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首页 > 热门关键词 > ON驱动芯片
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半桥栅极驱动器，1200 V，源电流2.5 A/灌电流3.4 A
型号：FAD8253MX 编号：C3655137
封装：SOIC-14
品牌：onsemi(安森美)
FAD8253是一款单片半桥栅极驱动IC，专为驱动最高+1200 V的高压、高速、高功率IGBT而设计。FAD8253采用安森美（ON）的高压工艺和共模噪声消除技术，可在高dv/dt噪声环境下确保高端驱动器稳定运行。该栅极驱动器包含针对高端和低端输出的IGBT阈值定制的欠压锁定（UVLO）电路，以防止当VDD和VBS低于指定阈值电压时出现故障

  • 1+

    ￥22.11

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    ￥19.04

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    ￥17.22
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    CS8190EDWFR20G
    型号：CS8190EDWFR20G 编号：C899110
    封装：SO-20-300mil
    品牌：onsemi(安森美)
    CS8190 特别适用于空气芯仪表移动。该集成电路提供了模拟转速表或速度计所需的所有功能。CS8190 采用速度传感器输入，并生成正弦和余弦相关输出信号，以差分驱动空气芯仪表。基于 CS289 或 LM1819 等行业标准转速表驱动器增加了很多增强功能。该输出使用差分驱动器，无需齐纳参比，提供更高转矩。该器件可耐受 60V 瞬变电压，减少了所需保护电路要求。该器件还比现有器件更精密，可实现更少的辅助器件，适用于速度计。
    数据手册

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      ￥35.82

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    NCV7748D2R2G
    型号：NCV7748D2R2G 编号：C604004
    封装：SOIC-14
    品牌：onsemi(安森美)
    NCV7748 是一款汽车八沟道低压侧驱动器，提供每沟道高达 0.75 A 的驱动能力。通过具有优化 LIN 命令集的 LIN 总线进行输出控制，从而在保持符合 SAE J2602 LIN 规范的同时具有很高的灵活性。
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      ￥39.79

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    I2C微步进电机驱动器
    型号：AMIS30624C6245RG 编号：C463209
    封装：NQFP-32(7x7)
    品牌：onsemi(安森美)
    AMIS−30624/NCV70624 是一款单芯片微步进电机驱动器，具有位置控制器和控制/诊断接口。它可用于构建智能外围系统，最多可将 32 个驱动器连接到一台 I2C 主机，从而显著降低系统复杂性。该芯片通过总线接收定位指令，然后驱动定子线圈，使两相步进电机移动到所需位置。片上位置控制器可配置（OTP 或 RAM），用于不同的电机类型、定位范围以及速度、加速度和减速度参数。微步进可实现静音电机运行和更高的定位分辨率。高级运动资格模式可根据选定的运动参数验证完整的机械系统。AMIS−30624/NCV70624 可以轻松连接到 I2C 总线，I2C 主机可以从每个单独的从节点获取特定状态信息，如实际位置、错误标志等。集成的无传感器失步检测可防止定位器失步，并在遇到堵塞时停止电机。这可以在参考运行时实现静音但准确的位置校准，并在接近机械端点时允许半闭环操作。该芯片采用 I2T100 技术实现，可在同一芯片上实现高压模拟电路和数字功能。NCV70624 完全符合汽车电压要求。

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    400mA 无刷直流BLDC电机驱动芯片 28V
    型号：LV8961HUWR2G 编号：C3681322
    封装：LQFP-48-EP(7x7)
    品牌：onsemi(安森美)
    LV8961是一款高性能的无传感器正弦波三相无刷直流（BLDC）电机控制器，带有预驱动器，适用于汽车应用。集成的两级电荷泵可为各种超低导通电阻（Rdson）的N沟道场效应晶体管（NFET）提供栅极电流。该器件具备丰富的系统保护和诊断功能，如过流、过压、短路、欠压、过热等
    数据手册

