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型号：LB1936V-TLM-E 编号：C901014

封装：SSOP-16-4.4mm

LB1936V是一款支持低压驱动的两相双极性驱动步进电机驱动IC。LB1936V采用微型封装，所需外部元件极少，可减少安装面积。它还能高效驱动电机，降低电路电流消耗。由于设有电流检测引脚并支持PWM控制输入，可用于在系统层面实现电流斩波控制。LB1936V非常适合用于扫描仪、数码相机和打印机的步进电机驱动。

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型号：NCV5703BDR2G 编号：C904650

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV5703 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，带非反相输入逻辑电平，适用于中等到高功率应用，诸如 PTC加热器、电动汽车充电器和其他汽车电源等。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5703A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和开漏故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5703C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5703B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。

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型号：FAN7171MX-F085 编号：C903542

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN7171_F085 是单片高端栅极驱动 IC，可以驱动工作电压最高达 +600 V 的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，且所有NMOS晶体管设计为具有高脉冲电流驱动能力和最低交叉传导。

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型号：NCV51563CADWR2G 编号：C5209370

封装：SOIC-14-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV51563 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A/9 A。它们专为快速开关以驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关而设计。

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型号：MC33035DWR2G 编号：C424244

封装：SOIC-24-300mil

品牌：onsemi(安森美)

MC33035 是一款高性能的第二代单片无刷直流电机控制器，包含了实施全功能开环、三相或四相电机控制系统所需的所有有效功能。该器件包括用于正确换向顺序的转子位置解码器、能够为传感器供电的温度补偿参考、频率可编程的锯齿波振荡器、三个开路收集器顶部驱动器，以及三个高电流图腾柱底部驱动器，适用于驱动功率 MOSFET。还包含了保护功能，有欠压锁定、按周期电流限制且带有可选择时间延迟的关断模式、内部高温关断以及可以接口到微处理器控制系统中的独特故障输出。典型的电机控制功能包括开环速度、前向或反向、运行启用和动态制动。MC33035 用于运行电子传感器相位为 60°/300° 或 120°/240° 的无刷电机，还可高效控制电刷直流电机。

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型号：NCD57252DWR2G 编号：C2902111

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

是高电流双通道隔离 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，从输入到每个输出具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件在输入侧接受 3.3 V 至 20 V 的偏置电压和信号电平，在输出侧接受高达 32 V 的偏置电压。该器件接受互补输入，并为禁用和死区时间控制提供单独的引脚，方便系统设计。驱动器有宽体 SOIC-16 和窄体 SOIC-16 封装。

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型号：NCV51561BBDWR2G 编号：C5209112

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV51561 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A 和 9 A。它们专为快速开关驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关而设计。NCV51561 具有较短且匹配的传播延迟

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型号：NCP51563CADWR2G 编号：C5209372

封装：SOIC-16-WB

品牌：onsemi(安森美)

NCP51563 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A 和 9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关。NCP51563 具有短且匹配的传播延迟

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型号：NCV7547MWTXG 编号：C904661

封装：QFN-48-EP(7x7)

品牌：onsemi(安森美)

NCV7547 可编程七沟道半桥 MOSFET 预驱动器属于 FLEXMOS 汽车级产品系列，用于驱动逻辑电平 NMOS FET。该产品可通过串行 SPI 和兼容 CMOS 的并行输入组合控制。该预驱动器提供对于 MOSFET 的高级控制和保护。该器件和应用诊断数据通过 SPI 进行通信。

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型号：MC33035DWG 编号：C10665

封装：SOIC-24-300mil

品牌：onsemi(安森美)

MC33035 是一款高性能的第二代单片无刷直流电机控制器，包含了实施全功能开环、三相或四相电机控制系统所需的所有有效功能。该器件包括用于正确换向顺序的转子位置解码器、能够为传感器供电的温度补偿参考、频率可编程的锯齿波振荡器、三个开路收集器顶部驱动器，以及三个高电流图腾柱底部驱动器，适用于驱动功率 MOSFET。还包含了保护功能，有欠压锁定、按周期电流限制且带有可选择时间延迟的关断模式、内部高温关断以及可以接口到微处理器控制系统中的独特故障输出。典型的电机控制功能包括开环速度、前向或反向、运行启用和动态制动。MC33035 用于运行电子传感器相位为 60°/300° 或 120°/240° 的无刷电机，还可高效控制电刷直流电机。

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型号：NCV7710DQBR2G 编号：C5826160

封装：SSOP-36-EP

品牌：onsemi(安森美)

