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首页 > 热门关键词 > igbt驱动芯片
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MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5 器件是一系列 4.0A 缓冲器/MOSFET 驱动器。双反相、双同相和互补输出是其提供的标准逻辑选项。MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5 驱动器能够在 4.5V 至 18V 的单电源下工作,并且能够在 15 ns(典型值)内轻松对 2200 pF 的栅极电容进行充放电
数据手册
  • 1+

    ¥4.87
  • 10+

    ¥4.76
  • 30+

    ¥4.68
  • 有货
  • 600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    • 1+

      ¥2.57
    • 10+

      ¥2.28
    • 30+

      ¥2.13
    • 100+

      ¥1.99
    • 500+

      ¥1.91
  • 有货
  • 600V半桥,互锁,Vo:10-20V,HI/LI正逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:220/200ns,DT:NA, MT:30ns
    数据手册
    • 1+

      ¥2.6
    • 10+

      ¥2.07
    • 30+

      ¥1.84
    • 100+

      ¥1.56
  • 有货
  • 4.5A,4.5V-25V,双同相,高速低功耗MOSFET低边驱动器,带使能,UVLO及过温保护功能
    • 5+

      ¥2.62
    • 50+

      ¥2.02
    • 150+

      ¥1.76
    • 500+

      ¥1.44
    • 2500+

      ¥1.29
    • 4000+

      ¥1.2
  • 有货
  • DRV2624 具有波形存储器、自动谐振跟踪和低功耗的 ERM/LRA 触觉驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.66
    • 10+

      ¥2.08
    • 30+

      ¥1.84
  • 有货
  • 4A,4.5V-25V,同反相,双高速低功耗MOSFET低边驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.86
    • 10+

      ¥2.24
    • 30+

      ¥1.97
    • 100+

      ¥1.64
    • 500+

      ¥1.49
    • 1000+

      ¥1.4
  • 有货
  • 是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽8V~20V,静态电流约300uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻,LIN内建了上拉5V高电位,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO+/- 2/2.5A,采用SOP8封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.86
    • 10+

      ¥2.27
    • 30+

      ¥2.01
    • 100+

      ¥1.59
  • 有货
  • 700V N+N半桥驱动、单输入(IN&/SD)、集成SD功能,拉/灌电流:4/4A
    • 1+

      ¥3.154 ¥3.32
    • 10+

      ¥2.793 ¥2.94
    • 30+

      ¥2.622 ¥2.76
    • 100+

      ¥2.4415 ¥2.57
    • 500+

      ¥2.337 ¥2.46
    • 1000+

      ¥2.28 ¥2.4
  • 有货
  • 4A,4.5V-25V,双反相,双高速低功耗MOSFET低边驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.23
    • 10+

      ¥2.58
    • 30+

      ¥2.26
    • 100+

      ¥1.94
    • 500+

      ¥1.75
    • 1000+

      ¥1.65
  • 有货
  • 600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    • 1+

      ¥3.49
    • 10+

      ¥2.74
    • 25+

      ¥2.42
    • 100+

      ¥2.02
  • 有货
  • 500V,高低侧驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    • 1+

      ¥3.49
    • 10+

      ¥2.74
    • 25+

      ¥2.42
  • 有货
  • 600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    • 1+

      ¥3.55
    • 10+

      ¥2.86
    • 30+

      ¥2.51
    • 100+

      ¥2.17
  • 有货
  • 300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:0.3/0.6A
    • 1+

      ¥3.591 ¥3.78
    • 10+

      ¥3.1825 ¥3.35
    • 30+

      ¥2.983 ¥3.14
    • 100+

      ¥2.7835 ¥2.93
    • 500+

      ¥2.66 ¥2.8
    • 1000+

      ¥2.603 ¥2.74
  • 有货
  • TCK401G和TCK402G是28V高输入电压的外部FET驱动IC。它们具有较宽的输入电压范围,采用小尺寸封装WCSP6E(0.8mm x 1.2mm,厚度:0.55mm)的压摆率控制驱动器。此外,通过使用外部串联FET,在开关关闭时,它们可以阻断反向电流。因此,它们适用于如电池充电应用等电源管理选择器。
    • 1+

      ¥3.61
    • 10+

      ¥2.88
    • 30+

      ¥2.51
    • 100+

      ¥2.15
    • 500+

      ¥1.93
  • 有货
  • 具有 5V UVLO、分离输出和 5V 输入电压处理能力的 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 140
    数据手册
    • 1+

