igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：COS4425SR 编号：C5306798

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

4A，4.5V-25V，同反相，双高速低功耗MOSFET低边驱动器

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￥2.86
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￥2.24
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￥1.97
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￥1.64
500+
￥1.49
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型号：EG3113D 编号：C2929097

封装：SOP-8-4.2mm

品牌：EG(屹晶微)

是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽8V～20V，静态电流约300uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO+/- 2/2.5A，采用SOP8封装。

数据手册

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￥2.86
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￥2.27
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￥2.01
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￥1.59

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型号：NSG6022 编号：C52975932

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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￥2.94
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￥2.32
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￥2.06
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￥1.73
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￥1.59
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￥1.5

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型号：NSG2065Q 编号：C41414478

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A、集成自举二极管

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￥2.94
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￥2.31
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￥2.04
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型号：XJNG2302 编号：C48542889

封装：TSSOP-20

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款三相栅极驱动IC，可用于驱动高端、低端或半桥配置的功率MOSFET。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，工作电压高达200V。

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￥2.96
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￥2.38
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￥2.14
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￥1.83

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型号：NSG2183 编号：C41414496

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：4/4A

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￥3.12
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型号：XLN7392N 编号：C52148191

封装：DIP-14

品牌：XINLUDA(信路达)

栅极驱动芯片

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￥3.15
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￥2.47
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￥2.18
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￥1.65
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型号：COS27423SR 编号：C5334498

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

4.5A，4.5V-25V，双反相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带使能，UVLO及过温保护功能

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￥3.28
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￥2.2
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￥1.79
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￥1.61
4000+
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型号：SiLM5345TCR-DG 编号：C7421038

封装：SOP6W-T

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM534xT 隔离式驱动器系列是一种光兼容、单通道、隔离式 MOSFET、IGBT 栅极驱动器，具有不同的驱动电流能力和欠压锁定（UVLO）电压电平。峰值输出电流范围为 1.0A 至 4.0A。与基于标准光耦合器的栅极驱动器相比，其关键特性和特点显著提升了性能和可靠性，同时在原理图和布局设计上保持引脚对引脚兼容

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￥3.29
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￥1.85

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型号：DOT2110 编号：C42441872

封装：DIP-14

品牌：DOINGTER(杜因特)

500V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V ~20V

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￥3.37
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￥2.99
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型号：XLN7392MX 编号：C52148192

封装：SOP-16W

品牌：XINLUDA(信路达)

栅极驱动芯片

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￥3.39
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型号：XL2110SPBF 编号：C22397797

封装：SOP-16-300mil

品牌：XINLUDA(信路达)

500V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥3.48
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￥2.79
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￥2.44
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型号：NSG2153DP 编号：C46473162

封装：DIP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)DP 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)DP 的 CT 端在低电压（1/6thVCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)DP 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)DP 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)DP 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

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￥3.49
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￥2.79
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￥2.45
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型号：TCK401G,LF 编号：C7360692

封装：WCSPE-6(0.8x1.2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCK401G和TCK402G是28V高输入电压的外部FET驱动IC。它们具有较宽的输入电压范围，采用小尺寸封装WCSP6E（0.8mm x 1.2mm，厚度：0.55mm）的压摆率控制驱动器。此外，通过使用外部串联FET，在开关关闭时，它们可以阻断反向电流。因此，它们适用于如电池充电应用等电源管理选择器。

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￥3.59
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￥2.5
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￥2.14
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￥1.92

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型号：SLM2184SCA-13GTR 编号：C883213

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，IN正,SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/270ns, DT:400ns, MT60nS

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￥3.75
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￥3.02
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￥2.66
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型号：IR3537MTRPBF 编号：C537661

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3537/CHL8510 是一款高效率栅极驱动器，可以切换同步降压转换器中的高侧和低侧 N 沟道外部 MOSFET。它旨在与国际整流子的数字 PWM 控制器一起使用，为当今先进的计算应用提供完整的电压调节器 (VR) 解决方案。IR3537/CHL8510 低侧驱动器能够快速切换具有低 RDS(on) 和大输入电容的大型 MOSFET，用于高效率设计。IR3537/CHL8510 具有对外部 MOSFET 中高侧和低侧栅极驱动电压从 4.5V 到 13.2V 的独立控制。这使得能够优化外部 MOSFET 中的开关和导通损耗。当与 IR 专有的可变栅极驱动 (VGD) 技术一起使用时，在整个负载范围内可以观察到效率的显著提高。IR3537/CHL8510 可以配置为从独特的 IR 快速主动三电平 (ATL) PWM 信号或通用的三态 PWM 模式驱动高侧和低侧开关。IR ATL 模式允许控制器在不到 30ns 的时间内禁用高侧和低侧 FET，而无需专用禁用引脚。这提高了 VR 瞬态性能，尤其是在负载释放期间。集成的自举二极管减少了外部元件数量。IR3537/CHL8510 还具有自适应非重叠控制，用于防止直通保护。这可以防止高侧和低侧 MOSFET 的交叉传导，并最大程度地减少体二极管导通时间，从而提供一流的效率。

