igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TF2183M-TR 编号：C17701721

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥5.994 ￥6.66
10+
￥4.959 ￥5.51
30+
￥4.383 ￥4.87
100+
￥3.744 ￥4.16
500+
￥3.456 ￥3.84
1000+
￥3.33 ￥3.7

有货

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型号：LF21814NTR-JSM 编号：C7498988

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥6.3495 ￥7.47
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￥5.2785 ￥6.21
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￥4.692 ￥5.52
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￥4.029 ￥4.74
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￥3.7315 ￥4.39
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￥3.5955 ￥4.23

有货

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型号：TC4427AEOA 编号：C18690

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A是早期TC4426/TC4427/TC4428系列MOSFET驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。当接地引脚出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，它们不会受到损坏。它们能够承受高达500mA的反向电流（任何极性）被强制回流到其输出端，而不会损坏或出现逻辑混乱。所有引脚都具有高达4kV的静电放电（ESD）保护。TC4426A/TC4427A/TC4428A MOSFET驱动器能够在30ns内轻松对1000pF的栅极电容进行充电/放电。这些器件在导通和关断状态下都具有足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响。

数据手册

1+
￥6.52
10+
￥5.44
30+
￥4.85
100+
￥4.18
500+
￥3.88

有货

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型号：IRS2183STRPBF-JSM 编号：C17701730

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥6.552 ￥7.28
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￥5.418 ￥6.02
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￥4.797 ￥5.33
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￥4.095 ￥4.55
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￥3.78 ￥4.2
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￥3.645 ￥4.05

有货

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型号：TF1388M-TGH 编号：C6387929

封装：SOIC-20

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：三相/半桥中压250V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥6.61
10+
￥5.46
30+
￥4.83
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￥4.11

有货

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型号：TF21814M-TR-JSM 编号：C7498986

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥6.832 ￥8.54
10+
￥5.68 ￥7.1
30+
￥5.048 ￥6.31
100+
￥4.328 ￥5.41
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￥4.016 ￥5.02
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￥3.872 ￥4.84

有货

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型号：TF2113M-TR 编号：C5804623

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥7.242 ￥8.52
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￥6.018 ￥7.08
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￥5.3465 ￥6.29
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￥4.59 ￥5.4
500+
￥4.2585 ￥5.01
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￥4.1055 ￥4.83

有货

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型号：LF21844NTR-JSM 编号：C7498951

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥7.299 ￥8.11
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￥6.066 ￥6.74
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￥5.391 ￥5.99
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￥4.626 ￥5.14
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￥4.293 ￥4.77
1000+
￥4.14 ￥4.6

有货

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型号：TF2117-3AS 编号：C6387924

封装：PDIP-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V,高边单通道栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥7.45
10+
￥6.19
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￥5.49
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￥4.71

有货

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型号：IR21834STRPBF-JSM 编号：C17701719

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥7.488 ￥8.32
10+
￥6.192 ￥6.88
30+
￥5.481 ￥6.09
100+
￥4.68 ￥5.2
500+
￥4.32 ￥4.8
1000+
￥4.158 ￥4.62

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型号：TF21844M-TR-JSM 编号：C7498969

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相。大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥7.686 ￥8.54
10+
￥6.39 ￥7.1
30+
￥5.679 ￥6.31
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￥4.869 ￥5.41
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￥4.518 ￥5.02
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￥4.356 ￥4.84

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型号：6EDL04N06PT-JSM 编号：C7498949

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时可立即关断六通道输出

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￥7.688 ￥9.61
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￥6.392 ￥7.99
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￥5.68 ￥7.1
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￥4.872 ￥6.09
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￥4.512 ￥5.64
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￥4.352 ￥5.44

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型号：HIP4082IBZT 编号：C50123

封装：SOIC-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

80V/1.25A H全桥MOS管驱动器芯片

数据手册

1+
￥7.69
10+
￥6.31
30+
￥5.54
100+
￥4.68

有货

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型号：FAN7393MX-JSM 编号：C7498990

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥7.866 ￥8.74
10+
￥6.507 ￥7.23
30+
￥5.76 ￥6.4
100+
￥4.914 ￥5.46
500+
￥4.536 ￥5.04
1000+
￥4.365 ￥4.85

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型号：CSD97395Q4M 编号：C524792

封装：VSON-8-EP(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD97395Q4M CSD97395Q4M 高频同步降压 NexFET™ 功率级

数据手册

1+
￥7.98
10+
￥6.57
30+
￥5.79

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型号：DRV8703QRHBRQ1 编号：C181573

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8703-Q1 具有 SPI 控制功能的汽车类 47V H 桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥8.45
10+
￥7.02
30+
￥6.24

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型号：IRS21814STRPBF-JSM 编号：C7498957

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥8.649 ￥9.61
10+
￥7.191 ￥7.99
30+
￥6.39 ￥7.1
100+
￥5.481 ￥6.09
500+
￥5.076 ￥5.64
1000+
￥4.896 ￥5.44

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型号：DRV2625YFFR 编号：C553134

封装：DSBGA-9

品牌：TI(德州仪器)

