mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：AO3401 编号：C5224195

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

20+
￥0.1577
200+
￥0.1462
600+
￥0.1399
3000+
￥0.1042
9000+
￥0.1009
21000+
￥0.0991

有货

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型号：AO3407 编号：C727158

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4.1A

数据手册

10+
￥0.1746 ￥0.194
100+
￥0.15435 ￥0.1715
300+
￥0.14319 ￥0.1591
3000+
￥0.12105 ￥0.1345
6000+
￥0.1152 ￥0.128
9000+
￥0.11214 ￥0.1246

有货

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型号：SI2306 编号：C181089

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：较低的导通电阻。可靠且耐用

数据手册

20+
￥0.19969 ￥0.2102
200+
￥0.157605 ￥0.1659
600+
￥0.134235 ￥0.1413
3000+
￥0.11267 ￥0.1186
9000+
￥0.10051 ￥0.1058
21000+
￥0.093955 ￥0.0989

有货

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型号：AO3404A 编号：C347497

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 VDS = 30V。 ID = 5.8A（VGS = 10V）。 RDS(ON) = 18mΩ（典型值）@VGS = 10V。 RDS(ON) = 24mΩ（典型值）@VGS = 10V

数据手册

20+
￥0.2139
200+
￥0.1662
600+
￥0.1397
3000+
￥0.1238
9000+
￥0.11
21000+
￥0.1026

有货

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型号：AO3404 编号：C192925

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

N沟道,30V,5.8A,30mΩ@10V

数据手册

20+
￥0.218595 ￥0.2301
200+
￥0.171475 ￥0.1805
600+
￥0.145255 ￥0.1529
3000+
￥0.11457 ￥0.1206
9000+
￥0.10089 ￥0.1062
21000+
￥0.093575 ￥0.0985

有货

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型号：2N7002BKS 编号：C2912543

封装：SOT-363

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：快速开关。有环保型产品。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本负载开关。网络

数据手册

10+
￥0.246
100+
￥0.1932
300+
￥0.1668
3000+
￥0.147
6000+
￥0.1312
9000+
￥0.1232

有货

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型号：AO3401A 编号：C5224202

封装：SOT-23-3L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

20+
￥0.2584
200+
￥0.206
600+
￥0.1798
3000+
￥0.1601
9000+
￥0.1444
21000+
￥0.1365

有货

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型号：8205S 编号：C2762930

封装：SOT-23-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。

数据手册

10+
￥0.26979 ￥0.3174
100+
￥0.2125 ￥0.25
300+
￥0.18377 ￥0.2162
3000+
￥0.146455 ￥0.1723
6000+
￥0.129285 ￥0.1521
9000+
￥0.1207 ￥0.142

有货

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型号：NDS331N 编号：C5123903

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

5+
￥0.3543
50+
￥0.3075
150+
￥0.2841
500+
￥0.2666
3000+
￥0.2348
6000+
￥0.2278

有货

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型号：AO3400 编号：C2848737

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。采用SOT-23表面贴装封装

数据手册

20+
￥0.3602
200+
￥0.29
600+
￥0.2548
3000+
￥0.181
9000+
￥0.16
21000+
￥0.1494

有货

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型号：APM4953 编号：C5224316

封装：SOP8

品牌：ElecSuper(静芯)

2个P沟道，-30V，-5.8A，40mΩ@-10V,-5.0A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥0.4051
50+
￥0.3427
150+
￥0.3115
500+
￥0.2881
3000+
￥0.2694
6000+
￥0.26

有货

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型号：TP0610K-T1-GE3 编号：C193222

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-60V,-185mA,6Ω@-10V

数据手册

10+
￥0.4553
100+
￥0.3626
300+
￥0.3162
3000+
￥0.2814
6000+
￥0.2536
9000+
￥0.2397

有货

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型号：30N06 编号：C5807887

封装：TO-252

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:60V 电流:30A适用于电源开关和信号控制

5+
￥0.51822 ￥0.5758
50+
￥0.41022 ￥0.4558
150+
￥0.35622 ￥0.3958
500+
￥0.31572 ￥0.3508
2500+
￥0.28332 ￥0.3148
5000+
￥0.26712 ￥0.2968

有货

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型号：AO3402 编号：C14385

封装：SOT-23

品牌：AOS

N沟道,30V,4A,55mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.5267
50+
￥0.4259
150+
￥0.3755
500+
￥0.3377
3000+
￥0.2715
6000+
￥0.2563

有货

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型号：50N06 编号：C2939003

封装：TO-252

品牌：KUU

50NO6将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

5+
￥0.5395
50+
￥0.4888
150+
￥0.4634
500+
￥0.4444
2500+
￥0.3286
5000+
￥0.321

有货

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型号：15N10 编号：C7471106

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

15N10是高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。15N10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.5683
50+
￥0.4491
150+
￥0.3895
500+
￥0.3448
2500+
￥0.2871
5000+
￥0.2692

