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N沟道,240V,110mA,14Ω@10V

数据手册

5+
￥0.606
50+
￥0.5073
150+
￥0.4579
500+
￥0.4209
3000+
￥0.3913
6000+
￥0.3765

有货

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型号：NTGS5120PT1G 编号：C2959860

封装：SOT-23-6

特性：60V/-3A，RDS(ON) = 95mΩ（典型值）@VGS = 10V。 RDS(ON) = 130mΩ（典型值）@VGS = -4.5V。可靠耐用。提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：DC-DC转换器。负载开关

数据手册

5+
￥0.8287
50+
￥0.7237
150+
￥0.6787
500+
￥0.6225
3000+
￥0.5975
6000+
￥0.5825

有货

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型号：MDD50N06D 编号：C5299416

封装：TO-252

品牌：MDD(辰达半导体)

应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

5+
￥0.901632 ￥0.9392
50+
￥0.738144 ￥0.7689
150+
￥0.656352 ￥0.6837
500+
￥0.595104 ￥0.6199
2500+
￥0.492288 ￥0.5128
5000+
￥0.467712 ￥0.4872

有货

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型号：AO4409 编号：C347462

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和超低的栅极电荷。漏源电压（VDS）：-30V。连续漏极电流（ID）：-15A。导通电阻（RDS(ON)）：当栅源电压（VGS）为 -10V 时，小于 7.5mΩ；当栅源电压（VGS）为 -4.5V 时，小于 12mΩ

数据手册

5+
￥0.9135
50+
￥0.7155
150+
￥0.6164
500+
￥0.5422
3000+
￥0.4499
6000+
￥0.4202

有货

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型号：IRLR8726TRPBF 编号：C81137

封装：TO-252

特性：4.5V VGS时极低的RDS(on)。超低栅极阻抗。完全表征的雪崩电压和电流。无铅。符合RoHS标准。应用：计算机处理器电源的高频同步降压转换器。电信和工业用带同步整流的高频隔离式DC-DC转换器

数据手册

5+
￥1.0608
50+
￥0.8429
150+
￥0.7496
500+
￥0.6331
2000+
￥0.5812
4000+
￥0.55

有货

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型号：HD504N120S 编号：C52204617

封装：PDFN-8(5x6)

5+
￥1.0911
50+
￥0.8643
150+
￥0.7671
500+
￥0.6458
2500+
￥0.5918
5000+
￥0.5594

有货

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型号：AO4805 编号：C3040596

封装：SOP-8

特性：VDS = -30V，ΔD = -8A。 RDS(ON) < -22mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < -26mΩ（VGS = 4.5V）。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

5+
￥1.0956
50+
￥0.957
150+
￥0.8976
500+
￥0.8235
3000+
￥0.759
6000+
￥0.7392

有货

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型号：NDT2955 编号：C5156058

封装：SOT-223

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。

数据手册

5+
￥1.12746 ￥1.1868
50+
￥0.977835 ￥1.0293
150+
￥0.91371 ￥0.9618
1000+
￥0.855095 ￥0.9001
2000+
￥0.81947 ￥0.8626
5000+
￥0.798095 ￥0.8401

有货

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型号：HD303N030S 编号：C50132378

封装：PDFN-8(3x3)

特性：VDS = 30V。 ID = 80A。 RDS(on)@VGS = 10V < 3.2mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：DC-DC转换器。电源管理

5+
￥1.2123
50+
￥0.9603
150+
￥0.8523
500+
￥0.7175
2500+
￥0.6575
5000+
￥0.6215

有货

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型号：HD504N075SG 编号：C52766424

封装：PDFN-8(5x6)

5+
￥1.3093
50+
￥1.0371
150+
￥0.9205
500+
￥0.7749
2500+
￥0.7101
5000+
￥0.6713

有货

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型号：HB04N060S 编号：C53055310

封装：TO-252

5+
￥1.3529
50+
￥1.0717
150+
￥0.9512
500+
￥0.8008
2500+
￥0.7338
5000+
￥0.6936

有货

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型号：AO4485 编号：C5334068

封装：SOP8

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-40V，-11A，13mΩ@-10V,-10A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

1+
￥1.5598
10+
￥1.1995
30+
￥1.045
100+
￥0.8523
500+
￥0.7665
1000+
￥0.715

有货

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型号：HY19P03D 编号：C122492

封装：TO-252-2

品牌：HUAYI(华羿微)

P沟道 -30V -90A ，4.8mΩ导通电阻

数据手册

5+
￥1.727
50+
￥1.3809
150+
￥1.212
500+
￥1.0613
2500+
￥0.8853
5000+
￥0.8604

有货

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型号：IRLR2905 编号：C5350899

封装：TO-252

特性：VDS = 60V，ID = 50A。 RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 10V。应用：Power Management in Notebook。 DC/DC Converter

