igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8

MCP1406/07 器件是一系列缓冲器/MOSFET 驱动器，具有单输出，峰值驱动电流能力达 6A，直通电流低，上升/下降时间和传播延迟时间匹配等特点。这些器件引脚兼容，是 TC4420/TC4429 MOSFET 驱动器的改进版本。MCP1406/07 MOSFET 驱动器可在 20 ns 内轻松对 2500 pF 的栅极电容进行充放电，提供足够低的阻抗（在导通和关断状态下），以确保即使存在大的瞬变，MOSFET 的预期状态也不会受到影响

数据手册

1+
￥10.95
10+
￥9.44
30+
￥8.61

有货

立即购买

型号：CSD95492QVMT 编号：C544797

封装：VSON-18-EP(4x5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD95492QVM 采用 4x5 SON 小型封装的 20A 同步降压 NexFET 智能功率级

数据手册

1+
￥11.1306 ￥14.27
10+
￥9.4588 ￥13.91
30+
￥7.9228 ￥13.66
100+
￥7.7836 ￥13.42

有货

立即购买

型号：DRV8705SQRHBRQ1 编号：C3681095

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8705-Q1 具有离线诊断功能的汽车级、40V、H 桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥11.21
10+
￥10.95
30+
￥10.78

有货

立即购买

型号：UCC27301ADR 编号：C41558418

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个N沟道MOSFET而设计，绝对最大自举电压为120V。凭借3.7A的峰值拉电流和4.5A的峰值灌电流能力，可在驱动大功率MOSFET的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V和 +20V的绝对最大额定值

数据手册

1+
￥11.39
10+
￥9.61
30+
￥8.5
100+
￥7.36

有货

立即购买

型号：IR4426STRPBF 编号：C537737

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是一款低压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专利抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容

数据手册

1+
￥11.41
10+
￥9.7
30+
￥8.63
100+
￥7.53

有货

立即购买

型号：UCC27284DRCT 编号：C5218838

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

一款功能强大的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点(HS)额定电压为100V。可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。具有3A的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在MOSFET米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率MOSFET。输入与电源电压无关，与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

数据手册

1+
￥12.36
10+
￥10.5
30+
￥9.33

有货

立即购买

型号：NCP81071BMNTXG 编号：C603797

封装：WDFN-8L-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81071是一款高速双路低端MOSFET驱动器，能够为容性负载提供大峰值电流。该驱动器可在米勒平台区提供5 A的峰值电流，有助于降低MOSFET开关转换期间的米勒效应。

数据手册

1+
￥12.3986 ￥13.19
10+
￥9.45 ￥11.25
30+
￥7.4296 ￥10.04
100+
￥6.512 ￥8.8
500+
￥6.0976 ￥8.24
1000+
￥5.92 ￥8

有货

立即购买

型号：TC1412NEOA 编号：C636855

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC1412/TC1412N 是 2A 的 CMOS 缓冲器/驱动器。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闭锁现象。当接地引脚出现高达 5V 的任一种极性的噪声尖峰时，它们不会受到损坏

数据手册

1+
￥13.3076 ￥17.51
10+
￥9.8604 ￥14.94
30+
￥7.4704 ￥13.34
100+
￥6.5464 ￥11.69
500+
￥6.132 ￥10.95
1000+
￥5.9472 ￥10.62

有货

立即购买

型号：1ED3127MU12FXUMA1 编号：C17649548

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED312xMU12F（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和碳化硅MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。在独立的源极和漏极引脚，它们可提供高达14.0 A的典型输出电流；若配备额外的3.0 A有源密勒钳位电路，则可提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围为3 V至15 V，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V的微控制器

1+
￥14.06
10+
￥11.95
30+
￥10.63
100+
￥9.28

有货

立即购买

型号：STDRIVE101 编号：C2969847

封装：VFQFPN-24(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

STDRIVE101是一款低压栅极驱动器，适用于驱动三相无刷电机。它是一款单芯片，带有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌电流/拉电流）

数据手册

1+
￥14.53
10+
￥12.19
30+
￥10.72

有货

立即购买

型号：DGD2190MS8-13 编号：C460708

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2190M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2190M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。DGD2190M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

数据手册

1+
￥14.76
10+
￥12.38
30+
￥10.89

有货

立即购买

型号：MCP14E4-E/P 编号：C640320

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5 器件是一系列 4.0A 缓冲器/MOSFET 驱动器。双反相、双同相和互补输出是其提供的标准逻辑选项。MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5 驱动器能够在 4.5V 至 18V 的单电源下工作，并且能够在 15 ns（典型值）内轻松对 2200 pF 的栅极电容进行充放电

数据手册

1+
￥16.7067 ￥29.31
10+
￥11.8628 ￥25.24
60+
￥8.4471 ￥22.83
120+
￥7.5406 ￥20.38
480+
￥7.1225 ￥19.25
1200+
￥6.9338 ￥18.74

有货

立即购买

型号：2EDR7259XXUMA1 编号：C17373399

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品是双路隔离栅极驱动器，用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离，适用于更高母线电压或更高污染程度的应用，一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能，可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器，死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低器件间偏差和快速信号传播，非常适合用于快速开关电源转换系统。

1+
￥18.2
10+
￥15.46
30+
￥13.82
100+
￥12.17

有货

立即购买

型号：UCC27211DRMR 编号：C544677

封装：VSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

数据手册

1+
￥18.84
10+
￥16.03
30+
￥14.36

有货

立即购买

型号：NCD57001FDWR2G 编号：C899925

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCD57001F是NCD57001的一个变体，其软关断时间缩短，适合驱动大型IGBT或功率模块。NCD57001F是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定（UVLO）、退饱和（DESAT）保护以及退饱和时的软关断

数据手册