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TC1411/TC1411N是1A的CMOS缓冲器/驱动器。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闭锁。当接地引脚出现高达5V的任一极性的噪声尖峰时，它们不会受到损坏

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型号：2EDB8259KXUMA1 编号：C17368311

封装：LGA-13(5x5)

2EDi 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC，旨在驱动硅（Si）MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET 和氮化镓（GaN）功率开关。该系列产品通过英飞凌无芯变压器（CT）技术实现隔离，此技术可确保稳定运行，并具备业界领先的共模抑制能力（CMTI）。

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型号：LM27222MX/NOPB 编号：C2653801

封装：SOIC-8

LM27222 用于同步/异步驱动的 4.5A、30V 半桥栅极驱动器

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型号：NCV7703CD2R2G 编号：C556471

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

NCV7703C 是一款完全受保护的三路半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。这三路半桥驱动器具备独立控制功能，可实现高端、低端和 H 桥控制。

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型号：IR2111SPBF 编号：C2970

封装：SOIC-8

IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。其采用专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容

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型号：MP1907AGQ-Z 编号：C6096968

封装：QFN-10(3x3)

品牌：MPS(芯源)

MP1907A是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，延时匹配在5ns以内。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时会强制输出低电平

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型号：UCC27332QDGNRQ1 编号：C33328035

封装：HVSSOP-8

是单通道、高速、低端栅极驱动器，能够有效驱动MOSFET和GaN功率开关。典型峰值驱动强度为9A，可减少功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。小传播延迟通过改善系统的死区时间优化、脉冲宽度利用率、控制环路响应和瞬态性能，产生更好的功率级效率。可处理输入上的 -5V，提高了具有适度接地反弹的系统的稳健性

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型号：TC4427EUA 编号：C636892

封装：MSOP-8

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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型号：LM5112Q1SDX/NOPB 编号：C2676985

封装：WSON-6-EP(3x3)

LM5112-Q1 具有 4V UVLO 和专用输入接地的汽车类 7A/3A 单通道栅极驱动器

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型号：ISL55110IRZ-T 编号：C2680304

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL55110和ISL55111是双路高速MOSFET驱动器，适用于需要精确脉冲生成和缓冲的应用。目标应用包括超声、CCD成像、压电距离传感和时钟生成电路。这些器件具有宽输出电压范围和低导通电阻，能够驱动各种阻性和容性负载，实现快速的上升和下降时间，满足大型CCD阵列成像应用对高速运行和低偏斜的要求

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型号：MCP14A1202-E/SN 编号：C635882

封装：SOIC-8

MCP14A1201/2 器件是高速 MOSFET 驱动器，在单 4.5V 至 18V 电源供电下，能够提供高达 12.0A 的峰值电流。有两种输出配置可供选择：反相（MCP14A1201）和同相（MCP14A1202）。这些器件具有低直通电流、快速的上升和下降时间以及匹配的传播延迟，使其非常适合高开关频率应用。MCP14A1201/2 系列器件通过使能功能提供增强的控制。高电平有效使能引脚可拉低，以使 MCP14A1201/2 的输出为低电平，而与输入引脚的状态无关。集成上拉电阻允许用户在标准操作时让使能引脚浮空。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。它们能够承受高达 500 mA 的反向电流倒灌到其输出端，而不会损坏或导致逻辑混乱。所有引脚都具有高达 2 kV（HBM）和 200V（MM）的静电放电（ESD）保护。

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型号：CSD95490Q5MC 编号：C468252

封装：VSON-12-EP(5x6)

CSD95490Q5MC 采用 DualCool 封装的 75A NexFET™ 同步降压智能功率级

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型号：UCC27282QDRCTQ1 编号：C1518702

封装：VSON-10-EP(3x3)

具有 5V UVLO、互锁功能和使能功能的汽车类 3A、120V 半桥驱动器 10-VSON -40 to 125

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型号：1ED3121MU12H 编号：C530922

封装：DSO-8

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：TC1428CPA 编号：C640727

封装：PDIP-8

TC1426/TC1427/TC1428 是一系列 1.2A 双路高速驱动器。采用 CMOS 制造工艺，实现低功耗和高效率。这些器件采用外延层制造，可有效短路导致 CMOS 闩锁的固有寄生晶体管。它们还采用了许多其他设计和工艺改进措施，以提高长期可靠性。TC1426 与双极型 DS0026 兼容，但静态电流仅为其 1/5。TC1426/TC1427/TC1428 也与 TC426/TC427/TC428 兼容，但峰值输出电流为 1.2A，而 TC426/TC427/TC428 器件为 1.5A。其他兼容的驱动器有 TC4426/TC4427/TC4428 和 TC4426A/TC4427A/TC4428A。TC4426/TC4427/TC4428 增加了输入可通过二极管保护电路承受高达 5V 负电压的特性。TC4426A/TC4427A/TC4428A 的输入到输出上升沿和下降沿延迟 t↑01 和 tD2 相匹配，适用于处理 25 纳秒范围内的短脉冲。上述所有驱动器引脚兼容。高输入阻抗的 TC1426/TC1427/TC1428 驱动器与 CMOS/TTL 输入兼容，无需双极型器件所需的加速电路，且可由大多数 PWM 集成电路直接驱动。该系列器件有反相和同相版本。规格经过优化，以实现低成本、高性能的器件，非常适合大批量制造商。

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型号：UCC29002DR 编号：C702439

封装：SOIC-8

UCC29002 高级 8 引脚负载共享控制器

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型号：1ED3241MC12HXUMA1 编号：C17535489

封装：SOIC-8-300mil

1ED32xx系列是采用DSO - 8 300 mil封装的一组单通道电气隔离驱动IC。这些驱动IC的典型峰值输出电流最高可达18 A。该系列产品采用了两级压摆率控制（2L - SRC）技术

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型号：TC426EPA 编号：C640729

封装：PDIP-8

TC426/TC427/TC428 是双路 CMOS 高速驱动器。TTL/CMOS 输入电压电平可转换为轨到轨输出电压电平摆幅。CMOS 输出与地或正电源的压差在 25 mV 以内

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型号：UCD7138DRSR 编号：C702451

封装：SON-6-EP(3x3)

UCD7138 UCD7138 具有本体二极管导通传感功能的低侧栅极功率 MOSFET 驱动器

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型号：TC4427VPA 编号：C640791

封装：PDIP-8

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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型号：MCP14A0602-E/SN 编号：C635874

封装：SOIC-8