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HX2005 - S是一款高压、高速功率MOSFET高低端驱动芯片，具有独立的高端和低端参考输出通道。该芯片采用高低压兼容技术，使高端和低端栅极驱动电路能够集成在单芯片中。其逻辑输入电平与低至3的CMOS或LSTTL逻辑输出电平兼容

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￥1.8585 ￥2.065
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￥1.45935 ￥1.6215
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￥1.28826 ￥1.4314
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￥1.07478 ￥1.1942
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￥0.97974 ￥1.0886
5000+
￥0.92268 ￥1.0252

有货

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型号：EG2106D 编号：C2904138

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2106D是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。EG2106D高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO(+/-) 0.3/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

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￥2.0203
50+
￥1.5667
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￥1.3723

有货

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型号：HX2007-S 编号：C19186048

封装：SOP-8

HX2007-S是高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。该芯片具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容技术，可实现高低侧栅极驱动电路的单芯片集成。

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￥2.09079 ￥2.3231
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￥1.64169 ￥1.8241
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￥1.44927 ￥1.6103
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￥1.20915 ￥1.3435
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￥1.10223 ￥1.2247
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￥1.03806 ￥1.1534

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型号：HX4426-S 编号：C19186052

封装：SOP-8

HX4426/4427/4428系列双路低端MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器可将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压在正电源或地的25 mV范围内摆动。HX4426/4427/4428驱动器有三种配置：双路反相、双路同相以及一路反相加一路同相输出

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￥2.09079 ￥2.3231
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￥1.64169 ￥1.8241
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￥1.44927 ￥1.6103
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￥1.03806 ￥1.1534

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型号：EG2107 编号：C2929088

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带过流保护功能半桥驱动芯片

数据手册

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￥2.1502
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￥1.6948
150+
￥1.4997
500+
￥1.1583

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型号：IRS44273LTRPBF 编号：C5804636

封装：SOT-23-5

单通道低侧同相栅极驱动芯片含自举二极管,带上下电保护、欠压保护。

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￥2.1749
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￥1.7213
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￥1.5269
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￥1.2214
3000+
￥1.1134
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￥1.0485

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型号：NCP81062MNTWG 编号：C154581

封装：DFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81062 是一款高性能 MOSFET 门极驱动器，采取小巧的 3 mm x 3 mm 封装，经过优化，可驱动同步降压转换器中的高压侧和低压侧功率 MOSFET。零电流检测特性即使在轻型负载条件下可能实现一个高能效方案。预 OVP 特性有助于在高压侧 FET 发生短路时保护负载。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到预 OVP 或 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

数据手册

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￥2.3
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￥2.02
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￥1.9
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￥1.76
500+
￥1.69
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￥1.65

有货

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型号：NSG2203U 编号：C52975880

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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￥2.375 ￥2.5
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￥1.8715 ￥1.97
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￥1.6625 ￥1.75
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￥1.3965 ￥1.47
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￥1.2825 ￥1.35
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￥1.2065 ￥1.27

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型号：FAN7842MX-HX 编号：C53055897

封装：SOIC-8

FAN7842MX-HX 是高低侧栅极驱动IC，支持+200V，具抗共模噪声与负压VS能力，驱动电流达350/650mA，TTL兼容、延时<50ns，具UVLO，适用于电机、电动工具与通信DC-DC应用

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￥2.385 ￥2.65
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￥1.89 ￥2.1
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￥1.674 ￥1.86
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￥1.404 ￥1.56
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￥1.215 ￥1.35

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型号：LF2103NTR-JSM 编号：C17701707

封装：SOP-8

电机驱动，逆变器驱动 LF2103N是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥2.82
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￥2.22
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￥1.96
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￥1.63
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￥1.49
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￥1.4

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型号：ISL95808HRZ-T 编号：C964602

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高频双MOSFET驱动器，具有低关断电流，经过优化可在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET。特别适用于需要高效率和出色热性能的移动计算应用。该驱动器与多相降压PWM控制器结合，可为高级移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案。低侧栅极驱动器典型灌电流为4A，此电流能够在相节点上升沿期间保持低侧MOSFET栅极关断，防止因相电压高dv/dt引起的直通功率损耗。工作电压与移动计算机电源中常用MOSFET的30V击穿电压相匹配。还具有三态PWM输入，与多相PWM控制器配合使用可防止CPU关机期间出现负电压输出，此功能可省去微处理器电源系统中常见的保护肖特基二极管

数据手册

5+
￥2.8372
50+
￥2.3461
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￥2.1356
500+
￥1.873

有货

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型号：COS27425SR 编号：C5334500

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

4.5，4.5V-25V，同反相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带使能，UVLO及过温保护功能

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￥3.06
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￥2.35
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￥2.05
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￥1.67
2500+
￥1.51
4000+
￥1.4

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型号：HX33152-P 编号：C41399177

封装：DIP-8

HX33152-P是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的电力使用和高可靠性。

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￥3.177 ￥3.53
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￥2.817 ￥3.13
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￥2.637 ￥2.93
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￥2.466 ￥2.74
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￥2.358 ￥2.62
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￥2.304 ￥2.56

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型号：FAN3224TMX-JSM 编号：C18198374

