BSS138
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述MOSFET，N沟道，Si，Vds=50 V，220 mA，3引脚SOT-23封装
- 英文描述MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23
- 数据手册BSS138数据手册Datasheet PDF
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BSS138概述
BSS138是采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产的50V N通道逻辑电平增强模式场效应晶体管。该器件的设计旨在最大程度地降低导通电阻，同时提供坚固，可靠和快速的开关性能。它特别适用于低电压，低电流应用，例如小型伺服电机控制，功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。该产品是一般用途，适用于许多不同的应用。
高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）
坚固可靠
±20V栅极电源电压（VGSS）
350°C/W热阻，与环境连接
应用
工业，电机驱动与控制，电源管理
高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）
坚固可靠
±20V栅极电源电压（VGSS）
350°C/W热阻，与环境连接
应用
工业，电机驱动与控制，电源管理
BSS138中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 220 mA | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 50 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-23 | 长度 | 2.92mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 引脚数目 | 3 | 高度 | 0.93mm |
| 最大漏源电阻值 | 3.5 Ω | 晶体管材料 | Si |
| 通道模式 | 增强 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | 宽度 | 1.3mm |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V | 典型栅极电荷@Vgs | 1.7 nC @ 10 V |
| 最大功率耗散 | 360 mW |
BSS138引脚图
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