igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：L9960TR 编号：C2969939

封装：PowerFSOP-36

品牌：ST(意法半导体)

H桥

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型号：LTC4440ES6#TRMPBF 编号：C360774

封装：TSOT-23-6L

高速、高电压、高端栅极驱动器

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型号：DRV8706HQRHBRQ1 编号：C3681320

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8706-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车级 40V 半桥智能栅极驱动器

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型号：UCC27512MDRSTEP 编号：C2677110

封装：SON-6-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO、采用 SON 封装的增强型产品 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SON -55 to 125

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型号：LTC4449EDCB#TRPBF 编号：C688593

封装：DFN-8-EP(2x3)

LTC4449是一款高频栅极驱动器，专为驱动同步DC/DC转换器中的两个N沟道MOSFET而设计。强大的轨到轨驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4449的输入逻辑采用独立电源，以匹配控制器IC的信号摆幅

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型号：1ED020I12B2XUMA1 编号：C7431136

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：TC4424CPA 编号：C640763

封装：PDIP-8

TC4423/TC4424/TC4425器件是一组3A双输出缓冲器/MOSFET驱动器。该系列器件与TC1426/27/28、TC4426/27/28和TC4426A/27A/28A双1.5A驱动器系列引脚兼容，其闩锁电流额定值提高到1.5A，使其在恶劣电气环境中运行时更加可靠。作为MOSFET驱动器，TC4423/TC4424/TC4425能够在35纳秒内轻松对1800pF的栅极电容进行充电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响

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型号：NCP51560ABDWR2G 编号：C5206714

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

是隔离双通道栅极驱动器，源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。专为快速开关以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关而设计，具有短且匹配的传播延迟。输入到每个输出之间有两个独立的5 kVrms内部电流隔离，两个输出驱动器之间有内部功能隔离，允许最高1500 VDC的工作电压。该驱动器可用于两个低端、两个高端开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器的任何可能配置。ENA/DIS引脚在设置为低电平或高电平时分别用于启用或禁用模式，同时关闭两个输出。还提供其他重要保护功能，如两个栅极驱动器的独立欠压锁定和死区时间调整功能。

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型号：MP86956GMJ-Z 编号：C6595839

封装：LGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

MP86956是一款单片半桥，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，MP86956可实现70A的连续输出电流。MP86956采用单片IC方案，每相可驱动高达70A的电流。驱动器和MOSFET的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率。MP86956的工作频率范围为100kHz至3MHz。MP86956具备多种特性，可简化系统设计。它可与具有三态PWM信号的控制器配合使用，并配备精确的电流检测功能以监测电感电流，以及温度检测功能以报告结温。MP86956非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器应用。该器件提供LGA和TLGA（5mmx6mm）封装。

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型号：MP86956GMJT-Z 编号：C5800439

封装：TLGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

MP86956是一款单片半桥，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，MP86956可实现70A的连续输出电流。MP86956采用单片IC方案，每相可驱动高达70A的电流。驱动器和MOSFET的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率。MP86956的工作频率范围为100kHz至3MHz。MP86956具备多种特性，可简化系统设计。它可与具有三态PWM信号的控制器配合使用，并配备精确的电流检测功能以监测电感电流，以及温度检测功能以报告结温。MP86956非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器应用。该器件提供LGA和TLGA（5mmx6mm）封装。

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型号：MIC4452ZT 编号：C641342

封装：TO-220-5

CMOS MOSFET驱动器坚固、高效且易于使用。能够提供12A（峰值）输出，并能驱动大型MOSFET，具有改进的安全工作裕度。可接受2.4V至Vs的任何逻辑输入，无需外部加速电容或电阻网络。专有电路允许输入负向摆动达5V而不损坏器件。额外的电路可防止静电放电损坏。该驱动器可替代三个或更多分立元件，减少PCB面积需求，简化产品设计并降低组装成本。现代双极/CMOS/DMOS结构保证无闭锁现象。CMOS/DMOS的轨到轨摆动能力确保在电源上下电时序期间为MOSFET提供足够的栅极电压。由于这些器件采用自对准工艺制造，它们具有极低的交叉电流，运行温度低，功耗小，且易于驱动。

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型号：LT8418ACBZ-R7 编号：C22450844

封装：WLCSP-12

LT8418是一款100V半桥氮化镓（GaN）驱动器，集成了上下桥驱动级、驱动逻辑控制和保护功能。它可配置为同步半桥、全桥拓扑，或降压、升压和升降压拓扑。LT8418具备强大的源/灌电流能力，上拉电阻为0.6Ω，下拉电阻为0.2Ω