封装：SOP-8

栅极驱动IC 驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 两路独立的使能端口控制 4A/4A 双通道栅极驱动器 -40 to 125

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￥3.25
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￥2.61
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￥2.28

有货

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型号：ZH639D0JT 编号：C41371521

封装：TSSOP-20

品牌：Semiment(赛卓)

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￥3.29
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￥2.58
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￥2.28
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￥1.9
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￥1.74
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￥1.64

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型号：DGD2103MS8-13-JSM 编号：C17701706

封装：SOP-8

电机驱动，逆变器驱动 DGD2103是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥3.34
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￥2.69
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￥2.37
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￥2.04
500+
￥1.85
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￥1.75

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型号：LM2101DR 编号：C34080678

封装：SOIC-8

LM2101 是一款紧凑型高压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。

数据手册

1+
￥3.39
10+
￥3.31
30+
￥3.25
100+
￥3.2

有货

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型号：2EDN7524G 编号：C533082

封装：WSON-8-EP(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDN752x/2EDN852x是一款先进的双通道驱动器，适用于驱动逻辑电平和普通电平MOSFET，支持OptiMOS、CoolMOS、标准电平MOSFET、超结MOSFET，以及IGBT和GaN功率器件。

数据手册

1+
￥3.39
10+
￥2.65
30+
￥2.34
100+
￥1.94

有货

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型号：UCC23525CDWYR 编号：C49279569

封装：SOIC-6

数据手册

1+
￥3.45
10+
￥2.93
30+
￥2.56
100+
￥2.26
500+
￥2.16
850+
￥2.11

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型号：SL27501SE 编号：C22446793

封装：SOIC-8-EP

品牌：Slkor(萨科微)

SL27501是一款4A单通道高速智能驱动器，能够高效，安全地驱动SiC MOSFET和IGBT。带有负压的驱动可以在高dv / dt下，提高抗米勒效应的噪声抑制能力。退饱和检测可提供有效的短路保护，并降低电源设备和系统元件损坏的风险。

1+
￥3.576 ￥4.47
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￥3.488 ￥4.36
30+
￥3.432 ￥4.29
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￥3.376 ￥4.22

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型号：JSM2127STR 编号：C19673787

封装：SOP-8

驱动芯片单通道驱动配置：低边；高边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：12V~20V 峰值灌电流：600mA 峰值拉电流：300mA 故障报告

1+
￥3.67
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￥3.58
30+
￥3.53

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型号：NSG21281 编号：C41414528

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。

1+
￥3.6765 ￥3.87
10+
￥3.2585 ￥3.43
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￥3.059 ￥3.22
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￥2.85 ￥3
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￥2.7265 ￥2.87
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￥2.6695 ￥2.81

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型号：NSG21864 编号：C41414499

封装：SOP-14

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A

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￥3.6765 ￥3.87
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￥3.2585 ￥3.43
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￥3.059 ￥3.22
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￥2.85 ￥3
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￥2.7265 ￥2.87
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￥2.6695 ￥2.81

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型号：SLM2184SCA-13GTR 编号：C883213

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，IN正,SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/270ns, DT:400ns, MT60nS

数据手册

1+
￥3.75
10+
￥3.02
30+
￥2.66
100+
￥2.29

有货

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型号：IR2136STRPBF-HX 编号：C51934037

封装：SOIC-28

IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容，内置强驱动缓冲，支持高边N沟道器件驱动，电压可达600V

1+
￥3.816 ￥4.24
10+
￥3.033 ￥3.37
30+
￥2.646 ￥2.94
100+
￥2.259 ￥2.51
500+
￥2.034 ￥2.26
1000+
￥1.908 ￥2.12

有货

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型号：TF2183M-TR 编号：C17701721

封装：SOP-8

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.91
10+
￥3.82
30+
￥3.76
100+
￥3.7

有货

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型号：UCC27538DBVT 编号：C2870245

封装：SOT-23-6

低成本栅极驱动器（提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案）分立式晶体管对驱动器的出色替代产品（提供与控制器的简便对接） UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A 和5A灌电流的设计，同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。

数据手册

1+
￥3.92
10+
￥3.82
30+
￥3.75
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￥3.69

有货

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型号：DRV2625YFFR 编号：C553134

封装：DSBGA-9

DRV2625 具有波形库、自动谐振跟踪和低功耗的 ERM/LRA 触觉驱动器

数据手册

1+
￥4.06
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￥3.97
30+
￥3.91

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型号：1EDN7550B 编号：C533029

封装：SOT-23-6

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER™ 1EDNx550 是单通道非隔离式栅极驱动集成电路的全新产品系列。由于采用了具有出色共模抑制能力的独特全差分输入电路，逻辑驱动器状态仅由两个输入之间的电压差控制，完全独立于驱动器的参考（接地）电位。这消除了误触发的风险，因此在所有驱动器和控制器接地之间存在电压差的应用中具有显著优势，这是采用 4 引脚封装（开尔文源极连接）、高寄生 PCB 电感（长距离、单层 PCB）、双极栅极驱动的系统常见的问题

数据手册

1+
￥4.16
10+
￥3.31
30+
￥2.89
100+
￥2.48
500+
￥2.23

有货

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型号：FAN7392N-HX 编号：C52191357

封装：DIP-14