igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MIC4606-1YML-TR 编号：C621921

封装：VQFN-16-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

1+
￥33.09
10+
￥28.35
30+
￥25.53

有货

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型号：LTC4440ES6-5#TRPBF 编号：C688551

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

高速、高电压、高端栅极驱动器

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1+
￥33.2
10+
￥28.36
30+
￥25.48

有货

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型号：L6206D013TR 编号：C2653489

封装：SO-24-300mil

品牌：ST(意法半导体)

L6206器件是一款专为电机控制应用设计的DMOS双全桥器件，采用BCD技术制造，该技术可将隔离式DMOS功率晶体管与CMOS和双极电路集成在同一芯片上。L6206器件有PowerSO36和SO24（20 + 2 + 2）两种封装形式，其特点包括热关断功能、高端功率MOSFET非耗散过流检测功能，以及一个可轻松用于实现过流保护的诊断输出端。

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1+
￥34.65 ￥49.5
10+
￥33.887 ￥48.41
30+
￥33.376 ￥47.68
100+
￥32.865 ￥46.95

有货

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型号：LTC4440ES6-5#TRMPBF 编号：C580911

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

高速、高电压、高端栅极驱动器

1+
￥35.33
10+
￥30.23
30+
￥27.21

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型号：EL7457CLZ-T7 编号：C2653810

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高速、同相、四路CMOS驱动器，能够以高达40MHz的时钟速率运行，具有2A的峰值驱动能力和仅3Ω的标称导通电阻。适用于驱动高容性负载，如CCD应用中的存储和垂直时钟。也适用于ATE引脚驱动、电平转换和时钟驱动应用。能够使用单电源或双电源供电，同时使用接地参考输入

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1+
￥36.43
10+
￥31.35
30+
￥28.25

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型号：TC4422AVAT 编号：C641435

封装：TO-220-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4421A/TC4422A 是早期单输出 MOSFET 驱动器 TC4421/TC4422 系列的改进版本。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4421A/TC4422A 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

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1+
￥39.54
10+
￥34.49
50+
￥29.22

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型号：TPSI3052SQDWZRQ1 编号：C20346003

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPSI3052是一款完全集成的隔离式开关驱动器，与外部功率开关结合使用时，可构成一个完整的隔离式固态继电器（SSR）。其标称栅极驱动电压为15 V，峰值源电流和灌电流为1.5/3.0 A，可选择多种外部功率开关以满足广泛的应用需求。TPSI3052从初级侧接收的功率中产生自身的次级偏置电源，因此无需隔离的次级电源偏置。此外，TPSI3052可根据各种应用需求，选择性地为外部支持电路供电。TPSI3052根据所需输入引脚数量支持两种工作模式。在两线模式下（通常用于驱动机械继电器），控制开关仅需两个引脚，且支持6.5 V至48 V的宽电压工作范围。在三线模式下，3 V至5.5 V的初级电源由外部提供，开关通过单独的使能信号进行控制。仅在三线模式下可用的TPSI3052S具有开关控制的单触发使能功能。此功能对于驱动通常只需一个电流脉冲即可触发的可控硅整流器（SCR）非常有用。次级侧提供一个稳定的15 V浮动电源轨，用于驱动各种功率开关，无需次级偏置电源。该应用可驱动用于直流应用的单个功率开关，或用于交流应用的双背对背功率开关，以及各种类型的SCR。与传统机械继电器和光耦合器相比，TPSI3052集成的隔离保护极为可靠，具有更高的可靠性、更低的功耗和更宽的温度范围。通过使用一个从PXFR引脚连接到VSSP的外部电阻选择七种功率电平设置之一，可以调节TPSI3052的功率传输。根据应用需求，这样可以在功耗和次级提供的功率之间进行权衡。

1+
￥44.98
10+
￥38.29
30+
￥34.2

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型号：LTC7001IMSE#PBF 编号：C581062

封装：MSOP-10-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

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1+
￥47.46
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￥40.74
30+
￥36.65

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型号：DRV8962DDWR 编号：C21218303

封装：-

品牌：TI(德州仪器)

1+
￥50.34
10+
￥49.13
30+
￥48.32

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型号：L9945TR 编号：C2156048

封装：TQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

汽车级完全可配置8通道高/低侧MOSFET

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1+
￥50.87
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￥43.05
30+
￥40.32

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型号：LT1158ISW#TRPBF 编号：C662899

封装：SO-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

一个输入引脚同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET。独特的自适应保护功能可防止直通电流，消除了两个MOSFET的匹配要求，大大简化了高效电机控制和开关调节器系统的设计。连续电流限制环路可调节顶部功率MOSFET中的短路电流，只要MOSFET的VDS不超过1.2V，就允许更高的启动电流。通过将故障输出返回到使能输入，在发生故障时将自动关闭，并在内部上拉电流对使能电容重新充电时重试。片上电荷泵在需要时开启，以连续导通顶部N沟道MOSFET。特殊电路确保在PWM和直流操作之间的转换过程中，顶部栅极驱动能安全维持。在较高电源电压下工作时，栅源电压内部限制为14.5V。

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1+
￥57.89
10+
￥55.29
30+
￥53.7

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型号：2SC0435T2G1-17 编号：C1524114

封装：-

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

SCALE™ - 2+双驱动器内核2SC0435T2G1 - 17（连接器引脚长度为3.1mm，适用于2mm厚的PCB；增强了EMI性能；无铅）/ 2SC0435T2G1C - 17（采用Lackwerke Peters公司的ELPEGUARD SL 1307 FLZ/2涂层版本）将无与伦比的紧凑性与广泛的适用性相结合。该驱动器专为要求高可靠性的通用应用而设计。2SC0435T2G1(C) - 17可驱动所有常见的最高1700V的高功率IGBT模块

