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NCP81071 是一款高速双低压侧 MOSFET 驱动器。它能够向电容负载提供大峰值电流,在米勒平坦区高达 5A 峰值电流,有助于帮助降低 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。该器件提供启用功能,在各种应用中都能为用户提供比现有方案更好的控制。 此零部件采用 MSOP8?EP 封装、SOIC8 封装、DFN8 2 mm x 2 mm 封装和 WDFN8 3 mm x 3 mm 封装。
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    ¥3.74904 / 个
NCP81074 是一款单沟道、低压侧 MOSFET 驱动器,能够源/汲最高 10A 的电流。此驱动器可在米勒平坦区提供 7A 峰值电流,克服了开关器件使用 MOSFET 的米勒效应。分割输出配置实现了调节导通和关断摆率的能力。该系列零件采用 SOIC8 和 2mm x 2mm DFN 封装。
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  • 单价:

    ¥2.93316 / 个
NCV51513是一款130 V半桥驱动器,具有高驱动电流能力,适用于DC - DC电源和逆变器。NCV51513在同类产品中具有出色的传播延迟,静态电流低,且在高频工作时开关电流小。该器件专为高频高效电源量身定制
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    ¥6.47
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  • NCx57084是一款大电流单通道IGBT栅极驱动器,具备2.5 kVrms内部电流隔离功能,专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。该驱动器在窄体SOIC - 8封装中集成了带软关断功能的DESAT短路保护和故障报告功能。
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      ¥5.6772 / 个
    MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器,针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑,输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响,还有两路高电流图腾柱输出,极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定,以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。
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      ¥4.77924 / 个
    NCP5106 是一款高电压门极驱动器集成电路,提供两种输出,用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V,NCP5106 = 600V
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      ¥3.99672 / 个
    NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路,提供两种输出,用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V,NCP5106 = 600V
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      ¥3.34764 / 个
    FAN7390 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路,可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级,所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲电流驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V(典型值)的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时,UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于 PDP 保持脉冲驱动器、电机驱动器、开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用。
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    • 10+

      ¥5.643
    • 100+

      ¥5.434
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      ¥5.016
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      ¥4.807
    • 2000+

      ¥4.6816
    NCP51561是隔离式双通道栅极驱动器,其源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。它们专为快速开关而设计,用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。NCP51561具有较短且匹配的传播延迟
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    • 单价:

      ¥13.71996 / 个
    NCV7719 八通道半桥驱动器是一款具有保护功能的八通道半桥驱动器,专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品具备独立控制和诊断功能,驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过 16 位 SPI 接口进行控制,并且支持菊花链连接
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      ¥17.27856 / 个
    集成式驱动器和 MOSFET,55 A
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    • 3000+

      ¥6.328
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      ¥6.216
    • 9000+

      ¥6.16
    NCP5304 是一款高压功率门极驱动器驱动器,提供两种输出,用于半桥配置中的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 个独立输入,带交叉导通保护。
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    • 单价:

      ¥6.29508 / 个
    FAN73892是一款单片式三相半桥栅极驱动IC,专为高压、高速驱动最高工作电压达 +600 V的MOSFET和IGBT而设计。仙童(Fairchild)的高压工艺和共模噪声消除技术可确保高端驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。
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      ¥11.21148 / 个
    NCP5901 是一款高性能双 MOSFET 驱动器,经过优化,可驱动同步降压转换器的高压侧和低压侧电源 MOSFET 门极。它能够驱动高达 3.0 nF 的负载,传播延迟为 25 ns,转换时间为 30 ns。自适应防交叉导通和节电运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高能效方案。在 OVP 下检测到门极驱动器故障、发生 UVLO 时,双向 EN 引脚能够向控制器提供故障信号。另外,当电源电压低时,欠压锁定功能保证了输出为低电平。
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    • 单价:

      ¥1.1988 / 个
    MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器,针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑,输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响,还有两路高电流图腾柱输出,极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定,以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。
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    • 1+

      ¥1.43
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      ¥0.9065
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  • 该器件用于开关直感负载,如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机,而无需续流二极管。该器件集成了 MOSFET 开关、ESD 保护和齐纳箝位等所有必要项。它接受逻辑电平输入,因此能够通过各种器件进行驱动,包括逻辑门极、逆变器和微控制器。
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    • 1+

      ¥1.8341
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  • 订货
  • 单片高压侧门极驱动器集成电路 FAN7361/FAN7362 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V(典型值)的高压侧门极驱动器运行。 当 VBS 低于指定阈值电压时,UVLO 电路可防止发生故障。输出驱动器的源/汲电流通常分别为 250mA/500mA,适用于荧光灯镇流器、PDP 扫描驱动器、电机控制等。
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    • 1+

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    • 30+

      ¥3.27
    • 100+

      ¥3.22
  • 订货
  • 单片高压侧门极驱动器集成电路 FAN7361/FAN7362 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V(典型值)的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定阈值电压时,UVLO 电路可防止发生故障。输出驱动器的源/汲电流通常分别为 250mA/500mA,适用于荧光灯镇流器、PDP 扫描驱动器、电机控制等。
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      ¥117.150264
    • 50+

      ¥102.908467
    • 500+

      ¥94.75389
    NCP51100 2 A 栅极驱动器旨在通过在短开关间隔期间提供高峰值电流脉冲,驱动低端开关应用中的 N 沟道增强型 MOSFET。该驱动器具备 TTL 输入阈值。内部电路提供欠压锁定功能,在电源电压处于工作范围之前,将输出保持为低电平
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    • 单价:

      ¥2.36556 / 个
    此微型集成器件提供了单组件方案,可用于开关直感负载,如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机,而无需续流二极管。它接受逻辑电平输入,因此能够通过各种器件进行驱动,包括逻辑门极、逆变器和微控制器。
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    • 单价:

      ¥1.67568 / 个
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