igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

单通道、双输入（IN+&EN)、拉/灌电流：4/4A，输入耐受低至-10V

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￥0.84094 ￥0.8852
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￥0.821275 ￥0.8645
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￥0.808165 ￥0.8507
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￥0.795055 ￥0.8369

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型号：GBI7251TBKR 编号：C42420010

封装：TSOT-23-6L

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

GBI7251是单通道高速低端栅极驱动器，可为氮化镓（GaN）功率器件提供2A的峰值源电流和2A的灌电流，同时具备集成的6V低压差线性稳压器（LDO）轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出上升传播延迟为15ns，输入到输出下降传播延迟为13ns，20V的电源轨使其适用于高频功率转换器应用。其负输入电压可低至5V，以增强输入抗噪能力

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￥0.9509
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￥0.9287
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型号：XJNG0461 编号：C48542890

封装：SOP-16

XJNG0461是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，每一相都具有高、低侧两个输入以及两个输出信号。逻辑兼容标准CMOS或LSTTL输出，逻辑输入电平低至3.3V。XJNG0461为PMOS和NMOS输出10V的栅-源电压，内置死区功能来避免同一相的高、低压侧PMOS和NMOS直通。

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￥0.979545 ￥1.0311
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￥0.759335 ￥0.7993
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￥0.49476 ￥0.5208
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￥0.46322 ￥0.4876

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型号：EG2003 编号：C2987443

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2003是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2003高端的工作电压可达200V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I O +/-0.3A/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

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￥0.9713
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型号：NSG2023 编号：C7463259

封装：SOIC-8

NSG2023是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

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￥1.216 ￥1.28
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￥1.1875 ￥1.25
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￥1.1685 ￥1.23
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￥1.1495 ￥1.21

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型号：UCC27325DR-HX 编号：C18212735

封装：SOIC-8

UCC27325DR-HX是一款功率开关驱动芯片。它具有匹配的上升和下降时间，用于以一定功率速率对栅极进行充电和放电，实现导通和关断。在额定功率和电压范围内，具有较高的抗闩锁能力

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￥1.43
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￥1.39
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￥1.37
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￥1.35

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型号：ZXGD3113W6-7 编号：C2676955

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3113W6旨在驱动配置为理想二极管替代品的MOSFET。该器件由差分放大器检测级和大电流驱动器组成。检测级监测MOSFET的反向电压，这样，如果发生体二极管导通，就会向MOSFET的栅极引脚施加正电压

数据手册

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￥1.66
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￥1.39
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￥1.04
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￥1

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型号：HX4428-S 编号：C19186054

封装：SOP-8

双低侧MOSFET驱动器系列采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的功率使用和高可靠性。这些驱动器将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，该输出电压电平可在正电源或地的25mV范围内摆动。该驱动器有三种配置：双反相、双同相以及一个反相加一个同相输出。它们旨在取代其他型号，提供改进的电气性能和耐用性

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￥2.00169 ￥2.2241
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￥1.55259 ￥1.7251
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￥1.36017 ￥1.5113
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￥0.94896 ￥1.0544

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型号：HX37323-S 编号：C19186063

封装：SOP-8

HX37323-S/HX27323-S是一款电源开关驱动器。它具有匹配的上升和下降时间，用于对电源开关的栅极进行充电和放电。在额定功率和电压范围内的任何条件下，HX37323-S/HX27323-S都具有较高的抗闩锁能力

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￥2.331 ￥2.59
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￥1.827 ￥2.03
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￥1.233 ￥1.37
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￥1.161 ￥1.29

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型号：XL2112PBF 编号：C22397798

封装：DIP-14

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥2.47
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￥2.15
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￥2.02
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￥1.85
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￥1.78

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型号：XL2112SPBF 编号：C22397799

封装：SOP-16-300mil

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥2.57
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￥2.28
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￥2.13
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￥1.99
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￥1.91

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型号：SLM2106SCA-13GTR 编号：C461471

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA, MT:30ns

数据手册

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￥2.57
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￥2.04
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￥1.82
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￥1.54

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型号：COS27424SR 编号：C5334499

封装：SOP-8

4.5A，4.5V-25V，双同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带使能，UVLO及过温保护功能