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      ￥112.85

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      ￥108.75
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    内置振荡器的高压半桥驱动器
    型号：NCP1392DDR2G 编号：C904448
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP1392B 是一款自振荡高电压 MOSFET 驱动器，主要用于使用半桥拓扑结构的应用。由于其专属高电压技术，该驱动器接受最高 600 V 的大电压。使用一个电阻器，可将该驱动器的运行频率从 25 kHz 调节至 480 kHz。可调节欠电压保护可确保正确的大电压运行范围。内部 100 ms PFC 延迟计时器可保证主要的下游转换器在大电压完全稳定时打开。该器件提供固定死区时间，有助于降低击穿电流。
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    • 5000+

      ￥3.12021

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      ￥3.0921

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      ￥3.03588
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    高压，高端和低端驱动器
    型号：NCP5109ADR2G 编号：C190726
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V
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    • 5000+

      ￥3.096567

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      ￥3.012876
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    高速双MOSFET驱动器
    型号：MC34152DR2G 编号：C903960
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。
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    FAN73833MX
    型号：FAN73833MX 编号：C457721
    封装：SOP-8
    品牌：onsemi(安森美)
    FAN73833 是半桥栅极驱动 IC，用于驱动 MOSFET 和 IGBT，工作电压高达 +600 V。Fairchild 的高压工艺和共模噪声消除技术可以保证高端驱动器在高 dv/dt 噪声环境下稳定工作。先进的电平转换电路允许高侧驱动器的工作偏置电压达 V
    数据手册

    • 3000+

      ￥5.058825

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    高速低侧单通道9A栅极驱动器
    型号：FAN3122CMX 编号：C603195
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    FAN3121 和 FAN3122 MOSFET 驱动器适用于通过提供高峰值电流脉冲，在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。驱动器提供 TTL (FAN312xT) 或 CMOS (FAN312xC) 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。FAN312x 驱动器在最终输出级结合了 MillerDrive 结构。此双极/MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供最高峰值电流。FAN3121 和 FAN3122 驱动器在引脚 3 (EN) 上执行启用功能，以前在行业标准引脚输出中是不需要的。引脚内部上拉至 VDD，实现有效高电平逻辑，并且可以在标准运行中保持开路。 FAN3121/22 采用 3x3mm 8 引线耐热增强型 MLP 封装或 8 引线 SOIC 封装。
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    • 2500+

      ￥6.9388

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      ￥6.87572

    • 7500+

      ￥6.81264
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    三相半桥栅极驱动集成电路
    型号：FAN73892MX 编号：C604979
    封装：SOIC-28-300mil
    品牌：onsemi(安森美)
    FAN73892是一款单片式三相半桥栅极驱动IC，专为高压、高速驱动最高工作电压达 +600 V的MOSFET和IGBT而设计。仙童（Fairchild）的高压工艺和共模噪声消除技术可确保高端驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。
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    • 1000+

      ￥10.27719

    • 2000+

      ￥10.183761

    • 3000+

      ￥10.090332
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    高压，高端和低端驱动器
    型号：NCP5106ADR2G 编号：C78282
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP5106 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V
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    • 2500+

      ￥3.696966

    • 5000+

      ￥3.66366

    • 7500+

      ￥3.597048
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    高电流、高端与低端栅极驱动IC
    型号：FAN7390MX 编号：C606093
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    FAN7390 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲电流驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于 PDP 保持脉冲驱动器、电机驱动器、开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用。
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    • 10+

      ￥5.6943

    • 100+

      ￥5.4834

    • 200+

      ￥5.0616

    • 1000+

      ￥4.8507

    • 2000+

      ￥4.6398
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    十通道半桥驱动器
    型号：NCV7720DQAR2G 编号：C904664
    封装：SSOP-24-EP-150mil
    品牌：onsemi(安森美)
    NCV7720 Deca是一款十通道半桥驱动器，具备保护功能，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接
    数据手册

    • 单价：

      ￥14.47686 / 个
    我要订货
    半桥栅极驱动器
    型号：NCD57200DR2G 编号：C904341
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    NCD57200是一款高压栅极驱动器，具备一个非隔离型低端栅极驱动器和一个电流隔离型高端或低端栅极驱动器。它能够以半桥配置直接驱动两个IGBT。隔离型高端驱动器可采用隔离电源供电，也可借助自举技术由低端电源供电
    数据手册

