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FAN1100_F085 用于直接驱动点火 IGBT,控制线圈的电流和火花事件。线圈电流通过输入引脚进行控制。输入驱动高电平时,FAN1100_F085 的输出将启用,以打开 IGBT 和启动线圈充电。FAN1100_F085 基于 RA 线路上的编程电流将电流 (IIN) 汲取到输入引脚中。输入尖峰滤波器抑制持续时间小于 13 ?sec 的输入信号。FAN1100_F085 中包括了最大驻留计时器,如果输入保持活动的时间长于编程设置的时间,则关闭 IGBT。此时间间隔可通过 CSSD 上的外部电容器进行修改。超过最长驻留计时器时,FAN1100_F085 将进入软关断模式 (SSD),通过降低 IGBT 的门极驱动器速度,慢慢降低集极电流,从而对线圈放电,禁止火花等事件。一旦启动软关断操作,输入信号上的任何转换都被忽略,直到软关断功能完成。FAN1100_F085 还将在充电期间将 IGBT 的集极电流限制到 Ic(lim)。这也是通过可产生进入 FAN1100_F085 的 Vsense 引脚的信号输入的点火 IGBT 发射器支脚中的感应电阻完成的。
数据手册
  • 2500+

    ¥4.275498
  • 5000+

    ¥4.23698
  • 7500+

    ¥4.159944
  • 1+

    ¥4.93
  • 10+

    ¥4.82
  • 30+

    ¥4.76
  • 100+

    ¥4.69
  • 订货
  • NCP81071 是一款高速双低压侧 MOSFET 驱动器。它能够向电容负载提供大峰值电流,在米勒平坦区高达 5A 峰值电流,有助于帮助降低 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。该器件提供启用功能,在各种应用中都能为用户提供比现有方案更好的控制。 此零部件采用 MSOP8?EP 封装、SOIC8 封装、DFN8 2 mm x 2 mm 封装和 WDFN8 3 mm x 3 mm 封装。
    数据手册
    • 6000+

      ¥2.532465
    • 12000+

      ¥2.50965
    • 18000+

      ¥2.46402
    FAN3213 和 FAN3214 双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。它们均提供 TTL 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,直到电源电压处于运行范围内,从而提供欠压锁定功能。另外,这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟,适用于需要严格计时双门极驱动器的应用,如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接,使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。FAN3213/14 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流,可最大程度降低开关损耗,同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。FAN3213 提供两个反相驱动器,FAN3214 提供两个非反相驱动器。两者均采用标准 8 引脚 SOIC 封装。
    数据手册
    • 2500+

      ¥4.392825
    • 5000+

      ¥4.35325
    • 7500+

      ¥4.2741
    • 1+

      ¥5.88
    • 10+

      ¥4.82
    • 30+

      ¥4.3
    • 98+

      ¥3.78
    • 490+

      ¥3.47
    • 980+

      ¥3.31
  • 订货
  • NCP81071 是一款高速双低压侧 MOSFET 驱动器。它能够向电容负载提供大峰值电流,在米勒平坦区高达 5A 峰值电流,有助于帮助降低 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。该器件提供启用功能,在各种应用中都能为用户提供比现有方案更好的控制。 此零部件采用 MSOP8?EP 封装、SOIC8 封装、DFN8 2 mm x 2 mm 封装和 WDFN8 3 mm x 3 mm 封装。
    数据手册
    • 6000+

      ¥3.641244
    • 12000+

      ¥3.60844
    • 18000+

      ¥3.542832
    NCP81074 是一款单沟道、低压侧 MOSFET 驱动器,能够源/汲最高 10A 的电流。此驱动器可在米勒平坦区提供 7A 峰值电流,克服了开关器件使用 MOSFET 的米勒效应。分割输出配置实现了调节导通和关断摆率的能力。该系列零件采用 SOIC8 和 2mm x 2mm DFN 封装。
    数据手册
    • 6000+

      ¥4.418022
    • 12000+

      ¥4.37822
    • 18000+

      ¥4.298616
    NCP5111 是一款高电压功率门极驱动器驱动器,提供两种输出,用于半桥配置中的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。
    数据手册
    • 2000+

