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封装：SOIC-8

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

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型号：NCD5703ADR2G 编号：C904336

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCx5703y 是用于高功率应用的大电流、高性能独立 IGBT 驱动器，这些应用包括太阳能逆变器、电机控制和不间断电源。该器件通过省去外部输出缓冲器，提供了一种经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源漏极开路故障输出

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型号：MC33151DG 编号：C145352

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

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型号：FAN7085MX-GF085 编号：C903541

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN7085_GF085 是一款带复位输入和内置充电器 FET 的高端栅极驱动 IC。它设计用于为工作电压高达300V的MOSFET或IGBT提供高压、高速驱动。

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型号：LB11685AV-TLM-H 编号：C462779

封装：SSOP-24-275mil

品牌：onsemi(安森美)

LB11685AV是一款三相全波电流线性驱动电机驱动IC。它采用无传感器控制系统，无需使用霍尔效应器件。为实现更安静的运行，LB11685AV具备电流软开关电路，非常适合驱动冰箱等设备中的冷却风扇电机。

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型号：NCV51511PDR2G 编号：C603956

封装：VFQFN-24

品牌：onsemi(安森美)

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型号：LB1936V-TLM-E 编号：C901014

封装：SSOP-16-4.4mm

品牌：onsemi(安森美)

LB1936V是一款支持低压驱动的两相双极性驱动步进电机驱动IC。LB1936V采用微型封装，所需外部元件极少，可减少安装面积。它还能高效驱动电机，降低电路电流消耗。由于设有电流检测引脚并支持PWM控制输入，可用于在系统层面实现电流斩波控制。LB1936V非常适合用于扫描仪、数码相机和打印机的步进电机驱动。

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型号：NCV5707BDR2G 编号：C5206746

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

用于高功率应用的高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，包括太阳能逆变器、电机控制和不间断电源。该器件通过消除外部输出缓冲器提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源开漏故障输出。驱动器还具有精确的 5.0V 输出。驱动器设计用于适应宽范围的偏置电源电压。NCx5707B 支持双极电压。根据引脚配置，器件还包括有源米勒钳位 (NCx5707A) 和独立的高低 (VOH 和 VOL) 驱动器输出，方便系统设计 (NCx5707C)。

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型号：NCP5304DR2G 编号：C464048

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5304 是一款高压功率门极驱动器驱动器，提供两种输出，用于半桥配置中的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 个独立输入，带交叉导通保护。

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型号：NCV5703ADR2G 编号：C603971

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是用于高功率应用的高电流、高性能独立 IGBT 驱动器。该器件通过消除外部输出缓冲器，提供了一种经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源开漏故障输出。驱动器还具有精确的 5.0V 输出。驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源，包括单极性和双极性电压。根据引脚配置，器件还包括有源米勒钳位、用于系统设计方便的单独高低 VOH 和 VOL 驱动器输出，以及用于通过外部信号控制驱动器输出的使能功能。

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型号：NCD5701BDR2G 编号：C603416

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCD5701 系列是一组高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，适用于包括电感加热、焊接、太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的中到大功率应用。该器件不再使用很多外部组件，提供了一个成本高效的方案。器件保护特性有有源米勒箝位（对于 NCD5701A）、准确的 UVLO、 DESAT 保护和有效低电平故障输出。这些驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅对于 NCD5701C），方便系统设计。此类驱动器可采用较宽的单极偏置电源电压范围（对于 NCD5701B 则为双极偏置电源）。所有版本均采用 8 引脚 SOIC 封装。

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型号：NCP303160MNTWG 编号：C3655280

封装：PQFN-39(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FAN3122CMPX 编号：C890691

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3121和FAN3122 MOSFET驱动器旨在通过提供高峰值电流脉冲，驱动低端开关应用中的N沟道增强型MOSFET。这些驱动器有TTL输入阈值（FAN312xT）或与VDD成比例的CMOS输入阈值（FAN312xC）两种类型可供选择。内部电路通过将输出保持在低电平，直至电源电压处于工作范围内，从而实现欠压锁定功能

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型号：FAN3224TUM1X-F085 编号：C903490

封装：SOIC-8-EP

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4 A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。FAN3223 提供两个反相驱动器，FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。 FAN3224TUM1X-F085 和 FAN3224TM1X-F085采用带裸露焊盘的 SO8 封装，以改善散热，适用于 EV/HEV 上板上充电器等快速开关应用。

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型号：FAN3122TMX-F085 编号：C903474