    • 2500+

      ￥4.813848

    • 5000+

      ￥4.77048

    • 7500+

      ￥4.683744
    我要订货
    双路十六进制驱动器
    型号：NCV7708FDWR2G 编号：C603999
    封装：SOIC-28-300mil
    品牌：onsemi(安森美)
    NCV7708F 是一款全保护型六路半桥驱动器，特别适用于汽车和工业运动控制应用。六个高压侧和低压侧驱动器可自由配置，也可单独控制。因此可实现高压侧、低压侧和 H 桥控制。H 桥控制提供正向、逆向、制动和高阻抗状态。驱动器通过标准 SPI 接口进行控制。
    数据手册

    • 单价：

      ￥16.2 / 个
    我要订货
    单6A高速低边SiC MOSFET驱动器
    型号：NCP51705MNTXG 编号：C603753
    封装：QFN-24-EP(4x4)
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP51705 驱动器主要用于驱动 SiC MOSFET 晶体管。为了实现最低的导通损耗，该驱动器能够为 SiC MOSFET 器件提供最大门极电压。通过在开启和关断期间提供高峰值电流，开关损耗也得以最大程度减少。为了提高可靠性，dV/dt 抗扰性甚至更快的关断时间，NCP51705 可以使用板上电荷泵来产生用户可选择的负电压轨。对于隔离应用，NCP51705 还提供了外部可访问的 5 V 轨，为数字或高速光隔离器辅助侧供电。
    数据手册

    • 单价：

      ￥14.590152 / 个
    我要订货
    单通道2 A高速、低端栅极驱动器
    型号：NCP51100ASNT1G 编号：C3654893
    封装：SOT-23-5
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP51100 2 A 栅极驱动器旨在通过在短开关间隔期间提供高峰值电流脉冲，驱动低端开关应用中的 N 沟道增强型 MOSFET。该驱动器具备 TTL 输入阈值。内部电路提供欠压锁定功能，在电源电压处于工作范围之前，将输出保持为低电平
    数据手册

    • 6000+

      ￥2.188143

    • 12000+

      ￥2.16843

    • 18000+

      ￥2.129004
    我要订货
    带使能端的双路 5 A 高速低端 MOSFET 驱动器
    型号：NCP81071CDR2G 编号：C603799
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP81071 是一款高速双低压侧 MOSFET 驱动器。它能够向电容负载提供大峰值电流，在米勒平坦区高达 5A 峰值电流，有助于帮助降低 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。该器件提供启用功能，在各种应用中都能为用户提供比现有方案更好的控制。 此零部件采用 MSOP8?EP 封装、SOIC8 封装、DFN8 2 mm x 2 mm 封装和 WDFN8 3 mm x 3 mm 封装。
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    • 7500+

      ￥2.053278

    • 15000+

      ￥2.03478

    • 22500+

      ￥1.997784
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    八路半桥驱动器
    型号：NCV7719DQAR2G 编号：C606303
    封装：HTSSOP-24
    品牌：onsemi(安森美)
    NCV7719 八通道半桥驱动器是一款具有保护功能的八通道半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品具备独立控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过 16 位 SPI 接口进行控制，并且支持菊花链连接
    数据手册

    • 单价：

      ￥15.550704 / 个
    我要订货
    NCP81151BMNTBG
    型号：NCP81151BMNTBG 编号：C603809
    封装：DFN-8-EP(2x2)
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 12000+

      ￥0.988132

    • 24000+

      ￥0.96301

    • 36000+

      ￥0.929514

    • 72000+

      ￥0.904392
    我要订货
    VR12兼容同步降压MOSFET驱动器
    型号：NCP5901MNTBG 编号：C154811
    封装：DFN-8(2x2)
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP5901 是一款高性能双 MOSFET 驱动器，经过优化，可驱动同步降压转换器的高压侧和低压侧电源 MOSFET 门极。它能够驱动高达 3.0 nF 的负载，传播延迟为 25 ns，转换时间为 30 ns。自适应防交叉导通和节电运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高能效方案。在 OVP 下检测到门极驱动器故障、发生 UVLO 时，双向 EN 引脚能够向控制器提供故障信号。另外，当电源电压低时，欠压锁定功能保证了输出为低电平。
    数据手册