      ¥3.72
    • 10+

      ¥2.97
    • 30+

      ¥2.6
  • 有货
  • DGD05473是一款高频栅极驱动器,能够驱动n沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD05473逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,便于与微控制器(MCU)连接
    数据手册
    • 1+

      ¥3.78
    • 10+

      ¥2.95
    • 30+

      ¥2.6
  • 有货
  • UCC27523 双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.82
    • 10+

      ¥3.74
    • 30+

      ¥3.69
    • 100+

      ¥3.63
  • 有货
  • 高低边半桥驱动,10V-20V 电源电压,600V高压,2.5A峰值拉/灌电流
    • 1+

      ¥4.01
    • 10+

      ¥3.56
    • 30+

      ¥3.33
    • 100+

      ¥3.11
    • 500+

      ¥2.97
    • 1000+

      ¥2.9
  • 有货
  • HX34152-P是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造,提供高效的电力使用和高可靠性。
    • 1+

      ¥4.392 ¥4.88
    • 10+

      ¥3.537 ¥3.93
    • 50+

      ¥3.114 ¥3.46
    • 100+

      ¥2.682 ¥2.98
    • 500+

      ¥2.43 ¥2.7
    • 1000+

      ¥2.304 ¥2.56
  • 有货
    • 1+

      ¥4.465 ¥4.7
    • 10+

      ¥3.6195 ¥3.81
    • 30+

      ¥3.192 ¥3.36
    • 100+

      ¥2.774 ¥2.92
    • 500+

      ¥2.5175 ¥2.65
    • 1000+

      ¥2.394 ¥2.52
  • 有货
  • 高低边半桥驱动, 10V-20V电源电压,600V高压,2.5A峰值拉/灌电流
    • 1+

      ¥4.52
    • 10+

      ¥3.65
    • 30+

      ¥3.22
    • 100+

      ¥2.79
    • 500+

      ¥2.54
    • 1000+

      ¥2.4
  • 有货
  • 1EDN7x/1EDN8x是一款先进的单通道驱动器。它适用于驱动逻辑电平和标准电平MOSFET,支持OptiMOs™、CoolMOs™、标准电平MOSFET、超结MOSFET,以及IGBT和氮化镓(GaN)功率器件。控制和使能输入与LV-TTL兼容(CMOS 3.3 V),输入电压范围为-5 V至+20 V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.57
    • 10+

      ¥4.1
    • 30+

      ¥3.84
    • 100+

      ¥3.54
  • 有货
  • IRS2301S是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.78
    • 10+

      ¥3.91
    • 30+

      ¥3.48
  • 有货
  • DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.38
    • 10+

      ¥4.32
    • 30+

      ¥3.78
    • 100+

      ¥3.25
  • 有货
  • IRS10752是一款高端单通道栅极驱动IC,具备100V阻断和电平转换能力。这使得该栅极驱动器可直接连接到高端功率MOSFET的栅极,同时由低端接地电位电路进行控制。IRS10752具有较宽的VCC电源电压范围、欠压锁定(UVLO)保护功能,并且在恶劣的dv/dt或 -VS开关环境中具有出色的抗干扰能力
    数据手册
    • 1+

      ¥5.44
    • 10+

      ¥4.33
    • 30+

      ¥3.78
    • 100+

      ¥3.23
  • 有货
  • 用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路,主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间,可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波,防止噪声干扰。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.92
    • 10+

      ¥4.75
    • 26+

      ¥4.21
  • 有货
  • CSD95379Q3M 同步降压 NexFE 功率级,CSD95379Q3M
    数据手册
    • 1+

      ¥6.02
    • 10+

      ¥5.88
    • 30+

      ¥5.79
  • 有货
  • 1ED44176N01F是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。专有的抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥6.426 ¥9.18
    • 10+

      ¥5.362 ¥7.66
    • 30+

      ¥4.781 ¥6.83
    • 100+

      ¥4.123 ¥5.89
    • 500+

      ¥3.829 ¥5.47
    • 1000+

      ¥3.696 ¥5.28
  • 有货
  • VOD3120A由一个砷铝化镓(AlGaAs)发光二极管(LED)与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。输出级较宽的工作电压范围可提供栅极控制型器件所需的驱动电压
    数据手册
    • 1+

      ¥6.44
    • 10+

      ¥5.88
    • 30+

      ¥5.58
    • 100+

      ¥5.23
    • 500+

      ¥4.55
  • 有货
  • OMNIFET II全自动保护功率MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥6.44
    • 10+

      ¥5.32
    • 30+

      ¥4.71
  • 有货
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