立即购买

型号：BSN20BKR 编号：C118033

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道,60V,0.265A,2.8Ω@10V

数据手册

5+
￥0.7651
50+
￥0.6229
150+
￥0.5517
500+
￥0.4984
3000+
￥0.4555
6000+
￥0.4342

有货

立即购买

型号：AON7544 编号：C315567

封装：DFN-8(3x3)

品牌：AOS

N沟道,30V,30A

数据手册

5+
￥0.7906
50+
￥0.6178
150+
￥0.5314
500+
￥0.4666
2500+
￥0.4148
5000+
￥0.3888

有货

立即购买

型号：SI4435DDY 编号：C5350822

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥0.7981
50+
￥0.6942
150+
￥0.6496
500+
￥0.594
3000+
￥0.5693
6000+
￥0.5544

有货

立即购买

型号：PMGD280UN,115 编号：C135817

封装：TSSOP-6(SOT-363)

品牌：Nexperia(安世)

采用TrenchMOS™技术、塑料封装的双N沟道增强型场效应晶体管。

数据手册

5+
￥0.8078
50+
￥0.6356
150+
￥0.5495
500+
￥0.4849
3000+
￥0.4332
6000+
￥0.4073

有货

立即购买

型号：IRLML6401TRPBF 编号：C3034

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-12V,-4.3A,50mΩ@-4.5V

数据手册

5+
￥0.8168
50+
￥0.6536
150+
￥0.572
500+
￥0.5108
3000+
￥0.4618
6000+
￥0.4373

有货

立即购买

型号：NCE3080K 编号：C108901

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道，30V/80A，5.5毫欧。

数据手册

5+
￥0.8253
50+
￥0.6381
150+
￥0.5445
500+
￥0.4743
2500+
￥0.4181
5000+
￥0.39

有货

立即购买

型号：WSP4606 编号：C86361

封装：SOP-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSP4606是高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4606符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过了全面的可靠性验证。

数据手册

5+
￥0.8705
50+
￥0.776
150+
￥0.7354
500+
￥0.6849
3000+
￥0.597
6000+
￥0.5834

有货

立即购买

型号：WSP4882 编号：C377862

封装：SOP-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSP4882是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4882符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

数据手册

5+
￥0.9353
50+
￥0.7529
150+
￥0.6617
500+
￥0.5933
3000+
￥0.51
6000+
￥0.4826

有货

立即购买

型号：AO4443 编号：C2944309

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

数据手册

5+
￥0.9507
50+
￥0.748
150+
￥0.6611
500+
￥0.5527
3000+
￥0.4787
6000+
￥0.4497

有货

立即购买

型号：AO4485 编号：C5125949

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。漏源电压（VDS）：-40V。漏极电流（ID）：-10A。静态漏源导通电阻（RDS(ON)）< 15mΩ（VGS = -10V）。静态漏源导通电阻（RDS(ON)）< 20mΩ（VGS = -4.5V）。应用：DC-DC 转换器应用

数据手册

5+
￥0.9536
50+
￥0.7467
150+
￥0.6433
500+
￥0.5657
3000+
￥0.4699
6000+
￥0.4389

有货

立即购买

型号：IRLML6402TRPBF 编号：C2593

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-20V,-3.7A,65mΩ@-4.5V

数据手册

5+
￥1.0077
50+
￥0.8578
150+
￥0.7807
500+
￥0.7172
3000+
￥0.695

有货

立即购买

型号：HD303N080SG 编号：C52766420

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥1.0474
50+
￥0.8297
150+
￥0.7364
500+
￥0.62
2500+
￥0.5681
5000+
￥0.537

有货

立即购买

型号：HB03N040S 编号：C49423995

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥1.0802
50+
￥0.8556
150+
￥0.7594
500+
￥0.6393
2500+
￥0.5859
5000+
￥0.5538

有货

立即购买

型号：FDN337N 编号：C241805

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册