    • 9000+

      ￥1.17882

    • 18000+

      ￥1.14885

    • 27000+

      ￥1.10889

    • 54000+

      ￥1.07892
    我要订货
    MC34151PG
    型号：MC34151PG 编号：C82393
    封装：PDIP-8
    品牌：onsemi(安森美)
    MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.43

    • 10+

      ￥1.4

    • 30+

      ￥1.38

    • 100+

      ￥1.36
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    • 我要订货
    FAN7362MX
    型号：FAN7362MX 编号：C463701
    封装：SOP-8
    品牌：onsemi(安森美)
    单片高压侧门极驱动器集成电路 FAN7361/FAN7362 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。 当 VBS 低于指定阈值电压时，UVLO 电路可防止发生故障。输出驱动器的源/汲电流通常分别为 250mA/500mA，适用于荧光灯镇流器、PDP 扫描驱动器、电机控制等。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.11

    • 10+

      ￥2.06

    • 30+

      ￥2.03

    • 100+

      ￥2
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    FAN7361MX
    型号：FAN7361MX 编号：C457664
    封装：SOP-8
    品牌：onsemi(安森美)
    单片高压侧门极驱动器集成电路 FAN7361/FAN7362 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定阈值电压时，UVLO 电路可防止发生故障。输出驱动器的源/汲电流通常分别为 250mA/500mA，适用于荧光灯镇流器、PDP 扫描驱动器、电机控制等。
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    • 5+

      ￥55.265204

    • 10+

      ￥52.194914

    • 100+

      ￥45.030907

    • 1000+

      ￥41.448903
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    LA6242H-TE-L-E
    型号：LA6242H-TE-L-E 编号：C899584
    封装：HSOP-28-EP-7.9mm
    品牌：onsemi(安森美)

    • 1+

      ￥4.09

    • 10+

      ￥3.3

    • 30+

      ￥2.91

    • 100+

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    • 1000+

      ￥2.17
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    单通道10A高速低侧MOSFET驱动器
    型号：NCP81074AMNTBG 编号：C603801
    封装：DFN-8-EP(2x2)
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP81074 是一款单沟道、低压侧 MOSFET 驱动器，能够源/汲最高 10A 的电流。此驱动器可在米勒平坦区提供 7A 峰值电流，克服了开关器件使用 MOSFET 的米勒效应。分割输出配置实现了调节导通和关断摆率的能力。该系列零件采用 SOIC8 和 2mm x 2mm DFN 封装。
    数据手册

    • 6000+

      ￥2.713173

    • 12000+

      ￥2.68873

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      ￥2.639844
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    LB1867M-TLM-H
    型号：LB1867M-TLM-H 编号：C899604
    封装：LSOP-14-175mil
    品牌：onsemi(安森美)

    • 1+

      ￥179.218

    • 10+

      ￥176.28

    • 50+

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    • 200+

      ￥158.652
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    NCP81381MNTXG
    型号：NCP81381MNTXG 编号：C904555
    封装：QFN-36(4x6)
    品牌：onsemi(安森美)

    • 1+

      ￥4.5

    • 10+

      ￥3.64

    • 30+

      ￥3.2

    • 100+

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      ￥2.39
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    高性能，双路MOSFET栅极驱动器
    型号：NCP81080MNTBG 编号：C603806
    封装：DFN-8(2x2)
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP81080是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，专为驱动半桥N沟道MOSFET而优化。NCP81080采用自举技术，确保高端功率开关的正常驱动。高浮动顶部驱动器设计可承受高达180 V的HB电压。
    数据手册

    • 3000+

      ￥3.851034

    • 6000+

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