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首页 > 热门关键词 > igbt驱动芯片
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MC33151PG-HX/MC34151PG-HX是高耐用MOSFET驱动器,电流峰值1.5A,工作电压4.5~18V,快速开关(<40ns),支持反向电流500mA和5V噪声,适用于MOSFET、压电执行器、同轴线和时钟线驱动
  • 1+

    ¥4.5 ¥5
  • 10+

    ¥3.645 ¥4.05
  • 50+

    ¥3.213 ¥3.57
  • 100+

    ¥2.79 ¥3.1
  • 500+

    ¥2.538 ¥2.82
  • 1000+

    ¥2.403 ¥2.67
  • 有货
  • 具有 5V UVLO 和使能功能的汽车类 4A/4A 单通道栅极驱动器 5-SOT-23 -40 to 140
    数据手册
    • 1+

      ¥4.52
    • 10+

      ¥3.66
    • 30+

      ¥3.24
  • 有货
  • 驱动配置:低边 负载类型:MOSFET 电源电压:4.5V~25V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A 双通道 锁存保护 -40℃到125℃
    • 1+

      ¥4.55
    • 10+

      ¥3.68
    • 30+

      ¥3.25
    • 100+

      ¥2.82
    • 500+

      ¥2.56
    • 1000+

      ¥2.43
  • 有货
  • 单相,大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥4.85
    • 10+

      ¥4.74
    • 30+

      ¥4.67
    • 100+

      ¥4.6
  • 有货
  • 单相驱动,带SD功能 半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
    • 1+

      ¥4.88
    • 10+

      ¥4.77
    • 30+

      ¥4.69
    • 100+

      ¥4.61
  • 有货
  • 是一款双路、大电流、低端栅极驱动器。两个输出端均能提供和吸收5A的峰值电流,最大额定电压为20V。两个输出端可并联以用于更高电流的应用。快速的传播延迟时间(典型值16ns)和快速的上升和下降时间(7ns)使其非常适合高频应用。输入与TTL和CMOS逻辑兼容,每个输出都有独立的使能功能。欠压锁定电路(UVLO)可防止高端源极驱动器在电源电压不足时导通。如果逻辑输入悬空,输出将保持低电平。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.94
    • 10+

      ¥4
    • 30+

      ¥3.54
  • 有货
  • 是高度可靠的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器,是MIC4426/4427/4428的更高输出电流版本,而后者是MIC426/427/428的改进版本,三个系列引脚兼容。比其前代产品能在更苛刻的电气环境中可靠工作,在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都不会发生闩锁,能承受高达5V的任何极性的接地引脚噪声尖峰,能接受高达半安培的任何极性的反向电流而不会损坏或逻辑混乱。比目前可用的其他CMOS或双极驱动器更易于使用、操作更灵活、容错性更强。其BiCMOS/DMOS结构功耗最低,并提供轨到轨电压摆幅
    数据手册
    • 1+

      ¥5.08
    • 10+

      ¥4.96
    • 30+

      ¥4.88
  • 有货
  • 驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥5.11
    • 10+

      ¥4.99
    • 30+

      ¥4.91
    • 100+

      ¥4.84
  • 有货
  • 单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥5.14
    • 10+

      ¥5.01
    • 30+

      ¥4.93
    • 100+

      ¥4.85
  • 有货
  • 驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥5.21
    • 10+

      ¥5.08
    • 30+

      ¥5
    • 100+

      ¥4.91
  • 有货
  • UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流,以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联,可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.3
    • 10+

      ¥4.23
    • 30+

      ¥3.7
    • 100+

      ¥3.17
  • 有货
  • FAN3100 2 A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL (FAN3100T) 或 CMOS (FAN3100C) 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,直到电源电压处于运行范围内,从而提供欠压锁定功能。FAN3100 提供快速 MOSFET 开关性能,有助于最大程度提高高频功率转换器设计中的能效。FAN3100 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高峰值电流,可最大程度降低开关损耗,同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3100 还提供双输入,可配置为在非反向或反向模式下运行,可实施启用功能。如果一个或两个输入均保持未联接,内部电阻则会偏置输入,以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。FAN3100 采用无引线成品 2x2mm 6 引线成型无引线封装 (MLP),可实现最小尺寸,且具有绝佳热性能,也可采用行业标准的 5 引脚 SOT23。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.31
    • 10+

      ¥4.27
    • 30+

      ¥3.75
    • 100+

      ¥3.23
  • 有货
  • EiceDRIVER 2EDN 系列产品提供 8 引脚 DSO、TSSOP 和 WSON 封装,以及小巧且通用的 6 引脚 SOT23 封装。高输出电流能力,再加上有源输出电压钳位、严格的时序规格以及优化的启动和关断时间,使 2EDN 系列成为许多快速开关应用的首选。
    • 1+

