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首页 > 热门关键词 > igbt驱动芯片
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IR2304(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL(LSTTL)输出兼容,最低可至 3.3V
数据手册
  • 1+

    ¥3.48
  • 10+

    ¥2.81
  • 30+

    ¥2.47
  • 100+

    ¥1.95
  • 有货
  • 300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:0.3/0.6A
    • 1+

      ¥3.5
    • 10+

      ¥3.08
    • 30+

      ¥2.87
    • 100+

      ¥2.66
    • 500+

      ¥2.54
    • 1000+

      ¥2.47
  • 有货
  • IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器,具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容,内置强驱动缓冲,支持高边N沟道器件驱动,电压可达600V
    • 1+

      ¥3.816 ¥4.24
    • 10+

      ¥3.033 ¥3.37
    • 30+

      ¥2.646 ¥2.94
    • 100+

      ¥2.259 ¥2.51
    • 500+

      ¥2.034 ¥2.26
    • 1000+

      ¥1.908 ¥2.12
  • 有货
  • SiLM2660/SiLM2661是一款用于电池充放电系统控制的低功耗高端N沟道FET驱动器。高端控制可避免系统中的接地断开,并允许电池组与主机系统之间进行连续通信。SiLM2660具备额外的P沟道FET控制功能,可对深度放电的电池进行低电流预充电,并且它还集成了一个PACK+电压监测器,供主机检测PACK+电压
    • 1+

      ¥3.85
    • 10+

      ¥3.08
    • 30+

      ¥2.69
    • 100+

      ¥2.3
    • 500+

      ¥2.07
  • 有货
  • 低成本栅极驱动器(提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案) 分立式晶体管对驱动器的出色替代产品(提供与控制器的简便对接) UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A 和5A灌电流的设计,同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.85
    • 10+

      ¥3.75
    • 30+

      ¥3.68
    • 100+

      ¥3.62
  • 有货
  • EiceDRIVER™ 栅极驱动 IC 系列采用 SOT23-5、SOT23-6 和 WSON-6 封装,其中 SOT23-5 和 SOT23-6 分别有 5 引脚和 6 引脚。引脚排列符合行业实际标准。这些产品用于驱动逻辑电平和普通电平的 MOSFET,如 OptiMOS™ 和 CoolMOS™,以及 GaN HEMT 器件
    • 1+

      ¥3.92
    • 10+

      ¥3.18
    • 30+

      ¥2.81
    • 100+

      ¥2.44
    • 500+

      ¥2.22
  • 有货
  • DGD2110 和 DGD2113 是高压/高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端输出。高端驱动器具备浮动电源,可在高达 500V/600V 的电压下工作。高端和低端驱动器之间的传播延迟匹配为 10ns(最大值)/20ns(最大值),支持高频操作
    数据手册
    • 1+

      ¥4.2035 ¥12.01
    • 10+

      ¥2.8025 ¥11.21
    • 30+

      ¥1.6065 ¥10.71
    • 100+

      ¥1.53 ¥10.2
    • 500+

      ¥1.4955 ¥9.97
    • 1500+

      ¥1.4805 ¥9.87
  • 有货
  • 是双路高速、低侧栅极驱动器。两个输出端各自都能提供和吸收 1.5A 的峰值电流,上升和下降时间小于 10ns。每个驱动器的输入与 TTL 和 CMOS 兼容,并且几乎不受闩锁影响。低传播延迟时间以及快速、匹配的上升和下降时间,使其非常适合高频和高功率应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.25
    • 10+

      ¥4.16
    • 30+

      ¥4.09
    • 100+

      ¥4.03
  • 有货
  • FAN7392N-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器,具独立高低端输出,兼容3.3V逻辑输入,高边驱动电压达600V,延时匹配适用于高频应用
    • 1+

      ¥4.5 ¥5
    • 10+

      ¥3.645 ¥4.05
    • 25+

      ¥3.213 ¥3.57
    • 100+

      ¥2.79 ¥3.1
    • 500+

      ¥2.538 ¥2.82
    • 1000+

      ¥2.403 ¥2.67
  • 有货
  • MC33151PG-HX/MC34151PG-HX是高耐用MOSFET驱动器,电流峰值1.5A,工作电压4.5~18V,快速开关(<40ns),支持反向电流500mA和5V噪声,适用于MOSFET、压电执行器、同轴线和时钟线驱动
    • 1+

      ¥4.5 ¥5
    • 10+

      ¥3.645 ¥4.05
    • 50+

      ¥3.213 ¥3.57
    • 100+

      ¥2.79 ¥3.1
    • 500+

      ¥2.538 ¥2.82
    • 1000+

      ¥2.403 ¥2.67
  • 有货
  • 具有 5V UVLO 和分离输出的汽车类 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 125
    数据手册
    • 1+

      ¥4.86
    • 10+

      ¥3.99
    • 30+

      ¥3.28
  • 有货
  • 6A,4.5V-25V,单通道,反相,高速低功耗MOSFET低边驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.06
    • 10+

      ¥4.01
    • 30+

      ¥3.49
    • 100+

      ¥2.97
    • 500+

      ¥2.66
    • 1000+

      ¥2.5
  • 有货
  • 高压600V,单相,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥5.184 ¥6.48
    • 10+

