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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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N沟道,1500V,2.5A,9Ω@10V
数据手册
  • 1+

    ¥8.02
  • 10+

    ¥7.15
  • 30+

    ¥5.97
  • 90+

    ¥5.36
  • 有货
  • P管/-20V/-2A/95mΩ/(典型125mΩ)
    • 50+

      ¥0.0532
    • 500+

      ¥0.0419
    • 3000+

      ¥0.035
    • 6000+

      ¥0.0312
    • 24000+

      ¥0.0279
    • 51000+

      ¥0.0262
  • 有货
  • N沟道,60V,0.115A,225mW
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0862
    • 500+

      ¥0.0684
    • 3000+

      ¥0.0585
    • 6000+

      ¥0.0525
    • 24000+

      ¥0.0474
    • 51000+

      ¥0.0446
  • 有货
  • 1个N沟道 耐压:20V 电流:6A适用于电源开关和信号控制
    • 50+

      ¥0.11484 ¥0.1276
    • 500+

      ¥0.09054 ¥0.1006
    • 3000+

      ¥0.07704 ¥0.0856
    • 6000+

      ¥0.06894 ¥0.0766
    • 30000+

      ¥0.06192 ¥0.0688
    • 45000+

      ¥0.05814 ¥0.0646
  • 有货
  • 沟槽功率中压MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1208
    • 500+

      ¥0.097
    • 3000+

      ¥0.0838
    • 6000+

      ¥0.0759
    • 24000+

      ¥0.069
    • 51000+

      ¥0.0654
  • 有货
  • 特性:静电敏感设备。 RDS(ON) < 26.5mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 32mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 48mΩ @ VGS = 2.5V
    • 20+

      ¥0.1691
    • 200+

      ¥0.134
    • 600+

      ¥0.1145
    • 3000+

      ¥0.0986
    • 9000+

      ¥0.0884
    • 21000+

      ¥0.083
  • 有货
  • N沟道,60V,0.115A,7Ω@5V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1779
    • 200+

      ¥0.1423
    • 600+

      ¥0.1225
    • 3000+

      ¥0.0974
    • 9000+

      ¥0.0871
    • 21000+

      ¥0.0815
  • 有货
    • 20+

      ¥0.1893
    • 200+

      ¥0.1485
    • 600+

      ¥0.1258
    • 3000+

      ¥0.1122
    • 9000+

      ¥0.1004
  • 有货
  • 便携式设备,使用高电池密度,先进的沟槽技术,适合于低压应用以及低在线功率损耗
    数据手册
    • 20+

      ¥0.19608 ¥0.2451
    • 200+

      ¥0.15504 ¥0.1938
    • 600+

      ¥0.13224 ¥0.1653
    • 3000+

      ¥0.1072 ¥0.134
    • 9000+

      ¥0.09536 ¥0.1192
    • 21000+

      ¥0.08896 ¥0.1112
  • 有货
  • 特性:40V,5A。 RDS(ON) < 85mΩ @VGS = -10V,TYP: 65mΩ。 RDS(ON) < 120mΩ @VGS = -4.5V,TYP: 90mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。应用:接口开关。 负载开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1962
    • 200+

      ¥0.1703
    • 600+

      ¥0.1559
    • 3000+

      ¥0.1239
    • 9000+

      ¥0.1164
    • 21000+

      ¥0.1124
  • 有货
    • 20+

      ¥0.1987
    • 200+

      ¥0.1593
    • 600+

      ¥0.1374
    • 3000+

      ¥0.1243
    • 9000+

      ¥0.1129
    • 21000+

      ¥0.1068
  • 有货
  • 特性:较低的导通电阻。可靠且耐用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.20235 ¥0.213
    • 200+

      ¥0.159695 ¥0.1681
    • 600+

      ¥0.13604 ¥0.1432
    • 3000+

      ¥0.11419 ¥0.1202
    • 9000+

      ¥0.10184 ¥0.1072
    • 21000+

      ¥0.09519 ¥0.1002
  • 有货
  • MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2179
    • 200+

      ¥0.1775
    • 600+

      ¥0.155
    • 3000+

      ¥0.1271
    • 9000+

      ¥0.1154
    • 21000+

      ¥0.1091
  • 有货
  • 适用于电池保护、负载开关等应用,拥有低导通电阻和快速切换特性,为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.22797 ¥0.2682
    • 100+

      ¥0.17952 ¥0.2112
    • 300+

      ¥0.155295 ¥0.1827
    • 3000+

      ¥0.12376 ¥0.1456
    • 6000+

      ¥0.109225 ¥0.1285
    • 9000+

      ¥0.101915 ¥0.1199
  • 有货
  • 特性:低电压驱动(1.2V),适用于便携式设备。 驱动电路简单。 内置G-S保护二极管。应用:开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2293
    • 200+

      ¥0.1816
    • 600+

      ¥0.155
    • 2000+

      ¥0.1391
    • 8000+

      ¥0.1253
    • 16000+

      ¥0.1179
  • 有货
  • 带ESD防护,2个N沟道,60V,0.3A,1.5Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.2351
    • 50+

