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高压600V,单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：TF21064-3BS 编号：C6387917

封装：PDIP-14

驱动配置：高低边，高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：FAN7380MX 编号：C890848

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN7380是单片半桥栅极驱动IC，可以驱动工作电压最高达+600V的MOSFET和IGBT。高压工艺和共模噪声消除技术可使高端驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路，能使高端栅极驱动器的工作电压在VBS=15V时高达Vs=-9.8V(典型值)。

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型号：ADP3654ARDZ-RL 编号：C659218

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

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型号：IRS21864STRPBF-JSM 编号：C7498989

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：IXDI602SIATR 编号：C2677097

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDF602/IXDI602/IXDN602双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

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型号：FAN73711MX 编号：C724808

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73711 一种单片高压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600 V 下运行的高速 MOSFET 和 IGBT。它拥有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲电流驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于等离子显示面板、电机驱动逆变器、开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用中的维持和能量回收电路开关驱动器。

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型号：MIC4428YM-TR 编号：C628041

封装：SOIC-8

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双路低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效率的特点。这些驱动器将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。相比之下，类似的双极型器件只能在电源的1V范围内摆动

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型号：TC4426COA713 编号：C2676953

封装：SOIC-8

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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型号：UCC27201ADDAR 编号：C2653809

封装：SO-8

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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型号：MIC4427ZM 编号：C637541

封装：SOIC-8

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双路低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效率的特点。这些驱动器将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。相比之下，类似的双极型器件只能在电源的1V范围内摆动

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型号：UCC27311ADRCR 编号：C42349194

封装：VSON-10-EP(3x3)

UCC27311A 是一款强大的栅极驱动器，专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V。凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，UCC27311A 可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

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型号：LM5112MY/NOPB 编号：C115281

封装：MSOP-8-EP

LM5112 用于双电源操作、具有 4V UVLO 和输入接地的 3A/7A 单通道栅极驱动器

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型号：NCD57085DR2G 编号：C2902212

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCx57085是一款大电流单通道IGBT栅极驱动器，具有2.5 kVrms内部电流隔离，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。该驱动器在窄体SOIC - 8封装中集成了带软关断和故障报告功能的电流检测功能。NCx57085可适应3.3 V至20 V的宽范围输入偏置电压和信号电平，以及高达30 V的宽范围输出偏置电压。

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型号：UCC27200DR 编号：C181973

封装：SOIC-8

UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断时间匹配精度达1ns

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型号：MD1211LG-G 编号：C623931

封装：SOIC-8

Supertex MD1211 是一款高速双 MOSFET 驱动器。它专为驱动高压 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 晶体管而设计，适用于医疗超声和其他需要高输出电流来驱动容性负载的应用。MD1211 的高速输入级可在 1.8 至5.0V 的逻辑接口电压下工作，最佳工作输入信号范围为1.8 至 3.3V。电平转换器采用专有电路，可提供直流耦合和高速运行。

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型号：TF21084A-3BS 编号：C6387918

封装：PDIP-14

高压600V, 单相, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：6EDL04I06PT 编号：C533113

封装：SO-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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型号：DRV8705SQRHBRQ1 编号：C3681095

封装：VQFN-32(5x5)

DRV8705-Q1 具有离线诊断功能的汽车级、40V、H 桥智能栅极驱动器

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型号：STDRIVE101 编号：C2969847

封装：VFQFPN-24(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

STDRIVE101是一款低压栅极驱动器，适用于驱动三相无刷电机。它是一款单芯片，带有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌电流/拉电流）

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型号：2EDL8124GXUMA1 编号：C3655208

封装：VDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDL8x2x是一款专为电信和数据通信应用等先进开关转换器设计的高端-低端驱动器。2EDL802x采用带内置迟滞的独立输入，以增强抗噪能力；而2EDL812x采用带内置迟滞的差分输入，以增强抗噪能力。2EDL812x固有的直通保护确保了系统的稳定性

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型号：DRV2605LTDGSRQ1 编号：C2150588

封装：VSSOP-10-0.5mm

DRV2605L-Q1 具有 2V 工作电压、波形库和自动谐振跟踪功能的汽车类 ERM/LRA 触觉驱动器

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型号：TF21814-3BS 编号：C6387919

封装：PDIP-14

驱动配置：高低边高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：TC4426ACOA713 编号：C624935

封装：SOIC-8