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2ED020I12-FI

厂商名称：英飞凌

元件分类：QGBT驱动器

中文描述：

IGBT驱动器，高压侧，2 A，14 V至18，VSOIC-18

英文描述：

Driver 2A 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 18-Pin DSO T/R

数据手册：

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2ED020I12-FI概述

2ED020I12-FI是采用CT技术的2通道高压高速功率MOSPET和IGBT驱动器，具有互锁的高端和低端参考输出。浮动高端驱动器可以直接供电，也可以通过自举二极管和电容器供电。除逻辑输入外，每个驱动器还配有专用的停机输入。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度地减少驱动器交叉导通。匹配传播延迟以简化在高频应用中的使用。该驱动器设计用于驱动工作于1.2kV的N沟道功率IGBT。

匹配的传播延迟

DV/DT高抗扰度

低功耗

浮动高边驱动器

欠压锁定

3.3和5V TTL兼容输入

带下拉功能的CMOS施密特触发输入

同相输入

互锁输入

带上拉的专用停机输入

应用

通信与网络，电源管理，替代能源，车用

2ED020I12-FI中文参数

制造商:	Infineon	下降时间:	20 ns
产品种类:	门驱动器	最小工作温度:	- 40 C
产品:	IGBT, MOSFET Gate Drivers	最大工作温度:	+ 150 C
类型:	High Side	系列:	2ED-FI Enhanced
安装风格:	SMD/SMT	输出电压:	1.7 V
封装 / 箱体:	DSO-18	技术:	Si
激励器数量:	2 Driver	逻辑类型:	CMOS, TTL
输出端数量:	2 Output	传播延迟—最大值:	130 ns
输出电流:	0.041666667	关闭:	Yes
电源电压-最小:	14 V	湿度敏感性:	Yes
电源电压-最大:	18 V	工作电源电流:	3.9 mA
配置:	Inverting, Non-Inverting	工作电源电压:	14 V to 18 V
上升时间:	20 ns	Pd-功率耗散:	1.4 W