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型号：MIC4421YN 编号：C641322

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4421和MIC4422 MOSFET驱动器坚固耐用、高效且易于使用。MIC4421是反相驱动器，而MIC4422是非反相驱动器。这两个版本均能提供9A（峰值）输出，并且能够驱动大型MOSFET，同时具有更高的安全工作裕量

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型号：TC4427AEUA 编号：C636887

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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型号：UCC27212AQDDARQ1 编号：C2867746

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO 的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 140

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型号：MAX626CSA+T 编号：C2677347

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

双路、功率MOSFET驱动器

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型号：STDRIVEG600 编号：C3655212

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

GaN晶体管的高压半桥栅极驱动器

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型号：TC4452VAT 编号：C641440

封装：TO-220-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4451/TC4452 是单输出 MOSFET 驱动器。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4451/TC4452 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

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型号：TC4425CPA 编号：C640769

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4423/TC4424/TC4425器件是一组3A双输出缓冲器/MOSFET驱动器。该系列器件与TC1426/27/28、TC4426/27/28和TC4426A/27A/28A双1.5A驱动器系列引脚兼容，其闩锁电流额定值提高到1.5A，使其在恶劣电气环境中运行时更加可靠。作为MOSFET驱动器，TC4423/TC4424/TC4425能够在35纳秒内轻松对1800pF的栅极电容进行充电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响

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型号：LM5113SDX/NOPB 编号：C3655383

封装：WSON-10(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5113 适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器

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型号：LMG1210RVRT 编号：C2862667

封装：WQFN-19(3x4)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

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型号：LTC7000EMSE#TRPBF 编号：C690074

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

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￥41.05
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型号：LMG3410R070RWHR 编号：C2680280

封装：VQFN-32-EP(8x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3410R070 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN

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￥44.03
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型号：TC4469COE 编号：C642033

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款四输出CMOS缓冲器/MOSFET驱动器，具有1.2A的峰值驱动能力。与其他MOSFET驱动器不同，这些设备的每个输出都有两个输入。输入配置为逻辑门：与非门（TC4467）、与门（TC4468）和与/反相器（TC4469）。可以连续向接地负载提供高达250 mA的电流。这些设备非常适合直接驱动低电流电机，或在H桥配置中驱动MOSFET以实现更高电流的电机驱动。在驱动器上集成逻辑门有助于减少许多设计中的元件数量。非常坚固且高度抗闩锁。它们可以承受地线上高达5V的噪声尖峰，并可以处理驱动器输出上高达0.5A的反向电流。

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￥52.57
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￥44.9
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型号：LTC4440AHMS8E-5#PBF 编号：C688540

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一个高频高端N沟道MOSFET栅极驱动器，设计用于VIN电压高达80V的应用中。能够承受100V的瞬态电压并继续工作。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗，上拉峰值输出电流为1.1A，下拉输出阻抗为1.85Ω。具有与电源无关的TTL/CMOS兼容输入阈值，滞后为350mV，输入逻辑信号在内部电平转换为自举电源，该电源可在高于地95V的电压下工作。针对驱动（5V）逻辑电平FET进行了优化，并包含欠压锁定电路，激活时可禁用外部MOSFET。采用热增强型8引脚MSOP封装。

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￥58.86
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型号：IXDN630YI 编号：C461326

封装：TO-263-5

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，并且该驱动器几乎不会发生闩锁

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￥65.32
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￥47.21

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型号：LT1166CS8#PBF 编号：C662913

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一种偏置生成系统，用于控制高功率放大器中的AB类输出电流。当与外部晶体管连接时，该电路成为单位增益电压跟随器。适用于驱动功率MOSFET器件，因为它消除了所有静态电流调整和关键晶体管匹配。使用该系统的多个输出级可以并联以获得更高的输出电流。热失控问题得到解决，因为偏置系统通过使用一个小的外部检测电阻来感应每个功率晶体管中的电流。一个高速调节器环路控制施加到每个功率器件的驱动量。该系统可以由一对电阻或电流源偏置，并且由于它作用于输出晶体管的驱动电压，因此可以在任何电源电压下工作。

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￥71.35
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￥61.43
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型号：G2021 编号：C7421050

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

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￥0.70224 ￥0.7392
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￥0.481555 ￥0.5069
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￥0.426455 ￥0.4489
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￥0.38228 ￥0.4024
1000+
￥0.36024 ￥0.3792

