NTR4502PT1G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，P沟道，30 V，1.95 A，0.2 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
- 数据手册NTR4502PT1G数据手册Datasheet PDF
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NTR4502PT1G概述
NTR4502PT1G是一个P沟道功率MOSFET，提供-30V的漏源电压和-1.95A的连续漏电流。它适用于DC到DC的转换，便携式计算机和计算设备的负载/电源开关，主板，笔记本电脑，便携式摄像机，数码相机和电池充电电路。
领先的平面技术，可实现低栅极电荷/快速切换
低RDS（ON）可降低传导损耗
表面贴装，占地面积小（3 x 3mm）
-55至150°C的工作结温范围
应用
电源管理，便携式器材，计算机和计算机周边，消费电子产品，工业
领先的平面技术，可实现低栅极电荷/快速切换
低RDS（ON）可降低传导损耗
表面贴装，占地面积小（3 x 3mm）
-55至150°C的工作结温范围
应用
电源管理，便携式器材，计算机和计算机周边，消费电子产品，工业
NTR4502PT1G中文参数
| 通道类型 | P | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 1.9 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 30 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-23 | 宽度 | 1.3mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 典型栅极电荷@Vgs | 6 nC @ 10 V |
| 引脚数目 | 3 | 长度 | 2.9mm |
| 最大漏源电阻值 | 350 mΩ | 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道模式 | 增强 | 晶体管材料 | Si |
| 最大栅阈值电压 | 3V | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 1.25 W | 高度 | 1mm |
NTR4502PT1G引脚图
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