igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时可立即关断六通道输出

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￥7.256 ￥9.07
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型号：TF21844M-TR-JSM 编号：C7498969

封装：SOP-14

单相。大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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￥7.263 ￥8.07
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型号：LM5109BQNGTRQ1 编号：C2876136

封装：WSON-8-EP(4x4)

LM5109B-Q1 具有 8V UVLO 和高抗扰度的汽车类 1A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：UCC27201DRMR 编号：C2677220

封装：VSON-8-EP(4x4)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

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￥6.12
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型号：1EDI40I12AF 编号：C533022

封装：DSO-8

特性：单通道隔离式IGBT驱动器。输入到输出隔离电压高达1200V。适用于高压功率IGBT。典型值高达10A

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型号：CSD97395Q4M 编号：C524792

封装：VSON-8-EP(3.5x4.5)

CSD97395Q4M CSD97395Q4M 高频同步降压 NexFET™ 功率级

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￥7.88
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￥4.81

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型号：MIC4452YM 编号：C637548

封装：SOIC-8

CMOS MOSFET驱动器性能强劲、高效且易于使用。两个版本均能提供12A（峰值）输出，可驱动大型MOSFET，并具有更高的安全工作裕度。该驱动器可接受2.4V至Vs的任何逻辑输入，无需外部加速电容或电阻网络。专有电路允许输入负向摆动达5V而不损坏器件

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型号：NSG27321 编号：C53190619

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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型号：TF21084A-3BS 编号：C6387918

封装：PDIP-14

高压600V, 单相, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：NSG27322 编号：C53190620

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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型号：AGD8256A-JSM 编号：C17701728

封装：SOP-28-300mil

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

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￥8.624 ￥10.78
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型号：UCC27524P 编号：C1549444

封装：PDIP-8

UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。

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￥6.27

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型号：NCP252160MNTWG 编号：C892300

封装：PQFN-31(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCP252160将一个MOSFET驱动器、高端MOSFET和低端MOSFET集成到单个封装中。该驱动器和MOSFET针对大电流DC - DC降压电源转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比，NCP252160集成解决方案大大降低了封装寄生效应并节省了电路板空间

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￥8.952 ￥18.65
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型号：TF21084A-TUU 编号：C6387928

封装：SOIC-14

高压600V,单相,死区可调,半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：IRS4426STRPBF 编号：C370786

封装：SOIC-8

IRS4426/IRS4427/IRS4428 是低压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容

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型号：TC4421AVOA713 编号：C624918

封装：SOIC-8

TC4421A/TC4422A 是早期单输出 MOSFET 驱动器 TC4421/TC4422 系列的改进版本。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4421A/TC4422A 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

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型号：IR2010STRPBF 编号：C114890

封装：SOIC-16-300mil

是高功率、高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达200V的N沟道功率MOSFET或IGBT。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现坚固的单片结构。

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型号：TF21814-3BS 编号：C6387919

封装：PDIP-14

驱动配置：高低边高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥9.8 ￥12.25
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型号：IRS23364DSTRPBF-JSM 编号：C17701725

封装：SOP-28-300mil

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

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型号：MIC4427YM 编号：C637540

封装：SOIC-8

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效率的特点。这些驱动器可将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25mV范围内摆动。相比之下，同类双极型器件只能在电源的1V范围内摆动

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型号：LM5060Q1MMX/NOPB 编号：C206490

封装：VSSOP-10-0.5mm

LM5060-Q1 汽车类 5.5V 至 65V 高侧保护控制器

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型号：1ED3142MU12FXUMA1 编号：C17633388

封装：DSO-8

1ED314xMU12F栅极驱动IC是采用DSO - 8 150 mil封装的、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们可提供高达6.5 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围很宽，为3 V至6.5 V，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：LM5114BMFX/NOPB 编号：C2677165

封装：SOT-23-6

LM5114 具有 4V UVLO 和分离输出的 7.6A/1.3A 单通道栅极驱动器

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型号：TF2110-3BS 编号：C2683771

封装：DIP-14

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：MIC4425YM 编号：C144188

封装：SOIC-8

MIC4423/4424/4425系列是高可靠性的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器。它们是MIC4426/4427/4428的高输出电流版本，而MIC4426/4427/4428是MIC426/427/428的改进版本。这三个系列的引脚兼容。与前代产品相比，MIC4423/4424/4425驱动器能够在更苛刻的电气环境中可靠工作。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会出现闩锁现象。其接地引脚能够承受高达5V的任一种极性的噪声尖峰。它们能够承受高达半安培的任一种极性的反向电流倒灌至输出端，而不会损坏或出现逻辑混乱。MIC4423/4424/4425系列驱动器比目前市场上其他CMOS或双极型驱动器更易于使用、操作更灵活且容错性更强。其BiCMOS/DMOS结构功耗极低，并能实现轨到轨电压摆幅。MIC4423/4424/4425驱动器主要用于驱动功率MOSFET，也适用于驱动其他需要低阻抗、高峰值电流和快速开关时间的负载（电容性、电阻性或电感性）。例如重载时钟线、同轴电缆或压电换能器等。已知的唯一负载限制是驱动器的总功耗必须保持在封装的最大功耗限制范围内。

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￥10.29
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型号：TC4426CPA 编号：C640779

封装：PDIP-8

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￥9.02
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￥8.08

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型号：FAN73896MX-JSM 编号：C17701727

封装：SOP-28-300mil

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

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￥6.426 ￥7.14
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￥6.219 ￥6.91

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型号：2EDF7275FXUMA1 编号：C2677065

封装：DSO-16