      ¥4.216 ¥5.27
    • 30+

      ¥3.736 ¥4.67
    • 100+

      ¥3.256 ¥4.07
    • 500+

      ¥2.968 ¥3.71
    • 1000+

      ¥2.816 ¥3.52
  • 有货
  • SiC534是一款针对同步降压应用优化的集成功率级解决方案,可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC534采用威世(Vishay)专有的4.5 mm × 3.5 mm MLP封装,使电压调节器设计能够每相提供高达30 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术,该技术达到了行业标杆性能,可显著降低开关损耗和传导损耗
    数据手册
    • 1+

      ¥5.38
    • 10+

      ¥4.87
    • 30+

      ¥4.59
    • 100+

      ¥4.28
    • 500+

      ¥4.14
  • 有货
  • EG2113D是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路、自举二极管及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG2113D高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V,静态功耗小于50uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力10±2A/2A,采用SOP16和SOW16封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.61
    • 10+

      ¥4.44
    • 45+

      ¥3.97
    • 90+

      ¥3.39
  • 有货
  • 驱高压600V,高边单通道栅极驱动器 MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥5.7049 ¥6.41
    • 10+

      ¥4.628 ¥5.2
    • 30+

      ¥4.0851 ¥4.59
    • 100+

      ¥3.5511 ¥3.99
    • 500+

      ¥3.2396 ¥3.64
    • 1000+

      ¥3.0705 ¥3.45
  • 有货
  • 驱动芯片 单通道驱动配置:低边;高边 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:12V~20V 峰值灌电流:600mA 峰值拉电流:300mA 故障报告
    • 1+

      ¥5.928 ¥6.24
    • 10+

      ¥4.902 ¥5.16
    • 30+

      ¥4.3415 ¥4.57
    • 100+

      ¥3.705 ¥3.9
    • 500+

      ¥3.42 ¥3.6
    • 1000+

      ¥3.2965 ¥3.47
  • 有货
  • UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流,以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联,可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.02
    • 10+

      ¥4.88
    • 30+

      ¥4.32
    • 100+

      ¥3.75
  • 有货
    • 1+

      ¥6.06
    • 10+

      ¥4.92
    • 30+

      ¥4.34
    • 100+

      ¥3.78
    • 500+

      ¥3.44
  • 有货
  • 单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V(典型值)的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时,用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别会源/汲 350mA/650mA,适用于荧光灯镇流器、PDP 扫描驱动器、电机控制等。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.07
    • 10+

      ¥4.97
    • 30+

      ¥4.36
    • 100+

      ¥3.68
    • 500+

      ¥3.37
  • 有货
  • 高压600V,单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥6.096 ¥7.62
    • 10+

      ¥5.088 ¥6.36
    • 50+

      ¥4.536 ¥5.67
    • 100+

      ¥3.912 ¥4.89
    • 500+

      ¥3.632 ¥4.54
    • 1000+

      ¥3.504 ¥4.38
  • 有货
  • 高压600V,单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥6.096 ¥7.62
    • 10+

      ¥5.088 ¥6.36
    • 50+

      ¥4.536 ¥5.67
    • 100+

      ¥3.912 ¥4.89
    • 500+

      ¥3.632 ¥4.54
    • 1000+

      ¥3.504 ¥4.38
  • 有货
  • 驱动配置:高低边,高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥6.096 ¥7.62
    • 10+

      ¥5.088 ¥6.36
    • 25+

      ¥4.536 ¥5.67
    • 100+

      ¥3.912 ¥4.89
    • 500+

      ¥3.632 ¥4.54
    • 1000+

      ¥3.504 ¥4.38
  • 有货
  • SL27501是一款4A单通道高速智能驱动器,能够高效,安全地驱动SiC MOSFET和IGBT。 带有负压的驱动可以在高dv / dt下,提高抗米勒效应的噪声抑制能力。退饱和检测可提供有效的短路保护,并降低电源设备和系统元件损坏的风险。
    • 1+

      ¥6.112 ¥7.64
    • 10+

      ¥5.048 ¥6.31
    • 30+

      ¥4.464 ¥5.58
    • 100+

      ¥3.8 ¥4.75
    • 500+

      ¥3.512 ¥4.39
    • 1000+

      ¥3.376 ¥4.22
  • 有货
  • 内部集成了高低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路
    • 1+

      ¥6.232 ¥6.56
    • 10+

      ¥5.1395 ¥5.41
    • 30+

      ¥4.541 ¥4.78
    • 100+

      ¥3.857 ¥4.06
    • 500+

      ¥3.648 ¥3.84
    • 1000+

      ¥3.515 ¥3.7
  • 有货
  • 高速、双通道、4 A MOSFET驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥6.92
    • 10+

      ¥6.78
    • 30+

      ¥6.68
  • 有货
  • UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流,以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联,可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.09
    • 10+

      ¥5.92
    • 30+

      ¥5.28
    • 100+

      ¥4.55
  • 有货
  • UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流,以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联,可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.44
    • 10+

      ¥6.18
    • 30+

      ¥5.49
    • 100+

      ¥4.71
  • 有货
  • 特性:单通道隔离IGBT驱动器。 适用于600 V/1200 V IGBT。 轨到轨输出典型峰值电流高达6 A。 有源米勒钳位。 电流隔离无芯变压器驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥7.97
    • 10+

      ¥6.67
    • 30+

      ¥5.95
    • 100+

      ¥5.15
  • 有货
    • 1+

      ¥8.1
    • 10+

      ¥6.73
    • 30+

      ¥5.98
    • 100+

      ¥5.14
    • 500+

      ¥4.76
    • 1000+

      ¥4.59
  • 有货
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