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型号：SI8273AB-IS1 编号：C17621704

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS

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型号：LTC7000IMSE#TRPBF 编号：C690081

封装：MSOP-16-EP

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

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型号：L9908TR 编号：C5269538

封装：TQFP-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

汽车级3相电机栅极驱动装置

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型号：MCZ33810EK 编号：C3192631

封装：SSOP-32-EP-300mil

品牌：NXP(恩智浦)

是一款八通道输出驱动IC，适用于汽车发动机控制应用。该IC由四个集成的低端驱动器和四个低端栅极预驱动器组成。低端驱动器适用于驱动喷油器、电磁阀、灯和继电器。四个栅极预驱动器既可以作为点火IGBT栅极预驱动器，也可以作为通用MOSFET栅极预驱动器。该器件采用SMARTMOS技术供电。当配置为点火IGBT栅极预驱动器时，可启用额外功能，如火花持续时间、导通时间和点火线圈电流检测。当配置为通用栅极预驱动器（GPGD）时，提供外部MOSFET短路保护、电感反激保护和诊断功能。该器件采用32引脚（0.65mm间距）外露焊盘SOIC封装。

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型号：LTC4444HMS8E-5#TRPBF 编号：C688581

封装：MSOP-8-EP

是一个高频高压栅极驱动器，可在同步 DC/DC 转换器中驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压高达 100V。这个强大的驱动器可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。配置为两个独立电源输入。高端输入逻辑信号在内部电平转换为自举电源，该电源可在高于地 114V 的电压下工作。包含欠压锁定电路，激活时可禁用外部 MOSFET。自适应直通保护可防止两个 MOSFET 同时导通。

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型号：TC4469CPD 编号：C645945

封装：PDIP-14

是一款四输出CMOS缓冲器/MOSFET驱动器，具有1.2A的峰值驱动能力。与其他MOSFET驱动器不同，这些设备的每个输出都有两个输入。输入配置为逻辑门：与非门（TC4467）、与门（TC4468）和与/反相器（TC4469）。可以连续向接地负载提供高达250 mA的电流。这些设备非常适合直接驱动低电流电机，或在H桥配置中驱动MOSFET以实现更高电流的电机驱动。在驱动器上集成逻辑门有助于减少许多设计中的元件数量。非常坚固且高度抗闩锁。它们可以承受地线上高达5V的噪声尖峰，并可以处理驱动器输出上高达0.5A的反向电流。

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型号：MAX4426ESA+ 编号：C2997997

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

双路、高速、1.5A MOSFET驱动器

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型号：UC1708J 编号：C5218819

封装：CDIP-8

品牌：TI(德州仪器)

采用高速、高压肖特基工艺制造，用于连接控制功能和高功率开关设备，特别是功率MOSFET。工作电源范围为5V至35V，包含两个独立通道。A和B输入与TTL和CMOS逻辑系列兼容，可承受高达VIN的输入电压。只要不超过功耗限制，每个输出可提供或吸收高达3A的电流

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型号：G2025 编号：C41414476

封装：SOIC-8

250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

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￥0.38 ￥0.4
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￥0.37126 ￥0.3908
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￥0.36537 ￥0.3846
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￥0.35948 ￥0.3784

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型号：NSG6000R 编号：C41414487

封装：SOP-8

高速风筒专用芯片 NSG6000R是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于5A以内MOS的直接驱动。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

5+
￥0.434245 ￥0.4571
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￥0.424175 ￥0.4465
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￥0.41743 ￥0.4394
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￥0.410685 ￥0.4323

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型号：SLM2003ECA-DG 编号：C2943125

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

200V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI正LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns,MT:60ns

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￥0.4564
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￥0.3925
500+
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型号：NSG3022 编号：C46473166

封装：SOP-8

NSG3022 是一款高压、高速功率MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG3022 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V 的CMOS 或LSTTL 逻辑输出电平。NSG3022 其浮动通道可用于驱动高压侧N 沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。NSG3022 采用SOP8 封装，可以在-40°C 至125°C 温度范围内工作。

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￥0.68951 ￥0.7258
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￥0.537415 ￥0.5657
150+
￥0.46132 ￥0.4856
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￥0.40432 ￥0.4256
2500+
￥0.35872 ￥0.3776
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￥0.33592 ￥0.3536

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型号：NSG3023 编号：C46473167

封装：SOP-8