DRV2625 具有波形库、自动谐振跟踪和低功耗的 ERM/LRA 触觉驱动器

数据手册

1+
￥8.72
10+
￥7.24
30+
￥6.43
100+
￥5.52

有货

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型号：AGD8256A-JSM 编号：C17701728

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

1+
￥8.848 ￥11.06
10+
￥7.528 ￥9.41
30+
￥6.696 ￥8.37
100+
￥5.848 ￥7.31
500+
￥5.464 ￥6.83
1000+
￥5.296 ￥6.62

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型号：UCC27710DR 编号：C2676981

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有互锁功能的 0.5A/1.0A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125

数据手册

1+
￥9.06
10+
￥7.47
30+
￥6.44
100+
￥5.46

有货

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型号：L293DD-HXY 编号：C48677910

封装：SOP-20

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款步进电机驱动芯片专为精确控制设计，提供0.6A的持续输出电流和高达1.2A的峰值电流能力，确保稳定的动力供给。其宽泛的工作电压范围从4.5V至36V，适应多种电源配置。内置二极管具有1.3V的正向电压，有效提升能效比，减少能耗。该驱动芯片适用于需要精准位置控制的应用场景，如办公自动化设备、消费电子装置等，能够实现高效、平稳的电机运转，满足对速度和位置控制精度的需求。

1+
￥9.31 ￥9.8
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￥7.8755 ￥8.29
30+
￥6.9825 ￥7.35
100+
￥6.061 ￥6.38
500+
￥5.6525 ￥5.95
1000+
￥5.472 ￥5.76

有货

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型号：IRS23364DSTRPBF-JSM 编号：C17701725

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

1+
￥9.996 ￥11.76
10+
￥8.4575 ￥9.95
30+
￥7.497 ￥8.82
100+
￥6.511 ￥7.66
500+
￥6.069 ￥7.14
1000+
￥5.8735 ￥6.91

有货

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型号：FAN73896MX-JSM 编号：C17701727

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

1+
￥10.584 ￥11.76
10+
￥8.955 ￥9.95
30+
￥7.938 ￥8.82
100+
￥6.894 ￥7.66
500+
￥6.426 ￥7.14
1000+
￥6.219 ￥6.91

有货

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型号：HX293E-P 编号：C47002284

封装：DIP-20

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

四通道推挽驱动器，每通道可提供高达1A的输出电流，TTL兼容逻辑输入独立控制每个通道，确保精确可靠运行。每对驱动器（全桥）配有抑制输入，可同时关闭四个晶体管，提高控制灵活性和安全性，适用于多种应用场景。

1+
￥10.674 ￥11.86
10+
￥9.801 ￥10.89
36+
￥9.261 ￥10.29
108+
￥8.703 ￥9.67
504+
￥8.451 ￥9.39
1008+
￥8.334 ￥9.26

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型号：MC34152DR2G 编号：C903960

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

数据手册

1+
￥11
10+
￥9.27
30+
￥8.18
100+
￥7.07

有货

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型号：TPS28225DRBR 编号：C2676914

封装：SON-8-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPS28225 具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥11.7
10+
￥10.42
30+
￥9.51
100+
￥8.69

有货

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型号：SI8233AD-D-ISR 编号：C22457486

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

1+
￥12.16
10+
￥11.87
30+
￥11.68
100+
￥11.48

有货

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型号：IR21844STRPBF 编号：C415702

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

数据手册

1+
￥12.19
10+
￥10.21
30+
￥8.96
100+
￥7.69

有货

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型号：MP1921HS-A-LF-Z 编号：C7304239

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

MP1921A是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，且延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时会强制输出为低电平

1+
￥12.2888
50+
￥11.2237
100+
￥9.9129

有货

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型号：MCP14E5-E/SN 编号：C635886

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5器件是一系列4.0A缓冲器/MOSFET驱动器。提供双反相、双同相和互补输出等标准逻辑选项。MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5驱动器能够在4.5V至18V的单电源下工作，并且可以在15 ns（典型值）内轻松对2200 pF的栅极电容进行充放电。它们在导通和关断状态下均提供低阻抗，以确保MOSFET的预期状态不会受到影响，即使存在大的瞬态信号。MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5的输入可以直接由TTL或CMOS（2.4V至18V）驱动。通过使用独立的使能功能，可以对MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5的输出进行额外控制。ENB_A和ENB_B引脚为高电平有效，并且内部上拉至VDD。在标准操作中，这些引脚可以悬空。MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5双输出4.0A驱动器系列提供表面贴装和通孔封装，工作温度范围为-40℃至+125℃。热增强型DFN封装的低热阻使其能够在驱动较大电容性或电阻性负载时具有更高的功率耗散能力。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。当接地引脚出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，它们不会受到损坏。它们可以承受高达1.5A的反向电流回流到其输出端而不会损坏或出现逻辑混乱。所有引脚都具有高达4 kV的静电放电（ESD）保护。

数据手册

1+
￥12.55
10+
￥10.65
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