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双路CMOS高速驱动器将TTL/CMOS输入电压电平转换为轨到轨输出电压电平摆幅，CMOS输出在接地或正电源的25mV范围内。低阻抗、高电流驱动器输出可在30nsec内使1000pF负载摆动18V。独特的电流和电压驱动特性使其成为理想的功率MOSFET驱动器、线路驱动器和DC-DC转换器构建模块。输入逻辑信号可等于电源电压，输入电流低至1μA，可直接与CMOS/双极开关模式电源控制IC以及开集电极模拟比较器接口

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型号：LM5110-3MX/NOPB 编号：C2676938

封装：SOIC-8

LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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型号：MCP14A0303T-E/SN 编号：C622963

封装：SOIC-8

MCP14A0303/4/5 器件是高速双 MOSFET 驱动器，在单 4.5V 至 18V 电源供电下，能够提供高达 3A 的峰值电流。有三种输出配置可供选择：双反相（MCP14A0303）、双同相（MCP14A0304）和互补（MCP14A0305）。这些器件具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟的特点，非常适合高开关频率应用

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型号：TC4420VMF 编号：C184798

封装：DFN-8-EP(5x6)

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

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型号：CSD88599Q5DCT 编号：C701755

封装：SON-22(5x6)

CSD88599Q5DC 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块

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型号：TC4428ACOA 编号：C1549312

封装：SOIC-8

除了匹配的上升和下降时间外，这些设备还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。这些设备在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有高抗闩锁能力。当地引脚出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，它们不会受到损坏。它们可以承受高达500 mA的反向电流（任何极性）被强制反馈到其输出端，而不会损坏或导致逻辑混乱。这些MOSFET驱动器可以在30 ns内轻松对1000 pF的栅极电容进行充电/放电。这些设备在导通和关断状态下都提供足够低的阻抗，以确保即使在大瞬变情况下，MOSFET的预期状态也不会受到影响。

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型号：DRV8706SQRHBRQ1 编号：C5218851

封装：VQFN-32(5x5)

DRV8706-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车级 40V 半桥智能栅极驱动器

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型号：MP8040DN-LF-Z 编号：C3654840

封装：SOIC-8-EP

是一款通用高频半桥功率驱动器，能够驱动9A负载。该设备集成了顶部和底部N沟道MOSFET功率开关，并通过预设的逐周期电流限制，对源电流和灌电流进行全面保护。具有7.5V至25V的宽输入电压范围。具有低电流关断模式、输入欠压保护、热关断和故障标志信号输出功能。可与标准逻辑信号接口，采用带外露焊盘的小型8引脚SOIC封装。

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型号：1ED3124MU12FXUMA1 编号：C17295974

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED312xMU12F（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和碳化硅MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。在独立的源极和漏极引脚，它们可提供高达14.0 A的典型输出电流；若配备额外的3.0 A有源密勒钳位电路，则可提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围为3 V至15 V，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V的微控制器

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型号：TC1412NEOA 编号：C636855

封装：SOIC-8

TC1412/TC1412N 是 2A 的 CMOS 缓冲器/驱动器。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闭锁现象。当接地引脚出现高达 5V 的任一种极性的噪声尖峰时，它们不会受到损坏

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型号：TC4423AVOA 编号：C1549502

封装：SOIC-8

是双输出3A缓冲器/MOSFET驱动器。该改进版本具有更高的峰值输出电流驱动能力、更低的直通电流、匹配的上升/下降时间和传播延迟时间，与现有产品引脚兼容。新增了8引脚SOIC封装选项，8引脚DFN封装选项为驱动较重的电容性或电阻性负载提供了更高的功耗能力。可在20 ns内轻松对1800 pF的栅极电容进行充电和放电

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型号：MP1924AHS-LF-Z 编号：C5675613

封装：SOIC-8

MP1924A是一款高频半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，且延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定（UVLO）功能，在电源不足时会强制输出为低电平

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型号：UCC27211DRMR 编号：C544677

封装：VSON-8-EP(4x4)

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

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型号：MP1923GS-Z 编号：C6306878

封装：SOIC-8

MP1923是一款高频N沟道MOSFET半桥栅极驱动器。该器件的低端MOSFET（LS - FET）和高端MOSFET（HS - FET）驱动通道可独立控制，且延时匹配在5ns以内。在供电不足的情况下，器件的高端MOSFET和低端MOSFET欠压锁定（UVLO）保护会强制输出为低电平

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型号：MP86920GLV-Z 编号：C6675180

封装：LGA-27(4x5)

MP86920 是一款单片半桥驱动器，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，它可实现 20A 的连续输出电流。由于优化的死区时间和降低的寄生电感，集成的驱动器和 MOSFET 实现了高效率。该器件可与三态输出控制器配合使用，工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。它还具备通用电流检测和温度检测功能。MP86920 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器和电信应用。它采用 LGA - 27（4mmx5mm）封装。

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型号：HT0440LG-G 编号：C622888

封装：SOIC-8

是双路、高压、隔离式MOSFET驱动器，采用专有HVCMOS技术。旨在驱动配置为双向或单向开关的分立MOSFET。可驱动N沟道MOSFET作为高达400V的高端开关。当逻辑输入A和B为高电平时，会向输出端VoutA和VoutB产生两个独立的直流隔离电压。可以通过向CLK引脚施加外部时钟信号来禁用内部时钟，这允许调整功耗和交流特性以满足特定需求。CLK引脚在不使用时应接地。不需要任何外部电源，当两个逻辑输入A或B中的任何一个为高电平时，内部电源电压由它们提供。

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型号：1ED3122MU12HXUMA1 编号：C17390271

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：UCC57108BQDRQ1 编号：C22455864

封装：SOIC-8

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型号：NCP51810AMNTWG 编号：C2902266

封装：QFN-15(4.4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51810 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51810 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +200 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51810 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。

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型号：IXDN614SI 编号：C7430185

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，使驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：TC4424COE713 编号：C632540

封装：SOIC-16-300mil

TC4423/TC4424/TC4425器件是一组3A双输出缓冲器/MOSFET驱动器。该系列器件与TC1426/27/28、TC4426/27/28和TC4426A/27A/28A双1.5A驱动器系列引脚兼容，其闩锁电流额定值提高到1.5A，使其在恶劣电气环境中运行时更加可靠。作为MOSFET驱动器，TC4423/TC4424/TC4425能够在35纳秒内轻松对1800pF的栅极电容进行充电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响

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型号：IR2130STRPBF 编号：C16675

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，三相桥驱动IC

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型号：DRV8303DCA 编号：C1523892

封装：HTSSOP-48-EP-6.1mm

DRV8303 具有电流分流放大器和 SPI 的最大 65V 三相栅极驱动器

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型号：MCP14E4-E/P 编号：C640320

封装：PDIP-8