      ¥0.1789
    • 150+

      ¥0.1477
    • 500+

      ¥0.129
    • 3000+

      ¥0.1128
    • 6000+

      ¥0.104
  • 有货
  • 特性:TrenchFET Power MOSFET。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2368
    • 200+

      ¥0.1907
    • 600+

      ¥0.165
    • 3000+

      ¥0.1352
    • 9000+

      ¥0.1218
    • 21000+

      ¥0.1146
  • 有货
  • 这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高密度先进沟槽技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻,同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用,如:小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器、开关应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2668
    • 200+

      ¥0.2162
    • 600+

      ¥0.1881
    • 3000+

      ¥0.1622
    • 9000+

      ¥0.1476
    • 21000+

      ¥0.1397
  • 有货
  • 特性:1.8V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 144mΩ(最大值)(VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 72.0mΩ(最大值)(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 50.0mΩ(最大值)(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 42.0mΩ(最大值)(VGS = 10V)。应用:电源管理开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3094
    • 100+

      ¥0.247
    • 300+

      ¥0.2158
    • 3000+

      ¥0.1712
    • 6000+

      ¥0.1525
    • 9000+

      ¥0.1431
  • 有货
  • 这是一个 20 V N 沟道功率 MOSFET
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3206
    • 100+

      ¥0.2556
    • 300+

      ¥0.2231
    • 1000+

      ¥0.1987
    • 4000+

      ¥0.1792
    • 8000+

      ¥0.1694
  • 有货
    • 10+

      ¥0.34
    • 100+

      ¥0.2635
    • 300+

      ¥0.2253
    • 3000+

      ¥0.1847
    • 6000+

      ¥0.1618
    • 9000+

      ¥0.1503
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3762
    • 100+

      ¥0.2983
    • 300+

      ¥0.2593
    • 3000+

      ¥0.2169
    • 6000+

      ¥0.1935
    • 9000+

      ¥0.1818
  • 有货
  • 特性:1.5V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 88.4mΩ 最大 (VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 56.0mΩ 最大 (VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 39.7mΩ 最大 (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 29.0mΩ 最大 (VGS =-4.5V)。应用:电源管理开关应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3801
    • 100+

      ¥0.2985
    • 300+

      ¥0.2578
    • 3000+

      ¥0.2188
    • 6000+

      ¥0.1943
    • 9000+

      ¥0.182
  • 有货
  • NCE3401AY采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4021
    • 50+

      ¥0.3109
    • 150+

      ¥0.2653
    • 500+

      ¥0.2311
    • 3000+

      ¥0.2037
    • 6000+

      ¥0.19
  • 有货
  • 特性:SOT-23。 快速开关。 低栅极电荷和RDS(on)。 VDS = -100V,ID = -1A时,RDS(on) < 650mΩ @VGS = -10V。应用:PWM应用。 负载开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.4228
    • 200+

      ¥0.3364
    • 600+

      ¥0.2932
    • 3000+

      ¥0.2405
    • 9000+

      ¥0.2146
    • 21000+

      ¥0.2016
  • 有货
  • MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,适用于高效电源管理应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.428
    • 100+

      ¥0.3497
    • 300+

      ¥0.3106
    • 3000+

      ¥0.2799
    • 6000+

      ¥0.2565
    • 9000+

      ¥0.2447
  • 有货
  • N沟道,30V,100A,2mΩ@10V
    • 5+

      ¥0.486455 ¥0.5723
    • 50+

      ¥0.426955 ¥0.5023
    • 150+

      ¥0.397205 ¥0.4673
    • 500+

      ¥0.37485 ¥0.441
    • 2500+

      ¥0.357 ¥0.42
    • 5000+

      ¥0.348075 ¥0.4095
  • 有货
  • P沟道 30V 230mA
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5262
    • 50+

      ¥0.4205
    • 150+

      ¥0.3676
    • 500+

      ¥0.3279
    • 3000+

      ¥0.2962
    • 6000+

      ¥0.2803
  • 有货
  • 特性:P沟道增强模式。 雪崩额定。 逻辑电平。 dV/dt额定。 无铅引脚电镀,符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5335
    • 50+

      ¥0.4271
    • 150+

      ¥0.3739
    • 500+

      ¥0.334
    • 3000+

      ¥0.3021
    • 6000+

      ¥0.2861
  • 有货
  • 特性:VDS = 100V, ID = 3.5A。 RDS(ON) < 130mΩ @ VGS = 10V (96mΩ Typ)。 RDS(ON) < 180mΩ @ VGS = 4.5V (140mΩ Typ)。应用:负载/电源开关。 接口开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6236
    • 50+

      ¥0.4916
    • 150+

      ¥0.4256
    • 500+

      ¥0.3761
    • 3000+

      ¥0.3245
    • 6000+

      ¥0.3047
  • 有货
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