      ¥3.14592
    • 4000+

      ¥3.09168
    • 6000+

      ¥2.9832
    集成式驱动器和 MOSFET,55 A
    数据手册
    • 1+

      ¥7.345
    • 50+

      ¥6.78
    • 100+

      ¥6.4975
    • 500+

      ¥6.328
    • 1000+

      ¥6.215
    FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器通过在较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,在低压侧开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,直到电源电压处于运行范围内,从而提供欠压锁定功能。另外,这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟,适用于需要严格计时双门极驱动器的应用,如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接,使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流,可最大程度降低开关损耗,同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反相驱动器,FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚,如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中,每个沟道都具有极性相反的两个输入,可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入都保持未联接,内部电阻则会偏置输入,以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。
    数据手册
    • 3000+

      ¥3.984123
    • 6000+

      ¥3.94823
    • 9000+

      ¥3.876444
    • 2500+

      ¥4.376175
    • 5000+

      ¥4.33675
    • 7500+

      ¥4.2579
    NCP51530 是一款 700 V 高压侧和低压侧驱动器,其高驱动能力适用于 AC-DC 电源和逆变器。NCP51530 在高运行频率下提供最佳传播延迟、低静止电流和低开关电流。因此,此器件可实现在高频率下运行的高能效电源设计。NCP51530 采用 SOIC8 和 DFN10 封装。
    数据手册
    • 4000+

      ¥4.638801
    • 8000+

      ¥4.59701
    • 12000+

      ¥4.513428
    • 2500+

      ¥4.726269
    • 5000+

      ¥4.68369
    • 7500+

      ¥4.598532
    FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,直到电源电压处于运行范围内,从而提供欠压锁定功能。另外,这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟,适用于需要严格计时双门极驱动器的应用,如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接,使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流,可最大程度降低开关损耗,同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3226 提供两个反相驱动器,FAN3227 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚,如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中,每个沟道都具有极性相反的两个输入,可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接,内部电阻则会偏置输入,以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。
    数据手册
    • 2500+

      ¥4.323672
    • 5000+

      ¥4.28472
    • 7500+

      ¥4.206816
    集成式驱动器和 MOSFET,45 A
    数据手册
    • 10+

      ¥4.9275
    • 100+

      ¥4.745
    • 200+

      ¥4.38
    • 1000+

      ¥4.1975
    • 2000+

      ¥4.015
    FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,直到电源电压处于运行范围内,从而提供欠电压锁闭功能。另外,这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟,适用于需要严格计时双门极驱动器的应用,如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接,使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流,可最大程度降低开关损耗,同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反向驱动器,FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚,如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中,每个沟道都具有极性相反的两个输入,可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接,内部电阻则会偏置输入,以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。
    数据手册
    • 5+

      ¥5.03063
    • 10+

      ¥4.943895
    • 15+

      ¥4.770425
    FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,直到电源电压处于运行范围内,从而提供欠压锁定功能。另外,这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟,适用于需要严格计时双门极驱动器的应用,如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接,使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流,可最大程度降低开关损耗,同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3223 提供两个反相驱动器,FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚,如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中,每个沟道都具有极性相反的两个输入,可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接,内部电阻则会偏置输入,以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.8
    • 10+

      ¥9.22
    • 30+

      ¥8.23
    • 100+

      ¥7.21
    • 500+

      ¥6.75
    • 1000+

      ¥6.55
  • 订货
  • FAN7081_GF085 是一款高压侧门极驱动集成电路,适用于 MOSFET 或 IGBT 的高电压和高速驱动,最高运行电压为 600V。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路能够在 VBS = 15V 下实现最高 VS = -5V(典型值)的高压侧门极驱动器运行。逻辑输入可兼容标准的 CMOS 输出。当 VCC 和 VBS 低于指定的阈值电压时,UVLO 电路将防止故障运行。它采用节省空间的 SOIC-8 封装。输出驱动器的最小源汲电流能力分别为 250mA 和 500mA,适用于磁性和压电式喷油器和基于 MOSFET/IGBT 的通用高侧驱动器应用。
    数据手册
    • 2500+

      ¥5.76785
    • 5000+

      ¥5.715415
    • 7500+

      ¥5.66298
    MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器,针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑,输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响,还有两路高电流图腾柱输出,极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定,以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。
    数据手册
    • 2000+

