mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SI2333 编号：C344008

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

MOSFET,P-channel 12V/8V 5.1A VGS(th)=0.6V 28mΩ@5.1A&4.5V,SOT-23

数据手册

10+
￥0.3885
100+
￥0.3309
300+
￥0.3021
3000+
￥0.221
6000+
￥0.2037
9000+
￥0.195

有货

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型号：CJ2309A 编号：C7433254

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJ2309A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(on)。该器件适用于作为单向或双向负载开关。

10+
￥0.3924
100+
￥0.3185
300+
￥0.2815
3000+
￥0.2538
6000+
￥0.2316
9000+
￥0.2206

有货

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型号：IRLML2060TRPBF 编号：C5122027

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

10+
￥0.4333
100+
￥0.3435
300+
￥0.2986
3000+
￥0.2574
6000+
￥0.2304
9000+
￥0.217

有货

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型号：IRLML6402TRPBF 编号：C5182043

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：先进的沟槽技术。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。无铅产品。应用：负载/电源开关。接口

数据手册

5+
￥0.5652
50+
￥0.444
150+
￥0.3834
500+
￥0.3379
3000+
￥0.2774
6000+
￥0.2592

有货

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型号：WST03P06 编号：C105166

封装：SOT-23-3L

品牌：WINSOK(微硕)

WST30P06是一款具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WST30P06符合RoHS标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。

数据手册

5+
￥0.59
50+
￥0.53
150+
￥0.5
500+
￥0.47
3000+
￥0.45
6000+
￥0.44

有货

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型号：NCE6020AK 编号：C108639

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道，60V/20A，37毫欧。

数据手册

5+
￥0.8465
50+
￥0.6545
150+
￥0.5585
500+
￥0.4865
2500+
￥0.4289
5000+
￥0.4

有货

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型号：IRLML0060TRPBF 编号：C67274

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,2.7A,92mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.8507
50+
￥0.6966
150+
￥0.6196
500+
￥0.550564 ￥0.5618
3000+
￥0.404152 ￥0.4124
6000+
￥0.381514 ￥0.3893

有货

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型号：2N7002P,215 编号：C81488

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道,60V,0.36A,1.6Ω@10V

数据手册

5+
￥1.3347
50+
￥1.0731
150+
￥0.961
500+
￥0.796467 ￥0.8211
3000+
￥0.716054 ￥0.7382
6000+
￥0.679776 ￥0.7008

有货

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型号：STD20NF06L(UMW) 编号：C668203

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 VDS(V) = 60V。 ID = 30A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 25mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 30mΩ (VGS = 4.5V)。采用先进的沟槽技术。具有出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。是无铅产品

数据手册

5+
￥1.5162
50+
￥1.1632
150+
￥1.0119
500+
￥0.8231
2500+
￥0.7005
5000+
￥0.65

有货

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型号：WSD4070DN33 编号：C719095

封装：DFN3X3-8L

品牌：WINSOK(微硕)

WSD4070DN33是高性能沟槽式N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WSD4070DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥1.6674
10+
￥1.3314
30+
￥1.13
100+
￥1.12
500+
￥1.115
1000+
￥1.1

有货

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型号：IRLR2905 编号：C5350899

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V，ID = 50A。 RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 10V。应用：Power Management in Notebook。 DC/DC Converter

数据手册

5+
￥1.7316
50+
￥1.3536
150+
￥1.1916
500+
￥0.9895
2500+
￥0.8995
5000+
￥0.8454

有货

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型号：IRFH7440TRPBF 编号：C67862

封装：PQFN5x6-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,85A,2.4mΩ@10V

数据手册

5+
￥2.2695
50+
￥1.7781
150+
￥1.5675
500+
￥1.3047
2500+
￥1.1877
4000+
￥1.1175

有货

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型号：HYG090ND06LS1C2 编号：C2999758

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：HUAYI(华羿微)

特性：60V/56A。 RDS(ON) = 8.0 mΩ（典型值） @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 12.2 mΩ（典型值） @ VGS = 4.5 V。 100% 雪崩测试。可靠且耐用。提供无卤和环保器件（符合 RoHS 标准）。应用：开关应用。 DC/DC 电源管理

数据手册

5+
￥2.4002
50+
￥1.9104
150+
￥1.6713
500+
￥1.2268
2500+
￥1.1682
5000+
￥1.1331

有货

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型号：IRF4905STRL(UMW) 编号：C7471852

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：结工作温度为150℃。开关速度快。重复雪崩额定值提高。先进的工艺技术。超低导通电阻。工作温度为50℃。允许重复雪崩至最大结温

1+
￥2.55
10+
￥1.99
30+
￥1.75
100+
￥1.45
500+
￥1.31
1000+
￥1.23

有货

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型号：WSD40L60DN56 编号：C5242051

封装：DFN5x6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD40L60DN56是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD40L60DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，100%保证符合EAS标准。

数据手册

1+
￥3.01
10+
￥2.5
30+
￥2
100+
￥1.5

有货

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型号：NCE60P50K 编号：C130104

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

P沟道，-60V，-50A，23毫欧。

数据手册

1+
￥3.47
10+
￥2.67
30+
￥2.33
100+
￥1.9
500+
￥1.71
1000+
￥1.59

有货

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型号：BSC070N10NS3G 编号：C501502

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的栅极电荷，适用于高频应用。针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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