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IRS2301S是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：DRV8300NRGER 编号：C3655266

封装：VQFN-24(4x4)

DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器

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型号：IRS10752LTRPBF 编号：C126923

封装：SOT-23-6

IRS10752是一款高端单通道栅极驱动IC，具备100V阻断和电平转换能力。这使得该栅极驱动器可直接连接到高端功率MOSFET的栅极，同时由低端接地电位电路进行控制。IRS10752具有较宽的VCC电源电压范围、欠压锁定（UVLO）保护功能，并且在恶劣的dv/dt或 -VS开关环境中具有出色的抗干扰能力

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型号：EG2136 编号：C480663

封装：SOP-28-300mil

品牌：EG(屹晶微)

用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。

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型号：CSD95379Q3MT 编号：C2863273

封装：VSON-10-EP(3.3x3.3)

CSD95379Q3M 同步降压 NexFE 功率级，CSD95379Q3M

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型号：1ED44176N01FXUMA1 编号：C1848808

封装：SOIC-8

1ED44176N01F是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。专有的抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容

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型号：VNN3NV04PTR-E 编号：C443999

封装：SOT-223-4

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET II全自动保护功率MOSFET

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型号：UCC44273DBVR 编号：C22427645

封装：SOT-23-5

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型号：UCC27524A1QDGNRQ1 编号：C2677103

封装：HVSSOP-8

具有 5V UVLO 和负输入电压处理能力的汽车 5A/5A 双通道栅极驱动器 8-HVSSOP -40 to 140

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型号：1ED44173N01BXTSA1 编号：C1513367

封装：SOT-23-6

1ED44173N01B是一款低压功率MOSFET同相栅极驱动器。采用专有的抗闩锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容

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型号：UCC57142ADBVR 编号：C49659956

封装：SOT-23-6

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型号：LM5114BSDX/NOPB 编号：C2677166

封装：WSON-6-EP(3x3)

LM5114 具有 4V UVLO 和分离输出的 7.6A/1.3A 单通道栅极驱动器

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型号：MIC4414YFT-TR 编号：C621913

封装：TQFN-4(1.2x1.2)

低侧MOSFET驱动器，用于在低侧开关应用中切换N沟道增强型MOSFET。具有短延迟和高峰值电流，可产生精确的边沿和快速的上升和下降时间。由4.5V至18V电源供电，可吸收和提供高达1.5A的峰值电流，能在12ns内切换1000pF的电容器。导通状态下的栅极驱动输出电压约等于电源电压（无内部稳压器或钳位）。高电源电压（如10V）适用于标准N沟道MOSFET，低电源电压（如5V）适用于许多逻辑电平N沟道MOSFET。在低侧配置中，驱动器可控制一个能切换高达MOSFET额定电压的MOSFET。

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型号：IRS21531DSTRPBF 编号：C538293

封装：SOIC-8

基于流行的IR2153自振荡半桥栅极驱动器IC，采用更先进的硅平台，集成了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。通过栅极驱动器的低di/dt峰值实现抗噪性。

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型号：L6498DTR 编号：C500658

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧2 A栅极驱动器

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型号：NCP5104DR2G 编号：C153763

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5104是一款高压功率栅极驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥配置排列的2个N沟道功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。

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型号：UCC27524AQDRQ1 编号：C544585

封装：SOIC-8

UCC27524A-Q1 具有负输入电压能力的双路 5A 高速低侧栅极驱动器

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型号：LM5107SD/NOPB 编号：C2653795

封装：WSON-8-EP(4x4)

LM5107 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：UCC37321DR 编号：C2677180

封装：SOIC-8

具有反相输入、分离输出和使能功能的 9A/9A 单通道栅极驱动器 8-SOIC 0 to 70

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型号：MCP14A0302T-E/SN 编号：C622961

封装：SOIC-8

MCP14A0301/2 器件是高速 MOSFET 驱动器，能够在 4.5V 至 18V 单电源供电下提供高达 3.0A 的峰值电流。有两种输出配置可供选择：反相（MCP14A0301）和同相（MCP14A0302）。这些器件具有低直通电流、快速的上升和下降时间以及短传播延迟的特点，非常适合高开关频率应用

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型号：TC4426AEOA 编号：C636878

封装：SOIC-8

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型号：MC34152DG 编号：C236137

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

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型号：MIC4605-2YM-TR 编号：C628052

封装：SOIC-8

是一款85V半桥MOSFET驱动器，具有自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路可主动监控半桥输出，以最小化高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高电源效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声同时开启两个MOSFET。还提供5.5V至16V的宽工作电源范围，以最大限度提高系统效率

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型号：LM5114AMFX/S7003103 编号：C5218786

封装：SOT-23-6

LM5114 具有 4V UVLO 和分离输出的 7.6A/1.3A 单通道栅极驱动器

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型号：UCC27537DBVT 编号：C2877709

封装：SOT-23-5