      ¥4.476852
    • 4000+

      ¥4.43652
    • 6000+

      ¥4.355856
    FAN7391 是单片高侧和低侧栅极驱动 IC,可驱动工作在高达 +600 V 电压的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级,所有 NMOS 晶体管设计用于实现高脉冲电流驱动能力和最低交叉传导。Fairchild 的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高 dv/dt 噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路,能使高侧栅极驱动器的工作电压在 V
    数据手册
    • 100+

      ¥6.9
    • 500+

      ¥6.38
    • 2500+

      ¥5.885
    • 1+

      ¥14.06
    • 10+

      ¥11.93
    • 30+

      ¥10.61
    • 100+

      ¥9.24
    • 500+

      ¥8.63
    • 1000+

      ¥8.36
  • 订货
  • FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,直到电源电压处于运行范围内,从而提供欠压锁定功能。另外,这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟,适用于需要严格计时双门极驱动器的应用,如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接,使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流,可最大程度降低开关损耗,同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反向驱动器,FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚,如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中,每个沟道都具有极性相反的两个输入,可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接,内部电阻则会偏置输入,以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。
    数据手册
    • 10+

      ¥29.953123
    • 100+

      ¥25.84191
    • 1000+

      ¥23.786303
    • 2500+

      ¥6.80867
    • 5000+

      ¥6.746773
    • 7500+

      ¥6.684876
    可选接地或火线过零检测:符合UL1472 2015第二版关于增加接地泄漏电流以减少闪烁的要求(北美) 用户可编程前沿或后沿调光控制 ■ 动态过流和温度保护 ■ 由交流线路供电 ■ 对称交流电流控制 ■ IGBT或MOSFET栅极驱动器 ■ 栅极脉冲宽度可在0至100% tON范围内编程 ■ 8位ADC输入,可通过可调电阻或0至10 V直流电压进行调光控制 ■ 226种调光脉冲宽度,分辨率为25 μs,内置斜坡上升/下降控制,实现平滑调光 自动最大栅极脉冲宽度控制(自动最大) ■ 最少的外部元件 ■ 600 μA静态电流 ■ 精度为2%的温度补偿内部定时器 ■ 低功耗电子关断状态模式 ■ 节省空间的SOIC 10引脚封装 ■ 50 Hz和60 Hz可选
    数据手册
    • 5000+

      ¥3.063378
    • 10000+

      ¥3.03578
    • 15000+

      ¥2.980584
    • 1+

      ¥15.95
    • 10+

      ¥13.54
    • 30+

      ¥12.03
    • 100+

      ¥10.49
    • 500+

      ¥9.79
    • 1000+

      ¥9.49
  • 订货
  • NCP81075 是一款高性能双 mosfet(高压侧和低压侧)门极驱动集成电路,适用于驱动在高达 180 V 的电压下运行的高速、高电压 MOSFET。NCP81075 集成了一个驱动器集成电路和一个自举二极管,驱动能力高达 4A。 高压侧和低压侧驱动器独立控制,带有匹配的 3.5ns 典型传播延迟。 此驱动器适用于高电压降压应用、隔离电源、 2 开关和有源箝位正向转换器。该器件还可用于太阳能优化器和太阳能逆变器应用。 该零件采用 SO8,8 引脚 DFN 和 10 引脚 DFN 封装,在 -40C 至 140C 范围内进行完全规格确定。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.18
    • 50+

      ¥10.32
    • 100+

      ¥9.89
    • 500+

      ¥9.632
    • 1000+

      ¥9.46
    NCP81253 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器,采用小型 2 mm x 2 mm 封装,经优化适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧功率 MOSFET 的门极。可通过三态 PWM 和 EN 输入将驱动器输出置于高阻抗状态。NCP81253 带有集成的升压二极管,以最大程度减少外部部件的数量。电源电压较低时,VCC UVLO 功能可保证低输出。
    数据手册
    • 10+

      ¥2.2035
    • 100+

      ¥1.99332
    • 500+

      ¥1.823223
    • 1000+

      ¥1.786758
    • 2000+

      ¥1.719755
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