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￥2.62
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￥1.44
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￥1.29
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￥1.2

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型号：DRV2624YFFR 编号：C881487

封装：DSBGA-9

品牌：TI(德州仪器)

DRV2624 具有波形存储器、自动谐振跟踪和低功耗的 ERM/LRA 触觉驱动器

数据手册

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￥2.66
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￥2.08
30+
￥1.84

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型号：COS4425SR 编号：C5306798

封装：SOP-8

4A，4.5V-25V，同反相，双高速低功耗MOSFET低边驱动器

数据手册

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￥2.86
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￥2.24
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￥1.97
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￥1.64
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￥1.49
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￥1.4

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型号：EG3113D 编号：C2929097

封装：SOP-8-4.2mm

品牌：EG(屹晶微)

是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽8V～20V，静态电流约300uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO+/- 2/2.5A，采用SOP8封装。

数据手册

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￥2.86
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￥2.27
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￥2.01
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￥1.59

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型号：COS4423SR 编号：C5307863

封装：SOP-8

4A，4.5V-25V，双反相，双高速低功耗MOSFET低边驱动器

数据手册

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￥3.23
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￥1.75
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￥1.65

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型号：NSG2153DP 编号：C46473162

封装：DIP-8

NSG2153(1)DP 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)DP 的 CT 端在低电压（1/6thVCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)DP 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)DP 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)DP 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

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￥3.344 ￥3.52
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￥2.679 ￥2.82
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￥2.3465 ￥2.47
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￥2.0235 ￥2.13
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￥1.824 ￥1.92
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￥1.729 ￥1.82

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型号：XL2113PBF 编号：C22397800

封装：DIP-14

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥3.49
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￥2.74
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￥2.42
100+
￥2.02

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型号：XL2110PBF 编号：C22397796

封装：DIP-14

500V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥3.49
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￥2.74
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￥2.42

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型号：NSG21844 编号：C41414498

封装：SOP-14

700V N+N半桥驱动、单输入（IN&/SD）、集成SD功能,拉/灌电流：4/4A

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￥3.496 ￥3.68
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￥2.603 ￥2.74
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￥2.5365 ￥2.67

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型号：XL2113SPBF 编号：C22397801

封装：SOP-16-300mil

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥3.55
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￥2.86
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￥2.51
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￥2.17

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型号：TCK401G,LF 编号：C7360692

封装：WCSPE-6(0.8x1.2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCK401G和TCK402G是28V高输入电压的外部FET驱动IC。它们具有较宽的输入电压范围，采用小尺寸封装WCSP6E（0.8mm x 1.2mm，厚度：0.55mm）的压摆率控制驱动器。此外，通过使用外部串联FET，在开关关闭时，它们可以阻断反向电流。因此，它们适用于如电池充电应用等电源管理选择器。

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￥3.61
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￥2.88
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￥2.51
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￥2.15
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￥1.93

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型号：UCC27511ADBVT 编号：C2676984

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO、分离输出和 5V 输入电压处理能力的 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 140

数据手册

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￥3.72
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￥2.97
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￥2.6

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型号：DGD05473FN-7 编号：C189752

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

DGD05473是一款高频栅极驱动器，能够驱动n沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD05473逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

数据手册

1+
￥3.78
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￥2.95
30+
￥2.6

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型号：UCC27523DGNR 编号：C781807

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27523 双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器

数据手册

1+
￥3.82
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￥3.74
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￥3.69
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￥3.63

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型号：COS21844S 编号：C42377825

封装：SOP-14

高低边半桥驱动，10V-20V 电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

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￥4.01
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￥3.56
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￥3.33
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￥3.11
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￥2.97
1000+
￥2.9

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型号：HX34152-P 编号：C41399178

封装：DIP-8

HX34152-P是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的电力使用和高可靠性。

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￥4.392 ￥4.88
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￥3.537 ￥3.93
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￥3.114 ￥3.46
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￥2.682 ￥2.98
500+
￥2.43 ￥2.7
1000+
￥2.304 ￥2.56

有货

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型号：COS2183S 编号：C42411192

封装：SOP-8