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封装：TO-263-5

IXDD614 / IXDI614 / IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，使驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：UCC27211DDAR 编号：C141980

封装：SOIC-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

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型号：TF21364M-TLH 编号：C2683766

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：UCC27624QDGNRQ1 编号：C7372268

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27624-Q1是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET、IGBT、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率开关。UCC27624-Q1的典型峰值驱动能力为5 A，可缩短功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟（典型值为17 ns）可优化死区时间、提高脉冲宽度利用率、改善控制环路响应和系统瞬态性能，从而提高功率级效率

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型号：MAX4420ESA+T 编号：C3655522

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

单输出MOSFET驱动器旨在将TTL/CMOS输入转换为高压/大电流输出。低1.5Ω输出阻抗和6A峰值电流输出使其能够快速切换高电容功率MOSFET，提高效率。40ns的延迟时间和25ns的上升或下降时间（驱动2500pF至18V时）可最大程度减少MOSFET开关转换期间的功率损耗。逻辑输入轻松与CMOS或双极型开关模式控制器接口，因为其逻辑输入电流低于10μA

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型号：MIC4427YMM 编号：C152165

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效能的特点。这些驱动器可将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压摆幅在正电源或地的25mV范围内。相比之下，同类双极型器件的电压摆幅仅能达到电源电压的1V以内

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型号：UCC27211DPRR 编号：C2677328

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140

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型号：NCP51820AMNTWG 编号：C894995

封装：QFN-15(4.4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51820 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51820 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +650 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51820 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。

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型号：UCC27282QDRCRQ1 编号：C3654985

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27282-Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282-Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET 。

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型号：1ED3122MU12HXUMA1 编号：C17390271

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：WS2410AT 编号：C51907438

封装：eTSSOP-24L

品牌：Winsemi(稳先微)

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型号：WS2420AT 编号：C52091980

封装：ETSSOP-24L

品牌：Winsemi(稳先微)

E-fuse电子保险丝，推荐工作电压3-58V，应用配电、电池管理系统（BMS）

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￥19.817 ￥20.86
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型号：DRV8320SRTVR 编号：C2653535

封装：WQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8320 最大 65V 三相智能栅极驱动器

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型号：MP1918GQE-Z 编号：C7545022

封装：QFN-14(3x3)

品牌：MPS(芯源)

是一款100V半桥驱动器，用于在半桥或同步应用中驱动增强模式氮化镓（GaN）FET或具有低栅极阈值电压的N沟道MOSFET。具有独立的高端（HS）和低端（LS）脉冲宽度调制（PWM）输入，为高端驱动器电压提供自举技术，可在高达100V的电压下工作。新的充电技术可防止高端驱动器电压超过VCC电压，从而防止栅极电压超过GaN FET的最大栅源电压额定值。有两个独立的栅极输出，允许通过在栅极回路中添加阻抗来独立调整导通和关断能力，可在高达数MHz的频率下工作。采用带有可焊侧翼的QFN-14（3mmx3mm）封装。

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型号：1EDC60H12AH 编号：C530945

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1EDCxxI12AH 和 1EDCxxH12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道IGBT 隔离驱动器，其独立输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围宽，为 3 V 至 15 V，采用按比例缩放的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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型号：DRV8706SQRHBRQ1 编号：C5218851

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8706-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车级 40V 半桥智能栅极驱动器

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型号：IR2110SPBF 编号：C537554

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：DRV8301DCA 编号：C92113

封装：HTSSOP-56-EP-6mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV8301 具有降压稳压器、电流分流放大器和 SPI 的最大 65V 三相栅极驱动器

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型号：LTC4442IMS8E#PBF 编号：C688570

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4442是一款高频栅极驱动器，专为在同步降压式DC/DC转换器拓扑结构中驱动两个N沟道MOSFET而设计。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4442的输入逻辑采用独立电源，以匹配控制器IC的信号摆幅

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￥27.73

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型号：MP86998GMJT-Z 编号：C6595856

封装：TLGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

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￥37.0301
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￥26.1341

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型号：LMG1025QDEETQ1 编号：C1858370

封装：WSON-6-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1025-Q1 适用于窄脉冲应用、具有 5V UVLO 的汽车类 7A/5A 单通道低侧栅极驱动器

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￥33.04
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型号：LMG3410R070RWHR 编号：C2680280

封装：VQFN-32-EP(8x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3410R070 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN

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￥33.59
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型号：LT1910IS8#TRPBF 编号：C579924

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款高端栅极驱动器，允许使用低成本 N 沟道功率 MOSFET 进行高端开关应用。它包含一个完全独立的电荷泵，无需外部组件即可完全增强 N 沟道 MOSFET 开关。当内部漏极比较器检测到开关电流超过预设水平时，开关将关闭，并发出故障标志。开关将在由外部定时电容设置的一段时间内保持关闭，然后自动尝试重新启动。如果故障仍然存在，这个循环将重复，直到故障消除，从而保护 MOSFET。故障标志在开关成功重新启动后将变为无效。专为恶劣的操作环境而设计，如工业和汽车应用，可能存在电源调节不佳和/或瞬变的情况。该设备不会因 -15V 至 60V 的电源瞬变而损坏。采用 SO-8 封装。

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￥51.1012 ￥59.42
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￥44.161 ￥51.35
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￥39.9212 ￥46.42
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￥36.378 ￥42.3

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型号：DRV8350SRTVT 编号：C2864513

封装：WQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8350 102V（最大值）三相智能栅极驱动器

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￥52.87
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￥47.31
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￥43.75

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型号：IXDI630YI 编号：C1549370

封装：TO-263-5

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，并且该驱动器几乎不会发生闩锁

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￥56.09
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￥48.48
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￥43.84
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￥39.95

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型号：LT1166CN8#PBF 编号：C662912

封装：PDIP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一种偏置生成系统，用于控制高功率放大器中的AB类输出电流。当与外部晶体管连接时，该电路成为单位增益电压跟随器。适用于驱动功率MOSFET器件，因为它消除了所有静态电流调整和关键晶体管匹配。使用该系统的多个输出级可以并联以获得更高的输出电流。热失控问题得到解决，因为偏置系统通过使用一个小的外部检测电阻来感应每个功率晶体管中的电流。一个高速调节器环路控制施加到每个功率器件的驱动量。该系统可以由一对电阻或电流源偏置，并且由于它作用于输出晶体管的驱动电压，因此可以在任何电源电压下工作。

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