igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

高速、高电压、高端栅极驱动器

1+
￥35.15
10+
￥30.26
30+
￥27.35

有货

立即购买

型号：IR2213STRPBF 编号：C495817

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2213(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

数据手册

1+
￥37.42
10+
￥32.2
30+
￥27.92

有货

立即购买

型号：LTC4440EMS8E#TRPBF 编号：C688547

封装：MSOP-8-EP

LTC4440是一款高频高端N沟道MOSFET栅极驱动器，设计用于输入电压（V₁ₙ）高达80V的应用。LTC4440还能承受100V的V₁ₙ瞬态电压，并在此期间继续正常工作。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗

数据手册

1+
￥38.1218 ￥46.49
10+
￥37.3182 ￥45.51
30+
￥36.7852 ￥44.86
100+
￥36.244 ￥44.2

有货

立即购买

型号：MP86956GMJ-Z 编号：C6595839

封装：LGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

MP86956是一款单片半桥，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，MP86956可实现70A的连续输出电流。MP86956采用单片IC方案，每相可驱动高达70A的电流。驱动器和MOSFET的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率。MP86956的工作频率范围为100kHz至3MHz。MP86956具备多种特性，可简化系统设计。它可与具有三态PWM信号的控制器配合使用，并配备精确的电流检测功能以监测电感电流，以及温度检测功能以报告结温。MP86956非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器应用。该器件提供LGA和TLGA（5mmx6mm）封装。

1+
￥38.5867
50+
￥37.3717
100+
￥33.4254
500+
￥28.428
1000+
￥21.2186

有货

立即购买

型号：DRV8350FHRTVR 编号：C2868018

封装：WQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8350F 最大 102V 三相功能安全质量管理型智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥45.52
10+
￥38.74
30+
￥34.61

有货

立即购买

型号：L6206D013TR 编号：C2653489

封装：SO-24-300mil

品牌：ST(意法半导体)

L6206器件是一款专为电机控制应用设计的DMOS双全桥器件，采用BCD技术制造，该技术可将隔离式DMOS功率晶体管与CMOS和双极电路集成在同一芯片上。L6206器件有PowerSO36和SO24（20 + 2 + 2）两种封装形式，其特点包括热关断功能、高端功率MOSFET非耗散过流检测功能，以及一个可轻松用于实现过流保护的诊断输出端。

数据手册

1+
￥49.5
10+
￥48.41
30+
￥47.68
100+
￥32.865 ￥46.95

有货

立即购买

型号：LTC7004IMSE#PBF 编号：C470819

封装：MSOP-10

快速、60V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

数据手册

1+
￥63.24
10+
￥54.71
30+
￥49.51

有货

立即购买

型号：LTC1255CS8#PBF 编号：C674814

封装：SOIC-8

数据手册

1+
￥127.29
10+
￥121.37
30+
￥111.12

有货

立即购买

型号：NSG3021 编号：C41414486

封装：SOP-8

300V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.8/1.2A

5+
￥0.5093
50+
￥0.4472
150+
￥0.4162
500+
￥0.3929
2500+
￥0.3742

有货

立即购买

型号：NSG2003 编号：C54348594

封装：SOP-8

5+
￥0.6781
50+
￥0.6632
150+
￥0.6532
500+
￥0.6433

有货

立即购买

型号：NSG44273 编号：C53436207

封装：SOT-23-5

5+
￥0.6781
50+
￥0.6632
150+
￥0.6532
500+
￥0.6433

有货

立即购买

型号：G2026 编号：C46473161

封装：SOIC-8

G2026是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。采用SOIC8封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

5+
￥0.7007
50+
￥0.5462
150+
￥0.4689
500+
￥0.4109

有货

立即购买

型号：G2020 编号：C53436210

封装：SOP-8

5+
￥0.7218 ￥0.802
50+
￥0.58275 ￥0.6475
150+
￥0.51318 ￥0.5702
500+
￥0.46098 ￥0.5122
2500+
￥0.41931 ￥0.4659
4000+
￥0.39843 ￥0.4427

订货

我要订货

型号：NSG3023 编号：C46473167

封装：SOP-8

NSG3023 是一款高压、高速功率MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG3023 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V 的CMOS 或LSTTL 逻辑输出电平。NSG3023 其浮动通道可用于驱动高压侧N 沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。NSG3023采用SOP8封装，可以在 -40 °C 至 125 °C 温度范围内工作。

5+
￥0.7258
50+
￥0.5657
150+
￥0.4856
500+
￥0.4256

有货

立即购买

型号：NSG2008 编号：C7421056

封装：SOIC-8

250V N+N半桥驱动、IN&/SD、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）

5+
￥0.8585
50+
￥0.7497
150+
￥0.7031
500+
￥0.645
2500+
￥0.6191

有货

立即购买

型号：XJNG2103C 编号：C52975878

封装：SOP-8

5+
￥0.8614
50+
￥0.6848
150+
￥0.5964
500+
￥0.5302
2500+
￥0.4772

有货

立即购买

型号：NSG6002 编号：C53436447

封装：SOP8

5+
￥0.9041
50+
￥0.8842
150+
￥0.871
500+
￥0.8577

有货

立即购买

型号：EG3035 编号：C48580030

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG3035是一款高性价比三相PMOS、NMOS管栅极驱动专用芯片，内部集成了LDO、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源的驱动电路。

5+
￥1.0828
50+
￥0.856
150+
￥0.7588
500+
￥0.6375

有货

立即购买

型号：EG2003 编号：C2987443

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2003是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2003高端的工作电压可达200V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I O +/-0.3A/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

1+
￥1.1873
10+
￥1.0361
30+
￥0.9713
100+
￥0.8904
500+
￥0.8544
1000+
￥0.8328

有货

立即购买

型号：SiLM2004ECA-DG 编号：C48391672

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

5+
￥1.2805
50+
￥1.0033
150+
￥0.8845
500+
￥0.7363
2500+
￥0.6703

有货

立即购买

型号：NSG2104 编号：C7421063

封装：SOIC-8