是一款用于汽车车身控制系统的驱动IC，设计用于控制车辆车门中的锁止电机。借助单片全桥驱动级，该IC能够控制锁止电机，并通过带有帧内响应的24位SPI接口进行控制。

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型号：NCV57252DWR2G 编号：C2902153

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCx5725y 是大电流双通道隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，输入与每个输出之间具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件可接受 3.3V

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型号：NCV7707DQCR2G 编号：C5208589

封装：SSOP-36-EP

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NUD3160DMT1G 编号：C233758

封装：SC-74

品牌：onsemi(安森美)

此微型集成器件提供了单组件方案，可用于开关直感负载，如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机，而无需续流二极管。它接受逻辑电平输入，因此能够通过各种器件进行驱动，包括逻辑门极、逆变器和微控制器。

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型号：FAN1101A-F085 编号：C903465

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCV8406DD1CR2G 编号：C42009536

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP81085MTTXG 编号：C3655494

封装：WDFN-9(4x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81085是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，针对驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极进行了优化。NCP81085采用片上自举二极管，无需使用外部分立二极管。高悬浮高端驱动器设计可承受高达180 V的半桥（HB）电压

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型号：FAN73932MX 编号：C457776

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73932 是一款半桥门极驱动器集成电路，带有关断和死区时间功能，可驱动最高在 +600V 下运行的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲电流驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于各种半桥和全桥逆变器；如电机驱动逆变器、开关模式电源、直感加热和大功率 DC-DC 转换器应用。

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型号：FAD8253MX 编号：C3655137

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

FAD8253是一款单片半桥栅极驱动IC，专为驱动最高+1200 V的高压、高速、高功率IGBT而设计。FAD8253采用安森美（ON）的高压工艺和共模噪声消除技术，可在高dv/dt噪声环境下确保高端驱动器稳定运行。该栅极驱动器包含针对高端和低端输出的IGBT阈值定制的欠压锁定（UVLO）电路，以防止当VDD和VBS低于指定阈值电压时出现故障

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型号：LV8729V-TLM-H 编号：C77586

封装：SSOP-44-275mil

品牌：onsemi(安森美)

128细分 1.8A 步进电机驱动器

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型号：NCV7748D2R2G 编号：C604004

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

NCV7748 是一款汽车八沟道低压侧驱动器，提供每沟道高达 0.75 A 的驱动能力。通过具有优化 LIN 命令集的 LIN 总线进行输出控制，从而在保持符合 SAE J2602 LIN 规范的同时具有很高的灵活性。

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型号：AMIS30624C6245RG 编号：C463209

封装：NQFP-32(7x7)

品牌：onsemi(安森美)

AMIS−30624/NCV70624 是一款单芯片微步进电机驱动器，具有位置控制器和控制/诊断接口。它可用于构建智能外围系统，最多可将 32 个驱动器连接到一台 I2C 主机，从而显著降低系统复杂性。该芯片通过总线接收定位指令，然后驱动定子线圈，使两相步进电机移动到所需位置。片上位置控制器可配置（OTP 或 RAM），用于不同的电机类型、定位范围以及速度、加速度和减速度参数。微步进可实现静音电机运行和更高的定位分辨率。高级运动资格模式可根据选定的运动参数验证完整的机械系统。AMIS−30624/NCV70624 可以轻松连接到 I2C 总线，I2C 主机可以从每个单独的从节点获取特定状态信息，如实际位置、错误标志等。集成的无传感器失步检测可防止定位器失步，并在遇到堵塞时停止电机。这可以在参考运行时实现静音但准确的位置校准，并在接近机械端点时允许半闭环操作。该芯片采用 I2T100 技术实现，可在同一芯片上实现高压模拟电路和数字功能。NCV70624 完全符合汽车电压要求。

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￥87.4
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型号：NUD3112DMT1G 编号：C146757

封装：SC-74

品牌：onsemi(安森美)

该器件用于开关直感负载，如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机，而无需续流二极管。该器件集成了 MOSFET 开关、ESD 保护和齐纳箝位等所有必要项。它接受逻辑电平输入，因此能够通过各种器件进行驱动，包括逻辑门极、逆变器和微控制器。

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型号：NCV33035DWR2G 编号：C494729

封装：SOIC-24-300mil

品牌：onsemi(安森美)

