igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：LTC7000EMSE-1#TRPBF 编号：C690076

封装：MSOP-12

品牌：ADI(亚德诺)

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

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1+
￥45.73
10+
￥39.73
30+
￥34.27

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型号：LMG5200MOFR 编号：C2680255

封装：QFM-9(6x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG5200 80V GaN 半桥功率级

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1+
￥73.94
10+
￥64.25
30+
￥58.35

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型号：LT1336IN#PBF 编号：C663454

封装：PDIP-16

品牌：ADI(亚德诺)

[↑]336 是一款高性价比的半桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动器。浮动驱动器可驱动在高达 60V（绝对最大值）的高压（HV）轨上工作的高端 N 沟道功率 MOSFET。在 PWM 操作中，片上开关稳压器即使在接近并以 100%占空比运行时，也能维持自举电容的电荷

数据手册

1+
￥90.93
10+
￥86.77
30+
￥79.58

有货

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型号：UC1708J883B 编号：C5218820

封装：CDIP-8

品牌：TI(德州仪器)

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1+
￥366.79
40+
￥350

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型号：LKS520 编号：C2798403

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS520 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +600V 。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。

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5+
￥0.4874
2500+
￥0.4873

有货

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型号：G2021 编号：C7421050

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

1+
￥0.7828
10+
￥0.6281
30+
￥0.5508
100+
￥0.4928
500+
￥0.4465
1000+
￥0.4233

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型号：EG2302 编号：C5346626

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

待SD半桥驱动芯片 EG2302是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2302高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽5V~25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个500K上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

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5+
￥1.1233
50+
￥0.9721
150+
￥0.9073
500+
￥0.8264

有货

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型号：G2020Q 编号：C41414473

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

5+
￥1.1605
50+
￥0.9113
150+
￥0.8045
500+
￥0.6712
2500+
￥0.6118
5000+
￥0.5762

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型号：UCC27524DR(TOKMAS) 编号：C49209007

封装：SOP-8

品牌：Tokmas(托克马斯)

特性：两个独立驱动器，每个能够提供和吸收5A电流。 CMOS和TTL兼容输入。每个通道独立使能。 4.5V至18V电源电压范围。 -40℃至+125℃扩展工作温度范围。 ±4kV ESD等级（人体模型）。应用：距离测试脉冲激光。电池管理系统

5+
￥1.1658
50+
￥0.9138
150+
￥0.8058
500+
￥0.6711
2500+
￥0.6111
5000+
￥0.575

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型号：EG1416 编号：C5346625

封装：SOT23-5

品牌：EG(屹晶微)

低册单通道驱动芯片 EG1416单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小于1uA。

数据手册

5+
￥1.2508
50+
￥0.9786
150+
￥0.862
500+
￥0.7164

有货

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型号：MCP1416T-E/OT(LX) 编号：C52261119

封装：SOT-23-5

品牌：LX(灵星芯微)

能够提供1.5A峰值电流的高速MOSFET驱动器。

5+
￥1.2753
50+
￥1.0082
150+
￥0.8937
500+
￥0.7509

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型号：U2103C 编号：C41374693

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2103C/U2106C可在高达+600V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

5+
￥1.2975
50+
￥1.0187
150+
￥0.8992
500+
￥0.7501

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型号：NSG4428 编号：C41414516

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

双通道（反/同）、拉/灌电流：2/2A，输入耐受低至-10V

5+
￥1.4442
50+
￥1.1312
150+
￥0.9971
500+
￥0.8297
2500+
￥0.7552

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型号：HTC4428AEOA713 编号：C22449576

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此栅极驱动集成电路广泛适用于4.5V至25V电压平台，峰值输出电流达2A，确保快速精准的信号放大。其承受-5V最大输入负压的特性，增强了电路的稳定性和适应性，是实现高效能电子开关和信号控制的杰出搭档。

1+
￥1.4694 ￥1.58
10+
￥1.4415 ￥1.55
30+
￥1.4136 ￥1.52
100+
￥1.395 ￥1.5

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型号：DRDC3105E6-7 编号：C460720

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

数据手册

5+
￥1.4845
50+
￥1.1727
150+
￥1.039
500+
￥0.8723

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型号：NSG3100C 编号：C53463330

封装：SOT-23-5

品牌：NCE(无锡新洁能)

5+
￥1.5057
50+
￥1.1927
150+
￥1.0585
500+
￥0.8912
3000+
￥0.8167

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型号：SL6288Q 编号：C53085155

封装：QFN-24(4x4)

品牌：Slkor(萨科微)

5+
￥1.5881
50+
￥1.2555
150+
￥1.1129
500+
￥0.935

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型号：FD2607S 编号：C5187177

封装：SOP-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD2607S是高压、高速半桥栅极驱动器能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。FD2607S内置VCC欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。FD2607S内置防直通保护和死区时间，防止功率管发生直通，有效防止半桥功率器件损坏。

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5+
￥1.6109
50+
￥1.277
150+
￥1.1339
500+
￥0.9554

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型号：SiLM27624MCA-DG 编号：C7419945

封装：SOP8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM27624 是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。SiLM27624 采用了从本质上可将直通电流降至最低的设计，能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极小，典型值为 20ns。在 12V VDD 电源供电时，SiLM27624 的源极和漏极峰值驱动电流能力均为 5.0A