数据手册

5+
￥1.7316
50+
￥1.3536
150+
￥1.1916
500+
￥0.9895
2500+
￥0.8995
5000+
￥0.8454

有货

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型号：TPH1R403NL 编号：C19268167

封装：PowerDFN-8(5x6)

特性：VDS = 30V。 ID = 150A。 RDS(ON) = 2.5mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) = 3.3mΩ（VGS = 4.5V）。应用：负载/电源开关。接口、逻辑开关

5+
￥1.77
50+
￥1.53
150+
￥1.43
500+
￥1.3
2500+
￥1.24
5000+
￥1.2

有货

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型号：HD510N110SG 编号：C50132384

封装：PDFN-8(5x6)

5+
￥2.0003
50+
￥1.5845
150+
￥1.4063
500+
￥1.1839
2500+
￥1.0849
5000+
￥1.0255

有货

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型号：NCE60P12K 编号：C326372

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCE60P12K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合大电流负载应用。

数据手册

5+
￥2.007
50+
￥1.5434
150+
￥1.3446
500+
￥1.0967
2500+
￥0.9863
5000+
￥0.92

有货

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型号：HB06P700S 编号：C49256764

封装：TO-252

特性：VDS = -60V。 ID = -18A。 RDS(on) @ VGS = -10V < 65mΩ。 RDS(on) @ VGS = -4.5V < 85mΩ。低栅极电荷和导通电阻。快速开关速度。应用：DC-DC转换器。负载开关

5+
￥2.3518
50+
￥1.8629
150+
￥1.6534
500+
￥1.392
2500+
￥1.2756
5000+
￥1.2057

有货

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型号：HD510N075SG 编号：C52204672

封装：PDFN-8(5x6)

5+
￥2.43
50+
￥1.93
150+
￥1.71
500+
￥1.44
2500+
￥1.32

有货

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型号：BSH103,215 编号：C329197

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道 30V 0.85A

数据手册

5+
￥2.6137
50+
￥2.026
150+
￥1.7741
500+
￥1.4599
3000+
￥1.32
6000+
￥1.236

有货

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型号：HD506N330S 编号：C49256760

封装：PDFN-8L(5x6)

特性：VDS = 60 V。ID = 20 A。RDS(on)@VGS = 10 V < 29 mΩ。高密度单元设计，实现超低导通电阻。电压控制小信号开关。快速开关速度。应用：功率开关应用。硬开关和高频电路

1+
￥2.67
10+
￥2.12
30+
￥1.88
100+
￥1.58
500+
￥1.45
1000+
￥1.37

有货

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型号：IRFH7440TRPBF 编号：C67862

封装：PQFN5x6-8

N沟道,40V,85A,2.4mΩ@10V

数据手册

1+
￥2.7225
10+
￥2.2437
30+
￥2.0385
100+
￥1.7825
500+
￥1.6685
800+
￥1.6

有货

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型号：IRF4905(UMW) 编号：C18207551

封装：TO-220

品牌：UMW(友台半导体)

MOS管

1+
￥2.98
10+
￥2.33
50+
￥2.05
100+
￥1.7
500+
￥1.55
1000+
￥1.45

有货

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型号：HB10P680S 编号：C49423981

封装：TO-252

特性：VDS = -100 V。 ID = -30 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 54 mΩ。低栅极电荷和导通电阻。快速开关速度。改善的dv/dt能力，高耐用性。应用：功率开关应用。负载开关

1+
￥3.13
10+
￥2.48
30+
￥2.2
100+
￥1.86
500+
￥1.7
1000+
￥1.61

有货

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型号：NCEP0178AK 编号：C216784

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道，100V，78A，7.2mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.87
10+
￥3.06
30+
￥2.65
100+
￥2.25
500+
￥2.01
1000+
￥1.88

有货

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型号：TK7A90E,S4X(S 编号：C5331584

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.6 Ω (典型值)。低漏电流：IDSS = 10 μA (最大值) (VDS = 720 V)。增强模式：VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.7 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥5.29
10+
￥4.23
50+
￥3.7
100+
￥3.18
500+
￥2.87
1000+
￥2.71

有货

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型号：IRFH7084TRPBF 编号：C537895

封装：TDSON-8

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：半桥和全桥拓扑。同步整流应用

数据手册

1+
￥5.71
10+
￥4.73
30+
￥4.24
100+
￥3.75
500+
￥2.76
1000+
￥2.6

有货

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型号：BSC040N10NS5 编号：C534334

封装：TDSON-8(5x6)