MC33035是一款高性能的第二代单片无刷直流电机控制器，包含实现全功能开环三相或四相电机控制系统所需的所有有源功能。该器件包括一个用于正确换相排序的转子位置解码器、一个能够为传感器供电的温度补偿基准源、一个频率可编程的锯齿波振荡器、三个集电极开路高端驱动器和三个大电流图腾柱低端驱动器，非常适合驱动功率MOSFET。还具备保护功能，包括欠压锁定、带有可选延时锁存关断模式的逐周期电流限制、内部热关断以及一个可与微处理器控制系统接口的独特故障输出。典型的电机控制功能包括开环速度控制、正反转、运行使能和动态制动。MC33035设计用于60°/300°或120°/240°电气传感器相位，还能高效控制有刷直流电机。MC33035是一系列高性能单片无刷直流电机控制器之一。它包含实现全功能、开环、三相或四相电机控制系统所需的所有功能。此外，该控制器也可用于控制有刷直流电机。采用双极模拟技术制造，在恶劣的工业环境中具有高度的性能和耐用性。MC33035包含一个用于正确换相排序的转子位置解码器、一个能够为传感器供电的温度补偿基准源、一个频率可编程的锯齿波振荡器、一个完全可访问的误差放大器、一个脉宽调制比较器、三个集电极开路高端驱动输出和三个大电流图腾柱低端驱动输出，非常适合驱动功率MOSFET。MC33035具备的保护功能包括欠压锁定、带有可选延时锁存关断模式的逐周期电流限制、内部热关断以及一个可轻松与微处理器控制器接口的独特故障输出。典型的电机控制功能包括开环速度控制、正反转、运行使能和动态制动。此外，MC33035有一个60°/120°选择引脚，可将转子位置解码器配置为接受60°或120°传感器电气相位输入。

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￥55.12
10+
￥53.9
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￥53.09

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型号：LV8961HUWR2G 编号：C3681322

封装：LQFP-48-EP(7x7)

品牌：onsemi(安森美)

LV8961是一款高性能的无传感器正弦波三相无刷直流（BLDC）电机控制器，带有预驱动器，适用于汽车应用。集成的两级电荷泵可为各种超低导通电阻（Rdson）的N沟道场效应晶体管（NFET）提供栅极电流。该器件具备丰富的系统保护和诊断功能，如过流、过压、短路、欠压、过热等

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￥112.85
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￥108.75

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型号：NCV5700DR2G 编号：C603966

封装：SO-16

品牌：onsemi(安森美)

NCV5700 是一款高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，适用于包括太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的大功率应用。该器件不再使用很多外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位、准确的 UVLO、EN 输入、DESAT 保护和有效低电平故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出，方便系统设计。该驱动器可采用较宽的偏置电源电压范围，包括单极和双极电压。它采用 16 引脚 SOIC 封装。经过 AEC-Q100 认证。

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￥5.41224 / 个

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型号：FAN3278TMX 编号：C903510

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3278是一款双通道1.5A栅极驱动器，针对在电压轨道最高值为27V的电机控制应用中驱动一个高端P沟道MOSFET和一个低端N沟道MOSFET进行了优化。内部电路将加在外部MOSFET栅极上的电压限制在最大值13V。驱动器具有TTL输入限制，提供逻辑输入的缓冲和电平转换。内部电路防止输出开关器件在V

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￥8.05
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￥6.61
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￥5.82

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型号：MC33153DR2G 编号：C457626

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33153 专门设计为用于大功率应用的 IGBT 驱动器，包括电感电机控制、无电刷直流电机控制和不中断电源。尽管设计为驱动分立和模块 IGBT，但此器件提供了用于驱动功率 MOSFET 和双极晶体管的成本高效的方案。器件保护功能包括去饱和或过电流感应和欠电压检测。此类器件采用双列直插和表面贴装封装，包括以下功能：

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￥8.419742 / 个

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型号：STK682-010-E 编号：C71342

封装：SIP-19

品牌：onsemi(安森美)

双极超微型步进电机驱动器

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￥73.028736
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￥68.971584
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￥59.504896
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￥54.771552

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型号：NCP1392DDR2G 编号：C904448

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1392B 是一款自振荡高电压 MOSFET 驱动器，主要用于使用半桥拓扑结构的应用。由于其专属高电压技术，该驱动器接受最高 600 V 的大电压。使用一个电阻器，可将该驱动器的运行频率从 25 kHz 调节至 480 kHz。可调节欠电压保护可确保正确的大电压运行范围。内部 100 ms PFC 延迟计时器可保证主要的下游转换器在大电压完全稳定时打开。该器件提供固定死区时间，有助于降低击穿电流。

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