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￥3.8 ￥5
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￥3.234 ￥4.9
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￥2.6992 ￥4.82
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￥2.66 ￥4.75

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型号：UCC27523DGNR 编号：C781807

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27523 双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器

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￥3.82
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￥3.74
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￥3.69
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型号：FAN3100CMPX 编号：C890687

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3100 2A栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N沟道增强MOSFET。此驱动器可以提供TTL（FAN3100T）或CMOS(FAN3100C)输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。

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￥3.8448 ￥4.32
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￥3.3338 ￥4.22
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￥2.8704 ￥4.16
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￥2.829 ￥4.1

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型号：DOT7392N 编号：C42441873

封装：DIP-14

品牌：DOINGTER(杜因特)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V ~20V

1+
￥4.01
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￥3.56
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￥3.33
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￥3.11

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型号：EG2334 编号：C2987448

封装：SOP-20-300mil

品牌：EG(屹晶微)

EG2334是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2334高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V-20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A，采用SOP20封装。

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1+
￥4.08
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￥2.83

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型号：FAN7380MX 编号：C890848

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN7380是单片半桥栅极驱动IC，可以驱动工作电压最高达+600V的MOSFET和IGBT。高压工艺和共模噪声消除技术可使高端驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路，能使高端栅极驱动器的工作电压在VBS=15V时高达Vs=-9.8V(典型值)。

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￥4.45
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￥4.35
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￥4.28
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￥4.21

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型号：2EDL05N06PF 编号：C2676912

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是 600-V 半桥栅极驱动器系列。其薄膜-SOI 技术提供出色的耐用性和抗噪性。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达 600 V 的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。此外，离线钳位功能在 IC 未供电时，通过浮动栅极条件为寄生导通提供固有保护。

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￥4.84
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￥4.72
30+
￥4.64

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型号：UCC44273DBVR 编号：C22427645

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

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￥5.13
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￥4.55
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￥4.01
100+
￥3.6

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型号：TPM27524Q-SO1R-S 编号：C38313859

封装：SOP-8

品牌：3PEAK(思瑞浦)

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￥5.29
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￥4.18
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￥3.62
100+
￥3.07

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型号：2EDN7534BXTSA1 编号：C3654924

封装：SOT-23-6

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER 2EDN 系列产品提供 8 引脚 DSO、TSSOP 和 WSON 封装，以及小巧且通用的 6 引脚 SOT23 封装。高输出电流能力，再加上有源输出电压钳位、严格的时序规格以及优化的启动和关断时间，使 2EDN 系列成为许多快速开关应用的首选。

1+
￥5.31
10+
￥4.23
30+
￥3.69

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型号：IRS10752LTRPBF 编号：C126923

封装：SOT-23-6

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS10752是一款高端单通道栅极驱动IC，具备100V阻断和电平转换能力。这使得该栅极驱动器可直接连接到高端功率MOSFET的栅极，同时由低端接地电位电路进行控制。IRS10752具有较宽的VCC电源电压范围、欠压锁定（UVLO）保护功能，并且在恶劣的dv/dt或 -VS开关环境中具有出色的抗干扰能力

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￥5.44
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￥4.33
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￥3.78

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型号：TC426EPA 编号：C640729

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC426/TC427/TC428 是双路 CMOS 高速驱动器。TTL/CMOS 输入电压电平可转换为轨到轨输出电压电平摆幅。CMOS 输出与地或正电源的压差在 25 mV 以内

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1+
￥5.526 ￥18.42
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￥3.142 ￥15.71
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￥1.402 ￥14.02
120+
￥1.229 ￥12.29
480+
￥1.151 ￥11.51
1200+
￥1.117 ￥11.17

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型号：FAN3100TSX 编号：C603194

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3100 2 A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL (FAN3100T) 或 CMOS (FAN3100C) 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。FAN3100 提供快速 MOSFET 开关性能，有助于最大程度提高高频功率转换器设计中的能效。FAN3100 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高峰值电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3100 还提供双输入，可配置为在非反向或反向模式下运行，可实施启用功能。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。FAN3100 采用无引线成品 2x2mm 6 引线成型无引线封装 (MLP)，可实现最小尺寸，且具有绝佳热性能，也可采用行业标准的 5 引脚 SOT23。

数据手册

1+
￥5.59
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￥4.56
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￥4.04
100+
￥3.52

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型号：COS3121SR 编号：C30212521

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

9A，4.5V-18V，单反相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带使能，UVLO及过温保护功能

1+
￥5.6
10+
￥5.07
30+
￥4.78
100+
￥4.46
500+
￥4.11
1000+
￥4.05

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型号：TC4427VOA713 编号：C624947

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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￥5.63
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