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1+
￥242
30+
￥230

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型号：A4940KLPTR-T 编号：C163280

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

斩波稳定精密霍尔门闩锁存器

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1+
￥258.92
30+
￥226.93

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型号：LKS513 编号：C2798402

封装：ESOP-16

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS513是一款用于功率P沟道/N沟道MOSFET的三相40V高速半桥预驱动器。它有两个用于高端和低端的输入，且每个通道有两个输出，内部设有死区时间以避免交叉导通。输入逻辑电平与3.3V/5V/15V信号兼容

单价：
￥0.6617 / 个

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型号：IR2103STRPBF-HX 编号：C51934036

封装：SOIC-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容，内置强驱动缓冲，支持高边N沟道器件驱动，电压可达600V

5+
￥0.71019 ￥0.7891
50+
￥0.69201 ￥0.7689
150+
￥0.67995 ￥0.7555
500+
￥0.6678 ￥0.742

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型号：SLM2014CA-DG 编号：C5127147

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V半桥，Vo：10-20V，IN正SD负逻辑,DT:110ns,高边9V，低边5V欠压保护

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5+
￥0.7645
50+
￥0.7473
150+
￥0.7359
500+
￥0.7244

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型号：NSG532 编号：C46473175

封装：SOT-23-6

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG532是超高速、大电流功率芯片驱动器，在对功率开关的栅极进行充放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG532在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG532不会受到损坏。NSG532可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端子均受到高达2.0 kV静电放电(ESD)的全面保护。

5+
￥0.94639 ￥0.9962
50+
￥0.74765 ￥0.787
150+
￥0.662435 ￥0.6973
500+
￥0.55613 ￥0.5854
3000+
￥0.50882 ￥0.5356
6000+
￥0.480415 ￥0.5057

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型号：GBI7251TBKR 编号：C42420010

封装：TSOT-23-6L

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

GBI7251是单通道高速低端栅极驱动器，可为氮化镓（GaN）功率器件提供2A的峰值源电流和2A的灌电流，同时具备集成的6V低压差线性稳压器（LDO）轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出上升传播延迟为15ns，输入到输出下降传播延迟为13ns，20V的电源轨使其适用于高频功率转换器应用。其负输入电压可低至5V，以增强输入抗噪能力

5+
￥0.9509
50+
￥0.9287
150+
￥0.9138

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型号：G2021Q 编号：C41414474

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

5+
￥1.094115 ￥1.1517
50+
￥0.85728 ￥0.9024
150+
￥0.75582 ￥0.7956
500+
￥0.629185 ￥0.6623
3000+
￥0.572755 ￥0.6029
6000+
￥0.538935 ￥0.5673

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型号：EG2003 编号：C2987443

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2003是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2003高端的工作电压可达200V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I O +/-0.3A/0.6A，采用SOP8封装。

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1+
￥1.1873
10+
￥1.0361
30+
￥0.9713
100+
￥0.8904
500+
￥0.8544
1000+
￥0.8328

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型号：NSG3100C 编号：C41414514

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG3100C 4A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N 沟道增强MOSFET。此驱动器可以提供NSG3100C 输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围内，从而提供欠压锁定功能。

5+
￥1.38833 ￥1.4614
50+
￥1.09098 ￥1.1484
150+
￥0.96349 ￥1.0142
500+
￥0.804555 ￥0.8469
3000+
￥0.733685 ￥0.7723
6000+
￥0.69122 ￥0.7276

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型号：UCC27325DR-HX 编号：C18212735

封装：SOIC-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

UCC27325DR-HX是一款功率开关驱动芯片。它具有匹配的上升和下降时间，用于以一定功率速率对栅极进行充电和放电，实现导通和关断。在额定功率和电压范围内，具有较高的抗闩锁能力

1+
￥1.43
10+
￥1.39
30+
￥1.37
100+
￥1.35

有货

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型号：NSG44273 编号：C7421044

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

单通道、单输入（IN)、拉/灌电流：2/2A，输入耐受低至-10V

5+
￥1.436495 ￥1.5121
50+
￥1.18864 ￥1.2512
150+
￥1.082525 ￥1.1395
500+
￥0.95 ￥1
3000+
￥0.891005 ￥0.9379
6000+
￥0.85557 ￥0.9006

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型号：ZXGD3113W6-7 编号：C2676955

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3113W6旨在驱动配置为理想二极管替代品的MOSFET。该器件由差分放大器检测级和大电流驱动器组成。检测级监测MOSFET的反向电压，这样，如果发生体二极管导通，就会向MOSFET的栅极引脚施加正电压

数据手册

1+
￥1.66
10+
￥1.39
30+
￥1.26
100+
￥1.12
500+
￥1.04
1000+
￥1

有货

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型号：NSG2065 编号：C41414477

封装：TSSOP-20

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A、集成自举二极管

1+
￥1.7385 ￥1.83
10+
￥1.52 ￥1.6
30+
￥1.425 ￥1.5
100+
￥1.311 ￥1.38
500+
￥1.254 ￥1.32
1000+
￥1.2255 ￥1.29

有货

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型号：HX4428-S 编号：C19186054

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

双低侧MOSFET驱动器系列采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的功率使用和高可靠性。这些驱动器将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，该输出电压电平可在正电源或地的25mV范围内摆动。该驱动器有三种配置：双反相、双同相以及一个反相加一个同相输出。它们旨在取代其他型号，提供改进的电气性能和耐用性