igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

单相,大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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￥3.96 ￥4.4
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￥3.861 ￥4.29
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￥3.798 ￥4.22
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￥3.735 ￥4.15

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型号：SiLM2660CD-DG 编号：C41433639

封装：TSSOP-16

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM2660/SiLM2661是一款用于电池充放电系统控制的低功耗高端N沟道FET驱动器。高端控制可避免系统中的接地断开，并允许电池组与主机系统之间进行连续通信。SiLM2660具备额外的P沟道FET控制功能，可对深度放电的电池进行低电流预充电，并且它还集成了一个PACK+电压监测器，供主机检测PACK+电压

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￥3.99
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￥3.22
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型号：SL27624MS 编号：C20539705

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL27624是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，能够有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。SL27624采用了从本质上可将直通电流降至最低的设计，能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极小，典型值为20ns。在12V VDD电源供电时，SL27624可提供5.0A的源极和5.0A的漏极峰值驱动电流

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型号：DOS21867 编号：C52140035

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

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型号：TF2113M-TR 编号：C5804623

封装：SOIC-16-300mil

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥4.148 ￥4.88
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￥4.0545 ￥4.77
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型号：IX4428MTR 编号：C2653818

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：Littelfuse/IXYS

是双路高速、低侧栅极驱动器。两个输出端各自都能提供和吸收 1.5A 的峰值电流，上升和下降时间小于 10ns。每个驱动器的输入与 TTL 和 CMOS 兼容，并且几乎不受闩锁影响。低传播延迟时间以及快速、匹配的上升和下降时间，使其非常适合高频和高功率应用。

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￥4.25
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￥4.16
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￥4.09
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型号：SLM2181CA-DG 编号：C2986826

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:180/200 ns， DT:NA; MT:35ns

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￥4.27
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￥3.43
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￥3.01

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型号：UCC27511AQDBVRQ1 编号：C2653788

封装：SOT-23-6

具有 5V UVLO 和分离输出的汽车类 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 125

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￥4.57
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￥3.71
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型号：UCC27531DR 编号：C2677154

封装：SOIC-8

低成本栅极驱动器（提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案）分立式晶体管对驱动器的出色替代产品（提供与控制器的简便对接） UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A 和5A灌电流的设计，同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。

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￥4.58
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￥4.46
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￥4.39
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￥4.31

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型号：FAN7393MX-JSM 编号：C7498990

封装：SOP-14

单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥4.626 ￥5.14
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￥4.509 ￥5.01
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￥4.437 ￥4.93
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￥4.365 ￥4.85

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型号：IRS21814STRPBF-JSM 编号：C7498957

封装：SOP-14

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

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￥4.689 ￥5.21
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￥4.572 ￥5.08
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￥4.419 ￥4.91

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型号：SLM2136CF-DG 编号：C496628

封装：SOP-28-300mil

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V三相全桥，互锁，Vo：10-20V，HI1,2,3/LI1,2,3负逻辑，所有通道高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:400/380ns，DT:290ns,MT:40ns，MDT:25ns

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￥4.96
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￥3.93
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￥3.42
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￥2.91

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型号：TF2108A-TAU 编号：C6387926

封装：SOIC-8

高压600V,单相,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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￥5.128 ￥6.41
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￥2.76 ￥3.45

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型号：COS4420SR 编号：C5175412

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

6A，4.5V-25V，单通道，同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器

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￥5.15
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型号：IRS4427PBF-JSM 编号：C20616630

封装：DIP-8

带上下电保护、欠压保护 IRS4427是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。IRS4427在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。

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￥5.304 ￥6.24
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型号：IR2153PBF 编号：C2983

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

半桥驱动集成电路，可直接驱动高侧(高端)和低侧(低端)大功率场效应管。

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￥5.32
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￥3.69

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型号：CLM298N 编号：C7433359

封装：Multiwatt-15

品牌：CHIPLON(启珑)

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￥5.51
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型号：TF2117-TAU 编号：C6387927

封装：SOIC-8

驱高压600V,高边单通道栅极驱动器 MOSFETs或IGBTs预驱

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￥3.0705 ￥3.45

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型号：L293DD-HXY 编号：C48677910

封装：SOP-20

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款步进电机驱动芯片专为精确控制设计，提供0.6A的持续输出电流和高达1.2A的峰值电流能力，确保稳定的动力供给。其宽泛的工作电压范围从4.5V至36V，适应多种电源配置。内置二极管具有1.3V的正向电压，有效提升能效比，减少能耗。该驱动芯片适用于需要精准位置控制的应用场景，如办公自动化设备、消费电子装置等，能够实现高效、平稳的电机运转，满足对速度和位置控制精度的需求。

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￥5.7855 ￥6.09
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￥5.6525 ￥5.95
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￥5.472 ￥5.76

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型号：NSG21275 编号：C49023245

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG21275是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。采用SOIC8封装，可以在-40°C 至125°C 温度范围内工作。

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￥5.79
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￥4.67
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￥3.06

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型号：UCC27524ADGNR 编号：C2677081

封装：MSOP-8

具有 5V UVLO、使能功能和负输入电压处理能力的 5A/5A 双通道栅极驱动器 8-HVSSOP -40 to 140

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￥5.87
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￥4.08
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￥3.49

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型号：UCC27712QDRQ1 编号：C2677057

封装：SOIC-8

具有互锁功能的汽车类 1.8A/2.8A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

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￥3.53

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型号：LF21814NTR-JSM 编号：C7498988

封装：SOP-14

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.001 ￥7.06
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￥4.93 ￥5.8
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￥4.3435 ￥5.11
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￥3.672 ￥4.32
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￥3.383 ￥3.98
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￥3.247 ￥3.82

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型号：TF2106-3AS 编号：C6387922

封装：PDIP-8

高压600V,单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥5.032 ￥6.29
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￥3.576 ￥4.47
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￥3.448 ￥4.31

有货

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型号：TF2108A-3AS 编号：C6387923

封装：PDIP-8