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型号：NSG531 编号：C46473174

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG531是一款通用的功率开关控制器，可以替代由分立元件组成的推挽电路，可以直接驱动IGBT，功率MOSFET，继电器等功率开关。SOT23-5封装，简单小巧。

5+
￥0.8023
50+
￥0.6254
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￥0.5369
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￥0.4705
3000+
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型号：IRS4428STRPBF-HX 编号：C50345555

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR4428STRPBF-HX系列是双路低边MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺，高效可靠。支持TTL/CMOS输入，输出电压摆幅接近电源/地（25mV内）。提供三种配置：双同相、双反相及一同一反输出，适用于驱动MOSFET、重载时钟线等。

5+
￥1.02321 ￥1.1369
50+
￥1.00035 ￥1.1115
150+
￥0.98514 ￥1.0946
500+
￥0.96993 ￥1.0777

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型号：GHD3125R 编号：C53153132

封装：SOP-16

品牌：Geehy(极海半导体)

40V耐压，集成3.3VLDO，三相3P+3N栅极驱动器

5+
￥1.1881
50+
￥0.9411
150+
￥0.8353
500+
￥0.7032
3000+
￥0.6444

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型号：GHD1620T 编号：C53153131

封装：SOP-8

品牌：Geehy(极海半导体)

600耐压，集成自举二极管，单相2N栅极驱动器

5+
￥1.2123
50+
￥0.9603
150+
￥0.8523
500+
￥0.7175
3000+
￥0.6575

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型号：SiLM2004ECA-DG 编号：C48391672

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

5+
￥1.2805
50+
￥1.0033
150+
￥0.8845
500+
￥0.7363
2500+
￥0.6703

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型号：UCC37325DR-HX 编号：C18212734

封装：SOIC-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

1+
￥1.287 ￥1.43
10+
￥1.251 ￥1.39
30+
￥1.233 ￥1.37
100+
￥1.215 ￥1.35

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型号：DO1416 编号：C52140033

封装：SOT-23-5

品牌：DOINGTER(杜因特)

DO1416器件是能够提供2A峰值电流的高速MOSFET驱动器。反相或同相单通道输出能直接被TTL或CMOS逻辑所控制（3V到18V）。低贯通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟也是这些器件的特色，使它非常适合高开关频率应用。

5+
￥1.3234
50+
￥1.0462
150+
￥0.9274
500+
￥0.7792
3000+
￥0.7132

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型号：SLM27523CA-DG 编号：C22381786

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLM2752x 系列器件是双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。SLM2752x 采用了一种从本质上可将直通电流降至最低的设计，能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极小，典型值为 18 ns。在 12V VDD 电源供电时，SLM2752x 可提供 4.5A 的源极峰值驱动电流和 5.5A 的漏极峰值驱动电流

5+
￥1.408
50+
￥1.1056
150+
￥0.976

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型号：UCC27323DR-JSM 编号：C18195045

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

1+
￥1.45
10+
￥1.41
30+
￥1.39

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型号：DO6288T 编号：C42386243

封装：TSSOP-20

品牌：DOINGTER(杜因特)

250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片

5+
￥1.5262
50+
￥1.3204
150+
￥1.2322
500+
￥1.1221
3000+
￥1.0731
6000+
￥1.0437

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型号：EG2108 编号：C480656

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2108是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2108高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V-20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

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5+
￥1.7216
50+
￥1.3297
150+
￥1.1617
500+
￥0.9522

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型号：M81747JFP-JSM 编号：C44606230

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

M81747JFP是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。M81747JFP采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥1.77
10+
￥1.73
30+
￥1.7

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型号：HP3000-AD000-HD08R 编号：C22394787

封装：DFN-8L(2x2)

品牌：Hynetek(慧能泰)

HP3000 是慧能泰 HySwitch 产品系列下一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 电源开关。 HP3000的典型峰值驱动强度为5 A，这有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟（典型值为 22 ns），可改善系统的死区时间，优化控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。通道数:2 输出电流:5 A 输入电压（最小）:4.5 V 输入电压（最大）:30 V 工作温度范围：-40 到 150 ℃ 输入负向耐压：-12 V

5+
￥1.8012
50+
￥1.4232
150+
￥1.2612
500+
￥1.0591

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型号：SDH2105U 编号：C17701711

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 SDH2105是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SDH2105采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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