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3121 和 FAN3122 MOSFET 驱动器适用于通过提供高峰值电流脉冲，在低压侧开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。该驱动器提供 TTL 输入阈值 (FAN312xT) 或 VDD 比例 CMOS 输入阈值 (FAN312xC)。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。FAN312x 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极/ MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关断过程的 Miller 稳定期提供最高峰值电流。FAN3121 和 FAN3122 驱动器在引脚 3 (EN) 上执行启用功能，以前在行业标准引脚输出中是不需要的。引脚内部上拉至 VDD，实现有效高电平逻辑，并且可以在标准运行中保持开路。商业 FAN3121/22 采用 3x3mm 8 引线耐热增强型 MLP 封装或 8 引线 SOIC 封装。

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型号：NCV5703BDR2G 编号：C904650

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV5703 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，带非反相输入逻辑电平，适用于中等到高功率应用，诸如 PTC加热器、电动汽车充电器和其他汽车电源等。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5703A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和开漏故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5703C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5703B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。

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型号：FAN7171MX-F085 编号：C903542

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN7171_F085 是单片高端栅极驱动 IC，可以驱动工作电压最高达 +600 V 的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，且所有NMOS晶体管设计为具有高脉冲电流驱动能力和最低交叉传导。

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型号：NCP51561BADWR2G 编号：C5206738

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP51561是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。NCP51561具有较短且匹配的传播延迟

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型号：NCV51563CADWR2G 编号：C5209370

封装：SOIC-14-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV51563 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A/9 A。它们专为快速开关以驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关而设计。

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型号：NCV51561BBDWR2G 编号：C5209112

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV51561 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A 和 9 A。它们专为快速开关驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关而设计。NCV51561 具有较短且匹配的传播延迟

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型号：NCP51563CADWR2G 编号：C5209372

封装：SOIC-16-WB

品牌：onsemi(安森美)

NCP51563 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A 和 9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关。NCP51563 具有短且匹配的传播延迟

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型号：NCV7547MWTXG 编号：C904661

封装：QFN-48-EP(7x7)

品牌：onsemi(安森美)

NCV7547 可编程七沟道半桥 MOSFET 预驱动器属于 FLEXMOS 汽车级产品系列，用于驱动逻辑电平 NMOS FET。该产品可通过串行 SPI 和兼容 CMOS 的并行输入组合控制。该预驱动器提供对于 MOSFET 的高级控制和保护。该器件和应用诊断数据通过 SPI 进行通信。

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型号：NCV7710DQBR2G 编号：C5826160

封装：SSOP-36-EP

品牌：onsemi(安森美)

是一款用于汽车车身控制系统的驱动IC，设计用于控制车辆车门中的锁止电机。借助单片全桥驱动级，该IC能够控制锁止电机，并通过带有帧内响应的24位SPI接口进行控制。

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型号：NCV57252DWR2G 编号：C2902153

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCx5725y 是大电流双通道隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，输入与每个输出之间具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件可接受 3.3V

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型号：NCV7707DQCR2G 编号：C5208589

封装：SSOP-36-EP

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NUD3112DMT1G 编号：C146757

封装：SC-74

品牌：onsemi(安森美)

该器件用于开关直感负载，如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机，而无需续流二极管。该器件集成了 MOSFET 开关、ESD 保护和齐纳箝位等所有必要项。它接受逻辑电平输入，因此能够通过各种器件进行驱动，包括逻辑门极、逆变器和微控制器。

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型号：FAN1101A-F085 编号：C903465

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP81085MTTXG 编号：C3655494

封装：WDFN-9(4x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81085是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，针对驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极进行了优化。NCP81085采用片上自举二极管，无需使用外部分立二极管。高悬浮高端驱动器设计可承受高达180 V的半桥（HB）电压

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型号：NCV7240ADPR2G 编号：C556420

封装：SSOP-24-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7240 是一款汽车八沟道低压侧驱动器，提供高达每沟道 600 mA 的驱动能力。输出控制通过 SPI 端口进行，针对开路负载（或接地短路）、过载和高温条件提供方便的故障报告。另外，输出的并行控制可通过 INx 引脚寻址（成对）。专用的跋行回家模式引脚 (LHI) 启用 OUT1 至 OUT4，而禁用 OUT5 至 OUT8。每个输出驱动器均具有过载电流保护，且包括一个用于电感负载的输出箝位。NCV7240 采用 SSOP24 带保险丝引线封装。

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型号：FAN73932MX 编号：C457776

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73932 是一款半桥门极驱动器集成电路，带有关断和死区时间功能，可驱动最高在 +600V 下运行的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲电流驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于各种半桥和全桥逆变器；如电机驱动逆变器、开关模式电源、直感加热和大功率 DC-DC 转换器应用。

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