      ¥5.31
    • 10+

      ¥4.23
    • 30+

      ¥3.69
    • 100+

      ¥3.15
  • 有货
  • 具有分离输出、25ns 传播延迟和使能功能的 9A/9A 单通道栅极驱动器 8-SOIC 0 to 70
    数据手册
    • 1+

      ¥5.42
    • 10+

      ¥5.29
    • 30+

      ¥5.2
    • 100+

      ¥5.11
  • 有货
  • 低成本栅极驱动器(提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案) 分立式晶体管对驱动器的出色替代产品(提供与控制器的简便对接) UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A 和5A灌电流的设计,同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.59
    • 10+

      ¥5.46
    • 30+

      ¥5.38
  • 有货
  • EG2113D是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路、自举二极管及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG2113D高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V,静态功耗小于50uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力10±2A/2A,采用SOP16和SOW16封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.61
    • 10+

      ¥4.44
    • 45+

      ¥3.97
    • 90+

      ¥3.39
  • 有货
  • 具有 5V UVLO、使能功能和负输入电压处理能力的 5A/5A 双通道栅极驱动器 8-HVSSOP -40 to 140
    数据手册
    • 1+

      ¥5.87
    • 10+

      ¥4.68
    • 30+

      ¥4.08
    • 100+

      ¥3.49
  • 有货
  • LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥6.3
    • 10+

      ¥5.03
    • 30+

      ¥4.39
  • 有货
  • TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外,TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下,这些器件都具有很高的抗闩锁能力
    数据手册
    • 1+

      ¥6.31
    • 10+

      ¥6.16
    • 30+

      ¥6.07
  • 有货
  • 高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
    • 1+

      ¥6.32
    • 10+

      ¥5.11
    • 30+

      ¥4.51
  • 有货
  • 内部集成了高低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路
    • 1+

      ¥6.56
    • 10+

      ¥5.41
    • 30+

      ¥4.78
    • 100+

      ¥4.06
    • 500+

      ¥3.84
    • 1000+

      ¥3.7
  • 有货
  • NCV57200是一款高压栅极驱动器,具备一个非隔离式低端栅极驱动器和一个电流隔离式高端或低端栅极驱动器。它能够以半桥配置直接驱动两个IGBT。隔离式高端驱动器可采用隔离电源供电,也可通过自举技术由低端电源供电
    数据手册
    • 1+

      ¥6.66
    • 10+

      ¥5.97
    • 30+

      ¥5.59
    • 100+

      ¥5.16
    • 500+

      ¥4.97
    • 1000+

      ¥4.89
  • 有货
  • NCP81071是一款高速双路低端MOSFET驱动器,能够为容性负载提供大峰值电流。该驱动器可在米勒平台区提供5 A的峰值电流,有助于降低MOSFET开关转换期间的米勒效应。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.8588 ¥13.19
    • 10+

      ¥5.85 ¥11.25
    • 30+

      ¥5.2208 ¥10.04
    • 100+

      ¥4.576 ¥8.8
    • 500+

      ¥4.2848 ¥8.24
    • 1000+

      ¥4.16 ¥8
  • 有货
  • UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流,以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联,可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.86
    • 10+

      ¥5.69
    • 30+

      ¥5.05
    • 100+

      ¥4.32
  • 有货
  • TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外,TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下,这些器件都具有很高的抗闩锁能力
    数据手册
    • 1+

      ¥6.98
    • 10+

      ¥5.8
    • 30+

      ¥5.15
  • 有货
  • UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流,以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联,可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.44
    • 10+

      ¥6.18
    • 30+

      ¥5.49
    • 100+

      ¥4.71
  • 有货
  • 驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥7.47
    • 10+

      ¥6.21
    • 30+

      ¥5.52
    • 100+

      ¥4.74
    • 500+

      ¥4.39
    • 1000+

      ¥4.23
  • 有货
  • 高压高侧和低侧2 A栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥7.47
    • 10+

      ¥6.32
    • 30+

      ¥5.75
  • 有货
  • 是双路高速、低侧栅极驱动器。两个输出端中的每一个都可以提供和吸收1.5A的峰值电流,上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与TTL和CMOS兼容,并且几乎不受闩锁影响。低传播延迟时间以及快速、匹配的上升和下降时间使其适用于高频和高功率应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.51
    • 10+

      ¥6.19
    • 30+

      ¥5.47
    • 100+

      ¥4.66
    • 500+

      ¥4.29
  • 有货
  • 高压600V,单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥7.62
    • 10+

      ¥6.36
    • 50+

      ¥5.67
  • 有货
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