有货

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型号：IRLML0100TRPBF 编号：C53658

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,1.6A,220mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.7695
50+
￥0.6257
150+
￥0.5537
500+
￥0.47481 ￥0.4998
3000+
￥0.371355 ￥0.3909
6000+
￥0.350835 ￥0.3693

有货

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型号：AO4805 编号：C5183840

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适合电池管理系统、AC/DC转换及各类消费电子产品。集成双极性通道，提供优越的开关特性和低导通电阻，确保在正负电压下稳定工作，提升系统效能与节能表现。

数据手册

5+
￥0.91979 ￥0.9682
50+
￥0.73739 ￥0.7762
150+
￥0.646285 ￥0.6803
500+
￥0.51908 ￥0.5464
3000+
￥0.46436 ￥0.4888
6000+
￥0.437 ￥0.46

有货

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型号：WSP4882 编号：C377862

封装：SOP-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSP4882是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4882符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

数据手册

5+
￥0.9353
50+
￥0.7529
150+
￥0.6617
500+
￥0.5933
3000+
￥0.51
6000+
￥0.4826

有货

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型号：AOD403 编号：C5224305

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-62A，79W，8mΩ@-10V,-20A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥0.9572
50+
￥0.8262
150+
￥0.77
500+
￥0.7
2500+
￥0.6688
5000+
￥0.65

有货

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型号：IRLR7843TR(UMW) 编号：C7499399

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=30V 。 Qg=34nC 。 RDS(ON)<3.3mΩ(VGS=10V)。 4.5V VGS时极低的RDS(ON)。超低栅极阻抗。完全表征雪崩电压和电流。应用：计算机处理器电源的高频同步降压转换器

5+
￥1.4441
50+
￥1.1163
150+
￥0.9759
500+
￥0.8006
2500+
￥0.7049
5000+
￥0.658

有货

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型号：IRF9530NPBF 编号：C2574

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-14A,200mΩ@-10V

数据手册

5+
￥1.7915
50+
￥1.407
150+
￥1.2422
500+
￥0.984675 ￥1.0365
2000+
￥0.89775 ￥0.945
5000+
￥0.8455 ￥0.89

有货

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型号：CRSS042N10N 编号：C410926

封装：TO-263

品牌：CRMICRO(华润微)

N沟道 100V 120A 3.4mΩ@10v

数据手册

1+
￥3.49
10+
￥2.97
30+
￥2.6
100+
￥2.29
500+
￥2
1000+
￥1.94

有货

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型号：AOD66923 编号：C485687

封装：TO-252

品牌：AOS

Trench Power AlphaSGTTM技术。低RDS(ON)。逻辑电平驱动。出色的QG x RDS(ON)乘积（FOM）。尖峰优化工艺。符合RoHS和无卤标准

数据手册

1+
￥3.98
10+
￥3.25
30+
￥2.88
100+
￥2.52
500+
￥2.19
1000+
￥2.08

有货

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型号：IRF840PBF 编号：C537842

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装普遍适用于所有功率耗散水平约为50 W的商业和工业应用。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。

数据手册

1+
￥4.74
10+
￥3.85
50+
￥3.16
100+
￥2.584 ￥2.72
500+
￥2.3275 ￥2.45
1000+
￥2.204 ￥2.32

有货

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型号：PMXB65ENEZ 编号：C547275

封装：SOT1215

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无引脚超小DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

1+
￥5.16
10+
￥4.23
30+
￥3.77
100+
￥3.2107 ￥3.31
500+
￥2.9488 ￥3.04
1000+
￥2.813 ￥2.9

有货

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型号：BSC040N10NS5 编号：C534334

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥5.8
10+
￥4.85
30+
￥4.37
100+
￥3.705 ￥3.9
500+
￥2.9925 ￥3.15
1000+
￥2.85 ￥3

有货

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型号：HYG015N10NS1TA 编号：C2979263

封装：TOLL-8L

品牌：HUAYI(华羿微)

特性：100V/380A，导通电阻（RDS(ON)）典型值为 1.2mΩ（VGS = 10V 时）。 100% 雪崩测试。可靠耐用。提供无卤器件（符合 RoHS 标准）。应用：开关应用。逆变器系统的电源管理

数据手册

1+
￥10.7
10+
￥9.38
30+
￥8.45
100+
￥7.3
500+
￥6.91
1000+
￥6.76

有货

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型号：2N7002 编号：C727149

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA

数据手册

50+
￥0.09462 ￥0.0996
500+
￥0.07391 ￥0.0778
3000+
￥0.056905 ￥0.0599
6000+
￥0.04997 ￥0.0526
24000+
￥0.043985 ￥0.0463
51000+
￥0.040755 ￥0.0429

有货

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型号：2N7002K 编号：C2910165

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(on)。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力。 ESD保护。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

50+
￥0.0996
500+
￥0.079
3000+
￥0.0661
6000+
￥0.0593
24000+
￥0.0533

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