2ED020I12-FI
- 厂商名称英飞凌
- 元件分类QGBT驱动器
- 中文描述IGBT驱动器，高压侧，2 A，14 V至18，VSOIC-18
- 英文描述Driver 2A 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 18-Pin DSO T/R
- 数据手册2ED020I12-FI数据手册Datasheet PDF
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2ED020I12-FI概述
2ED020I12-FI是采用CT技术的2通道高压高速功率MOSPET和IGBT驱动器，具有互锁的高端和低端参考输出。浮动高端驱动器可以直接供电，也可以通过自举二极管和电容器供电。除逻辑输入外，每个驱动器还配有专用的停机输入。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度地减少驱动器交叉导通。匹配传播延迟以简化在高频应用中的使用。该驱动器设计用于驱动工作于1.2kV的N沟道功率IGBT。
匹配的传播延迟
DV/DT高抗扰度
低功耗
浮动高边驱动器
欠压锁定
3.3和5V TTL兼容输入
带下拉功能的CMOS施密特触发输入
同相输入
互锁输入
带上拉的专用停机输入
应用
通信与网络，电源管理，替代能源，车用
匹配的传播延迟
DV/DT高抗扰度
低功耗
浮动高边驱动器
欠压锁定
3.3和5V TTL兼容输入
带下拉功能的CMOS施密特触发输入
同相输入
互锁输入
带上拉的专用停机输入
应用
通信与网络，电源管理，替代能源，车用
2ED020I12-FI中文参数
| 制造商: | Infineon | 下降时间: | 20 ns |
| 产品种类: | 门驱动器 | 最小工作温度: | - 40 C |
| 产品: | IGBT, MOSFET Gate Drivers | 最大工作温度: | + 150 C |
| 类型: | High Side | 系列: | 2ED-FI Enhanced |
| 安装风格: | SMD/SMT | 输出电压: | 1.7 V |
| 封装 / 箱体: | DSO-18 | 技术: | Si |
| 激励器数量: | 2 Driver | 逻辑类型: | CMOS, TTL |
| 输出端数量: | 2 Output | 传播延迟—最大值: | 130 ns |
| 输出电流: | 0.041666667 | 关闭: | Yes |
| 电源电压-最小: | 14 V | 湿度敏感性: | Yes |
| 电源电压-最大: | 18 V | 工作电源电流: | 3.9 mA |
| 配置: | Inverting, Non-Inverting | 工作电源电压: | 14 V to 18 V |
| 上升时间: | 20 ns | Pd-功率耗散: | 1.4 W |
2ED020I12-FI引脚图
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